劃片設(shè)備個(gè)精度影響說明

劃片設(shè)備個(gè)精度影響說明：1.X的直線度解釋：x的直線度（平坦度）主要測(cè)量的是X水平方向移動(dòng)過程中的震動(dòng)，主要檢測(cè)絲杠是否有問題。大家都可以想象的，如圖：從簡(jiǎn)單的圖上可以看出來，在X的運(yùn)行中我們的切割刀片在A點(diǎn)突然受到了斜向上的扭力然后突然有變成斜向下的扭力。刀片在A很容易造成輕微的變形，造成刀痕變粗，如果比較嚴(yán)重的可以在WAFER上發(fā)現(xiàn)規(guī)則的垂直的2條不是很多的產(chǎn)品由于刀痕突然變化，而產(chǎn)生的背面后正面的繃角。2.XY的垂直度解釋：確保X的水平度平坦度的前提下進(jìn)行Y關(guān)于X方向的垂直度測(cè)量。主要的要求是主軸的刀片投影要與X軸平行不能。主要的質(zhì)量表現(xiàn)是：1.刀痕變粗CPK超標(biāo)準(zhǔn)2．刀片扭曲變形3．嚴(yán)重的造成產(chǎn)品正面的裂縫（很微小在200倍的顯微鏡都很難發(fā)現(xiàn)）4．背面的碎角，正背面的繃邊3?BASE基座的水平度解釋：基座的水平度，基座相對(duì)于主軸的水平度。包括直線移動(dòng)中的水平，還有THETA的旋轉(zhuǎn)中的水平。這個(gè)水平是當(dāng)你在做陶瓷盤水平等無法達(dá)到目標(biāo)以后做的最后一項(xiàng)調(diào)整。而且設(shè)備的基座下面是陶瓷的，要極其的小心，如果有不水平的，需要墊墊片，墊片也不能找現(xiàn)成的，一般都是自己手磨的，帶2500#以上的白玉油石或紅玉油石。困難最大的調(diào)整。。直接的影響就是，這個(gè)不調(diào)整好，你的設(shè)備永遠(yuǎn)也別想弄水平了，陶瓷盤是標(biāo)準(zhǔn)的，劃片后就出現(xiàn)刀痕一邊深一邊淺了。出現(xiàn)劃不透的話，那么背面嚴(yán)重的繃邊，裂角就來了，這個(gè)不要多解釋。4．陶瓷，金屬切割盤的水平度，和表面粗糙平坦度解釋：這個(gè)是檢測(cè)你與產(chǎn)品接觸的承載介質(zhì)的表面質(zhì)量的。主要目的是檢查出陶瓷盤是否由于使用年限磨

損的厲害，已經(jīng)產(chǎn)生了表面陶瓷粉末化，并出現(xiàn)部分高高底底的現(xiàn)象，甚至是出現(xiàn)不規(guī)則的小坑。影響：對(duì)IC大的產(chǎn)品和厚度較大的產(chǎn)品影響不是很大，但是TR分立器件的產(chǎn)品影響很大。主要表現(xiàn)是前面提到的出現(xiàn)局部劃不透劃不穿的問題，造成背面的崩裂，還有就是容易在切割過程中造成掉芯片，打壞刀片，大面積的造成產(chǎn)品表面擦傷報(bào)廢。。5．主軸與底盤的垂直度，平行度解釋：這是以水平的工作底盤為標(biāo)準(zhǔn)參考面，主軸的投影是否與工作底盤的水平面垂直。圖形表示：劃片后結(jié)果影響如圖：切割不規(guī)則，容易崩邊。刀片極其容易扭曲變形損壞。造成大規(guī)模的刀痕異常產(chǎn)品四周的破損變多。6．主軸的徑向跳動(dòng)解釋：這個(gè)是檢測(cè)的主軸軸心的旋轉(zhuǎn)時(shí)候的振動(dòng)，也就是主軸旋轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性。主要影響：是嚴(yán)重的涉及了所有的異常表現(xiàn)，由于主軸的不穩(wěn)定工作連帶了刀片的不穩(wěn)定工作，將出現(xiàn)大面積的質(zhì)量異常。7．主軸法蘭表面的粗糙度解釋：主要是檢查刀片法蘭端面表面的平整度，粗糙度，由于刀片的使用更換，法蘭的使用比較頻繁般使用3各月就要測(cè)量并修復(fù)了。主要影響：涉及所有的質(zhì)量異常。.L|—t數(shù)據(jù)切割深度一般是刀寬/2+10UM即可刀片破損的原因1、芯片松動(dòng)或飛晶。可能的原因：?藍(lán)膜的粘性太低。冷卻水流量或壓力太大。由于藍(lán)膜的粘膠彌塞刀片或刀片中金剛石含量太低，使得切割時(shí)阻力增大。由于背面蝕刻或磨片不良，造成圓片背面不平整。貼膜時(shí)有氣泡。由于刀片沒有充分預(yù)切割，切割時(shí)阻力太大。2、冷卻水不夠。3、去離子水中CO2含量太多。由于它的餓含量的升高，導(dǎo)致了PH的降低,導(dǎo)致了酸化速度，會(huì)使刀片破損4、進(jìn)刀速度太快。5、藍(lán)膜的粘膠彌塞刀片。6、藍(lán)膜的粘性太強(qiáng)。7、組成刀片的金剛石顆粒太小。8、刀片安裝不當(dāng)。9、主軸或機(jī)器振動(dòng)太大刀痕比倍率1：1.1這個(gè)晶圓代工廠就是這樣,EE最苦最累,機(jī)臺(tái)down了,半夜就要起來加班面對(duì)的困難和煩惱最多,接觸危險(xiǎn)的機(jī)器和化學(xué)品也最多身體收到的損害最大,但是相對(duì)來說,付出和回報(bào)最不成正比當(dāng)你再FAB內(nèi)修機(jī)器十幾個(gè)小時(shí)甚至幾天幾夜的時(shí)候當(dāng)你在FAB內(nèi)只有氧氣和氮?dú)鉀]有水分的環(huán)境下口干舌燥的時(shí)候當(dāng)你當(dāng)你被高溫烘烤,化學(xué)品腐蝕的時(shí)候當(dāng)你面對(duì)機(jī)臺(tái)一些很瑣碎但是很花費(fèi)時(shí)間和精力的事情的時(shí)候當(dāng)你在機(jī)臺(tái)down機(jī)絕望痛苦而沒有人能夠幫助你的時(shí)候當(dāng)你辛苦修好機(jī)臺(tái)功勞卻被其他人搶去的時(shí)候當(dāng)別人和老大對(duì)你呼喝指斥的時(shí)候當(dāng)你半夜冒著風(fēng)雪去修理機(jī)臺(tái)第二天還要拖著疲憊身體上班的時(shí)候當(dāng)你發(fā)現(xiàn)天天這么辛苦的修機(jī)器其實(shí)能力和技術(shù)沒有什么長(zhǎng)進(jìn),甚至根本就不懂電路的時(shí)候當(dāng)你發(fā)現(xiàn)自己再努力不如公司掏錢買一個(gè)parts換上去的時(shí)候當(dāng)你發(fā)現(xiàn)這個(gè)工作剛畢業(yè)的學(xué)生培訓(xùn)幾個(gè)月就能上的時(shí)候當(dāng)你的個(gè)人興趣和理想被淹沒在無盡的加班和報(bào)告中的時(shí)候在掛著高科技新興產(chǎn)業(yè)的幌子的半導(dǎo)體晶圓代工廠,有太多的血淚和心酸CVD晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個(gè)無塵室，為何需要無塵室答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷何謂半導(dǎo)體？答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場(chǎng)來控制其之導(dǎo)電性。常用的半導(dǎo)體材料為何答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa)何謂VLSI答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大規(guī)模集成電路在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺答：介電質(zhì)(Dielectrie)薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何答：沉積介電質(zhì)層及金屬層何謂CVD(ChemicalVaporDep.)答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程CVD分那幾種？答：PE-CVD(電漿增強(qiáng)型)及Thermal-CVD(熱耦式)為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導(dǎo)線？答：良好的導(dǎo)體僅次于銅介電材料的作用為何？答：做為金屬層之間的隔離何謂PMD(Pre-MetalDielectrie)答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個(gè)金屬層的介電質(zhì)何謂IMD(Inter-MetalDielectrie)答：金屬層間介電質(zhì)層。何謂USG?答：未摻雜的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)何謂FSG?答：摻雜氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)何謂BPSG?答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)何謂TEOS?答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅TEOS在常溫時(shí)是以何種形態(tài)存在？答：液體二氧化硅其K值為3.9表示何義答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的3.9倍氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體簡(jiǎn)述Endpointdetector之作用原理.答：clean制程時(shí)，利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化，因其特定波長(zhǎng)光線被detector偵測(cè)到強(qiáng)度變強(qiáng)或變?nèi)?