半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策梳理與分析：集成電路政策力度有望加大

歷史復(fù)盤：政策持續(xù)扶持，促進國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策梳理：站在國家戰(zhàn)略高度，多管齊下助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展2000年以來，國家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位，通過各種政策持續(xù)大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000年，國務(wù)院發(fā)布《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干意見》，對國內(nèi)集成電路行業(yè)首次提出稅收優(yōu)惠；2006年，國務(wù)院發(fā)布《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》，正式提出01專項和02專項的概念；2013年，發(fā)改委發(fā)布《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》，將集成電路測試設(shè)備列入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品目錄；2015年，國務(wù)院發(fā)布《中國制造2025》，將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動發(fā)展的重點領(lǐng)域；2020年，發(fā)改委、國務(wù)院發(fā)布《鼓勵外商投資產(chǎn)業(yè)目錄（2020年版）》，鼓勵外資向半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域投資；2021年，全國兩會發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，提出加強在人工智能、量子計算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局；2022年，教育部、財政部、發(fā)改委聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于深入推進世界一流大學(xué)和一流學(xué)科建設(shè)的若干意見》，提出加強集成電路、人工智能等領(lǐng)域人才的培養(yǎng)。綜合來看，國家持續(xù)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推出各項鼓勵政策，站在國家戰(zhàn)略高度對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃，自上而下地進行多角度、全方位的扶持，加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具體措施包括財稅政策、研發(fā)項目支持、產(chǎn)業(yè)投資、人才補貼等。1、財稅政策：集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策，其中IC設(shè)計類企業(yè)優(yōu)惠力度最大國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的稅收優(yōu)惠始于2000年，近二十年來持續(xù)扶持，彰顯發(fā)展決心。2000年6月，國家經(jīng)貿(mào)委政策司與信息產(chǎn)業(yè)部組成聯(lián)合小組起草形成的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，是我國首次針對集成電路提供稅收優(yōu)惠，俗稱“18號文”，覆蓋IC設(shè)計、軟件、及部分IC制造企業(yè)。2011年，18號文到期后，國務(wù)院再次發(fā)布新政策（4號文）將優(yōu)惠期延續(xù)至2017年底，并提高部分IC制造企業(yè)的優(yōu)惠力度。2015年，政府將所得稅優(yōu)惠政策的受益范圍擴大至“封測、關(guān)鍵材料、關(guān)鍵設(shè)備”。2018年，進一步延長IC生產(chǎn)企業(yè)的政策優(yōu)惠年限，提高2018年后新成立IC設(shè)計企業(yè)的優(yōu)惠標(biāo)準(zhǔn)，同時新設(shè)立項目也可以享受稅收優(yōu)惠。2019年以來，我國針對集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)出臺多項優(yōu)惠政策，包括設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件等環(huán)節(jié)，彰顯政府對集成電路產(chǎn)業(yè)的高度重視和發(fā)展決心。目前集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策，其中重點IC設(shè)計類企業(yè)優(yōu)惠力度最大。根據(jù)歷年優(yōu)惠政策梳理，我們總結(jié)出當(dāng)前時點集成電路各板塊的所得稅優(yōu)惠情況，包括：1）IC設(shè)計：自2020年1月1日起，國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，接續(xù)年度減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅；2）IC制造：新老企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不同，以新企業(yè)為例，門檻較高的企業(yè)享受“五免五減半”，門檻較低的享受“兩免三減半”等；3）封測、材料、設(shè)備：2020年1月1日起，國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅（“兩免三減半”）。