中文BOEHFTFTSD超解像技術(shù)資料課件

超級~S/DPattern(ChannelLength：3.5um)~SK-Electronics2012.2

制作Introduction(1/4)利用半導(dǎo)體業(yè)界中廣泛應(yīng)用的AssistPattern開發(fā)Mask新產(chǎn)品利用AssistPattern光回折效果，提高解像度。IntensityIntensityUP無AssistPattern有AssistPatternAssistPattern

解像極限以下的SlitIntroduction(2/4)利用Halftone型PSM,實現(xiàn)解像度的提升。QZPhaseShiftfilm隨PhaseShift膜，它的波長將180deg.Shift。同樣Phase

不同PhaseLine＆Space界限部位的Contrast將會提升、隨之解像度也會上升。光束的抵消現(xiàn)象Introduction(4/4)接下來將著重介紹以下2種解像技術(shù)。IntensityTOPViewSideView光振幅

分布ReferencePSHTPhaseShiftfilmHalftonefilm+-+-+-SimulationResults

~SSM~MaskDesign&ConditionMaskDesignCondition

初期膜厚：2.2um

REFPSMHTCrPSHTCutlineSimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofDOSE、ResistProfile)DOSE比較(EOP)ResistProfileUnit：mj與Ref相比，未發(fā)現(xiàn)任何差別Cut_line：Xsourcechanneldrain與其它相比，HT(8%)的Contrast(TaperAngle)較低。

SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofRTPR：Channel)PR殘膜厚RangeのSimulation実施。Cutline依賴性(x、y、r)RTPR:Channelpart與Ref相比，沒有任何差別。SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofRTPR：Channel、RTPR：SourcePart)PR殘膜厚RangeのSimulation実施。Defocus依賴性(0、15、30um)RTPR:ChannelpartSourcepart(Top-Resist)：RTPR與Ref相比，RTPR的變化幅度也沒有因為Defocus而產(chǎn)生差距。與Ref相比，還是未產(chǎn)生任何差距。未產(chǎn)生Top-Loss。SimulationResults

~全解像~SimulationResult:ResolutionTarget→3.5um

(ComparisonofDOSE、ResistProfile)DOSE比較(EOP)ResistProfileUnit：mj與Ref相比,HT(8%)對產(chǎn)生能削減24%Dose的效果。同時削減了TactTime。Cut_line：Xsourcechanneldrain與其它相比，HT(8%)的

Contrast(TaperAngle)是比較小的。

PSM和HT(8%)，有些許Top-Loss。SimulationResult:ResolutionTarget→3.5um

(ComparisonofCD：Channel、RTPR：SourcePart)PR殘膜厚RangeのSimulation実施。Defocus依賴性(0、15、30um)CD:Channelpart與Ref相比，隨著

Defocus變化，PSM的CD變化幅度約有的改善，而HT(8%)有近130nm惡化。Sourcepart(Top-Resist)