微電子器件與IC設計基礎-第2版,劉剛,陳濤,課后答案1

課后習題答案為什么經(jīng)典物理無法準確描述電子的狀態(tài)？在量子力學中又是用什么方法來描述的？解：在經(jīng)典物理中，粒子和波是被區(qū)分的。然而，電子和光子是微觀粒子，具有波粒二象性。因此，經(jīng)典物理無法準確描述電子的狀態(tài)。在量子力學中，粒子具有波粒二象性，其能量和動量是通過這樣一個常數(shù)來與物質波的頻率和波矢建立聯(lián)系的，即上述等式的左邊描述的是粒子的能量和動量，右邊描述的則是粒子波動性的頻率和波矢。1.2量子力學中用什么來描述波函數(shù)的時空變化規(guī)律？解：波函數(shù)是空間和時間的復函數(shù)。與經(jīng)典物理不同的是，它描述的不是實在的物理量的波動，而是粒子在空間的概率分布，是一種幾率波。如果用表示粒子的德布洛意波的振幅，以表示波的強度，那么，t時刻在r附近的小體積元中檢測到粒子的概率正比于。1.3試從能帶的角度說明導體、半導體和絕緣體在導電性能上的差異。解：如圖1.3所示，從能帶的觀點來看，半導體和絕緣體都存在著禁帶，絕緣體因其禁帶寬度較大(6~7eV)，室溫下本征激發(fā)的載流子近乎為零，所以絕緣體室溫下不能導電。半導體禁帶寬度較小，只有1~2eV，室溫下已經(jīng)有一定數(shù)量的電子從價帶激發(fā)到導帶。所以半導體在室溫下就有一定的導電能力。而導體沒有禁帶，導帶與價帶重迭在一起，或者存在半滿帶，因此室溫下導體就具有良好的導電能力。1.4為什么說本征載流子濃度與溫度有關？解：本征半導體中所有載流子都來源于價帶電子的本征激發(fā)。由此產(chǎn)生的載流子稱為本征載流子。本征激發(fā)過程中電子和空穴是同時出現(xiàn)的，數(shù)量相等，。對于某一確定的半導體材料，其本征載流子濃度為式中，NC，NV以及Eg都是隨著溫度變化的，所以，本征載流子濃度也是隨著溫度變化的。1.5什么是施主雜質能級？什么是受主雜質能級？它們有何異同？解：當半導體中摻入施主雜質后，在其導帶底的下方，距離導帶底很近的范圍內可以引入局域化的量子態(tài)能級。該能級位于禁帶中，稱之為施主雜質能級。同理，當半導體中摻入受主雜質后，在其價帶頂?shù)纳戏剑嚯x價帶頂很近的范圍內也可引入局域化的受主雜質能級。施主能級距離導帶底很近，施主雜質電離后，施主能級上的電子躍遷進入導帶，其結果向導帶提供傳導電流的準自由電子；而受主能級距離價帶頂很近，受主雜質電離后，價帶頂?shù)碾娮榆S遷進入受主能級，其結果向價帶提供傳導電流的空穴。1.6試比較N型半導體與P型半導體的異同。解：對同種材料制作的不同型號的半導體來說，具有以下相同點：二者都具有相同的晶格結構，相同的本征載流子濃度，都對溫度很敏感。不同點是，N型半導體所摻雜質是施主雜質，主要是靠電子導電，電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子：而P型半導體所摻雜質是受主雜質，主要靠空穴導電，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。1.7從能帶的角度說明雜質電離的過程。解：雜質能級距離主能帶很近，其電離能一般都遠小于禁帶寬度。因此，雜質能級與主能帶之間的電子躍遷也比較容易完成。以施主雜質為例，施主能級上的電子就是被該施主原子束縛著的電子。它在室溫下吸收晶格振動的能量或光子的能量（只要其能量高于雜質的電離能）后，就可以掙脫施主原子核對它的束縛，躍遷進入導帶成為準自由電子。這一過程稱之為雜質電離。電離以后的雜質帶有正電荷，電離以前的雜質是電中性的。1.8什么是遷移率？什么是擴散系數(shù)？二者有何關系？解：遷移率是描述載流子在電場作用下輸運能力的一個物理量；擴散系數(shù)是描述載流子在其濃度梯度作用下輸運能力的物理量。二者可以通過以下愛因斯坦關系建立聯(lián)系：1.9說明載流子的兩種輸運機制，并比較它們的異同。解：載流子的輸運機制可分為擴散運動和漂移運動兩種。擴散運動是在半導體中存在載流子的濃度梯度時，高濃度一邊的載流子將會向低濃度一邊輸運。這種運動稱為載流子的擴散運動。擴散運動的強弱與濃度梯度的大小成正比，即與載流子的分布梯度有關。漂移運動是半導體中的載流子在電場力作用下的定向運動。其強弱只與電場的大小成正比，與載流子的分布沒有關系。1.10什么是費米能級？什么是準費米能級？二者有何差別？解：在熱平衡條件下，半導體中能量為E的能級被電子占據(jù)的幾率f(E)服從費米-狄拉克分布式中的EF就是費米能級。它是一個描述半導體電子系統(tǒng)中電子填充能帶水平的標志性參數(shù)，也稱為熱平衡系統(tǒng)的化學勢。準費米能級是半導體系統(tǒng)在非平衡條件下（如關照或有電注入下），有非平衡載流子存在時，為了描述導帶電子在導帶各能級上的分布以及價帶空穴在價帶各個能級上的分布而引入的一個參考量。