，?dāng)超過某一設(shè)定強(qiáng)度時(shí),即定義制程結(jié)束而該點(diǎn)為endpoint.機(jī)臺(tái)使用的管件材料主要有那些？答：有不銹鋼制(StainlessSteal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.機(jī)器維修時(shí)要放置停機(jī)維修告示牌目的為何？答：告知所有的人勿操作機(jī)臺(tái)，避免危險(xiǎn)機(jī)臺(tái)維修至少兩人配合，有何目的？答：幫忙拆卸重物，并隨時(shí)警戒可能的意外發(fā)生更換過任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動(dòng)作？答：用氦氣測(cè)漏機(jī)來做測(cè)漏維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber)，應(yīng)配帶何種手套答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動(dòng)作何為真空(Vacuum)?半導(dǎo)體業(yè)常用真空單位是什幺？答：半導(dǎo)體業(yè)通常用Torr作為真空的壓力單位，一大氣壓相當(dāng)760Torr,低于760Torr壓力的環(huán)境稱為真空.真空Pump的作用？答：降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力何謂內(nèi)部連鎖(Interlock)答：機(jī)臺(tái)上interlock有些屬于保護(hù)操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號(hào)，用以保護(hù)機(jī)臺(tái).機(jī)臺(tái)設(shè)定許多interlock有何作用？答：機(jī)臺(tái)上interlock主要避免人員操作錯(cuò)誤及防止不相關(guān)人員動(dòng)作.WaferScrubber的功能為何？答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何謂蝕刻(Etch)?答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。蝕刻種類：答：⑴干蝕刻⑵濕蝕刻蝕刻對(duì)象依薄膜種類可分為：答：poly,oxide,metal半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何？答：鵭線（W）/鋁線（Al）/銅線（Cu）何謂dielectrie蝕刻（介電質(zhì)蝕刻）？答：Oxideetchandnitrideetch半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何？答：氧化硅/氮化硅何謂濕式蝕刻答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除何謂電漿Plasma?答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài)?帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子，正離子,負(fù)離子，中性分子，活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.何謂干式蝕刻？答：利用plasma將不要的薄膜去除何謂Under-etching（蝕刻不足）？答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留何謂Over-etching（過蝕刻）答：蝕刻過多造成底層被破壞何謂Etchrate（蝕刻速率）答：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度何謂Seasoning（陳化處理）答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy）晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。Asher的主要用途：答：光阻去除Wetbenchdryer功用為何？答：將晶圓表面的水份去除列舉目前Wetbenchdry方法：答：（1）SpinDryer（2）Marangonidry（3）IPAVaporDry何謂SpinDryer答：利用離心力將晶圓表面的水份去除何謂MaragoniDryer答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除何謂IPAVaporDryer答：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去除測(cè)Particle時(shí),使用何種測(cè)量?jī)x器？答：TencorSurfscan測(cè)蝕刻速率時(shí)，使用何者量測(cè)儀器？答：膜厚計(jì),測(cè)量膜厚差值何謂AEI答：AfterEtchingInspection蝕刻后的檢查AEI目檢Wafer須檢查哪些項(xiàng)目：答：（1）正面顏色是否異常及刮傷（2）有無缺角及Particle（3）刻號(hào)是否正確金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理？答：清機(jī)防止金屬污染問題金屬蝕刻機(jī)臺(tái)asher的功用為何？答：去光阻及防止腐蝕金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗？答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中"HotPlate〃機(jī)臺(tái)是什幺用途？答：烘烤HotPlate烘烤溫度為何？答：90~120度C何種氣體為PolyETCH主要使用氣體？答：Cl2,HBr,HCl用于Al金屬蝕刻的主要?dú)怏w為答：Cl2,BCl3用于W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為答：SF6何種氣體為oxidevai/contactETCH主要使用氣體？答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化學(xué)成份為：答：H2SO4/H2O2AMP槽的化學(xué)成份為：答：NH40H/H202/H20UVcuring是什幺用途？答：利用UV光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度"UVcuring"用于何種層次？答：金屬層何謂EMO？答：機(jī)臺(tái)緊急開關(guān)EMO作用為何？答：當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制，可緊急按下濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示？答：（1）警告?內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn)?嚴(yán)禁打開此門（2）機(jī)械手臂危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門（3）化學(xué)藥劑危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置？答：嚴(yán)禁以手去測(cè)試漏出之液體.應(yīng)以酸堿試紙測(cè)試.并尋找泄漏管路.遇IPA槽著火時(shí)應(yīng)如何處置?？答：立即關(guān)閉IPA輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組BOE槽之主成份為何？答：HF（氫氟酸）與NH4F（氟化銨）.BOE為那三個(gè)英文字縮寫？答：BufferedOxideEtcher。有毒氣體之閥柜（VMB）功用為何？答：當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出電漿的頻率一般13.56MHz,為何不用其它頻率？答：為避免影響通訊品質(zhì)，目前只開放特定頻率，作為產(chǎn)生電漿之用，如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等何謂ESC（electricalstaticchuck）答：利用靜電吸附的原理，將Wafer固定在極板（Substrate）上Asher主要?dú)怏w為答：02Asher機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何？答：溫度簡(jiǎn)述TURBOPUMP原理答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR熱交換器（HEATEXCHANGER）之功用為何？答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸，以達(dá)到溫度控制之目地簡(jiǎn)述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？答：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性，能將芯片上之溫度均勻化ORIENTER之用途為何？答：搜尋notch邊，使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定，可追蹤問題簡(jiǎn)述EPD之功用答：偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)；Endpointdetector利用波長(zhǎng)偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)何謂MFC?