標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 8760-1988 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專門針對(duì)砷化鎵單晶材料中的位錯(cuò)密度進(jìn)行測(cè)定。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用腐蝕坑法來(lái)測(cè)量砷化鎵單晶樣品表面位錯(cuò)密度的具體步驟和技術(shù)要求。

首先，標(biāo)準(zhǔn)介紹了適用范圍，指出其適用于直徑不大于50mm的砷化鎵單晶圓片或棒材的位錯(cuò)密度檢測(cè)。接著，定義了關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)如“位錯(cuò)”、“位錯(cuò)密度”，以及用于描述測(cè)試結(jié)果的相關(guān)單位和符號(hào)。

在準(zhǔn)備階段，標(biāo)準(zhǔn)明確了樣品制備的要求，包括尺寸、形狀及表面處理等細(xì)節(jié)。為了確保測(cè)試準(zhǔn)確性，還特別強(qiáng)調(diào)了樣品清洗的重要性，并給出了推薦的清洗流程。

隨后，標(biāo)準(zhǔn)詳述了腐蝕液的選擇與配制方法。根據(jù)不同的實(shí)驗(yàn)條件和個(gè)人偏好，可以選擇多種類型的腐蝕劑，但無(wú)論哪種，都必須嚴(yán)格按照給定的比例精確配比，并注意安全防護(hù)措施。

接下來(lái)是核心部分——腐蝕過(guò)程的操作指南。這一步驟中，溫度控制、時(shí)間設(shè)定等因素都被嚴(yán)格限定，以保證每次實(shí)驗(yàn)條件下的一致性。此外，還提供了如何觀察并記錄腐蝕后形成坑點(diǎn)的方法。

最后，在數(shù)據(jù)分析章節(jié)里，標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明了如何通過(guò)統(tǒng)計(jì)一定區(qū)域內(nèi)腐蝕坑的數(shù)量來(lái)計(jì)算出樣品的平均位錯(cuò)密度值，并給出了相應(yīng)的公式。同時(shí)，也指出了誤差來(lái)源及減少誤差的方法。

整個(gè)文件通過(guò)對(duì)每一步驟的細(xì)致描述，為從事相關(guān)研究或生產(chǎn)的人員提供了一個(gè)科學(xué)、規(guī)范的操作框架，有助于提高測(cè)量結(jié)果的可靠性和可比性。


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  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實(shí)施
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UDC661.868.1.46：620.18H24中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB8760—88砷化鏢單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法GalliumarsenidesinglecrystalDeterminationofdislocationdensity1988-02-25發(fā)布1989-02-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)局國(guó)發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC661.868.1.46：620.18砷化鏢單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法GB8760—88Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度為0～100000個(gè)/cm的砷化鏢單晶的位錯(cuò)密度的測(cè)量。檢測(cè)面為1111)和100}面。1定義1.1位錯(cuò)單品體中部分原子受應(yīng)力作用產(chǎn)生滑移，已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯(cuò)線，簡(jiǎn)稱位1.2位錯(cuò)密度單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度稱為位錯(cuò)密度（cm/cm'）。本標(biāo)準(zhǔn)位錯(cuò)密度指在單位表面積內(nèi)形成位錯(cuò)腐蝕坑的個(gè)數(shù)（個(gè)/cm'）。2方法原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯(cuò)。晶體中位錯(cuò)線周圍的品格發(fā)生畸變，在晶體表面上的露頭處，對(duì)某些化學(xué)腐蝕劑優(yōu)先受到腐蝕。因此在品體的某一品面上缺陷露頭處容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑或小丘?；瘜W(xué)試劑3.1硫酸（H.SO.）.95%~98%，3.2過(guò)氧化氧（H,O,）,30%。3.3氫氧化鉀(KOH).78.2%，一級(jí)純。3.4去離子水。試樣制備4.1定向切割從單品鍵的待測(cè)部分經(jīng)定向后，切取厚度大于0.5mm的單品片，品向偏離要求小于8°。4.2研磨用302°金剛砂水漿研磨，使表面平整。清洗后，再用306*金剛砂水漿研磨，使表面光潔無(wú)劃痕，清洗·吹干。4.3位錯(cuò)腐蝕坑顯示4.3.1化學(xué)拋光用新配制的H.SO，，：H.O，：H.O－3：1：1（體積比)拋光液，將試樣表面拋光成無(wú)損傷的鏡面。4.3.2位錯(cuò)腐蝕將氫氧化鉀放在鉑或銀塔場(chǎng)內(nèi)加熱，待熔化并沒(méi)清后，溫度保持在400±

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