其大小也反映了電子和空穴填充能帶的水平。值得注意的是，一個能帶內消除非平衡的影響僅僅需要，而少子壽命約為。所以，在非平衡載流子存在的絕大部分時間內主能帶的電子都處于平衡分布。1.11什么是擴散長度？擴散長度與非平衡少數(shù)載流子壽命有何關系？解：擴散長度是描述載流子濃度隨著擴散深度增加而衰減的特征長度。擴散長度與非平衡少數(shù)載流子壽命的關系如下：1.12簡述半導體材料的導電機理。解：半導體的導電機理與金屬是不同的。金屬中只有一種載流子（電子）參與導電，而半導體中同時有兩種載流子（電子和空穴）參與導電。本征半導體中導電的載流子是由于本征激發(fā)而產(chǎn)生的電子和空穴。它們是同時出現(xiàn)的，且，兩種載流子對電流的貢獻相同。但是，在雜質半導體中往往有，或者，存在著多數(shù)載流子和少數(shù)載流子。所以，多數(shù)載流子對電流的貢獻占據(jù)主要地位，而少數(shù)載流子對電流的貢獻卻可以忽略不計。習題11.1計算速度為的自由電子的德布洛意波長。解：1.2如果在單晶硅中分別摻入的磷和的硼，試計算300K時，電子占據(jù)雜質能級的概率。根據(jù)計算結果檢驗常溫下雜質幾乎完全電離的假設是否正確。解：查表可知，磷作為硅晶體中的施主雜質，其電離能為,硼作為硅晶體中的受主雜質，其電離能為。于是有能級為ED的量子態(tài)被被電子占據(jù)的幾率為上述結果說明，施主能級上的電子幾乎全部電離。能級為EA的量子態(tài)被空穴占據(jù)的幾率為上述計算結果說明受主能級上的空穴幾乎全部被電離。1.3硅中的施主雜質濃度最高為多少時材料是非簡并的。解：若假設非簡并的條件為, 那么，非簡并時導帶電子濃度為非簡并時，最高施主雜質濃度為1.4某單晶硅樣品中每立方厘米摻有個硼原子，試計算時該樣品的準自由電子濃度、空穴濃度以及費米能級。如果摻入的是磷原子它們又是多少？解：硼原子摻入硅晶體中可以引入受主雜質，材料是P型半導體：該樣品的空穴是多子，其濃度為電子是少子，其濃度為費米能級為即費米能級在本征費米能級的下方0.299eV處。1.5某硅單晶樣品中摻有的硼、的磷和鎵，試分析該材料是N型半導體還是P型半導體？準自由電子和空穴濃度各為多少？解：由硼、磷、鎵摻入硅中分別成為受主、施主和受主，它們在硅晶體中引入的雜質濃度依次為、、由于，即受主原子總數(shù)大于施主原子總數(shù)，所以該材料是P型半導體。此時，硅材料中空穴濃度為準自由電子濃度為1.6有兩塊單晶硅樣品，它們分別摻有的硼和磷，試計算300K時這兩塊樣品的電阻率，并說明為什么N型硅的導電性比同等摻雜的P型硅好。解：查P.22圖1.4.2可得空穴遷移率，電子遷移率于是，摻硼的單晶硅電阻率為摻磷的單晶硅電阻率為因為電子的遷移率大于空穴的遷移率，所以在其它條件不變的情況下，N型硅的導電性較P型硅的導電性高。1.7實驗測出某均勻摻雜N型硅的電阻率為，試估算施主雜質濃度。解：本查P.301附錄A可得，再查P.22圖1.4.2可得電子的遷移率為。則施主雜質的濃度為1.8假設有一塊摻有施主雜質的硅樣品，其截面積為，長度為。如果在樣品兩端加上5V電壓，通過樣品的電流有多大？電子電流與空穴電流的比值是多少？解：摻有施主雜質濃度的硅樣品，其電子濃度為，再查P.22可得電子的遷移率，于是，該材料的電導率為在該樣品兩端加上5V電壓后的電場強度為于是，電子電流密度為如果在樣品兩端加上5V電壓，通過樣品的電流為平衡空穴濃度為再查P.22圖1.4.2可得空穴遷移率為，于是電子電流與空穴電流的比值為1.9有一塊摻雜濃度為的N型硅樣品，如果在的范圍內，空穴濃度從線性降低到，求空穴的擴散電流密度。解：查P.22圖1.4.2可得當時，，所以1.10光照射在一塊摻雜濃度為的N型硅樣品上，假設光照引起的載流子產(chǎn)生率為，求少數(shù)載流子濃度和電阻率，并畫出光照前后的能帶圖。已知，，，。解：，少數(shù)載流子濃度為電導率為電阻率為1.11寫出下列狀態(tài)下連續(xù)性方程的簡化形式：（1）無濃度梯度、無外加電場、有光照、穩(wěn)態(tài)；（2）無外加電場、無光照等外因引起載流子的產(chǎn)生，穩(wěn)態(tài)。解：以P型半導體為例，電子為少數(shù)載流子，完整的連續(xù)性方程為無濃度梯度、無外加電場、有光照、穩(wěn)態(tài)情況下上式可以簡化為因為無濃度梯度，所以含有濃度梯度的項均等于零，即因為無外加電場，所以，含有電場的項也為零，即又因為有光照，所以產(chǎn)生率G不等于零；因為討論的是穩(wěn)態(tài)情況，所以，載流子濃度不隨時間變化同理，無外加電場、無光照等外因引起載流子的產(chǎn)生，穩(wěn)態(tài)情況下連續(xù)性方程可以簡化為對于空穴來說，根據(jù)空穴的連續(xù)性方程，作相應的簡化，同樣可以得到（1）和（2）。\