答：massflowcontroler氣體流量控制器;用于控制反應(yīng)氣體的流量GDP為何？答：氣體分配盤（gasdistributionplate）GDP有何作用？答：均勻地將氣體分布于芯片上方何謂isotropicetch?答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等何謂anisotropicetch?答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少何謂etch選擇比？答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值何謂AEICD?答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小，特征尺寸（CriticalDimension）何謂CDbias?答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD簡(jiǎn)述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法？答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析何謂反射功率？答：蝕刻過程中，所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受，會(huì)有部份值反射掉，此反射之量，稱為反射功率LoadLock之功能為何？答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進(jìn)出反應(yīng)腔，確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂BulkGas?答：BulkGas為大氣中普遍存在之制程氣體，如N2,O2,Ar等.廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂InertGas?答：InertGas為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體，如NH3,CF4,CHF3,SF6等.廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂ToxicGas?答：ToxicGas為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體，如SiH4,Cl2,BCl3等.機(jī)臺(tái)維修時(shí)，異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理？答：將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作冷卻器的冷卻液為何功用？答：傳導(dǎo)熱Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理？答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽何謂RPM?答：即RemotePowerModule,系統(tǒng)總電源箱.火災(zāi)異常處理程序答：（1）立即警告周圍人員.（2）嘗試3秒鐘滅火.（3）按下EMO停止機(jī)臺(tái).（4）關(guān)閉VMBValve并通知廠務(wù).（5）撤離.一氧化碳（CO）偵測(cè)器警報(bào)異常處理程序答：（1）警告周圍人員.（2）按Pause鍵，暫止Run貨.（3）立即關(guān)閉VMB閥,并通知廠務(wù).（4）進(jìn)行測(cè)漏.高壓電擊異常處理程序答：（1）確認(rèn)安全無慮下，按EMO鍵（2）確認(rèn)受傷原因（誤觸電源，漏水等）（3）處理受傷人員T/C（傳送TransferChamber）之功能為何?答：提供一個(gè)真空環(huán)境，以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送Wafer,節(jié)省時(shí)間.機(jī)臺(tái)PM時(shí)需佩帶面具否答：是，防毒面具機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過久run貨前需做何動(dòng)作答：Seasoning（陳化處理）何謂日常測(cè)機(jī)答：機(jī)臺(tái)日常檢點(diǎn)項(xiàng)目，以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常何謂WAC（WaferlessAutoClean）答：無wafer自動(dòng)干蝕刻清機(jī)何謂DryClean答：干蝕刻清機(jī)日常測(cè)機(jī)量測(cè)etchrate之目的何在？答：因?yàn)橐g刻到多少厚度的film,其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率操作酸堿溶液時(shí)，應(yīng)如何做好安全措施？答：（1）穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡（2）操作區(qū)備有清水與水管以備不時(shí)之需（3）操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶如何讓chamber達(dá)到設(shè)定的溫度？答：使用heater和chillerChiller之功能為何？答：用以幫助穩(wěn)定chamber溫度如何在chamber建立真空？答：（1）首先確立chamberparts組裝完整（2）以drypump作第一階段的真空建立（3）當(dāng)圧力到達(dá)100mTD寺再以turbopump抽真空至1mT以下真空計(jì)的功能為何？答：偵測(cè)chamber的壓力，確保wafer在一定的壓力下processTransfermodule之robot功用為何？答：將wafer傳進(jìn)chamber與傳出chamber之用何謂MTBC?（meantimebetweenclean）答：上一次wetclean到這次wetclean所經(jīng)過的時(shí)間RFGenerator是否需要定期檢驗(yàn)？答：是需要定期校驗(yàn)；若未校正功率有可能會(huì)變化;如此將影響電漿的組成為何需要對(duì)etchchamber溫度做監(jiān)控？答：因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件;如etchingrate/均勻度為何需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的氣壓)？答：因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成pump負(fù)荷過大;造成pump跳掉，影響chamber的壓力，直接影響到run貨品質(zhì)為何要做漏率測(cè)試？(Leakrate)答：⑴在PM后PUMPDown1~2小時(shí)后;為確保chamberRun貨時(shí)，無大氣進(jìn)入chamble影響chamberGAS成份(2)在日常測(cè)試時(shí)，為確保chamber內(nèi)來自大氣的泄漏源，故需測(cè)漏機(jī)臺(tái)發(fā)生Alarm時(shí)應(yīng)如何處理？答：(1)若為火警，立即圧下EMO(緊急按鈕)，并滅火且通知相關(guān)人員與主管(2)若是一般異常，請(qǐng)先檢查alarm訊息再判定異常原因，進(jìn)而解決問題，若未能處理應(yīng)立即通知主要負(fù)責(zé)人蝕刻機(jī)臺(tái)廢氣排放分為那幾類？答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特(v)?答：208V三相干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份？答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)真空系統(tǒng)(5)GASsystem(6)RFsystemPHOTOPHOTO流程？答：上光阻一曝光一顯影一顯影後檢查一CD量測(cè)一Overlay量測(cè)何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。何為正光阻？答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。何為負(fù)光阻？答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會(huì)被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。什幺是曝光？什幺是顯影？答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂Photo?答：Photo二Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。Photo主要流程為何？答：Photo的流程分為前處理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，顯影，HardBake等。何謂PHOTO區(qū)之前處理？