保護電路介紹課件

概要保護電路基本構(gòu)成各元器件簡要介紹保護電路工作原理保護電路的附加功能保護電路的最新發(fā)展保護電路基本構(gòu)成貼片電阻、貼片電容、場效應(yīng)管、保護IC另外有的有熱敏電阻、識別電阻（或識別IC)、保險絲等。元器件簡要介紹元器件作用保護IC檢測保護電路當(dāng)前的電壓、電流、時間等參數(shù)以此來控制場效應(yīng)管的開關(guān)狀態(tài)場效應(yīng)管由保護IC來控制回路中是否有需開或關(guān)貼片電阻限流貼片電容濾波、調(diào)節(jié)延遲時間熱敏電阻檢測電池塊內(nèi)的環(huán)境溫度保險絲防止流過電池的電流過大，切斷電流回路元器件簡要介紹---貼片電阻2、阻值及允許偏差：貼片電阻表面上用三位數(shù)字表示阻值，其中第一、二位為有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示后接零的數(shù)目，有小數(shù)點時用“R”來表示，并占一位有效位數(shù)，如511是51×101=510R。2R2=2.2R；允許偏差：F檔表示1﹪；J檔表示5﹪；K檔表示10﹪。元器件簡要介紹---貼片電容

基本參數(shù)：封裝尺寸、耐壓、容值、允許偏差、材質(zhì)、阻抗等1、封裝尺寸：其尺寸代碼與貼片電阻相同。2、耐壓：不同容值、不同封裝、不同偏差的電容廠家能做到的耐壓值也不相同。一般容值越低，耐壓值越高；封裝尺寸越大耐壓值也越高；偏差越大耐壓值越高。3、容值與允許偏差：容值表示方法與電阻類似，如0R5表示0.5PF,104表示100000PF即0.1UF；允許偏差表示方法也與電阻類似，F(xiàn)檔表示1﹪；J檔表示5﹪；K檔表示10﹪；M檔表示20﹪；Z檔表示+80,-20﹪。

4、材質(zhì)：COG(NPO)容值精度為5﹪；X5R(X7R)容值精度為10﹪；Y5V容值精度為20﹪；Z5U容值精度為+80,-20﹪；元器件簡要介紹---熱敏電阻

有PTC(POSITIVETEMPERATURECOEFFICENT)正溫度系數(shù)，如過流保護器；NTC(NEGATIVETEMPERATURECOEFFICENT)負(fù)溫度系數(shù)兩種。NTC基本參數(shù)有封裝尺寸、阻值、允許偏差，B常數(shù)、B值偏差等。

NTC阻值隨溫度呈非線性變化，NTC熱敏電阻的阻值隨溫度的變化函數(shù)如下式：

R25C是熱敏電阻在室溫下的阻值，β是熱敏電阻材料的開爾文(Kelvins)常數(shù)，T是熱敏電阻的實際攝氏溫度。

元器件簡要介紹---場效應(yīng)管

縮寫為FET，電壓控制器件，可通過改變輸入電壓來改變輸入電流，有N溝道與P溝道兩種?；緟?shù)封裝、耐壓、耐流、內(nèi)阻等。

1、與三極管相比具有的優(yōu)點：三極管電流控制器件，內(nèi)阻較大，耗電很大，電流不可雙向流動。

2、N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管相比：N溝道高電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較小，價格較低；P溝道低電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較大，價格較高。

3、耐壓：指柵源間耐壓VGSS與漏源間耐壓VDSS。

4、耐流：指場效應(yīng)管導(dǎo)通時可流過場效應(yīng)管D、S間的最大電流，有恒流耐流與脈沖電流兩種。

5、內(nèi)阻：指場效應(yīng)管導(dǎo)通時不同電壓、電流下D、S間的內(nèi)阻，電壓越高時，內(nèi)阻越低；電流越大，內(nèi)阻越高。

6、保護電路中，單雙節(jié)保護電路用N溝道場效應(yīng)管，多節(jié)用P溝道。元器件簡要介紹---保護IC

分單節(jié)保護IC與多節(jié)（串聯(lián)）用保護IC，有內(nèi)置延時與外置延時，發(fā)展趨勢是由外置延時發(fā)展到內(nèi)置延時。基本功能有過充保護、過放保護、過流保護、短路保護等?；緟?shù)有過充電保護（釋放）電壓、過放電保護（釋放）電壓、過充（放、流）保護延時等。

保護電路工作原理---應(yīng)用電路圖保護電路工作原理---特點1、每種保護只關(guān)斷一個場效應(yīng)管。關(guān)斷具體場效應(yīng)管為：過充保護---過充場效應(yīng)管過放保護---過放場效應(yīng)管過流保護---過放場效應(yīng)管短路保護---過放場效應(yīng)管2、每種保護關(guān)斷時都經(jīng)過一定的延時以避免誤動作。其中過充保護延時是通過改變外部電容容值來設(shè)置延時的，其它保護延時是內(nèi)置的。保護電路工作原理---兩參數(shù)確定1、過充電保護延時：計算公式為：

tVdet1[sec]=(C3[F]X(Vdd(V)-0.7)/(0.48X10-6)式中：Vdd為保護IC的過充電檢測電壓值。簡便計算：延時時間=C3（UF）/0.01UFX77ms

如若C3容值為0.22UF,則延時值為0.22/0.01X77=1694ms。嚴(yán)格計算還要考慮電容容值的偏差。保護電路工作原理---兩參數(shù)確定

2、過電流值的計算：

依據(jù)公式I=U/R式中I為所要計算的過電流檢測值；U為保護IC的過電流檢測電壓值；R為保護電路中從B-~P-間的內(nèi)阻值，具體來間說指的是保護IC的第6腳與R2外接P-處的內(nèi)阻（大電流回路中MOSFET與PCB布線內(nèi)阻之和）。例如：一個保護電路中保護IC檢驗電壓為0.20V,R為40mR（MOS管內(nèi)阻以3.8V左右計），則過電流檢測電壓值0.20V/4