2022年中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)系列研究報(bào)告 -投保

報(bào)告提供的任何內(nèi)容(包括但不限于數(shù)據(jù)、文字、圖表、圖像等)均報(bào)告提供的任何內(nèi)容(包括但不限于數(shù)據(jù)、文字、圖表、圖像等)均系頭豹研究院獨(dú)有的高度機(jī)密性文件(在報(bào)告中另行標(biāo)明出處者除外)。未經(jīng)頭豹研究院事先書面許可，任何人不得以任何方式擅自復(fù)制、再造、傳播、出版、引用、改編、匯編本報(bào)告內(nèi)容，若有違反上述約定的行為發(fā)生，頭豹研究院保留采取法律措施，追究相關(guān)人員責(zé)任的權(quán)利。頭豹研究院開展的所有商業(yè)活動均使用“頭豹研究院”或“頭豹”的商號、商標(biāo)，頭豹研究院無任何前述名稱之外的其他分支機(jī)用其他任何第三方代表頭豹研究院開展商業(yè)活動。報(bào)告作者：霍翰松2022/11概覽標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體、SiC、第三代半導(dǎo)體、國產(chǎn)替代?2022LeadLeo?2022LeadLeo22研研究方向&摘要用SiCMOSFET行業(yè)，梳理行業(yè)概況以及產(chǎn)業(yè)鏈動態(tài)，并洞察行業(yè)未來發(fā)展趨勢。①現(xiàn)階段新能源車應(yīng)用SiCMOSFET行業(yè)發(fā)展②產(chǎn)業(yè)鏈上有哪些進(jìn)展？③未來行業(yè)將有哪些發(fā)展趨勢？研究方向——?在汽車高壓化、器件高度集成化的趨勢下，SiCMOSFET在新能源車的滲透度持續(xù)提高，與此同時(shí)，中國作為新能源車最大的市場，能?國內(nèi)襯底與外延廠商產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)展順利，為國產(chǎn)替代發(fā)展提供關(guān)鍵“上車”進(jìn)度順利步落地，但規(guī)模商業(yè)化仍需時(shí)間；2.IDM是SiCMOSFET行業(yè)主名詞解釋?新能源汽車：新能源汽車是指采用非常規(guī)的車用燃料作為動力來源(或使用常規(guī)的車用燃料、采用新型車載動力裝置)，綜合車輛的動力進(jìn)技術(shù)，形成的技術(shù)原理先進(jìn)、具有新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)的汽車?第三代半導(dǎo)體：以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表，具有耐高壓、耐高溫、大功率、導(dǎo)電性能強(qiáng)、的性能優(yōu)勢?MOSFET(金氧半場效晶體管)：通過電壓驅(qū)動的全控型半導(dǎo)體，可通過控制信號進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷。功率MOSFET通過利用控制輸入回來控制輸出回路電流、電壓，可以作為電源開關(guān)為3?2022LeadLeoCONTENTS◆新能源車應(yīng)用SiCMOSFET行業(yè)概況◆產(chǎn)業(yè)鏈分析與動態(tài)梳理?上游設(shè)備行業(yè)簡析?上游襯底與外延行業(yè)簡析◆SiCMOSFET發(fā)展趨勢洞察?趨勢分析◆方法論◆法律聲明◆企業(yè)介紹 08 09 10 11 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 25 26 21?2022LeadLeoListListofFigures圖表1：車用SiC電子電力器件市場規(guī)模 08SiC份額 08圖表3：SiCMOSFET上車趨勢 08圖表4：SiCMOSFET相較于硅基器件的優(yōu)勢 09圖表5：電驅(qū)動系統(tǒng)往集成化發(fā)展 09企積極進(jìn)行SiCMOSFET上車與器件供應(yīng)安全的布局 09圖表7：SiCMOSFET相關(guān)國家政策與地方政策 10圖表8：SiCMOSFET專利申請量與授權(quán)發(fā)明量排名前四的國家 11圖表9：中國廠商SiCMOSFET專利申請量與授權(quán)發(fā)明總量 11圖表10：近十年中國的SiCMOSFET專利申請量 111：全球SiCMOSFET上有情況簡析 122：全球與中國SiCMOSFET中游簡析 12圖表13：主流長晶方法：物理氣相傳輸法示意圖 14圖表14：已開始量產(chǎn)供貨的主要國內(nèi)廠商 14圖表15：SiC的加工需要在硅工藝基礎(chǔ)上增置特定設(shè)備 14圖表16：北方華創(chuàng)設(shè)備介紹 15圖表17：襯底與外延工藝流程及器件成本占比 16圖表18：SiC襯底市場份額 16型SiC襯底市場份額 17圖表20：瀚天天成商業(yè)化進(jìn)展迅速 181：意法半導(dǎo)體SiCMOSFET產(chǎn)品技術(shù)路線圖 19?2022LeadLeo?2022LeadLeoListListofFigures圖表22：SiCMOSFET的平面型結(jié)構(gòu)與溝槽型結(jié)構(gòu)的優(yōu)劣勢 19圖表23：三安光電產(chǎn)品技術(shù)布局 20圖表24：基本半導(dǎo)體戰(zhàn)略合作朋友圈 20圖表25：比亞迪半導(dǎo)體封閉生態(tài)圈 21SiC 22SiC 22圖表28：襯底尺寸擴(kuò)大存在的挑戰(zhàn) 