標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測(cè)試方法》相對(duì)于《GB 6619-1986》主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的變化：從強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T），表明該標(biāo)準(zhǔn)更側(cè)重于提供技術(shù)指導(dǎo)而非強(qiáng)制執(zhí)行。
  2. 測(cè)試方法的改進(jìn)與補(bǔ)充：新版本可能引入了更加精確或簡(jiǎn)便的測(cè)量手段，以適應(yīng)硅片制造技術(shù)的發(fā)展。例如，對(duì)于特定尺寸和類(lèi)型的硅片，增加了新的檢測(cè)項(xiàng)目或者優(yōu)化了原有的測(cè)量流程。
  3. 技術(shù)參數(shù)及要求的更新：隨著行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，《GB/T 6619-1995》可能對(duì)硅片彎曲度的具體數(shù)值范圍、允許偏差等指標(biāo)做出了相應(yīng)調(diào)整，使之更能反映當(dāng)前技術(shù)水平下的產(chǎn)品質(zhì)量要求。
  4. 文本結(jié)構(gòu)與表述方式的優(yōu)化：新版標(biāo)準(zhǔn)或許重新組織了內(nèi)容框架，使用更為清晰準(zhǔn)確的語(yǔ)言來(lái)描述各項(xiàng)規(guī)定，便于使用者理解和操作。
  5. 參考文獻(xiàn)及相關(guān)規(guī)范引用的更新：考慮到相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)其他標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)文件也可能經(jīng)歷了修訂，《GB/T 6619-1995》對(duì)其所引用的標(biāo)準(zhǔn)版本號(hào)等信息進(jìn)行了同步更新，確保一致性與時(shí)效性。

這些變化反映了我國(guó)在半導(dǎo)體材料特別是硅片加工質(zhì)量控制方面技術(shù)水平的提升以及標(biāo)準(zhǔn)化工作的不斷完善。


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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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PDC.669.782-415：620.173.26H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6619-一—1995硅片彎曲度測(cè)試方法Testmethodsforbowofsiliconslices1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T6619-1995硅片彎曲度測(cè)試方法代替GB6619-86Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇：方法4一接觸式測(cè)試方法主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱(chēng)硅片)彎曲度的接觸式測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于50mm,厚度為200～1000m的圓形硅片的彎曲度。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片彎曲度。方法原理將硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上,3支點(diǎn)形成一個(gè)基準(zhǔn)平面,用低壓力位移指示器測(cè)量硅片中心偏離基準(zhǔn)平面的距離，該距離表示硅片的彎曲度3測(cè)量?jī)x器3.1基準(zhǔn)環(huán)基準(zhǔn)環(huán)是由基座、3個(gè)支撐球、3個(gè)定位柱組成的專(zhuān)用器具，如圖所示。國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局1995-04-18批準(zhǔn)1995-12-01實(shí)施

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