標準解讀

《YS/T 819-2012 電子薄膜用高純銅濺射靶材》是一項針對用于電子薄膜制造過程中的高純度銅濺射靶材的技術標準。該標準詳細規(guī)定了此類材料的化學成分、物理性能以及尺寸精度等方面的要求，旨在確保產品質量符合電子工業(yè)對高性能、高可靠性的需求。

根據(jù)標準內容，對于高純銅濺射靶材而言，其主要化學成分為銅（Cu），同時對雜質元素如鉛(Pb)、錫(Sn)、鋅(Zn)等含量有嚴格限制，以保證材料的高純度。此外，還明確了不同牌號高純銅濺射靶材的具體技術指標，包括但不限于密度、硬度、電阻率等物理性質參數(shù)，這些參數(shù)直接影響到最終形成的薄膜質量和特性。

在外觀質量方面，《YS/T 819-2012》也做了相應要求，指出產品表面應無明顯缺陷，如裂紋、氣孔等，并且需要保持良好的平整度和光滑度。對于尺寸規(guī)格，則根據(jù)不同應用場景給出了具體的公差范圍，確保能夠滿足實際使用時的裝配要求。

該標準適用于各類采用物理氣相沉積法（PVD）制備電子薄膜過程中所使用的高純銅濺射靶材，不僅為生產廠家提供了明確的質量控制依據(jù)，也為用戶選擇合適的產品提供了參考。通過遵循這一標準，可以有效促進我國電子薄膜產業(yè)的發(fā)展和技術進步。


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  • 2012-11-07 頒布
  • 2013-03-01 實施
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文檔簡介

ICS7715030

H62..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T819—2012

電子薄膜用高純銅濺射靶材

High-puritysputteringcoppertargetusedinelectronicfilm

2012-11-07發(fā)布2013-03-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T819—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位寧波江豐電子材料有限公司有研億金新材料股份有限公司

:、。

本標準主要起草人王學澤宋佳高巖尚再燕趙永善袁潔熊曉東

:、、、、、、。

Ⅰ

YS/T819—2012

電子薄膜用高純銅濺射靶材

1范圍

本標準規(guī)定了電子薄膜用高純銅濺射靶材的要求試驗方法檢驗規(guī)則和標志包裝運輸貯存質

、、、、、、

量證明書及合同或訂貨單內容

()。

本標準適用于電子薄膜制造用的各類高純銅濺射靶材以下簡稱高純銅靶

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

變形金屬超聲檢驗方法

GJB1580A

銅及銅合金平均晶粒度測定方法

YS/T347

濺射靶材背板結合質量超聲波檢測方法

YS/T837-

3要求

31產品分類

.

高純銅靶分類按照應用背景分為半導體布線用高純銅靶半導體封裝用高純銅靶平板顯示器用

:、、

高純銅靶和太陽能電池用高純銅靶

。

32成分要求

.

根據(jù)高純銅濺射靶材的用途電子薄膜用高純銅濺射靶材的成分及雜質元素要求應符合表規(guī)定

,1。

表1高純銅靶材化學成分表

牌號

4N4N55N6N

含量

Cu/%

不小于99.9999.99599.99999.9999

Ag—2550.3

Al——0.50.1

As2050.50.02

雜質含量-6

/10,

不大于Bi20110.02

Ca——0.50.02

Cd—10.1—

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