24?2022LeadLeo?2022LeadLeo第一章節(jié)：新能源車應(yīng)用SiCMOSFET行業(yè)概況產(chǎn)業(yè)鏈動態(tài)分析?2022LeadLeo6.85億美元49.86億美元CAGR=39%場車用Si市C子模電力器件口6.85億美元49.86億美元CAGR=39%場車用Si市C子模電力器件口新能源車是SiC電子電力器件的最2021年占比63%)，且速成長階段口高壓充電與優(yōu)化充電效率是新能源車緩解續(xù)航焦慮的關(guān)鍵手段，SiCMOSFET作為其中的關(guān)鍵器件，需量將持續(xù)受推動擴(kuò)大20212027ESiCMOSFET初嘗試SiCMOSFET滲透率上升e3.0平臺Edward平臺E-GMP平臺NT2.0平臺MOSFET滲透率持續(xù)上升，規(guī)模逐漸壯大2021年SiC電子電力器件市場份額2021年SiC電子電力器件市場份額fspeed姆1%口口SiCMOSFET市場由國外IDM龍中，意法半導(dǎo)體依托大客戶特斯拉當(dāng)前成為市占率最大的廠商，前者M(jìn)odel來便是特斯拉的主要供應(yīng)商SiCSiCMOSFET大規(guī)模上車特斯拉ModelY特斯拉第二特斯拉ModelY特斯拉第二代平臺比亞迪漢EV高性能四驅(qū)版更多車型……小鵬G9比亞迪更多車型……?特斯拉首次將SiCMOSFET首次應(yīng)用于主驅(qū)逆變器(Model3)?比亞迪開始將SiCMOSFET應(yīng)用于OBC2019-20222019-202220188?2022LeadLeo?2022LeadLeoSiC布局比亞迪e平臺3.0搭配新一代SiC電控的八合一電動力總成(已量產(chǎn))；OBC使用SiCMOSFET比亞迪半導(dǎo)體自主研發(fā)生產(chǎn)SiCMOSFET模塊800VSiC平臺(已量產(chǎn))戰(zhàn)略投資瞻芯電子；英飛凌取得某車款的Design-Win廣汽埃安搭配SiC的自研四合一電驅(qū)生產(chǎn)下線與芯聚能、博世展開SiC電驅(qū)系統(tǒng)業(yè)務(wù)戰(zhàn)略合作；廣汽集團(tuán)投資基本半導(dǎo)體極氪極氪威睿SiC首款400VSiC電驅(qū)動量產(chǎn)下線；800V平臺SiC產(chǎn)品正在推進(jìn)吉利與芯聚能、芯合科技布局SiC制造；吉利與羅姆展開以SiC為核心的合作關(guān)系蔚來NT2.0400V平臺采用SiCMOSFET(已量產(chǎn))，且將布局800V平臺采用安森美SiC解決方案；子公司蔚然(南京)動力自研SiC功率模塊五菱在HEV混動總成中集成了SiC模塊采用臻驅(qū)科技SiC產(chǎn)品(臻驅(qū)科技與羅姆合作推動SiC產(chǎn)業(yè)化落地)理想在研高壓平臺采用SiC方案，計(jì)劃2023年推出與三安光電合資成立SiC公司蘇州斯科半導(dǎo)體SiCMOSFET實(shí)現(xiàn)直流變換器(DCDC)充電機(jī)(OBC)高壓分線盒(HV-BOX)??新能源車高壓化趨勢及電驅(qū)動系統(tǒng)集成化趨勢發(fā)展持續(xù)提高SiCMOSFET需求。部分國內(nèi)車企已量產(chǎn)采用iC高導(dǎo)熱性能使用高導(dǎo)熱性能使用SiCMOSFET可降低器件功率損耗，減小器件體積，提升熱管理能力與能源轉(zhuǎn)換效率，從而提高汽車?yán)m(xù)航能力，并優(yōu)化汽車系統(tǒng)性能，如高壓系統(tǒng)、高度集成化電驅(qū)動系統(tǒng)器件體積小高能量轉(zhuǎn)換效率價(jià)值：通過器件高度集成，提升機(jī)電能量密度、運(yùn)行效率和降低維護(hù)成本(Gbox)(Gbox)(INV)(DCDC)(OBC)高壓分線盒 (HV-BOX)VCU注：標(biāo)紅器件為應(yīng)用SiCMOSFET的主要器件電機(jī)(EM)變速器(Gbox)電機(jī)控制器(INV)頭豹研究院9?2022LeadLeo政策動力北京：將第三代半導(dǎo)體納入先進(jìn)制造業(yè)的范疇進(jìn)沿材料半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展山西：重點(diǎn)發(fā)展SiC等產(chǎn)品生產(chǎn)及檢測裝提高半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品良率布集成電路產(chǎn)業(yè)財(cái)政補(bǔ)貼細(xì)政策動力北京：將第三代半導(dǎo)體納入先進(jìn)制造業(yè)的范疇進(jìn)沿材料半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展山西：重點(diǎn)發(fā)展SiC等產(chǎn)品生產(chǎn)及檢測裝提高半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品良率布集成電路產(chǎn)業(yè)財(cái)政補(bǔ)貼細(xì)第三代半導(dǎo)體流片補(bǔ)貼比例當(dāng)上浮湖南：推動功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等重大項(xiàng)目，構(gòu)建完善產(chǎn)品鏈，加快實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，提升本地能力降低能量損失與體積，提成能量轉(zhuǎn)換效率，支碳中和”的實(shí)現(xiàn)《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動23年)》廣東：支持SiC等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，培育撞到化合物半導(dǎo)體IDM企業(yè)；打造新興產(chǎn)業(yè)聚集發(fā)展核心區(qū)和創(chuàng)發(fā)展示范區(qū)《關(guān)于完整準(zhǔn)確全面貫徹新發(fā)展理念做峰碳中和工作的意見》口指出推動集成