GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜６６１９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５

硅片彎曲度測試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅片彎曲度測試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—２００９

中國標準出版社出版發(fā)行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

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開本８８０×１２３０１／１６印張０．７５字數(shù)１６千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５６０

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書

犌犅／犜６６１９—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６相比，主要變化如下：

———本標準接觸式測量方法格式按ＧＢ／Ｔ１．１格式編排；

———本標準根據(jù)我國實際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測量方法。

本標準代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５相比，主要有如下變動：

———擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于

２５０的圓形硅片；

———增加了引用文件、術語、意義用途、測量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié)；

———修改了儀器校正的內(nèi)容。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司。

本標準主要起草人：劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。

本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１９—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１９—２００９

硅片彎曲度測試方法

方法１接觸式測量方法

１范圍

本標準規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡稱硅片）彎曲度的接觸式測量方法。

本標準適用于測量直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于２５０的圓形

硅片的彎曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制。本標準也適用于測量其他半導體圓片

彎曲度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體