答:在Wafer上涂布光阻之前，需要先對(duì)Wafer表面進(jìn)行一系列的處理工作,以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進(jìn)行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。何謂上光阻？答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴(Nozzle)被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂SoftBake?答：上完光阻之后，要進(jìn)行SoftBake，其主要目的是通過SoftBake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。何謂曝光？答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時(shí)將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。何謂PEB(PostExposureBake)?答：PEB是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。何謂顯影？答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進(jìn)行成象的過程，通過這個(gè)過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。何謂HardBake?答：HardBake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何謂I-line?答：曝光過程中用到的光，由MercuryLamp（汞燈）產(chǎn)生，其波長(zhǎng)為365nm,其波長(zhǎng)較長(zhǎng)，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。何謂DUV?答：曝光過程中用到的光，其波長(zhǎng)為248nm，其波長(zhǎng)較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。I-line與DUV主要不同處為何？答：光源不同，波長(zhǎng)不同，因此應(yīng)用的場(chǎng)合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。DUV則用在先進(jìn)制程的Criticallayer上。何為ExposureField?答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域何謂Stepper?其功能為何？答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Stepbystep形式，一次曝整個(gè)exposurefield,—個(gè)一個(gè)曝過去何謂Scanner?其功能為何？答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanningandstep形式，在一個(gè)exposurefield曝光時(shí)，先Scan完整個(gè)field,Scan完後再移到下一個(gè)field.何為象差？答：代表透鏡成象的能力，越小越好.Scanner比Stepper優(yōu)點(diǎn)為何？答：ExposureField大，象差較小曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？答：Energy（曝光量），F(xiàn)ocus（焦距）。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。何為Reticle?答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。何為Pellicle?答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。何為OPC光罩？答：OPC（OpticalProximityCorrection）為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩。何為PSM光罩？答：PSM（PhaseShiftMask）不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contactlayer以及較小CD的Criticallayer（如AA,POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。何為CRMask？答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩，只是利用光訊0與1干涉成像，主要應(yīng)用在較不Critical的layer光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA,0037代表產(chǎn)品號(hào)，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客戶版本，后一個(gè)A代表SMIC版本，1代表FAB1,D代表DUV（如果是J,則代表I-line）,A代表ASML機(jī)臺(tái)（如果是C，則代表Canon機(jī)臺(tái)）光罩室同時(shí)不能超過多少人在其中？答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。存取光罩的基本原則是什幺？答：（1）光罩盒打開的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出MaskRoom,最多只準(zhǔn)保持2個(gè)人（2）戴上手套（3）輕拿輕放如何避免靜電破壞Mask?答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動(dòng)FOUP時(shí)碰撞光罩Pod而損壞光罩。何謂Track?答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程。In-lineTrack機(jī)臺(tái)有幾個(gè)Coater槽，幾個(gè)Developer槽？答：均為4個(gè)機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)該及時(shí)CallE.E進(jìn)行處理。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛DOWN。何謂WEE?其功能為何？答：WaferEdgeExposureo由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此將WaferEdge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ@樣便可以消除影響。何為PEB？其功能為何？答：PostExposureBake,其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standingwaves）PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻答：目前正負(fù)光阻都有，SMICFAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject?答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有Reject記錄。何謂Overlay?其功能為何？答：迭對(duì)測(cè)量?jī)x。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整processcondition.何謂ADICD?答：CriticalDimension,光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上,通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量CD的值來確定process的條件是否合適。何謂CD-SEM?其功能為何？答：掃描電子顯微鏡。是一種測(cè)量用的儀器，通?？梢杂糜跍y(cè)量CD以及觀察圖案。PRS的制程目的為何？答：PRS（ProcessReleaseStandard）通過選擇不同的條件（能量和焦距）對(duì)Wafer曝光，以選擇最佳的processcondition。何為ADI？ADI需檢查的項(xiàng)目有哪些？答：AfterDevelopInspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect何為OOC,OOS，OCAP？答：OOC=outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒有下機(jī)臺(tái)的貨追回來？答：需要。因?yàn)橥ǔＪ莗rocess出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回?fù)p失。PHOTOADI檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？答：5點(diǎn)，Wafer中間一點(diǎn)，周圍四點(diǎn)。PHOTOOVERLAY檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？