電路領(lǐng)域要取得“推動集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)， (IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破，先進(jìn)儲存技術(shù)升級，碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展”口口工信部指出要重點(diǎn)發(fā)展耐高溫、耐高壓、低損耗、立器件及模塊等電路類元器件，面向重要行業(yè)，推動基礎(chǔ)電子元器件實(shí)現(xiàn)突破，產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈現(xiàn)代化水平來源：各政府部門官網(wǎng)、各省官網(wǎng)、CASA、頭豹研究院10?2022LeadLeoSiCMOSFET明量排名前四的國家0011821215699320122013201420152016SiCMOSFET明量排名前四的國家0011821215699320122013201420152016201720182019202020212022Wolfspeed中國廠商SiCMOSFET專利申請量與授權(quán)發(fā)明總量口SiCMOSFET市場之爭核心在于技術(shù)積累：現(xiàn)階段，SiCMOSFET成本較高，因此主要應(yīng)用于需求痛點(diǎn)較為突出的新能源車核心器件，對于可靠性要求極高，而要達(dá)到器件高可靠性則需要廠商擁有深厚的技術(shù)積累與經(jīng)驗(yàn)積累。海外龍頭廠商技術(shù)優(yōu)勢突出，因此也率先通過一系列驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)上車與規(guī)模量產(chǎn)供應(yīng)，并占據(jù)了市場絕大部分份額，相較國內(nèi)廠商的進(jìn)度較為落后能力的作用，如近年來中國SiCMOSFET專利申請數(shù)量大幅度提高。同時(shí)，在政策支持之下，產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)境持續(xù)改善、國內(nèi)廠商的技術(shù)能力也在不斷提高，部分廠商的車規(guī)級SiCMOSFET已開始投入新能源車的應(yīng)用當(dāng)中潤：45注：數(shù)據(jù)由檢索關(guān)鍵詞SiCMOSFET/碳化硅電力電子器件及應(yīng)用相關(guān)過濾項(xiàng)所得較為深厚的積累，而國內(nèi)行業(yè)整體則已開始加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)能力進(jìn)行追趕發(fā)明申請發(fā)明申請授權(quán)發(fā)明代表公司：羅姆000200來源：智慧芽、頭豹研究院11?2022LeadLeo中國廠商代工/制造ID模式廠商海外廠商口海外龍頭廠商大多采用IDM模式，有利于技術(shù)改進(jìn)與know-how積累，打造符合客戶需求的高質(zhì)量產(chǎn)品，目前很多中國功率半導(dǎo)體廠商也采用IDM模式制造SiC中國廠商代工/制造ID模式廠商海外廠商口海外龍頭廠商大多采用IDM模式，有利于技術(shù)改進(jìn)與know-how積累，打造符合客戶需求的高質(zhì)量產(chǎn)品，目前很多中國功率半導(dǎo)體廠商也采用IDM模式制造SiCMOSFET產(chǎn)品。部分海外龍頭廠商布局向上游延伸，既能提高自身技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量，還有利于提高供貨量口IDM模式優(yōu)勢雖顯著，但設(shè)備貴、研發(fā)投入大，建造產(chǎn)線的成本高。隨著代工廠開始擴(kuò)充SiC產(chǎn)能，采用Fabless的廠商可與代工廠深度合作，將自身研發(fā)重心放在專利技術(shù)，以優(yōu)化產(chǎn)品性能，同樣具有一定的競爭優(yōu)勢??海外廠商起步較早，在產(chǎn)業(yè)上中游皆形成了較強(qiáng)的人才與技術(shù)壁壘。中國廠商已開始逐步縮小差距，如設(shè)備廠商通過客戶驗(yàn)證、襯底廠商獲得大訂單、部分SiCMOSFET廠商已開始量產(chǎn)供應(yīng)客戶C中國廠商晶盛機(jī)電覆蓋長晶、外延爐，北方華創(chuàng)覆蓋全流程設(shè)備海外廠商海外廠商海外廠商SiC外延爐SiC功率器件加工設(shè)備C中國廠商晶盛機(jī)電覆蓋長晶、外延爐，北方華創(chuàng)覆蓋全流程設(shè)備海外廠商海外廠商海外廠商中國廠商中國廠中國廠商設(shè)備口口SiC制備要求高、難度大，設(shè)備技術(shù)調(diào)整、質(zhì)量優(yōu)化需要經(jīng)驗(yàn)積累。海外設(shè)備廠商產(chǎn)業(yè)化時(shí)間較早，占據(jù)優(yōu)勢；中國設(shè)備廠商的產(chǎn)品開始通過客戶驗(yàn)證逐步縮小差距襯底與外延中國襯底廠商海外襯底廠商覆蓋中國外延廠商海外外延廠商口口SiC襯底與外延制造難度大，行業(yè)整體的良率和成本仍待優(yōu)化口海外龍頭廠商擁有深厚的大部分市場份額；中國廠商中如天科合達(dá)、山東天岳皆擁有較久經(jīng)驗(yàn)積累，并取得不錯的商業(yè)進(jìn)展院?2022LeadLeo第二章節(jié)：產(chǎn)業(yè)鏈分析與動態(tài)梳理產(chǎn)業(yè)鏈動態(tài)分析?2022LeadLeoSiC工藝基礎(chǔ)上增置特定設(shè)備設(shè)備/技SiC工藝基礎(chǔ)上增置特定設(shè)備設(shè)備/技術(shù)高溫退火爐高溫離子注入機(jī)SiC減薄設(shè)備背面金屬沉積設(shè)備背面激光退火設(shè)備SiC襯底和外延表面缺陷檢測和計(jì)量與透明晶圓兼容的工作波長(385nm禁帶寬度)使背面歐姆接觸形成最高溫度：1950oCTi/Cr/W/Mo/TiW/Ni最高溫度：700oC晶圓減薄屬性也有不同的要求SiC階段長晶與外延工藝都在不斷的演進(jìn)，通過優(yōu)化技術(shù)或技術(shù)路線創(chuàng)新，能夠彌補(bǔ)當(dāng)前主流技術(shù)存在的缺陷，從而提高材料良率與降低材料成本。