GB/Z 16935.6-2016低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第2-2部分：交界面考慮應(yīng)用指南

ICS2908030

K30..

中華人民共和國國家標準化指導性技術(shù)文件

GB/Z169356—2016/IEC/TR60664-2-22002

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第2-2部分交界面考慮應(yīng)用指南

:

Insulationcoordinationforequipmentwithinlow-voltagesystems—

Part2-2Interfaceconsiderations—Alicationuide

:ppg

(IEC/TR60664-2-2:2002,IDT)

2016-02-24發(fā)布2016-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/Z169356—2016/IEC/TR60664-2-22002

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

過電壓類別問題

4…………………………2

保護控制的使用問題

5……………………2

觀察電涌過電壓及故障率

6………………3

與被保護設(shè)備間的配合原則

7SPD………………………5

系統(tǒng)裝置中的設(shè)備及內(nèi)在控制或保護控制條件下的設(shè)備操作

8、………5

參考文獻

………………………6

GB/Z169356—2016/IEC/TR60664-2-22002

.:

前言

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合預計分為以下幾個部分

GB/T16935《》:

第部分原理要求和試驗

———1:、;

第部分應(yīng)用指南系列應(yīng)用解釋定尺寸示例及介電試驗

———2-1:GB/T16935,;

第部分交界面考慮應(yīng)用指南

———2-2:;

第部分利用涂層罐封和模壓進行防污保護

———3:、;

第部分高頻電壓應(yīng)力的考慮事項

———4:;

第部分不超過的電氣間隙和爬電距離的確定方法

———5:2mm。

本指導性技術(shù)文件是的第部分

GB/T169352-2。

本指導性技術(shù)文件按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本指導性技術(shù)文件使用翻譯法等同采用第版低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕

IEC/TR60664-2-2:2002(1)《

緣配合第部分交界面考慮應(yīng)用指南本指導性技術(shù)文件應(yīng)與低壓系

2-2:》。GB/T16935.1—2008《

統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗一起使用

1:、》(IEC60664-1:2007,IDT)。

與本指導性技術(shù)文件中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

建筑物電氣裝置第部分安全防護電壓騷擾和電磁騷擾的

———GB/T16895.10—20104-44:

防護

(IEC60364-4-44:2007,IDT)

電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗

———GB/T17626.5—2008()(IEC61000-4-

5:2005,IDT)

低壓電涌保護器第部分低壓配電系統(tǒng)的電涌保護器性能

———GB18802.1—2011(SPD)1:

要求和試驗方法

(IEC61643-1:2005,MOD)

低壓配電系統(tǒng)的電涌保護器第部分選擇和使用導則

———GB/T18802.12—2014(SPD)12:

(IEC61643-12:2008,IDT)

雷電電磁沖擊防護第部分電涌保護裝置的要求

———GB/T19271.3—20053:(SPDs)

(IECTS61312-3:2000,IDT)

本指導性技術(shù)文件作了下列編輯性修改

:

刪去國際標準的前言

———;

第章規(guī)范性引用文件中增加了引導語等原有腳注將出版現(xiàn)刪除因

———2。IECTR620661)“”,,

已出版

;

第章和第章引用的中的條款分別按最新版作了校正

———34GB/T16935.1—2008。

本指導性技術(shù)文件由中國電器工業(yè)協(xié)會提出

。

本指導性技術(shù)文件由全國低壓設(shè)備絕緣配合標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC417)。

本指導性技術(shù)文件負責起草單位上海電器科學研究院

:。

本指導性技術(shù)文件參加起草單位上海工程技術(shù)大學

:。

本指導性技術(shù)文件主要起草人黃兢業(yè)包革吳慶云張麗麗程武山

:、、、、。

Ⅰ

GB/Z169356—2016/IEC/TR60664-2-22002

.:

引言

本指南為各技術(shù)委員會在考慮與絕緣配合相關(guān)的交界面問題時提供了通用基礎(chǔ)導則在低壓交流

。

電力系統(tǒng)和設(shè)備中電涌保護裝置是實現(xiàn)受控過電壓條件的關(guān)鍵元素本指南旨在避免各相關(guān)的委員

,。

會之間產(chǎn)生矛盾以達到統(tǒng)一的要求與準則本指南涉及影響確定裝置和設(shè)備過電壓類別的因素

,。。

Ⅱ

GB/Z169356—2016/IEC/TR60664-2-22002

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第2-2部分交界面考慮應(yīng)用指南

:

1范圍

的本部分提供了發(fā)生在低壓裝置和設(shè)備中的不同類型的浪涌過電壓的概況特

GB/T16935。

別是

:

典型浪涌的大小和持續(xù)時間以及它們發(fā)生的頻率

———;

由電力和通信系統(tǒng)之間的相互作用所產(chǎn)生的過電壓信息

———;

當考慮有關(guān)絕緣配合交界面問題的指導

———;

基于可用性和風險的考慮包括考慮系統(tǒng)內(nèi)的相互作用有關(guān)浪涌保護方式的指導

———(),;

強調(diào)絕緣配合應(yīng)考慮暫時過電壓和其他因素包括使用電涌保護器進行保護控制

———()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗

GB/T16935.1—20081:、(IEC60664-1:

2007,IDT)

低壓電氣裝置第部分安全防護電壓騷擾和電磁騷擾防護

IEC60364-4-444-44:(Low-voltage

electricalinstallations—Part4-44:Protectionforsafety—Protectionagainstvoltagedisturbancesand

electromagneticdisturbances)

電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗

IEC61000-4-5()(Electromagneticcompati-

bility—Testingandmeasurementtechniques—Surgeimmunitytest)

雷電電磁沖擊防護第部分電涌保護裝置的要求

IECTS61312-3(LEMP)3:(SPDs)

[Protectionagainstlightningelectromagneticimpulse(LEMP)—Part3:Requirementsofsurgeprotec-

tived