答：20PHOTOADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？答：#1,#6,#15,#24;統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量何謂RTMS，其主要功能是什幺？答：RTMS(ReticleManagementSystem)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,andInformation以便于光罩管理PHOTO區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行PM的周期？答：一周一次PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型答：(1)Particle:作為Particlemonitor用的芯片，使用前測(cè)前需小於10顆(2)ChuckParticle:作為Scanner測(cè)試Chuck平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高(3)Focus:作為ScannerDailymonitorbest的wafer(4)CD:做為photo區(qū)dailymonitorCD穩(wěn)定度的wafer(5)PRthickness:做為光阻厚度測(cè)量的wafer(6)PDM:做為photodefectmonitor的wafer當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？答：有少量光阻當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？答：有少量光阻WAFERSORTER有讀WAFER刻號(hào)的功能嗎？答：有光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺？它們的作用是什幺？答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是：TRACK(涂膠顯影機(jī))，Sanner(掃描曝光機(jī))為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最咼級(jí)的照相機(jī).光罩上的電路圖形就是〃人物〃.通過對(duì)準(zhǔn)，對(duì)焦，打開快門，讓一定量的光照過光罩，其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上，曝光后的芯片被送回Track的顯影槽，被顯影液浸泡，曝光的光刻膠被洗掉，圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術(shù)的英文是什幺答：PhotoLithography常聽說的.18或點(diǎn)13技術(shù)是指什幺？答：它是指某個(gè)產(chǎn)品，它的最小〃CD〃的大小為0.18umor0.13um.越小集成度可以越高，每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多，難度也越大?它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13工藝到點(diǎn)零9.難度在哪里？答：難度在光刻部，因?yàn)閳D形越來越小，曝光機(jī)分辨率有限.曝光機(jī)的NA是什幺？答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開的角度的正玹值.最大是1；先進(jìn)的曝光機(jī)的NA在0.5 0.85之間.曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的？答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長(zhǎng);NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑；k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù)，通常在0.4—0.7之間.如何提高曝光機(jī)的分辨率呢？答：減短曝光的光波長(zhǎng)，選擇新的光源；把透鏡做大，提高NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上，曝光機(jī)的光源有幾種，波長(zhǎng)多少？答:有三種：高壓汞燈光譜中的365nm譜線，我們也稱其為I-line;KrF激光器，產(chǎn)生248nm的光；ArF激光器，產(chǎn)生193nm的光；下一代曝光機(jī)光源是什幺？答：F2激光器.波長(zhǎng)157nm我們可否一直把波長(zhǎng)縮短，以提高分辨率？困難在哪里？答：不可以.困難在透鏡材料.能透過157nm的材料是CaF2,其晶體很難生長(zhǎng).還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長(zhǎng)的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光，所以采用黃光；就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM答：掃描電子顯微鏡(ScanElectronicMicroscope)光刻部常用的也稱道CDSEM.用它來測(cè)量CD如何做Overlay測(cè)量呢？答：芯片(Wafer)被送進(jìn)Overlay機(jī)臺(tái)中.先確定Wafer的位置從而找到OverlayMARK.這個(gè)MARK是一個(gè)方塊IN方塊的結(jié)構(gòu)?大方塊是前層，小方塊是當(dāng)層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺答：曝光機(jī)；5-15百萬美金/臺(tái)曝光機(jī)貴在哪里？答:曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15到20個(gè)直徑在200300MM的透鏡組成?波面相位差只有最好象機(jī)的5%.它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺(tái))激光工作臺(tái)的定位精度有多高？答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于10nm曝光機(jī)是如何保證Overlay<50nm答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度<50nm.它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺(tái)，它把wafer移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置.再就是成像系統(tǒng)，它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER上，什幺叫一個(gè)Field?答：光罩上圖形成象在WAFER上,最大只有26X33mm—塊（這一塊就叫一個(gè)Field），激光工作臺(tái)把WAFER移動(dòng)一個(gè)Field的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER上有約100左右Field.什幺叫一個(gè)Die?答：一個(gè)Die也叫一個(gè)Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè)Field可包含多個(gè)Die;為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”答：曝光機(jī)很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：答：機(jī)器人手臂（robot）.Scanner的ROBOT有真空（VACCUM）來吸住WAFER.TRACK的ROBOT設(shè)計(jì)獨(dú)特，用邊緣HOLDWAFER.可否用肉眼直接觀察測(cè)量Scanner曝光光源輸出的光答：絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation（底座）答：Scanner曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求（減震）近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段？答：從80'S至今可分4階段:它是由曝光光源波長(zhǎng)劃分的；高壓水銀燈的G-line（438nm）,I-line（365nm）;excimerlaserKrF（248nm）,ArFlaser（193nm）I-linescanner的工作范圍是多少？答：CD>0.35um以上的圖層（LAYER）KrFscanner的工作范圍是多少？答：CD>0.13um以上的圖層（LAYER）ArFscanner的工作范圍是多少？答：CD>0.08um以上的圖層（LAYER）什幺是DUVSCANNER答：DUVSCANNER是指所用光源為DeepUltraVoliet,超紫外線.即現(xiàn)用的248nm,193nmScannerScanner在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：答：Scanner是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運(yùn)動(dòng)要保持很咼的同步性?