設(shè)備與材料廠商深度合作，經(jīng)驗(yàn)與攻關(guān)技術(shù)，打造高質(zhì)量產(chǎn)線，從而推動產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展??SiC材料生產(chǎn)以及器件工藝要求與硅產(chǎn)線有所差異，設(shè)備廠商通過與客戶合作進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)積累與技術(shù)攻關(guān)，更有利于打造高質(zhì)量產(chǎn)線，推動產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展口襯底生長難點(diǎn)在于參數(shù)控制以及對于碳化硅材料屬性的熟悉程度，長晶爐廠商與襯底廠商能夠更好實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，減輕設(shè)備廠商自身研發(fā)負(fù)口襯底生長難點(diǎn)在于參數(shù)控制以及對于碳化硅材料屬性的熟悉程度，長晶爐廠商與襯底廠商能夠更好實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，減輕設(shè)備廠商自身研發(fā)負(fù)擔(dān)長生層石墨坩堝 、硅粉圈?長晶過程周期長、溫度高，對于設(shè)備具有要求的同時(shí)，如何調(diào)整參數(shù)是關(guān)鍵，其中有三大難點(diǎn)：主流長晶方法：物理氣相傳輸法(PVT法)示意圖天。若控制不好，會導(dǎo)致材料、時(shí)間浪費(fèi)?主張“工藝研發(fā)指導(dǎo)設(shè)備研制，與大生產(chǎn)線緊密結(jié)合”的技術(shù)攻關(guān)路線?近期完成8英寸SiC長晶爐研發(fā)已開始量產(chǎn)供貨的主要國內(nèi)廠商技術(shù)口外延技已開始量產(chǎn)供貨的主要國內(nèi)廠商技術(shù)口外延技術(shù)主要取決于外延設(shè)備技術(shù)，國外外延設(shè)備廠商技術(shù)積累較久，是當(dāng)前外延制造廠商的首選口國內(nèi)主要廠商已通過客戶驗(yàn)證，并開始量產(chǎn)供應(yīng)。在SiC器件擴(kuò)產(chǎn)潮推動下，國產(chǎn)設(shè)備替代有望提速設(shè)備≈外延技術(shù)與設(shè)備技術(shù)高度融合來源：芯TIP、天岳先進(jìn)、頭豹研究院14?2022LeadLeoAPS系列SiC晶體生長系統(tǒng)生長、高純度原合成、高溫晶體處理的專業(yè)設(shè)備MARSiCE115SiC外延設(shè)備APS系列SiC晶體生長系統(tǒng)生長、高純度原合成、高溫晶體處理的專業(yè)設(shè)備MARSiCE115SiC外延設(shè)備陷密行業(yè)?這兩個(gè)系列的刻蝕機(jī)已在多條產(chǎn)時(shí)保證性價(jià)比GDEC200系列、GSEC200系列刻蝕設(shè)備?從2017年將首臺4英寸導(dǎo)電型SiC長晶來，北方華創(chuàng)已具備大尺緣型、粉料合成/晶體理等多技術(shù)路線的10余種SiC加工全流程?設(shè)備工藝指標(biāo)如厚摻雜濃工GDEC200系列GSEC200系列?今年8月公司發(fā)布CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，形成ICP與CCP寸工藝，具?今年8月公司發(fā)布CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，形成ICP與CCP寸工藝，具低等特點(diǎn)，適用于SiC功率器件?針對SiC刻蝕容易出現(xiàn)微溝槽、無法形成光滑的高深寬規(guī)模生產(chǎn)2022.8推出產(chǎn)品：NMCS08RIS介質(zhì)刻蝕機(jī)?公司目前已完成8英寸SiC長晶爐研發(fā)，并進(jìn)入客戶端SiC案網(wǎng)、頭豹研究院?2022LeadLeo底與外延工藝流程及及器件成本占比SiC(6英寸晶圓)17%SiC粉料合成籽晶晶體生長切割51%襯底加工質(zhì)量將影響外延的質(zhì)量研磨與拋光清洗及檢測美元器件成本占比外延質(zhì)量對器件(SiCMOSFET)性能影響巨大CVD主流同質(zhì)外延方法：化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延工藝LPE液相外延法升華或物理氣相傳輸法PVTMBE分子束外延法通入反底與外延工藝流程及及器件成本占比SiC(6英寸晶圓)17%SiC粉料合成籽晶晶體生長切割51%襯底加工質(zhì)量將影響外延的質(zhì)量研磨與拋光清洗及檢測美元器件成本占比外延質(zhì)量對器件(SiCMOSFET)性能影響巨大CVD主流同質(zhì)外延方法：化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延工藝LPE液相外延法升華或物理氣相傳輸法PVTMBE分子束外延法通入反應(yīng)氣體SiH4和C3H8沉積生長表面生長SiC晶體美元能提高C和Si原子比率在生長過程中可控性原子比率影響粗糙度、缺陷密度等存在嚴(yán)重的多型體混合問題(即形成多種不同結(jié)構(gòu)的晶體)可通過使用臺階控制生長技術(shù)解決MOSFET性能，因此部分中游廠商布局開始向上游延伸，以提高供應(yīng)鏈穩(wěn)定性與技術(shù)能力時(shí)間成本高217天生長出2cm時(shí)間成本高217天生長出2cm左右(2m2-3天)?