GB/T 6619-2009硅片彎曲度測(cè)試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６１９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５

硅片彎曲度測(cè)試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅片彎曲度測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—２００９

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

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電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開(kāi)本８８０×１２３０１／１６印張０．７５字?jǐn)?shù)１６千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３９５６０

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書

犌犅／犜６６１９—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６《硅片彎曲度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６相比，主要變化如下：

———本標(biāo)準(zhǔn)接觸式測(cè)量方法格式按ＧＢ／Ｔ１．１格式編排；

———本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)我國(guó)實(shí)際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５《硅片彎曲度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５相比，主要有如下變動(dòng)：

———擴(kuò)大了可測(cè)量硅片范圍為直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于

２５０的圓形硅片；

———增加了引用文件、術(shù)語(yǔ)、意義用途、測(cè)量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié)；

———修改了儀器校正的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：劉玉芹、蔣建國(guó)、馮校亮、張靜雯。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１９—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１９—２００９

硅片彎曲度測(cè)試方法

方法１接觸式測(cè)量方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡(jiǎn)稱硅片）彎曲度的接觸式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于２５０的圓形

硅片的彎曲度。本測(cè)試方法的目的是用于來(lái)料驗(yàn)收和過(guò)程控制。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片

彎曲度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體