GB/T 7991.6-2014搪玻璃層試驗(yàn)方法第6部分：高電壓試驗(yàn)

ICS711202522050

;

G94...

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T79916—2014

代替.

GB/T7993—2003

搪玻璃層試驗(yàn)方法

第6部分高電壓試驗(yàn)

:

Testmethodofviterousandporcelainenamels—

Part6Hihvoltaetest

:gg

2014-12-05發(fā)布2015-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T79916—2014

.

前言

搪玻璃層試驗(yàn)方法分為個(gè)部分

GB/T7991《》10:

第部分耐堿性溶液腐蝕性能的測定

———1:;

第部分耐沸騰酸及其蒸氣腐蝕性能的測定

———2:;

第部分耐溫差急變性

———3:;

第部分耐機(jī)械沖擊

———4:;

第部分用電磁法測量厚度

———5:;

第部分高電壓試驗(yàn)

———6:;

第部分平均線熱膨脹系數(shù)的測定

———7:;

第部分抗劃傷性能的測定

———8:;

第部分抗拉強(qiáng)度的測定

———9:;

第部分鉛鎘溶出量的測定

———10:、。

本部分為的第部分

GB/T79916。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替用在腐蝕條件下的搪玻璃設(shè)備的高電壓試驗(yàn)方法與

GB/T7993—2003《》,

相比主要技術(shù)變化如下

GB/T7993—2003,:

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)名稱作了修改

———;

對(duì)薄弱點(diǎn)的定義作了修訂

———“”;

取消原標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)電壓至少應(yīng)相當(dāng)于同樣搪玻璃層厚度的空氣層擊穿電壓的倍的

———6.1“()3”

要求

;

取消原標(biāo)準(zhǔn)中的注在空氣中點(diǎn)和球之間直線距離的擊穿電壓約為

———2“,1mm1kV”;

增加周圍環(huán)境中的易燃易爆氣體的濃度應(yīng)在安全范圍內(nèi)的要求

———6.2d)“”。

本部分由中國石油和化學(xué)工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出

。

本部分由全國搪玻璃設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC72)。

本部分起草單位沈陽市東華檢測儀器廠常熟市華懋化工設(shè)備有限公司西安塑龍熔接設(shè)備有限

:、、

公司浙江永興塑料有限公司中天昊宇科技股份有限公司化學(xué)工業(yè)非金屬材料和設(shè)備質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)

、、、

中心

。

本部分主要起草人張品秦麗明馬建萍林恩順張亮桑臨春趙鋒

:、、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T7993—1987、GB/T7993—2003。

Ⅰ

GB/T79916—2014

.

搪玻璃層試驗(yàn)方法

第6部分高電壓試驗(yàn)

:

1范圍

的本部分規(guī)定了搪玻璃設(shè)備的搪玻璃層高電壓試驗(yàn)方法

GB/T7991。

本部分適用于試驗(yàn)電壓不低于且搪玻璃層的厚度不小于的搪玻璃設(shè)備的高電壓

2kV,660μm

試驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

搪玻璃層試驗(yàn)方法第部分用電磁法測量厚度

GB/T7991.55:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

薄弱點(diǎn)weakspots

搪玻璃層中由于氣泡夾雜物裂紋等的存在而被規(guī)定的高電壓擊穿的區(qū)域

、、。

4原理

用高電壓發(fā)生器的正電極給搪玻璃層施加一個(gè)規(guī)定的不低于的直流電壓通過火花放電和

2kV。

高電壓發(fā)生器同時(shí)發(fā)出的光和或聲的信號(hào)探測出搪玻璃層中的缺陷和薄弱點(diǎn)

()。

5裝置

51高電壓發(fā)生器

.

高電壓發(fā)生器能給出不低于的滿足試驗(yàn)要求的直流電壓見其允許誤差為輸出直流電

2kV(6.1),

壓的

±5%。

高電壓發(fā)生器的總內(nèi)阻要足夠的高以使短路電流的算術(shù)平均值最大為