易產(chǎn)生多晶型夾雜導(dǎo)致晶體不合格?需要精確材料配比與熱場控制(需要經(jīng)驗(yàn)積累)底行業(yè)簡析核心發(fā)展趨勢?發(fā)展8英寸晶圓產(chǎn)線：擴(kuò)大晶圓尺寸可降低成本，但形成缺陷的概率大，生產(chǎn)難度大?國產(chǎn)化趨勢加速：中國是最大市場，國內(nèi)廠商有望承接過剩的需求SiC份額SiC份額662%5%4%SiC襯底市場高度集中，國內(nèi)廠商正通過加大投入進(jìn)行追趕直接影響技術(shù)體現(xiàn)器件質(zhì)量/性能趨勢難度提升影響耐壓能力成品率直接影響技術(shù)體現(xiàn)器件質(zhì)量/性能趨勢難度提升影響耐壓能力成品率主要影響因素?隨襯底尺寸擴(kuò)大而擴(kuò)大。將決定是否能規(guī)模量產(chǎn)的形成大尺寸產(chǎn)線關(guān)鍵技術(shù)支撐設(shè)備廠商設(shè)備技術(shù)缺陷控制厚度摻雜濃度均勻性襯襯底質(zhì)量中游器件廠商布局外延有利于器件質(zhì)量與性能打磨，并結(jié)合IDM技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)積累進(jìn)行器件迭代?2022LeadLeo??天岳先進(jìn)與天科合達(dá)為國內(nèi)進(jìn)展較好的兩大SiC襯底廠商，依托早期創(chuàng)始人與研究所的研究成果，形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)化能力，在產(chǎn)能持續(xù)順利擴(kuò)充下，將為產(chǎn)業(yè)整體提供發(fā)展動力升制造商之一配與業(yè)務(wù)情況配與業(yè)務(wù)情況?公司優(yōu)先發(fā)展半絕緣型SiC襯底，并取得全球排名前三的位置，成為國內(nèi)半絕緣型SiC襯底龍頭?在公司導(dǎo)電型襯底技術(shù)逐漸成熟、國內(nèi)新能源車需求旺盛的環(huán)境下，公司產(chǎn)能布局開始傾斜。目前，公司正在使用的525臺長晶爐中，超300臺用于導(dǎo)電型襯底，100臺用于半絕緣型襯底?導(dǎo)電型襯底業(yè)務(wù)爬坡迅速。2021年底，襯底收入中98%來自半絕緣型襯底，2022Q3導(dǎo)電型襯底收入占比超過半絕緣型收入年全球半絕緣型SiC份額335%3333%30%半絕緣型襯底主要用于射頻器件電子電力器件使用導(dǎo)電型襯底8英寸碳化硅襯底新產(chǎn)品?公司由新疆天富集團(tuán)、中科院物理研究所共同設(shè)立?依托中科院物理所十多年在SiC領(lǐng)域的研究成果，公司形成“PVT碳化硅單晶生長爐制造技術(shù)”、“低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)”等核心技術(shù)體系自主知識產(chǎn)權(quán)，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，成為全球主要導(dǎo)電型襯底制造商之一?11月15日，公司發(fā)布介紹8英寸導(dǎo)電型襯底，并公布產(chǎn)品將于2023年實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn) 布局?公司擁有新疆、江蘇、北京、深圳四大工廠，布局廣泛?新疆：據(jù)悉，二期于6月竣工達(dá)產(chǎn)。預(yù)計(jì)建成后可達(dá)年產(chǎn)單晶襯底1500錠、單晶原料50噸?江蘇：于2019年投產(chǎn)，一期、二期年產(chǎn)能合?北京：計(jì)劃2022年開始投產(chǎn)，預(yù)計(jì)建成年產(chǎn)SiC襯底12萬片?深圳：建設(shè)SiC單晶和外延片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)值不低于21.9億元天科合達(dá)外景圖?技術(shù)：公司自主研發(fā)出2-6英寸SiC襯底制的研發(fā)。此外，公司還系統(tǒng)地掌握了SiC設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)?產(chǎn)能：公司建有濟(jì)南、濟(jì)寧、上海臨港三年100%達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)能約30萬片/年?7月21日，公司披露，與客戶簽署了價(jià)值近14億元的6英寸導(dǎo)電型SiC襯底訂單，合約時(shí)長為三年、天岳先進(jìn)招股書、天科合達(dá)官網(wǎng)、頭豹研究院?2022LeadLeo瀚天天成外景圖2012.32014.4?公司成立??引進(jìn)Aixtron先進(jìn)SiC外延爐與各種高端檢測設(shè)備(加速公司商業(yè)化進(jìn)程的關(guān)鍵)開始向國內(nèi)外市場供應(yīng)產(chǎn)業(yè)化3-4英寸瀚天天成外景圖2012.32014.4?公司成立??引進(jìn)Aixtron先進(jìn)SiC外延爐與各種高端檢測設(shè)備(加速公司商業(yè)化進(jìn)程的關(guān)鍵)開始向國內(nèi)外市場供應(yīng)產(chǎn)業(yè)化3-4英寸SiC外延片?正式向國內(nèi)外市場供應(yīng)商業(yè)化6英寸SiC外延片布局2011.3瀚天天成碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目共有三期項(xiàng)目，2022年底產(chǎn)線將計(jì)劃增加至50條，預(yù)計(jì)全年銷售約11萬片外延片，產(chǎn)值約11億元?