多家上市公司多年來持續(xù)享受相關(guān)優(yōu)惠政策，半導(dǎo)體設(shè)計及軟件上市企業(yè)適用稅率最為優(yōu)惠。我們統(tǒng)計了板塊部分上市公司歷年來的所得稅優(yōu)惠稅率情況，2019-2021年間絕大多數(shù)上市公司享受了所得稅優(yōu)惠政策。上市公司中，半導(dǎo)體設(shè)計公司多滿足國家規(guī)劃布局內(nèi)重點企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，適用10%的所得稅率，享受最優(yōu)惠稅率，部分子公司滿足“兩免三減半”標(biāo)準(zhǔn)；較為先進的半導(dǎo)體制造企業(yè)如中芯國際子公司適用“五免五減半”、“三免兩減半”和“十年免稅”等標(biāo)準(zhǔn)，適用于0%、10%、12.5%或15%等優(yōu)惠稅率；半導(dǎo)體封測、材料、設(shè)備公司主要適用于15%的優(yōu)惠稅率。2、重大專項：專注于核心技術(shù)突破和構(gòu)建，加速構(gòu)建集成電路自主產(chǎn)業(yè)鏈國家科技重大專項為集成電路技術(shù)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。2006年，國家組織大批頂尖專家，研究編制《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020）》，并通過規(guī)劃確定了我國到2020年科技發(fā)展的16個重大專項，其中涉及集成電路的有2項，分別是“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”（“01專項”或“核高基專項”）和“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝”（“02專項”）?！?1專項的目標(biāo)：到2020年，我國在高端通用芯片、基礎(chǔ)軟件和核心電子器件領(lǐng)域基本形成具有國際競爭力的高新技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新體系，并在全球電子信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展中發(fā)揮重要作用；我國信息技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展環(huán)境得到大幅優(yōu)化，擁有一支國際化的、高層次的人才隊伍，形成比較完善的自主創(chuàng)新體系，為我國進入創(chuàng)新型國家行列做出重大貢獻(xiàn)。根據(jù)2017年“核高基”國家科技重大專項成果發(fā)布會公布的數(shù)據(jù)，在重大專項支持下，我國核心電子器件關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，總體技術(shù)水平實現(xiàn)了跨越發(fā)展，核心電子器件與國外差距由15年以上縮短到5年，成功構(gòu)建了系列高端技術(shù)平臺，核心電子器件長期依賴進口的“卡脖子”問題得到緩解，支撐裝備核心電子器件自主保障率從不足30%提升到85%以上。——02專項的目標(biāo)：“十一五”期間（2006－2010年），重點實現(xiàn)90納米制造裝備產(chǎn)品化，若干關(guān)鍵技術(shù)和元部件國產(chǎn)化；研究開發(fā)出65納米制造裝備樣機；突破45納米以下若干關(guān)鍵技術(shù)?！笆濉逼陂g（2011－2015年），重點實施的內(nèi)容和目標(biāo)包括：重點進行45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā)32-22納米CMOS工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈，進一步縮小與世界先進水平差距，裝備和材料占國內(nèi)市場的份額分別達(dá)到10%和20%，開拓國際市場。專項的實施周期為2006-2021年，歷時十五年，相關(guān)企業(yè)、科研單位承擔(dān)了眾多技術(shù)專項，完成了諸多技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。不同于產(chǎn)業(yè)自發(fā)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級，02專項系統(tǒng)地分析了集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)，明確了重要的薄弱環(huán)節(jié)，由相關(guān)企業(yè)、單位集中進行技術(shù)突破，通過科學(xué)審慎的統(tǒng)籌規(guī)劃，極大地加速了集成電路自主化產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)，縮短了追趕周期，為集成電路產(chǎn)業(yè)進一步的發(fā)展提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。我們統(tǒng)計了“02專項”的重點投資領(lǐng)域，重點支持的對象為半導(dǎo)體設(shè)備公司、半導(dǎo)體材料公司及半導(dǎo)體晶圓制造和封測公司。