電子顯微鏡第五章電子顯微術(shù)-2課件_第1頁
電子顯微鏡第五章電子顯微術(shù)-2課件_第2頁
電子顯微鏡第五章電子顯微術(shù)-2課件_第3頁
電子顯微鏡第五章電子顯微術(shù)-2課件_第4頁
電子顯微鏡第五章電子顯微術(shù)-2課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩21頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

掃描電鏡襯度的形成:主要利用樣品表面微區(qū)特征,如形貌、原子序數(shù)、化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)或位向等的差異，在電子束作用下產(chǎn)生不同強度的物理信號，使陰極射線管熒光屏上不同的區(qū)域呈現(xiàn)出不同的亮度，獲得具有一定襯度的圖象。第六節(jié)掃描電鏡襯度像1.二次電子像形貌襯度的形成：二次電子產(chǎn)額強烈依賴于入射束與試樣表面法線間的夾角。如果試樣表面是凸凹不平的話，法線與入射束夾角大的面發(fā)射的二次電子多；反之則少。(a)=0°50?r1(b)=45°50?r250?r3(c)=65°r3＞r2＞r1入射電子在試樣表層下50?深度內(nèi)所經(jīng)路程隨面法線間夾角的變化

B二次電子產(chǎn)額圖象襯度AC形貌襯度形成原理檢測器B強度ADABCDIAIBICID2.背散射電子像成分襯度

背散射電子像的形成：樣品表面上平均原子序數(shù)Z大的部位產(chǎn)生較強的背散射電子信號，在熒光屏上形成較亮的區(qū)域；而平均原子序數(shù)較低的部位則產(chǎn)生較少的背散射電子，在熒光屏上形成較暗的區(qū)域，這樣就形成原子序數(shù)襯度（成分襯度）。形貌襯度產(chǎn)額傾斜角背散射電子和二次電子成像對比二次電子像背散射電子像背散射像的獲得背散射電子探測器和信號處理a)成分有差別，(b)形貌有差別，(c)成分形貌都有差別

形貌無差別

成分無差別由A和B來的信號分離后的信號鋁合金拋光表面的背反射電子像

采用A+B方式獲得的成分像采用A-B獲得的形貌像鋁合金韌窩斷口形貌斷口形貌分析斷口形貌分析解理臺階

斷口形貌分析碳纖維增強復(fù)合材料斷口的二次電子像斷裂擴展過程原位觀察斷裂過程原位觀察Al3Ti/(Al-Ti)復(fù)合材料斷裂過程原位觀察納米材料形貌觀察螺旋形碳納米管顯微組織分析高鎳高鉻奧氏體鋼的顯微組織第七節(jié)掃描電鏡晶體學(xué)分析1.通道花樣形成原理

入射電子被晶體中原子點陣的散射幾率并不是各向同性的。當(dāng)γ<θB時，入射電子被背向散射(即散射角大于90°)大于前向散射(即散射角小于90°)的幾率，意味著這些入射方向是不利于進入晶體的禁道；而當(dāng)γ>θB時，入射電子的前向散射幾率大于背向散射幾率，意味著這些入射方向是易于進入到晶體中去的通道，這種物理現(xiàn)象稱為電子通道效應(yīng)?！?11〉金剛石晶體所獲得的電子通道花樣3.通道花樣的指標化W/MAC/ML2γ2θ

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論