一期：于2019年年底投產(chǎn)，計(jì)劃年產(chǎn)能達(dá)30萬片?二期：于2022.4月順利竣工，11月開始投產(chǎn)計(jì)劃年產(chǎn)能達(dá)20萬片?三期：計(jì)劃今年年內(nèi)啟動建設(shè)，產(chǎn)能將達(dá)140萬片瀚天天成半導(dǎo)體晶片檢測圖??瀚天天成通過引進(jìn)Aixtron外延爐及其他高端設(shè)備實(shí)現(xiàn)快速商業(yè)化推進(jìn)，產(chǎn)線仍在不斷擴(kuò)張；天域半導(dǎo)體擁有天域半導(dǎo)體外景圖科研團(tuán)隊(duì)與技術(shù)情況供應(yīng)鏈布局天域半導(dǎo)體外景圖科研團(tuán)隊(duì)與技術(shù)情況供應(yīng)鏈布局?2021.11，II-VI公司與天域成為戰(zhàn)略合作伙伴，向天域提供6英寸SiC襯底；2022.8，II-VI宣布完成超1億美元的合同，于2022Q3交付直到2023年年底?2021.11，露笑科技與天域簽訂《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，內(nèi)容包含三年內(nèi)不少于15萬片導(dǎo)電型襯底的訂單，目前已進(jìn)行分批量交付?此外，公司在國內(nèi)擁有最多的SiC外延爐-CVD(供應(yīng)商為LPE)，月產(chǎn)能為5000片/月。目前，公司正在布局全球首條8英寸SiC外延生產(chǎn)線，計(jì)劃2022年動工，2025年投產(chǎn)?“產(chǎn)學(xué)研”布局：公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)基礎(chǔ)是7名中科院半導(dǎo)體所研究員，通過加強(qiáng)產(chǎn)、學(xué)、研合作，建有中科院所-天域碳化硅技術(shù)研究院、西安交通大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士后等，吸引和培育高層次人才。公司生產(chǎn)總監(jiān)孔令沂博士曾任職于外延設(shè)備廠商Aixtron，擁有豐富外延工藝經(jīng)驗(yàn)與研究成果前正在承擔(dān)2項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)的起草工作?知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)技術(shù)：公司自主研發(fā)SiC外延全套核心技術(shù)，申請發(fā)明專利24件(授權(quán)12項(xiàng))；申請實(shí)用新型專利24件(授權(quán)13項(xiàng))。累計(jì)發(fā)表高水論文27篇 (SCI/EI收錄論文16篇)?體系認(rèn)證：公司為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈中第一家通過汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF16949)的廠商域半導(dǎo)體官網(wǎng)、露笑科技公告、三代半、頭豹研究院?2022LeadLeo采用平面技術(shù)采用溝槽技術(shù)1200V(0-300kHz)1700V(0-300KHz)Ron*面積持續(xù)縮小規(guī)模量產(chǎn)年份：20141200V(0->1MHz)750V采用平面技術(shù)采用溝槽技術(shù)1200V(0-300kHz)1700V(0-300KHz)Ron*面積持續(xù)縮小規(guī)模量產(chǎn)年份：20141200V(0->1MHz)750V(0->1MHz)Ron*面積縮小5倍規(guī)模量產(chǎn)年份：2022(Q2)1200V(0-500kHz)650V(0-500KHz)Ron*面積縮小2倍規(guī)模量產(chǎn)年份：20181200V(0->500kHz)750V(0->500KHz)Ron*面積縮小4倍規(guī)模量產(chǎn)年份：2020(Q4)成本：通過優(yōu)化技術(shù)與選擇結(jié)構(gòu)，提高制造芯片的良率與單一晶圓所能制造芯片數(shù)量，以降低成本性能與可靠性：通過技術(shù)改進(jìn)與迭代，以及經(jīng)驗(yàn)積累實(shí)現(xiàn)性能與可靠性提高。其中經(jīng)驗(yàn)積累與IP是核心競爭力核心考慮因素性能可靠性成本p+p+簡單，可靠性更高 高阻斷電壓能力柵極??安森美?公司的M1-M3技術(shù)采用平面技術(shù)下一代技術(shù)M4將升級為溝槽結(jié)構(gòu)，可顯著降低芯片面積，且可能采用8英寸晶圓生產(chǎn)，可顯著降低成本目前已積累約20份溝槽技術(shù)相關(guān)專利n+pwell柵極nnn+ell優(yōu)勢：開關(guān)速度快、損耗低，且能夠縮小器件面積劣勢：工藝復(fù)雜，柵極介質(zhì)層的可靠性低(待技術(shù)nn??英飛凌與羅姆早期已開始布局溝槽技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)模量產(chǎn)，而其他國外龍頭廠商也陸續(xù)開始布局溝槽技術(shù)，該技術(shù)正成為巨頭競爭的關(guān)鍵SiCSiCMOSFET布局?經(jīng)過四代平面技術(shù)的研發(fā)，器件性能得到優(yōu)化?公司是最早布局溝槽技術(shù)的廠商，且產(chǎn)品(CoolSiC?)已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)上車?