熔鹽生長法復(fù)習(xí)進(jìn)程_第1頁
熔鹽生長法復(fù)習(xí)進(jìn)程_第2頁
熔鹽生長法復(fù)習(xí)進(jìn)程_第3頁
熔鹽生長法復(fù)習(xí)進(jìn)程_第4頁
熔鹽生長法復(fù)習(xí)進(jìn)程_第5頁
已閱讀5頁，還剩5頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

熔鹽生長法3.生長速率（BCF理論）

<<1：tanh1/≈1,>>1：tanh1/≈1/

V＝C∝

二、助熔劑的選擇

1.有足夠大的溶解度，一般應(yīng)為10～50wt%，同時(shí)在生長溫度范圍內(nèi)，還應(yīng)有適度的溶解度的溫度系數(shù)；2.所生成的晶體是唯一穩(wěn)定的物相（不反應(yīng)），助溶劑與參與結(jié)晶的成分最好不要形成多種穩(wěn)定的化合物；3.固溶度應(yīng)盡可能小，盡可能選用同離子助熔劑；4.小粘滯性,使擴(kuò)散速率↗,生長速率↗,完整性↗;5.低熔點(diǎn)，高沸點(diǎn)，才有較寬的生長溫區(qū)；6.很小的揮發(fā)性、腐蝕性和毒性，避免對(duì)人體、坩堝和環(huán)境造成損害和污染；7.

易溶于對(duì)晶體無腐蝕作用的液體溶劑中，如水、酸或堿性溶液等，以便于生長結(jié)束時(shí)晶體與母液的分離。

8.很難找到一種能同時(shí)滿足上述條件要求的助熔劑。在實(shí)際使用中，一般采用復(fù)合助熔劑來盡量滿足這些要求。

例如：PbO和PbF2

表7.5給出了一些常用的助熔劑和所生長的晶體。

P166

三、生長設(shè)備及操作方法

1.設(shè)備

1)生長爐：要求保溫性能好，坩堝進(jìn)出方便，耐腐蝕；

2)坩堝材料：Pt,避免鉛、鉍、鐵的影響（會(huì)與鉑生成低共熔物）。使用鉛基助熔劑時(shí)，加入少量PbO2可以增加坩堝的壽命。2.生長工藝：1）按比例配料，裝爐；2）生長過程中，精確控溫；3）分離殘余溶液（1）直接傾倒，再回爐緩冷；（2）直接冷卻，溶解余液；（3）坩堝底部開孔；（4）特殊裝置a.倒轉(zhuǎn)法：fig.7.4.2b.傾斜法：fig.7.4.3圖7.4.2倒轉(zhuǎn)法示意圖（a）冷卻到液相線溫度以下；（b）生長階段；（c）重新轉(zhuǎn)回來，把晶體助熔劑分開

圖7.4.3坩堝傾斜法示意圖

四、優(yōu)缺點(diǎn)1.適應(yīng)性強(qiáng)；2.生長溫度低；3.晶體應(yīng)力小，均勻完整；4.設(shè)備簡單。1.速率慢，周期長，小晶體；2.助溶劑有毒，污染爐體和環(huán)境。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論