3、融資支持：大基金直投+撬動地方資金，為產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵企業(yè)提供資金支持大基金直接投資集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵企業(yè)，提供資金支持，覆蓋芯片全產(chǎn)業(yè)鏈。國家大基金是指國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，成立于2014年9月24日，目標(biāo)為推進中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展直接進行產(chǎn)業(yè)投資。項目一期投資期限為5年，即2014-2019年，項目二期已于2019年10月注冊。大基金投資項目覆蓋了芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，包括設(shè)計、晶圓、封測、裝備、材料等。其中，大基金一期投資超千億，撬動資金超6500億，聚焦制造、設(shè)計環(huán)節(jié)；大基金二期募資規(guī)模超2000億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設(shè)備、下游應(yīng)用端投資。大基金一期投資超千億，撬動資金超6,500億，聚焦制造和設(shè)計環(huán)節(jié)。大基金一期初期募資987億元，主要股東為國家財政部（36.47%）、國開金融有限責(zé)任公司（22.29%）、中國煙草總公司（11.14%）、亦莊國投（10.13%）等，后續(xù)募資規(guī)模提升至1,387億元，實際投資超千億元，主要投資于各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中的龍頭企業(yè)和特色企業(yè)，總計約60家，撬動超6,500億元資金進入芯片產(chǎn)業(yè)。根據(jù)“芯思想”匯總，從投資分布上看，大基金一期投向聚焦IC制造（63%）、IC設(shè)計（20%）、封裝測試（10%）和設(shè)備材料（7%）等環(huán)節(jié)。大基金二期募資規(guī)模超2,000億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設(shè)備、下游應(yīng)用端投資。大基金二期于2019年10月成立，注冊資本達(dá)2,041.5億元，相比一期，股東資金來源更為多樣化，多個國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)積極參與，主要股東包括財政部（11.02%）、國開金融有限責(zé)任公司（10.78%）、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（7.35%）、浙江富浙集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司（7.35%）、武漢光谷金融控股集團有限公司（7.35%）、上海國盛有限公司（7.35%）、成都天府國集投資有限公司（7.35%）等。大基金二期會繼續(xù)承接一期的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，提升設(shè)備與材料領(lǐng)域的投資比重，同時積極響應(yīng)國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，加大對下游應(yīng)用端的投資，比如智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等領(lǐng)域，以需求推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，爭取實現(xiàn)國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新。截至2022年3月31日，大基金二期已宣布投資38家公司，累計協(xié)議出資790億元，涵蓋芯片設(shè)計工具（EDA，電子設(shè)計自動化）、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、集成電路裝備、零部件、材料及應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈多個環(huán)節(jié)?！渲兄圃祛I(lǐng)域投資晶圓制造（包括晶圓廠、IDM垂直整合制造、存儲）環(huán)節(jié)依然是大基金投資的重頭，占比達(dá)75%，先后投資了長江存儲二期，中芯國際及公司旗下中芯南方、中芯北方、中芯深圳、中芯東方，長鑫存儲母公司睿力集成，華潤微旗下潤西微電子（重慶）有限公司，富芯半導(dǎo)體，士蘭微（旗下士蘭集科）等?！蠡鸲谕顿Y的第一家集成電路設(shè)備零部件公司為萬業(yè)企業(yè)旗下浙江鐠芯，投資的第一家光掩模公司為廣州新銳光掩?？萍加邢薰荆顿Y的第一家光刻膠材料公司是南大光電，投資的第一家電子特氣公司為中船（邯鄲）派瑞特種氣體股份有限公司（派瑞特氣），投資的第一家MES軟件商為上揚軟件（上海）有限公司?！谘b備及零部件、材料及軟件領(lǐng)域，大基金二期還投資了EDA軟件初創(chuàng)公司上海合見工業(yè)軟件集團有限公司、電子化學(xué)品公司興發(fā)集團旗下興福電子、封裝載板公司深南電路等。此外，在芯片設(shè)計領(lǐng)域，大基金二期還投資了紫光展銳、慧智微、思特威等公司；在設(shè)備領(lǐng)域，大基金二期投資了至純科技（旗下至微半導(dǎo)體），繼續(xù)扶持了北方華創(chuàng)、中微公司、長川科技等公司，并參與了格科微、翱捷科技等公司的IPO戰(zhàn)略配售。