公司擁有領(lǐng)先行業(yè)1-2代的溝槽技術(shù)，并持續(xù)維護(hù)與拓寬材料供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)、采用先進(jìn)技術(shù) (ColdSplit)提高原材料使用效能，以推動SiC業(yè)務(wù)的發(fā)展英飛凌意法半導(dǎo)體?公司已展開溝槽技術(shù)的布局，現(xiàn)處于工程樣品測試階段?公司將建造SiC襯底工廠，以進(jìn)一步推進(jìn)溝槽技術(shù)的布局Wolfspeed?公司平面技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)過了三代的演進(jìn)與技術(shù)挖掘，性能優(yōu)化空間接近極限?據(jù)悉，公司已進(jìn)行溝槽技術(shù)的布局與開發(fā)?公司2015年開始量產(chǎn)雙溝槽結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，并于2020年推出第四代產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有更好的FOM(品質(zhì)因素)?公司計(jì)劃下一代溝槽結(jié)構(gòu)產(chǎn)品將于2025年量產(chǎn)，進(jìn)一步降低器件單位面積的Ron羅姆口口龍頭廠商大都采用IDM模式，其價(jià)被竊取的know-how和經(jīng)驗(yàn)，并通過申請專利防止反向?qū)W習(xí)盜用公司技術(shù)口為進(jìn)一步優(yōu)化器件性能與降低成本，伸至材料設(shè)備各19?2022LeadLeo鏈布局情況平面型DMOS?工業(yè)級驗(yàn)證?2022Q2量產(chǎn)全資子公司：湖南三安半導(dǎo)體全景圖鏈布局情況平面型DMOS?工業(yè)級驗(yàn)證?2022Q2量產(chǎn)全資子公司：湖南三安半導(dǎo)體全景圖SiCMOSFET產(chǎn)品技術(shù)布局平面型DMOS?工業(yè)級驗(yàn)證?2021Q3量產(chǎn)?溝槽型UMOS?車規(guī)級驗(yàn)證?2023Q1量產(chǎn)?11月6日，湖南三安與新能源車客戶簽署價(jià)值38億元的SiC芯片《戰(zhàn)略采購意向協(xié)議》，采購產(chǎn)品將應(yīng)用于新能源車主驅(qū)?截止2022年半年報(bào)期末，SiCMOSFET也已送樣數(shù)十家客戶驗(yàn)證，代工業(yè)務(wù)已與龍頭新能源汽車配套企業(yè)合作?湖南三安是國內(nèi)第一條SiC垂直一體化生產(chǎn)線，且還具備SiC襯底、SiC外延制造能力。因此，公司能夠?qū)崿F(xiàn)從材料到器件在單一基地進(jìn)行生產(chǎn)，能夠確保供應(yīng)鏈安全、克服物流存在的挑戰(zhàn)?基于完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局，公司可提供全面可靈活定制的合作方式與解決方案，擁有對外代工的能力?產(chǎn)能：一期1.5萬片/月；二期3萬片/月(計(jì)劃2024年達(dá)產(chǎn))?2022LeadLeoMSiCMOSFET的研發(fā)與制造，取得客戶以及產(chǎn)業(yè)鏈上的廠商認(rèn)可基本半導(dǎo)體：IDM布局版圖逐步完善，潛力逐步釋放鏈布局情況公司共建設(shè)4鏈布局情況公司共建設(shè)4個(gè)產(chǎn)線，全力打造國際一流IDM?無錫產(chǎn)線是車規(guī)級SiC功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進(jìn)SiC專用封裝工藝技術(shù)，于2021.12正式通線。2022年產(chǎn)能25萬只模塊?深圳坪山產(chǎn)線預(yù)計(jì)2023年投產(chǎn)，年產(chǎn)能200SiC件?南京產(chǎn)線主要進(jìn)行SiC外延片的工藝研發(fā)和制造公司車規(guī)器件能力得到多家廠商認(rèn)可?11月15日，公司與羅姆簽訂車載SiC功率器件戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，通過深度合作開發(fā)更先進(jìn)、更高效、更可靠的新能源汽車SiC解決方案?9月13日，公司獲巨一動力SiC電驅(qū)動項(xiàng)目定點(diǎn)，后者電機(jī)電控客戶包括蔚來、吉利、廣汽傳祺等?7月22日，公司與廣汽埃安簽訂《戰(zhàn)略合作協(xié)議》、《長期采購合作協(xié)議》?博世分別在B+、C輪兩次領(lǐng)投公司；聞泰科技在B輪領(lǐng)投公司基本半導(dǎo)體總部外景圖來源：三安光電官網(wǎng)、基本半導(dǎo)體官網(wǎng)、頭豹研究院20助力打磨車規(guī)降低制造投入級產(chǎn)品助力技術(shù)積累SiCMOSFET性能助力打磨車規(guī)降低制造投入級產(chǎn)品助力技術(shù)積累SiCMOSFET性能車規(guī)產(chǎn)品順利“上車”技術(shù)已形成較好積累?SiCMOSFET技術(shù)凌第際先進(jìn)?SiCMOSFET產(chǎn)品證，獲得新龍頭企業(yè)數(shù)單，并已經(jīng)低調(diào)供貨?公司已布局知識產(chǎn)測試方案等重術(shù)秘密，即擁累助力打磨產(chǎn)品性能已接近國際領(lǐng)先水平；比亞迪半導(dǎo)體依托封閉生態(tài)圈打磨出車規(guī)級產(chǎn)品與比亞迪半導(dǎo)體皆取得不錯的車規(guī)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)展提供產(chǎn)品通過內(nèi)銷降低成本，保證產(chǎn)能供應(yīng)穩(wěn)定產(chǎn)品上車驗(yàn)證、應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)迭代通過密切合作、數(shù)據(jù)獲取，更提供產(chǎn)品通過內(nèi)銷降低成本，保證產(chǎn)能供應(yīng)穩(wěn)定產(chǎn)品上車驗(yàn)證、應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)迭代通過密切合作、數(shù)據(jù)獲取，更快地提高產(chǎn)品技術(shù)提出產(chǎn)品需求、反饋驗(yàn)證數(shù)據(jù)閉生態(tài)圈成果?