標準解讀
《GB/T 5594.8-2015 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法 第8部分:顯微結(jié)構(gòu)測定方法》與《GB/T 5594.8-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法 顯微結(jié)構(gòu)的測定》相比,在內(nèi)容和技術(shù)要求上進行了更新和改進。新版本更加注重測試方法的具體性和準確性,以適應當前技術(shù)發(fā)展的需求。具體變更包括但不限于以下幾個方面:
- 術(shù)語定義:新版標準對相關(guān)術(shù)語進行了更準確的定義或修訂,確保了行業(yè)內(nèi)對于關(guān)鍵概念的一致理解。
- 測試方法:增加了新的測試技術(shù)和手段,比如使用更先進的顯微鏡技術(shù)(如掃描電子顯微鏡SEM)來觀察樣品的微觀形態(tài),提高了測試結(jié)果的精確度。
- 樣品制備:詳細規(guī)定了樣品準備過程中的步驟、條件等要求,保證不同實驗室間能夠獲得可比性強的結(jié)果。
- 數(shù)據(jù)分析:引入了更為科學合理的數(shù)據(jù)處理方式,增強了分析結(jié)果的有效性與可靠性。
- 安全環(huán)保:考慮到操作過程中可能存在的風險因素以及環(huán)境保護的重要性,新版標準中加入了相應指導原則。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實施




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GB/T 5594.8-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法第8部分:顯微結(jié)構(gòu)測定方法-免費下載試讀頁文檔簡介
ICS31-030
L90
中華人民共和國國家標準
GB/T55948—2015
代替.
GB/T5594.8—1985
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
性能測試方法
第8部分顯微結(jié)構(gòu)測定方法
:
Testmethodsforpropertiesofstructureceramic
usedinelectroniccomponentsanddevice—
Part8Testmethodformicrostructure
:
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
性能測試方法
第8部分顯微結(jié)構(gòu)測定方法
:
GB/T5594.8—2015
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100029)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務熱線
:400-168-0010
年月第一版
20154
*
書號
:155066·1-51261
版權(quán)專有侵權(quán)必究
GB/T55948—2015
.
前言
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法分為以下部分
GB/T5594《》:
氣密性測試方法
———(GB/T5594.1);
楊氏彈性模量泊松比測試方法
———(GB/T5594.2);
第部分平均線膨脹系數(shù)測試方法
———3:(GB/T5594.3);
第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測試方法
———4:(GB/T5594.4);
體積電阻率測試方法
———(GB/T5594.5);
第部分化學穩(wěn)定性測試方法
———6:(GB/T5594.6);
第部分透液性測定方法
———7:(GB/T5594.7);
第部分顯微結(jié)構(gòu)測定方法
———8:(GB/T5594.8);
電擊穿強度測試方法
———(GB/T5594.9)。
本部分為的第部分
GB/T55948。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分代替電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法顯微結(jié)構(gòu)的測定
GB/T5594.8—1985《》。
本部分與相比主要有下列變化
GB/T5594.8—1985,:
標準名稱改為電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法第部分顯微結(jié)構(gòu)測定方法
———:“8:;
顯微結(jié)構(gòu)定義中增加了晶界相間物質(zhì)空間上的相互排列和組合關(guān)系等
———“3.1”,、、;
樣品的制備中增加了小尺寸樣品可以直接采用單面磨制
———“4”,“,”;
測試結(jié)果的綜合表示中增加了部分顯微結(jié)構(gòu)照片將晶粒大小放在前面顯微缺陷
———“7”,,。、
氣孔數(shù)量玻璃相等部分放在后面
、;
刪除了氣孔玻璃相含量等級表示方法見中
———、(GB/T5594.8—19854.2.2、4.3)。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任
,。
本部分由中華人民共和國信息工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由中國電子技術(shù)標準化研究院歸口
。
本部分起草單位中國電子科技集團公司第十二研究所中國電子技術(shù)標準化研究院江蘇常熟銀
:、、
洋陶瓷器件有限公司
。
本部分主要起草人江樹儒曹易高永泉翟文斌
:、、、。
本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T5594.8—1985。
Ⅰ
GB/T55948—2015
.
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
性能測試方法
第8部分顯微結(jié)構(gòu)測定方法
:
1范圍
的本部分規(guī)定了氧化鋁瓷氧化鈹瓷滑石瓷和鎂橄欖石瓷等電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷顯
GB/T5594、、
微結(jié)構(gòu)的測定方法
。
本部分適用于氧化鋁瓷氧化鈹瓷滑石瓷和鎂橄欖石瓷等電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的測定
、、。
本部分只涉及光學顯微鏡的測定內(nèi)容和測定方法
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電子陶瓷名詞
GB/T9530—1988
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T9530—1988。
31
.
顯微結(jié)構(gòu)microstructure
晶相主晶相次晶相玻璃相氣相晶界等的組成形態(tài)大小數(shù)量種類分布均勻度缺陷相
(、)、、、、、、、、、、、
間物質(zhì)等的在空間上的相互排列和組合關(guān)系
。
32
.
晶相crystalphase
在多相系統(tǒng)中由晶體構(gòu)成的部分
。
33
.
氣孔pore
存在于陶瓷體中的小孔與大氣連通的稱開口氣孔封閉的稱閉口氣孔包在晶粒內(nèi)部的稱晶內(nèi)氣
。
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