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五、主要參低，且一、晶體低，且小功率小功率大功多子多子濃度面積晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN二、晶體管的放大原放大的條件u放大的條件uBEU u（集電結(jié)反偏部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空 放大系放大系

交流電流交流電流放大ICEO(1)ICBO電為什么基極開電集電結(jié)反向電集電結(jié)反向電iBf(iBf(uBE)為什么UCE增大曲線右移為什么像PN結(jié)的伏安特性iCfiCf(uCE)B對(duì)應(yīng)于一個(gè)IB就有一條iC隨uCE變化的UCEB截止放大飽和β是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下晶體管的三個(gè)工作區(qū)截放≥≥飽≥≤晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流iC幾乎僅僅決定于輸入回iB，即可將輸出iB控制的電流源iC。四、溫度對(duì)晶體管特性的uBE不變時(shí)iB，即iB不變時(shí)uBE

iC 直流參數(shù)：、、ICBO

1交流參數(shù)：β、α、fT（使β＝1的信號(hào)頻率c-e間擊穿電極限參數(shù)：c-e間擊穿電

uIUBE

(50.7)mARb Rb VCCRRc

)mA2.4mA臨界飽和時(shí)

分別分析uI=0V、5V時(shí)TPCMPCM

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