基于比亞迪新能源車良好銷量帶來的需求，公司成為國內(nèi)龍頭功率半導(dǎo)體廠商，積累了較為深厚的車規(guī)功率器件器件技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)?形成經(jīng)過上車驗(yàn)證的SiCMOSFET芯片與模塊產(chǎn)品 公司暫停上市?比亞迪半導(dǎo)體拆分上市從2020年底開始籌劃?11月16日，母公司比亞迪發(fā)布公告，決定撤回比亞迪半導(dǎo)體的上市申請，待投資擴(kuò)產(chǎn)完成后且條件成熟時(shí)，將擇機(jī)再次啟動比亞迪半導(dǎo)體分拆上市工作鏈布局情況鏈布局情況?2021.8公司聯(lián)手國資投資49億建立濟(jì)南比亞迪半導(dǎo)體，旨在擴(kuò)充公司功率半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能。目前該項(xiàng)目已成功投產(chǎn)，產(chǎn)能爬坡情況良好(未確定是否有SiC產(chǎn)線)。未來公司將進(jìn)一步加大投入滿足下游需求，預(yù)計(jì)對比亞迪半導(dǎo)體未來資產(chǎn)和結(jié)構(gòu)產(chǎn)生較大影響?公司已建有SiC封裝產(chǎn)線，滿足車規(guī)功率模塊需求官網(wǎng)、比亞迪半導(dǎo)體公司公告、頭豹研究院?2022LeadLeoSiC外延廠商：天域半導(dǎo)體參與投資車企：SiC襯底廠商：天岳先進(jìn)SiC外延廠商：天域半導(dǎo)體參與投資車企：SiC襯底廠商：天岳先進(jìn)參與IPO戰(zhàn)略配售車企：SiC芯片廠商：瞻芯電子參與投資車企：SiC芯片廠商：三安光電合作成立蘇州斯科半導(dǎo)體SiC襯底廠商：同光晶體參與投資車企：SiC芯片廠商：基本半導(dǎo)體參與投資車企：積累車規(guī)級芯片經(jīng)驗(yàn)提供環(huán)境。主要投融資事件集中在今年上半年，下半年較為平淡司注寬能半導(dǎo)體代工天使輪2億和利資本、云啟資本、國中創(chuàng)投、亞昌投資等2022.6芯塔電子器件設(shè)計(jì)天使輪2千萬元方德信、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)2022.1派恩杰半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)戰(zhàn)略融資/創(chuàng)東方投資2022.1安建半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)B輪1.8億元超越摩爾基金、君盛投資、聯(lián)和投資等2022.3天狼芯半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)A+輪/國華投資、深創(chuàng)投2022.3麗雋功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)A輪1千萬元毅達(dá)資本2022.8百識電子外延A輪3億元亞昌投資、金浦投資、毅達(dá)資本、GRC富華資本等2022.3瀚天天成外延戰(zhàn)略融資/銀潤資本2022.5泰科天潤外延戰(zhàn)略融資/深圳華強(qiáng)、云起資本2022.5利普思模塊A+輪數(shù)千萬軟銀中資本、聯(lián)新資本2022.4來源：啟信寶、IAWBS、頭豹研究院22?2022LeadLeo產(chǎn)業(yè)鏈動態(tài)分析?2022LeadLeo積擴(kuò)大45%，可在相同的固定成本下，在單晶圓上生產(chǎn)更多的器件，同時(shí)邊緣芯造成本襯底尺寸擴(kuò)大是芯片行業(yè)降低時(shí)間成本、金錢成本，擴(kuò)充芯片產(chǎn)能的關(guān)鍵手段之一。硅晶圓目前已經(jīng)發(fā)展至12英寸，但是由于SiC材料屬性，SiC襯底尺寸擴(kuò)大的難度較大，所需要的技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)積累要求更大，此外，外延技術(shù)也需要同步提升，保證尺寸擴(kuò)大情況下，器件的良率和可靠性維持在高水平，來滿足規(guī)?；囊积堫^(Wolfspeed已計(jì)劃2022年量產(chǎn))實(shí)現(xiàn)8英寸襯底量產(chǎn)難以支撐1??8英寸SiC襯底6英寸SiC襯底?平面技術(shù)與溝槽技術(shù)的選擇核心考量在于能否滿足客戶需求：溝槽技術(shù)優(yōu)勢在于性能更優(yōu)、器件體積可以實(shí)現(xiàn)更小，但工藝復(fù)雜難度大(器件制造良率難提高)，而階段來看，平面技術(shù)是更符合市場需fspeed研發(fā)投入著重于如何充分挖掘平面技術(shù)能力，讓其性能能夠達(dá)到最優(yōu)?公司發(fā)展需考慮業(yè)務(wù)規(guī)?；蟮某杀九c技術(shù)前景：前述龍頭廠商經(jīng)過數(shù)代平面產(chǎn)品的研發(fā)，已開始遇到性能瓶頸，開始布局溝槽型技術(shù)。除了能夠提高產(chǎn)品性能、品質(zhì)以外，溝槽技術(shù)能夠顯著降低規(guī)模化后的成本也是布局的核心出發(fā)點(diǎn)。英飛凌、羅姆持續(xù)