4、其他配套政策：重點地區(qū)出臺相關(guān)政策，針對各環(huán)節(jié)出臺激勵措施半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點地區(qū)亦紛紛出臺相關(guān)補貼政策、成立地方專項基金，推進各地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2022年以來，為了扶持當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)，各地方紛紛出臺相關(guān)文件，對本地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（包括設(shè)計、制造、設(shè)備、零部件、材料等環(huán)節(jié)）提供政策、資金補助、土地優(yōu)惠、項目獎勵和人才激勵等支持條件，強化在地化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的競爭力?！本┦校横槍υO(shè)計企業(yè)開展批量驗證流片及關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)進行獎勵；針對集成電路企業(yè)購買符合條件的EDA設(shè)計工具軟件進行獎勵；針對相關(guān)公司進行資金支持；針對人才提供落戶服務(wù)、住房服務(wù)、子女入學(xué)、醫(yī)療服務(wù)等方面保障?！虾Ｊ校航o予集成電路設(shè)計、設(shè)備、材料和EDA研發(fā)團隊獎勵。——廣州市：加強組織領(lǐng)導(dǎo)，統(tǒng)籌安排集成電路行業(yè)的落地并解決問題；加大財稅支持力度，財政專項資金向集成電路產(chǎn)業(yè)傾斜，積極落實國家高新技術(shù)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策；加強人才培育引進，引進一批國內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域人才?！钲谑校簩Π雽?dǎo)體與集成電路重大項目投資獎勵；裝備、大力培育引進半導(dǎo)體與集成電路設(shè)備、材料企業(yè)，開展核心設(shè)備及零部件、關(guān)鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；鼓勵企業(yè)間驗證服務(wù)，提供首臺套裝備、首批次新材料提供驗證服務(wù)。——遼寧?。汗膭钪攸c企業(yè)以商招商，積極引進省外具有獨立法人資格的集成電路裝備整機及關(guān)鍵零部件配套企業(yè)；對首次銷售自主研制的集成電路裝備整機或核心零部件產(chǎn)品進行獎勵；支持企業(yè)投資項目建設(shè)給予補助；支持企業(yè)研發(fā)投入，給予企業(yè)研發(fā)補助。綜合來看，這些年從國家到地方先后出臺多項更有針對性、更有力度的扶持政策，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。從宏觀層面上來看，在各級政府統(tǒng)一規(guī)劃和部署下，扶持政策聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料、集成電路設(shè)計工具、先進存儲、先進計算、先進制造、高端封裝測試、關(guān)鍵裝備材料、新一代半導(dǎo)體技術(shù)等關(guān)鍵“卡脖子”領(lǐng)域，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系等內(nèi)容，以實現(xiàn)提高全要素生產(chǎn)率，提升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈韌性和安全水平。從微觀層面上來看，扶持政策深入財稅、融資、平臺、對外開放、進出口政策、產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)、產(chǎn)業(yè)鏈孵化器等諸多細(xì)化抓手，對同等條件下優(yōu)先使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的廠商給予補助和支持，推進高質(zhì)量企業(yè)培育，按照孵化培育、成長扶持、推動壯大不同階段，給予差別化、全生命周期政策支持。這些宏觀和微觀上的政策為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了可實際操作的行動指南。產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：中低端環(huán)節(jié)實現(xiàn)國產(chǎn)替代，部分高端核心環(huán)節(jié)仍待突破受益于國家在財稅優(yōu)惠、重大專項、融資支持及其他配套政策，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程加速推進。在國內(nèi)全方位、多角度的產(chǎn)業(yè)支持下，國內(nèi)半導(dǎo)體國產(chǎn)化水平不斷提升，特別是2018年以來美國縮緊對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁，國產(chǎn)替代持續(xù)加速。在制造端和設(shè)備端，近5年來IC設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料等各環(huán)節(jié)中均有部分細(xì)分賽道的國產(chǎn)化率實現(xiàn)快速提升，自主化產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形。