附錄資料：不需要的可以自行刪除電腦故障檢測卡代碼表

1、特殊代碼"00"和"ff"及其它起始碼有三種情況出現(xiàn)：

①已由一系列其它代碼之后再出現(xiàn)："00"或"ff"，則主板ok。

②如果將cmos中設置無錯誤，則不嚴重的故障不會影響bios自檢的繼續(xù)，而最終出現(xiàn)"00"或"ff"。

③一開機就出現(xiàn)"00"或"ff"或其它起始代碼并且不變化則為主板沒有運行起來。

2、本表是按代碼值從小到大排序，卡中出碼順序不定。

3、未定義的代碼表中未列出。

4、對于不同bios（常用ami、award、phoenix）用同一代碼代表的意義不同，因此應弄清您所檢測的電腦是屬于哪一種類型的bios，您可查閱您的電腦使用手冊，或從主板上的bios芯片上直接查看，也可以在啟動屏幕時直接看到。

5、有少數(shù)主板的pci槽只有一部分代碼出現(xiàn)，但isa槽有完整自檢代碼輸出。且目前已發(fā)現(xiàn)有極個別原裝機主板的isa槽無代碼輸出，而pci槽則有完整代碼輸出，故建議您在查看代碼不成功時，將本雙槽卡換到另一種插槽試一下。另外，同一塊主板的不同pci槽，有的槽有完整代碼送出，如dell810主板只有靠近cpu的一個pci槽有完整代碼顯示，一直變化到"00"或"ff"，而其它pci槽走到"38"后則不繼續(xù)變化。