在250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置<10nm.相當(dāng)于兩架時(shí)速1000公里/小時(shí)的波音747飛機(jī)前后飛行，相距小于10微米光罩的結(jié)構(gòu)如何？答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）.在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形(把部分鉻膜刻掉，透光).在距鉻膜5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜(叫pellicle)，保護(hù)鉻膜不受外界污染.在超凈室(cleanroom)為什幺不能攜帶普通紙答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃(particle).進(jìn)cleanroom要帶專用的CleanroomPaper.如何做CD測(cè)量呢？答：芯片(Wafer)被送進(jìn)CDSEM中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同；處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn)行測(cè)量得CD.什幺是DOF答：DOF也叫DepthOfFocus,與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像，我們稱之為像平面(ImagePlan),只有將像平面與光阻平面重合(InFocus)才能印出清晰圖形.當(dāng)離開一段距離后，圖像模糊.這一可清晰成像的距離叫DOF曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形(Pattern)的作用是什幺？答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉.去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上.另一作用是充當(dāng)例子注入的模板.光阻種類有多少？答：光阻種類有很多.可根據(jù)它所適用的曝光波長(zhǎng)分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻光阻層的厚度大約為多少？答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān).I-line光阻最厚，0.7umto3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān).哪些因素影響光阻厚度的均勻度？答：光阻厚度均勻度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān).當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的CSDS(ChemicalSafetyDataSheet),把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療作者：core-logic回復(fù)日期：2006-1-22 10:00:11FAC根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)?答：分為一般排氣(General)、酸性排氣(Scrubbers)、堿性排氣(Ammonia)和有機(jī)排氣(Solvent)四個(gè)系統(tǒng)。高架地板分有孔和無孔作用?答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房?jī)?nèi)的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。離子發(fā)射系統(tǒng)作用答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電SMIC潔凈等級(jí)區(qū)域劃分答：MaskShopclass1&100Fab1&Fab2Photoandprocessarea:Class100Cu-lineAl-LineOS1L3OS1L4testingClass1000什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測(cè)試機(jī)臺(tái)在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于80kpa)和流量，每天24小時(shí)運(yùn)行什幺是MAU(MakeUpAirUnit),新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用答：提供潔凈室所需之新風(fēng)，對(duì)新風(fēng)濕度，溫度，及潔凈度進(jìn)行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。HouseVacuumSystem作用答：HV(HouseVacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。FilterFanUnitSystem(FFU)作用答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。什幺是CleanRoom潔凈室系統(tǒng)答：潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。Cleanroomspec:標(biāo)準(zhǔn)答：Temperature23°C±1°C(Photo:23°C±0.5°C)Humidity45%±5%(Photo:45%±3%)Class100Overpressure+15paAirvelocity0.4m/s±0.08m/sFab內(nèi)的safetyshower的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰(shuí)來負(fù)責(zé)答：Fab內(nèi)的AreaOwner(若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請(qǐng)廠務(wù)水課(19105)協(xié)助)工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑(如IPA等)進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋捍穑核釙?huì)導(dǎo)致conductivity(導(dǎo)電率)升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致TOC升高。兩者均會(huì)影響并降低純水回收率。若在Fab內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何處理或通報(bào)答：先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做PM所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室(12222)機(jī)臺(tái)若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通答：通知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班(19105)廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不銹鋼管(SUS)若機(jī)臺(tái)內(nèi)的drain管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤，將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題?答：將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格，從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排放的事故。公司做水回收的意義如何?答：(1)節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。何種氣體歸類為特氣(SpecialtyGas)?答：SiH2Cl2何種氣體由VMBStick點(diǎn)供到機(jī)臺(tái)?答：H2何種氣體有自燃性?答：SiH4何種氣體具有腐蝕性?答：ClF3當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測(cè)器?答：PH3名詞解釋GC,VMB,VMP答：GC-GasCabinet氣瓶柜VMB-ValveManifoldBox閥箱，適用于危險(xiǎn)性氣體。VMP-ValveManifoldPanel閥件盤面，適用于惰性氣體。標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺不適？答：21%19%什幺是氣體的LEL?H2的LEL為多少？答：LEL-LowExplosiveLevel氣體爆炸下限H2LEL-4%.