但也需要注意到，在關(guān)鍵芯片及設(shè)備領(lǐng)域，如芯片端的CPU、GPU、DRAM、NANDFlash，設(shè)備端的光刻機、涂膠顯影設(shè)備等國產(chǎn)化率仍處于較低水平，有待在新一輪的政策支持下，國產(chǎn)公司實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)突破。國內(nèi)先進制程半導(dǎo)體領(lǐng)域在設(shè)計、設(shè)備、材料、晶圓制造和封測等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率均有較大提升空間。高端環(huán)節(jié)國產(chǎn)替代是重點任務(wù)。1）設(shè)計：多而不強，高端數(shù)字芯片待突破。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會年會數(shù)據(jù)，2021年（截至12月1日）我國擁有2810家芯片設(shè)計企業(yè)，較2020年末增加了592家，同比+26.7%，較2017年末的1380家實現(xiàn)翻倍以上增長；2021年我國集成電路設(shè)計銷售額約4326.9億元，同比+17%，從地域分布上看，我國集成電路設(shè)計公司產(chǎn)值規(guī)模主要集中在上海、北京、深圳三座城市，分別為1200/839/697億元，對應(yīng)占比28%/19%/16%，其余廣泛分布于杭州、無錫、南京、西安、成都、武漢、珠海等城市；從產(chǎn)品分布上看，2021年通信/智能卡/計算機/多媒體/導(dǎo)航/模擬/功率/消費類分別占比21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%，整體集中在中低端領(lǐng)域，如傳統(tǒng)消費電子、普通工控安防、智能設(shè)備周邊芯片等，但在先進CPU、GPU、FPGA及對應(yīng)的高端服務(wù)器、計算機、算力設(shè)備等應(yīng)用仍較為薄弱。2）設(shè)備：國產(chǎn)化加速，但高端仍任重道遠(yuǎn)。根據(jù)國內(nèi)部分晶圓廠設(shè)備招標(biāo)采購數(shù)據(jù)測算，部分推進國產(chǎn)化較快的典型晶圓廠（以長江存儲、華虹集團為例）的設(shè)備國產(chǎn)化率（設(shè)備數(shù)量口徑）已經(jīng)能夠從2018年的10.34%提升到2022年上半年的24.38%，其中化學(xué)機械拋光、清洗、氧化擴散/熱處理、測試、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備2022H1國產(chǎn)化率分別為50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根據(jù)我們測算，2022年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值有望達(dá)到超過200億元，而中國大陸的內(nèi)資晶圓廠（去除外商投資廠房）半導(dǎo)體設(shè)備需求在1500億元左右，對應(yīng)國產(chǎn)化率（金額口徑）在13%左右，尚有較大提升空間。然而，半導(dǎo)體設(shè)備市場全球前15名均為美日歐廠商，中國大陸廠商在全球市場占比僅約2%。國產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：化學(xué)機械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測、光刻，其中量測和光刻環(huán)節(jié)國產(chǎn)化替代最為迫切。其中核心設(shè)備光刻機國產(chǎn)化率僅為1.1%，國產(chǎn)廠商快速追趕，28nmArFi光刻機正在研發(fā)。根據(jù)中國國際招標(biāo)采購網(wǎng)站展示的2015-2022年長江存儲、華力集成、華虹無錫等晶圓廠的公開招標(biāo)數(shù)據(jù)，共招標(biāo)光刻機93臺，國產(chǎn)廠商中上海微電子僅于2021年初于長江存儲中標(biāo)1臺，國產(chǎn)化率約為1.1%，尚處于較低水平。從技術(shù)實力上看，國產(chǎn)光刻機尚與國際先進水平存在較大差距，主要體現(xiàn)在制程覆蓋上，但處于快速追趕階段。目前國內(nèi)僅有上海微電子可以量產(chǎn)光刻機，其最先進的產(chǎn)品為ArFDry光刻機，型號為SSA600/20，采用1:4鏡頭倍率，采用自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，可支持90nm制程；同時其正在研究28nmArFi光刻機。第五代EUV光刻機方面，國內(nèi)長春光機所有布局相關(guān)研發(fā)，從上世紀(jì)90年代開始，長春光機所先后主導(dǎo)和參與了多項EUV相關(guān)科研項目，積累了大量相關(guān)經(jīng)驗和優(yōu)秀人才。3）材料：細(xì)分眾多，大硅片等積極推進。集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電子氣體、工藝化學(xué)品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國綜合實力不足。我們匯總了國內(nèi)主要晶圓廠的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，其中日本廠商約占30%，美國廠商約占20%，國產(chǎn)化率在20%~30%。