6、復位信號所需時間isa與pci不一定同步，故有可能isa開始出代碼，但pci的復位燈還不熄，故pci代碼停要起始代碼上。

代碼對照表

00.已顯示系統(tǒng)的配置；即將控制INI19引導裝入。

01處理器測試1，處理器狀態(tài)核實,如果測試失敗，循環(huán)是無限的。處理器寄存器的測試即將開始，不可屏蔽中斷即將停用。CPU寄存器測試正在進行或者失敗。

02確定診斷的類型（正常或者制造）。如果鍵盤緩沖器含有數(shù)據(jù)就會失效。停用不可屏蔽中斷；通過延遲開始。CMOS寫入／讀出正在進行或者失靈。

03清除8042鍵盤控制器，發(fā)出TESTKBRD命令（AAH）通電延遲已完成。ROMBIOS檢查部件正在進行或失靈。

04使8042鍵盤控制器復位，核實TESTKBRD。鍵盤控制器軟復位／通電測試。可編程間隔計時器的測試正在進行或失靈。

05如果不斷重復制造測試1至5，可獲得8042控制狀態(tài)。已確定軟復位／通電；即將啟動ROM。DMA初如準備正在進行或者失靈。

06使電路片作初始準備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS停機字節(jié)。已啟動ROM計算ROMBIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。DMA初始頁面寄存器讀／寫測試正在進行或失靈。

07處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。ROMBIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發(fā)出BAT（基本保證測試）命令。.

08使CMOS計時器作初始準備，正常的更新計時器的循環(huán)。已向鍵盤發(fā)出BAT命令，即將寫入BAT命令。RAM更新檢驗正在進行或失靈。

09EPROM檢查總和且必須等于零才通過。核實鍵盤的基本保證測試，接著核實鍵盤命令字節(jié)。第一個64KRAM測試正在進行。

0A使視頻接口作初始準備。發(fā)出鍵盤命令字節(jié)代碼，即將寫入命令字節(jié)數(shù)據(jù)。第一個64KRAM芯片或數(shù)據(jù)線失靈，移位。

0B測試8254通道0。寫入鍵盤控制器命令字節(jié)，即將發(fā)出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。第一個64KRAM奇／偶邏輯失靈。

0C測試8254通道1。鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發(fā)出NOP命令。第一個64KRAN的地址線故障。

0D1、檢查CPU速度是否與系統(tǒng)時鐘相匹配。2、檢查控制芯片已編程值是否符合初設置。3、視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測試CMOS停開寄存器。第一個64KRAM的奇偶性失靈

0E測試CMOS停機字節(jié)。CMOS停開寄存器讀／寫測試；將計算CMOS檢查總和。初始化輸入／輸出端口地址。

0F測試擴展的CMOS。已計算CMOS檢查總和寫入診斷字節(jié)；CMOS開始初始準備。.

10測試DMA通道0。CMOS已作初始準備，CMOS狀態(tài)寄存器即將為日期和時間作初始準備。第一個64KRAM第0位故障。

11測試DMA通道1。CMOS狀態(tài)寄存器已作初始準備，即將停用DMA和中斷控制器。第一個64DKRAM第1位故障。

12測試DMA頁面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器并使端口B作初始準備。第一個64DKRAM第2位故障。

13測試8741鍵盤控制器接口。視頻顯示器已停用，端口B已作初始準備；即將開始電路片初始化／存儲器自動檢測。第一個64DKRAM第3位故障。

14測試存儲器更新觸發(fā)電路。電路片初始化／存儲器處自動檢測結束；8254計時器測試即將開始。第一個64DKRAM第4位故障。

15測試開頭64K的系統(tǒng)存儲器。第2通道計時器測試了一半；8254第2通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第5位故障。

16建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計時器測試結束；8254第1通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第6位故障。

17調準視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計時器測試結束；8254第0通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第7位故障。