當(dāng)FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級(jí)警報(bào)(既LeakHiHi)，氣體警報(bào)燈(LAU)會(huì)如何動(dòng)作？FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散。化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為何?答：(1)Acid/Caustic酸性/腐蝕性(2)Solvent有機(jī)溶劑(3)Slurry研磨液有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何?答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測(cè)器(2)CO2extinguisher;二氧化碳滅火器答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鎬設(shè)備機(jī)臺(tái)總電源是幾伏特?答：208VOR380V欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長(zhǎng)線嗎?答：不可以如何選用電器器材?答：使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌機(jī)臺(tái)開關(guān)可以任意分/合嗎?答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺(tái)開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長(zhǎng)線,對(duì)嗎?答：對(duì)假設(shè)斷路器啟斷容量為16安培導(dǎo)線線徑2.5mm2,電源供應(yīng)電壓?jiǎn)蜗?20伏特,若使用單相5000W電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況?答：斷路器跳閘當(dāng)供電局供電中斷時(shí)，人員仍可安心待在FAB中嗎？答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.在半導(dǎo)體程制中,濕制程(wetprocessing)分那二大頪？答：(1)晶圓洗凈(wafercleaning)⑵濕蝕刻(wetetching).晶圓洗凈(wafercleaning)的設(shè)備有那幾種？答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype(2)Singlewafertype(spraytype)晶圓洗凈(wafercleaning)的目的為何？答：去除金屬雜質(zhì),有機(jī)物污染及微塵.半導(dǎo)體制程有那些污染源？答：(1)微粒子(2)金屬(3)有機(jī)物(4)微粗糙(5)天生的氧化物RCA清洗制程目的為何？答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓,并做到酸堿中和,使晶圓可進(jìn)行下一個(gè)制程.洗凈溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的為何？答：去除微粒子及有機(jī)物洗凈溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的為何？答：去除有機(jī)物洗凈溶液HPM(SC-2)-->HCL:H2O2:H2O的目的為何？答：去除金屬洗凈溶液DHF-->HF:H20(1:100?1:500)的目的為何？答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液FPM-->HF:H2O2:H2O的目的為何？答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的為何？答：氧化膜濕式蝕刻洗凈溶液熱磷酸-->H3PO4的目的為何？答：氮化膜濕式蝕刻0.25微米邏輯組件有那五種標(biāo)準(zhǔn)清洗方法？答:(1)擴(kuò)散前清洗⑵蝕刻后清洗(3)植入后清洗(4)沉積前洗清⑸CMP后清洗超音波刷洗(ultrasonicscrubbing)目的為何？答：去除不溶性的微粒子污染何謂晶圓盒(POD)清洗？答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染.高壓噴灑(highpressurespray)或刷洗去微粒子在那些制程之后？答：(1)鋸晶圓(wafersaw)(2)晶圓磨薄(waferlapping)(3)晶圓拋光(waferpolishing)(4)化學(xué)機(jī)械研磨晶圓濕洗凈設(shè)備有那幾種？答：(1)多槽全自動(dòng)洗凈設(shè)備(2)單槽清洗設(shè)備(3)單晶圓清洗設(shè)備.單槽清洗設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)？答：(1)較佳的環(huán)境制程與微粒控制能力.(2)化學(xué)品與純水用量少.(3)設(shè)備調(diào)整彈性度高.單槽清洗設(shè)備的缺點(diǎn)？答：(1)產(chǎn)能較低.(2)晶圓間仍有互相污染單晶圓清洗設(shè)備未來有那些須要突破的地方？答：產(chǎn)能低與設(shè)備成熟度(disco)1.0 TitleDiscoAutomaticDicingSaw2.0 PurposeTheDiscoAutomaticDicingSawisaprecisionmachineusedtocutsemiconductorwafersintoindividualchipsordice.Wafersareheldtothechucktablebymeansofvacuumandthechuckcanaccommodatewaferswithdiametersfrom2"to6".Themaximumtablestroke(left-rightmovementofthechucktable)is160mm(65/16").Thecuttingrangeis20.4mmto153mmin1mmincrements(0.8"to6"in0.025"increments).Thecuttingfeedspeedisvariablefrom0.3to10mm/sec.(0.012"to12"/sec).Thedicingwheelismountedonahighfrequencyair-bearingspindlewithanaveragerotationspeedof30,000rpm.Therangeofdepthleftuncutisvariable,andrangesfrom0.005mmto19.995mm(0.0002"to0.7872")instepsof0.005mm(0.0002")increments.(DonotuseaZ-indexoflessthan0.07mmwithoutconsultingasuperuser.)Followingeachcut,theDiscousesstoredparameterstoautomaticallyindexthewaferalongtheY-axis.Themaximumspindlestroke(forward-backwardmovementofspindle)is160mm(65/16"),andthevariablespindleindexrangesfrom0.002mmto99.998mm(0.0001"to4")inindexingstepsof0.002mm(0.0001")increments.3.0ScopeTherearefourfixedsawingmodesavailable:MODEAThecutismadeonlyinonedirectionasthechuckmovesfromrighttoleft(downcut).MODEBThecutismadeinbothdirectionsalongtheX-axis(downcut/upcut).MODECThismodealsocutsinbothdirectionsalongtheX-axis,butthebladedescendswithintherangeof0.005-19.995mmalongtheZ-axiswhenthechucktablemovesfromlefttoright.Usethismodeforcutsdeeperthan650microns.MODEDThismodeisconstructedwithaDRESS,whichusesadressboard,andaPRE-CU,Twhichusesadummywafer.DicingtapeandhoopsareavailableintheMicrolab.Tapecanbefoundonadispenserin432b,andhoopsarestoredbeneaththediscosaw.Dicingtapeisrecommendedforalldicingoperationsandisrequiredforthroughwafercuts.4.0 ApplicableDocuments5.0 DefinitionsandProcessTerminology6.0 Safety7.0 Statistical/ProcessData8.0 