電子注入材料

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OLED電子注入材料1

2

機理3

實例4

Q&A

OLED結構示意圖Logo背景

獲得高效的OLED器件性能：(1)努力提高器件空穴與電子的注入并使之平衡;(2)采用可以產生磷光發(fā)射的材料；(3)通過分子設計合成高量子產率的材料用作器件的發(fā)光層；(4)在器件結構中加入增透膜等光學結構。背景空穴易注入空穴遷移速度快空穴多于電子加入介電層抑制空穴注入，減小空穴濃度提高了器件工作電壓降低陰極界面勢壘提高電子注入。？機理金屬陰極與有機半導體薄膜接觸前后的能級變化機理電子越過界面處肖特基勢壘注入器件內部的兩種途徑:（a）熱發(fā)射注入；（b）隧穿注入陰極/電子注入材料單層金屬陰極:金屬Ag、Al、Ca、Ba合金陰極：Mg:Ag合金(摻雜比例10:1）Li:AI合金(Li濃度為0.1%)化合物-金屬復合陰極：LiF/Al復合陰極CsF/A1復合陰極Li2O/Al復合陰極A1203/Al復合陰極Mg0/Al復合陰極LiF/Al復合陰極機理一：（1）真空蒸鍍熱活化的Al蒸氣，（2）界面處超薄的LiF層發(fā)生化學反應，（3）生成極其微量的金屬Li。LiF/Al復合陰極機理二：（1）LiF與Al的界面化學反應屬于熱力學禁阻，（2）處于LiF層之下的某種特定的有機半導體接受一個電子形成負離子并釋放一定能量，（3）能量釋放將協同LiF與Al的反應發(fā)生，生成Li

極其微量的金屬Li在生成瞬間，即將一個電子傳遞給下層有機半導體材料，形成有利于電子注入的n型摻雜結構。低功函陰極材料LiF類：Li02、LiCo02、NaCl、MgF2、CsF、CaF2、BaF2、NaF、RbF、CsCl、Ru2C03、YbF3等。比Al更活潑的金屬：LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Al、CsF/Ca/Ag、CsF/Yb/Ag、CsF/Ba/Ag、CsF/Mg:Ag、NaCI/Ca/Al等。低功函陰極材料含有低功函金屬離子的有機材料：（1）一類是有機部分只作為平衡電荷的陰離子或配體，不具備額外的電子傳輸功能，戊間二酮鋰、二叔丁基戊酞甲烷鋰、戊間二酮鈣等;低功函陰極材料（2）有機部分含有缺電子的含氮芳環(huán)結構，可以形成穩(wěn)定的負離子，所以具備一定的電子注入和傳輸能力，8_羥基喹啉鋰（Liq)、2一甲基一8_羥基喹啉鋰(LiMeq）、四(8-羥基喹啉)硼鋰(LiBq4)、8-羥基喹啉鈉(Naq）、4-羥基菲啶鋰(LiPh）、2-(5一苯基一1,3,4-噁二唑基)苯酚鋰(LiOXD）、2-(2-吡啶)苯酚鋰LiPP）、8-羥基喹啉銫（Csq)、三(8_羥基喹啉)鉺(Erq3）等。高功函金屬陰極材料插入絕緣層前(a)后(b>隧穿長度變化的機理示意圖高功函金屬陰極材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的L-B/Al復合陰極，用于聚合物的LiF/Al復合陰極，基于小分子OLED的A1203/Al復合陰極，硬脂酸鈉(NaSt）Al(或Mg,Ag)復合陰極，聚苯乙烯磺酸鈉/Al復合陰極,LiF/Ag，Mg0/Al，Si02/A1，Mn0/A1，

高功函金屬陰極材料Ag陰極鍵合SH-C2H4-CONH-(CH2CH20)45-CH3自組裝單分子層復合陰極，Ag陰極鍵合SH-Si(OCH3)2-(OCH2CH2)nOH自組裝單分子層復合陰極，Au陰極鍵合自組裝