18測試視頻存儲器，如果安裝選用的視頻BIOS通過，由可繞過。第0通道計時器測試結束；即將開始更新存儲器。第一個64DKRAM第8位故障。

19測試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開始更新存儲器，接著將完成存儲器的更新。第一個64DKRAM第9位故障。

1A測試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發(fā)存儲器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時間。第一個64DKRAM第10位故障。

1B測試CMOS電池電平。完成存儲器更新時間30微秒測試；即將開始基本的64K存儲器測試。第一個64DKRAM第11位故障。

1C測試CMOS檢查總和。.第一個64DKRAM第12位故障。

1D調定CMOS配置。.第一個64DKRAM第13位故障。

1E測定系統(tǒng)存儲器的大小，并且把它和CMOS值比較。.第一個64DKRAM第14位故障。

1F測試64K存儲器至最高640K。.第一個64DKRAM第15位故障。

20測量固定的8259中斷位。開始基本的64K存儲器測試；即將測試地址線。從屬DMA寄存器測試正在進行或失靈。

21維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。通過地址線測試；即將觸發(fā)奇偶性。主DMA寄存器測試正在進行或失靈。

22測試8259的中斷功能。結束觸發(fā)奇偶性；將開始串行數(shù)據(jù)讀／寫測試。主中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。

23測試保護方式8086虛擬方式和8086頁面方式?；镜?4K串行數(shù)據(jù)讀／寫測試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調節(jié)。從屬中斷屏蔽存器測試正在進行或失靈。

24測定1MB以上的擴展存儲器。矢量初始化之前的任何調節(jié)完成，即將開始中斷矢量的初始準備。設置ES段地址寄存器注冊表到內存高端。

25測試除頭一個64K之后的所有存儲器。完成中斷矢量初始準備；將為旋轉式斷續(xù)開始讀出8042的輸入／輸出端口。裝入中斷矢量正在進行或失靈。

26測試保護方式的例外情況。讀出8042的輸入／輸出端口；即將為旋轉式斷續(xù)開始使全局數(shù)據(jù)作初始準備。開啟A20地址線；使之參入尋址。

27確定超高速緩沖存儲器的控制或屏蔽RAM。全1數(shù)據(jù)初始準備結束；接著將進行中斷矢量之后的任何初始準備。鍵盤控制器測試正在進行或失靈。

28確定超高速緩沖存儲器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。完成中斷矢量之后的初始準備；即將調定單色方式。CMOS電源故障／檢查總和計算正在進行。

29.已調定單色方式，即將調定彩色方式。CMOS配置有效性的檢查正在進行。

2A使鍵盤控制器作初始準備。已調定彩色方式，即將進行ROM測試前的觸發(fā)奇偶性。置空64K基本內存。

2B使磁碟驅動器和控制器作初始準備。觸發(fā)奇偶性結束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調節(jié)。屏幕存儲器測試正在進行或失靈。

2C檢查串行端口，并使之作初始準備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM并加以控制。屏幕初始準備正在進行或失靈。

2D檢測并行端口，并使之作初始準備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進行視頻ROM回復控制之后任何其他處理的控制。屏幕回掃測試正在進行或失靈。

2E使硬磁盤驅動器和控制器作初始準備。從視頻ROM控制之后的處理復原；如果沒有發(fā)現(xiàn)EGA／VGA就要進行顯示器存儲器讀／寫測試。檢測視頻ROM正在進行。

2F檢測數(shù)學協(xié)處理器，并使之作初始準備。沒發(fā)現(xiàn)EGA／VGA；即將開始顯示器存儲器讀／寫測試。.

30建立基本內存和擴展內存。通過顯示器存儲器讀／寫測試；即將進行掃描檢查。認為屏幕是可以工作的。

31檢測從C800：0至EFFF：0的選用ROM，并使之作初始準備。顯示器存儲器讀／寫測試或掃描檢查失敗，即將進行另一種顯示器存儲器讀／寫測試。單色監(jiān)視器是可以工作的。

32對主板上COM／LTP／FDD／聲音設備等I／O芯片編程使之適合設置值。通過另一種顯示器存儲器讀／寫測試；卻將進行另一種顯示器掃描檢查。彩色監(jiān)視器（40列）是可以工作的。