AvailableProcess,Gases,ProcessNotesCuttingBladesInUseSiliconBladeSemitecCorp.PNS2525kerf(widthofcut)=.64micronsor.0025”Maximumdepthofcut=640micronsor.025”Ceramics,saphire,crystalsubstrateDicingTechnology,PNCX-004-270-040-Hkerf.004”,50-70micronabrasive,1mmor.040”exposureRecommendedcuttingspeed,bestcut:..25mm/sec,Z-index:.7,.04Maximumcuttingspeed:.5mm/sec(morechipping)GlassDicingTechnology,PNCX-010-600-060Jkerf.010”,22-36micronabrasive,1.5mmor.060”exposureRecommendedcuttingspeed,bestcut:.5mm/sec,Z-index:.7,.04Maximumcuttingspeed:1mm/sec9.0 EquipmentOperationOperatingPrecautionsSiliconparticles(shippedpieces)producedbydicingoperationwillcoatyoursamples,ifyoudonotuseaprotectivelayer.Thesearesharpedgedparticles,whichcaneasilypenetratetheunderlyingstructure,andareverydifficultorimpossibletoremove.Itishighlyrecommendedthatyoucoatyourwaferswith1-2micrometersofphotoresistasasacrificiallayerthatcantrapandlaterremoveparticles(postdicingoperation).Youcanusethemanualspinner(headway)ortheautomatedtracksystems(SVG)toperformthiscoating.Chapter1.3ofthemanual,module6(MOD6)providesandoverviewoftheresistcoatingprocedure,ifyouarenotfamiliarwiththisprocess.PleasenotethatthereisnoneedforHMDStreatmentofwaferssurface(skipSectionA).OncewaferisdicedyoucaneasilyremoveyourresistlayeralongwiththeparticlesinaacetonebathfollowedbyisopropanolandaDIrinse/drysteps(soaksamplesfor2minutesinacetone,DIrinse,then2minutesinisopropanolfollowedbyDIrinse).Beforeoperatingthesaw,besuretoverifythefollowing:Thebladeisintact.Ifyouattempttocutawaferwithadamagedblade,itmaycauseseveredamagetothespindle.Youmaychangethebladebyfollowingtheprocedurepostedonthewall.Becarefulnottoapplyexcessiveforcetothespindle.Usethetorquedriverthatiskeptbythesaw.9.1.2TheAUTOBREAKERCONTROLswitch(locatedontherightsideofthemainbody)isturnedon(intheUPposition).9.1.2Theairisonandisbeingsuppliedat80psi(ormore).Thewaterison.TheSTANDBYlightison.Duringoperation,makesure:Yourwaferisnomorethan550umthick.Ifyouarecuttingthickwafers,waferstacks,etc.,youmustuseMODEC.Otherwise,thesawbladewillscrapealongyourwaferonthereturnstroke,damagingyourwafer,theblade,andpossiblythespindle.Similarly,neverattempttomakeacutthatisdeeperthantheexposedamountofsawblade,sincethiswillplaceahighloadonthespindleandpossiblydamageit.Dicingbladesaremadeofthinmaterialandcannotbeusedforsidegrinding.Ifyouaredicingasample(ahalfwafer,etc),whichhasapre-existingflatedgeparalleltothecuttingdirection,beverycarefulnottoletthebladeindexoverandtrytocutrightalongtheedgeofthesample.Thelateralforcesthatareinducedinthebladewilleasilypeelitoffthebladeholder.Coolingwaterisbeingsuppliedtothecuttingarea,ataflowrateofatleast0.3lpm.AlwaysperformaSetupafterchangingtheblade.Otherwise,ifthenewbladeisatalllargerthantheoldblade,itmaycutintothechuck.Note:SpindleShutdownTherearetwowaystostopthespindlefromrotating.PressingthebuttonSPINDLEwillturnoffthespindleandpreservetheheightsetting.PressingtheEMSTOPwillstopthespindle,raiseit,returnittothehomepositionanderasetheheightinformation.Ifabladeistobechanged,itisimperativetouseEMSTOPratherthanspindletostoprotationsonewheightinformationisprogrammedfollowingthebladechange.NEVERTURNOFFTHEDISCOWHILETHESPINDLEISTURNING.FIRSTSTOPTHESPINDLEROTATIONWITHONEOFTHEABOVEMETHODS.InitialSet-UpBeforebeginningtheactualoperation,thesawmustbe"set-up".ThisallowsthemachinetoverifythezeroreferencepointalongtheZ-axis(i.e.verifiesthechuckheight).Thisprocedureisdonewithoutawaferonthechucktableasthepresenceofawafermaycausedamagetoeitherthebladeorthewa.ferBesurethatthereisnowaterpresentonthesurfaceofthechucktable.Theprocedureisasfollows:Checkthatthespindlecoverisontightly.PresstheSPINDLEbutton(theLEDshouldnowbelit).Verifythatthespindleisrotating.PresstheILLUMINATIONbuttontoturnonthelightstothemicroscope.PresstheVACUUMbutton(theLEDshouldnowbelit).PresstheSETUPbutton.ThiswillcausethebladetorisealongtheZ-axisandstopatthelimitoftravelalongtheZ-axis.ThechucktablewillnowmovetoandstopatapproximatelythecenteroftheY-axis.ThechucktablewillthenmovealongtheX-axisfromthelefttotheSETUPpositionandstop.ThebladewilldescendalongtheZ-axisandtouchthesurfaceofthechucktable,thenimmediatelyrisestoformagapequaltotheamountenteredintotheZINDEX.ThechucktablewillnowmovealongtheX-axistothepositionofthemicroscopeandstop.TheSETUPlampwillnowcomeontoindicatethecompletionoftheSETUPoperation.ProgrammingThereisspaceavailableforstoring10differentprograms(Prog.#0-#9).Programmableparametersinclude:?MODEofcutting?CUTSTRK:lengthofthecuttingstroke?CUTSPD:speedofcut(seeTableIforsettings)?Y-IND:steppingindexi