SMT工藝流程管控點

絲印錫漿1.絲印機的參數(shù)設(shè)置及點檢2.錫漿的規(guī)格/存儲/使用3.鋼網(wǎng)刮刀的使用4.PCB在空氣中暴露時間5.加錫6.靜電防護(hù)1.刮刀速度:40~60mm/s,氣壓:0.6~1.2bar,脫模速度:0.3~0.5mm/s,刮刀角度:45~60°。,PE點檢機器﹐根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置各種參數(shù)2.使用錫漿型號:G4-MB981;粘度:170~210Pa.s錫漿出雪柜,室溫下解凍4小時后,在室溫下存放不超過12小時否則須從頭冷凍12小時,.錫漿的存儲溫度為2-10℃,期限6個月3.取用錫漿要進(jìn)行攪拌1)機器攪拌:攪拌時間150秒;2)人工攪拌:順時針勻速攪拌3~5分鐘觀察錫膏與助焊劑平均混合,無氣泡為止.4.鋼網(wǎng)和刮刀使用過程中及用完后要及時純潔 ,保證印錫優(yōu)良5.標(biāo)準(zhǔn)錫漿高度:120~200um,絲印員每小時測試一次錫漿高度 ,并及時作好記錄6.絲印OK的板在空氣中放置不得超過 2小時7.加錫量和方法按 PI指導(dǎo)作業(yè)﹐并作好記錄刮漿目、檢及、IPQC抽查刮漿質(zhì)量錫漿高度靜電防護(hù)1.刮好錫漿的板,錫漿表面無涂污﹑少錫﹑短路﹑移位等不良 .1/42.IPQC根據(jù)SPC實施細(xì)則每班每臺絲印機測試2次印錫厚度,并及時作好記錄與圖表，對超出管制范圍的需要求PE分析改善3.作業(yè)時必須戴防靜電帶 /衣服/帽子.飛達(dá)上料PQC對料物料正確方向正確飛達(dá)使用安裝正確靜電防護(hù)1.上料員按程序作業(yè)﹐備用料標(biāo)識清晰﹐正確放置﹐通知 IPQC核對站位料2.上料員必須用該型號的最新版本的站位表核對確認(rèn)物料并上料3.上IC和極性組件須檢查方向和絲印是否正確 ,并檢出引腳變形,爛料等不良品,反饋IQC4.上料時不允許兩站物料同時進(jìn)行 ,記錄要確鑿﹐工整5.飛達(dá)的使用及安裝正確6.作業(yè)時必須戴防靜電帶 /衣服/帽子飛達(dá)上料PQC對料物料正確方向正確飛達(dá)使用安裝正確靜電防護(hù)CHIP料貼片換料靜電防護(hù)手放料頂針布置靜電防護(hù)1.每更換一盤物料時都要上料員自檢 ,再經(jīng)IPQC確認(rèn)OK后方可上料2.每一位作業(yè)員須注意靜電防護(hù) ,正確使用防靜電器具3.對于托盤放料,作業(yè)員須注意靜電防護(hù),正確檢查CHIP料絲印和方向,拿取托盤要輕拿輕放4.手放料時注意組件的移位,反向,反面等不良,并檢查其絲印要清撤,正確5.頂針布置須平均,保證PCB在貼片過程中保持平緩。2/46.作業(yè)時必須戴防靜電帶 /衣服/帽子.貼片目檢IPQC抽檢貼裝質(zhì)量靜電防護(hù)1.作業(yè)時輕拿輕放﹐切勿觸及組件﹐并正確放入軌道上2.組件焊接點應(yīng)完全與該位的錫漿優(yōu)良接觸3.正確核對CHIP料表面絲印和外觀方向是否與標(biāo)準(zhǔn)相符4.如有移位﹑錯件﹑缺件﹑破損等不良校正后放可投入下一工序，對有規(guī)律、持續(xù)出現(xiàn)的不良應(yīng)立即標(biāo)示后反饋給當(dāng)班負(fù)責(zé)人﹐再聯(lián)絡(luò) IPQC,PE作處理5.對于手放料,必須正確使用防靜電器材,手放時要注意組件是否移位,反向,反面等不良.放料時要輕動作作業(yè)6.作業(yè)中使用鑷子等器具時﹐避免損害組件和 PCB﹐及其它負(fù)面影響7.作業(yè)時必須戴防靜電帶 /衣服/帽子.爐前目檢IPQC抽檢貼裝質(zhì)量靜電防護(hù)1.作業(yè)時輕拿輕放﹐切勿觸及組件﹐并正確放入軌道上2.檢查所有的貼片、IC，組件焊接點應(yīng)完全與該位的錫漿優(yōu)良接觸，如有反向、移位﹑錯件﹑缺件﹑連錫、少錫等不良須用鑷子校正后放可過回流焊﹐對于有規(guī)律、持續(xù)出現(xiàn)的不良應(yīng)立即標(biāo)示后反饋給當(dāng)班負(fù)責(zé)人﹐再聯(lián)絡(luò)IPQC,PE作處理3.對于手放料,必須正確使用防靜電器材,手放時要注意組件是否移位,反向,反面等不良.放料時要輕動作作業(yè)爐后目檢IPQC抽檢貼裝效果過爐質(zhì)量分類放置蓋印章靜電防護(hù)3/41.按“SMT缺陷檢驗標(biāo)準(zhǔn)“和PI對PCBA進(jìn)行目檢2.首先檢查所有CHIP料有無缺件、錯料、反面、破損等不良，并記錄和用箭頭紙標(biāo)識。3.用放大鏡目檢所有 IC有無反向，移位、少錫、連焊等不良，將不良點標(biāo)識,并填寫SPC檢查記錄表，將有規(guī)律性的,集中的分外的不良