33.視頻顯示器檢查結束；將開始利用調節(jié)開關和實際插卡檢驗顯示器的關型。彩色監(jiān)視器（80列）是可以工作的。

34.已檢驗顯示器適配器；接著將調定顯示方式。計時器滴答聲中斷測試正在進行或失靈。35.完成調定顯示方式；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。停機測試正在進行或失靈。

36.已檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)；即將調定通電信息的游標。門電路中A－20失靈。

37.識別通電信息的游標調定已完成；即將顯示通電信息。保護方式中的意外中斷。

38.完成顯示通電信息；即將讀出新的游標位置。RAM測試正在進行或者地址故障＞FFFFH。

39.已讀出保存游標位置，即將顯示引用信息串。.

3A.引用信息串顯示結束；即將顯示發(fā)現(xiàn)信息。間隔計時器通道2測試或失靈。

3B用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲器作初始準備。已顯示發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲器測試即將開始。按日計算的日歷時鐘測試正在進行或失靈。

3C建立允許進入CMOS設置的標志。.串行端口測試正在進行或失靈。

3D初始化鍵盤／PS2鼠標／PNP設備及總內存節(jié)點。.并行端口測試正在進行或失靈。

3E嘗試打開L2高速緩存。.數(shù)學協(xié)處理器測試正在進行或失靈。

40.已開始準備虛擬方式的測試；即將從視頻存儲器來檢驗。調整CPU速度，使之與外圍時鐘精確匹配。

41中斷已打開，將初始化數(shù)據(jù)以便于0：0檢測內存變換（中斷控制器或內存不良）從視頻存儲器檢驗之后復原；即將準備描述符表。系統(tǒng)插件板選擇失靈。

42顯示窗口進入SETUP。描述符表已準備好；即將進行虛擬方式作存儲器測試。擴展CMOSRAM故障。

43若是即插即用BIOS，則串口、并口初始化。進入虛擬方式；即將為診斷方式實現(xiàn)中斷。.44.已實現(xiàn)中斷（如已接通診斷開關；即將使數(shù)據(jù)作初始準備以檢查存儲器在0：0返轉。）BIOS中斷進行初始化。

45初始化數(shù)學協(xié)處理器。數(shù)據(jù)已作初始準備；即將檢查存儲器在0：0返轉以及找出系統(tǒng)存儲器的規(guī)模。.

46.測試存儲器已返回；存儲器大小計算完畢，即將寫入頁面來測試存儲器。檢查只讀存儲器ROM版本。

47.即將在擴展的存儲器試寫頁面；即將基本640K存儲器寫入頁面。

48.已將基本存儲器寫入頁面；即將確定1MB以上的存儲器。視頻檢查，CMOS重新配置。

49.找出1BM以下的存儲器并檢驗；即將確定1MB以上的存儲器。.

4A.找出1MB以上的存儲器并檢驗；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。進行視頻的初始化。

4B.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)的檢驗結束，即將檢查＜ESC＞和為軟復位清除1MB以上的存儲器。.4C.清除1MB以上的存儲器(軟復位)即將清除1MB以上的存儲器.屏蔽視頻BIOSROM。.4D。已清除1MB以上的存儲器（軟復位）；將保存存儲器的大小。.

4E若檢測到有錯誤；在顯示器上顯示錯誤信息，并等待客戶按＜F1＞鍵繼續(xù)。開始存儲器的測試：（無軟復位）；即將顯示第一個64K存儲器的測試。顯示版權信息。

4F讀寫軟、硬盤數(shù)據(jù)，進行DOS引導。開始顯示存儲器的大小，正在測試存儲器將使之更新；將進行串行和隨機的存儲器測試。.

50將當前BIOS監(jiān)時區(qū)內的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存儲器測試；即將高速存儲器的大小以便再定位和掩蔽。將CPU類型和速度送到屏幕。

51.測試1MB以上的存儲器。.

52所有ISA只讀存儲器ROM進行初始化，最終給PCI分配IRQ號等初始化工作。已完成1MB以上的存儲器測試；即將準備回到實址方式。進入鍵盤檢測。

53如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、并口和設置時種值。保存CPU寄存器和存儲器的大小，將進入實址方式。.

54.成功地開啟實址方式；即將復原準備停機時保存的寄存器。掃描“打擊鍵”

55.寄存器已復原，將停用門電路A－20的地址線。.

56.成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。鍵盤測試結束。

57.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半；繼續(xù)進行。.

58.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查結束；將清除發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息。非設置中斷測試。

59.已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測試。.

5A..顯示按“F2”鍵進行設置。

5B..測試基本內存地址。

5C..測試640K基本內存。

60設置硬盤引導扇區(qū)病毒保護功能。通過DMA頁面寄存器的測試；即將檢驗視頻存儲器。測試擴展內存。

61顯示系統(tǒng)配置表。視頻存儲器檢驗結束；即將進行DMA＃1基本寄存器的測試。.

62開始用中斷19H進行系統(tǒng)引導。通過DMA＃1基本寄存器的測試；即將進行DMA＃2寄存器的測試。測試擴展內存地址線。

63.通過DMA＃2基本寄存器的測試；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。.

64.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半，繼續(xù)進行。.

65.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查結束；將把DMA裝置1和2編程。.

66.DMA裝置1和2編程結束；即將使用59號中斷控制器作初始準備。Cache注冊表進行優(yōu)化配置。

67.8259初始準備已結束；即將開始鍵盤測試。.

68..使外部Cache和CPU內部Cache都工作。

6A..測試并顯示外部Cache值。

6C..顯示被屏蔽內容。

6E..顯示附屬配置信息。

70..檢測到的錯誤代碼送到屏幕顯示。

72..檢測配置有否錯誤。

74..測試實時時鐘。

76..掃查鍵盤錯誤。

7A..鎖鍵盤。

7C..設置硬件中斷矢量。

7E..測試有否安裝數(shù)學處理器。

80.鍵盤測試開始，正在清除和檢查有沒有鍵卡住，即將使鍵盤復原。關閉可編程輸入／輸出設備。

81.找出鍵盤復原的錯誤卡住的鍵；即將發(fā)出鍵盤控制端口的測試命令。.

82.鍵盤控制器接口測試結束，即將寫入命令字節(jié)和使循環(huán)緩沖器作初始準備。檢測和安裝固定RS232接口（串口）。

83.已寫入命令字節(jié)，已完成全局數(shù)據(jù)的初始準備；即將檢查有沒有鍵鎖住。.

84.已檢查有沒有鎖住的鍵，即將檢查存儲器是否與CMOS失配。檢測和安裝固定并行口。85.已檢查存儲器的大??；即將顯示軟錯誤和口令或旁通安排。.

86.已檢查口令；即將進行旁通安排前的編程。重新打開可編程I／O設備和檢測固定I／O是否有沖突。

87.完成安排前的編程；將進行CMOS安排的編程。.

88.從CMOS安排程序復原清除屏幕；即將進行后面的編程。初始化BIOS數(shù)據(jù)區(qū)。

89.完成安排后的編程；即將顯示通電屏幕信息。.

8A.顯示頭一個屏幕信息。進行擴展BIOS數(shù)據(jù)區(qū)初始化。

8B.顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。.

8C.成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS后的安排任選項的編程。進行軟驅控制器初始化。

8D.已經(jīng)安排任選項編程，接著檢查滑了鼠和進行初始準備。.

8E.檢測了滑鼠以及完成初始準備；即將把硬、軟磁盤復位。.

8F.軟磁盤已檢查，該磁碟將作初始準備，隨后配備軟磁碟。.

90.軟磁碟配置結束；將測試硬磁碟的存在。硬盤控制器進行初始化。

91.硬磁碟存在測試結束；隨后配置硬磁碟。局部總線硬盤控制器初始化。

92.硬磁碟配置完成；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。跳轉到用戶路徑2。

93.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)已檢查一半；繼續(xù)進行。.

94.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查完畢，即調定基本和擴展存儲器的大小。關閉A－20地址線。95.因應滑鼠和硬磁碟47型支持而調節(jié)好存儲器的大?。患磳z驗顯示存儲器。.

96.檢驗顯示存儲器后復原；即將進行C800：0任選ROM控制之前的初始準備?！癊S段”注冊表清除。

97.C800：0任選ROM控制之前的任何初始準備結束，接著進行任選ROM的檢查及控制。.98.任選ROM的控制完成；即將進行任選RO