部分核心材料如光刻膠，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍有較大差距。4）制造：國內(nèi)代差逐步縮小，晶圓代工廠建設(shè)蓬勃發(fā)展。目前全球領(lǐng)先的芯片制造廠商臺積電已具備3nm芯片量產(chǎn)能力，并逐步向2nm/1.4nm先進制程研發(fā)突破，我國大陸廠商近年來取得高速發(fā)展，和國際先進水平的代差逐步縮短。根據(jù)公司公告，中芯國際已具備14nmFinFET量產(chǎn)能力，并持續(xù)推進研發(fā)。除中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長江存儲等第一梯隊廠商外，還有一批地方政府推進項目，如合肥晶合、廣東粵芯和中芯紹興等。5）封測：差距縮小，中國大陸進入第一梯隊，高端待加強。目前5G、物聯(lián)網(wǎng)、高性能運算等先進芯片依賴于先進封裝，國內(nèi)封測廠商受益先進封裝需求快速增加，有望實現(xiàn)快速增長。國內(nèi)四大封測廠目前的先進技術(shù)涵蓋FC、SiP、晶圓級封裝、2.5D/3D，其中晶圓級封裝、2.5D/3D的技術(shù)與國際一線廠商相比仍然不足，長電科技為國內(nèi)先進技術(shù)涵蓋范圍最廣的廠商，同時也具有國內(nèi)領(lǐng)先實力；通富微電主打CPU/GPU的先進封裝；華天科技晶圓級產(chǎn)品以晶圓級CIS為主并涵括射頻SiP；晶方科技以晶圓級2.5D/3D傳感器為發(fā)展主軸。整體而言，中國的先進封裝仍在快速發(fā)展期，長電科技領(lǐng)先，通富微電、華天科技及晶方科技次之。經(jīng)驗參考：全球多地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)，政策加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展為了進一步對國內(nèi)半導(dǎo)體的政策進行分析，我們復(fù)盤美日韓、中國臺灣省等對當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持政策及國內(nèi)新能源汽車行業(yè)的政策，從過往經(jīng)驗中學(xué)習(xí)?？梢钥偨Y(jié)出，政府政策引導(dǎo)、優(yōu)秀人才培養(yǎng)、下游產(chǎn)業(yè)集群、持續(xù)資金投入是不可或缺的要素。從海外經(jīng)驗觀察，中國大陸半導(dǎo)體處在奮起追趕的發(fā)展黃金窗口期，產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重道遠(yuǎn)。美國：試圖通過補貼政策及打擊挑戰(zhàn)者保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長期領(lǐng)先地位從歷史發(fā)展來看，美國政府采取了較大力度的補貼措施，長期支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。美國半導(dǎo)體補貼政策可從全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展變化趨勢的角度，區(qū)分為支持技術(shù)起步和商業(yè)化、進行貿(mào)易競爭、強化生態(tài)建設(shè)、保護供應(yīng)鏈安全四個歷史階段。美國試圖通過半導(dǎo)體補貼政策長期保持全球發(fā)達(dá)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)地位，并力圖在當(dāng)前各個環(huán)節(jié)占據(jù)半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)地位。第一階段（1950~1970年）：美國通過國防研發(fā)支持和政府采購支持半導(dǎo)體技術(shù)起步并實現(xiàn)領(lǐng)先。20世紀(jì)40~50年代，晶體管和集成電路在美國誕生并在軍事領(lǐng)域應(yīng)用，美國國防和航空航天的政府研發(fā)投入和采購早期占據(jù)約一半的市場份額。20世紀(jì)60~80年代，美國實施半導(dǎo)體稅收補貼政策促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化。在此階段，美國政府實施了以稅收優(yōu)惠為主的政策，并進一步出臺相關(guān)措施完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，包括推動政府采購多元化，減少市場門檻，支持中小企業(yè)發(fā)展等。第二階段（1980～1999年）：美國與競爭對手簽訂貿(mào)易協(xié)議遏制半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移并促進本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。20世紀(jì)80年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展并超越美國。為扭轉(zhuǎn)競爭力下降趨勢，美國成立美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA），協(xié)調(diào)制定半導(dǎo)體貿(mào)易管制政策的半導(dǎo)體研究聯(lián)盟（SRC）組織半導(dǎo)體商業(yè)化研發(fā)。同時，美國打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，美國政府于1985年對日本進行301調(diào)查，指控日本公司傾銷DRAM等產(chǎn)品。經(jīng)談判，日本在1986年同美國簽署第一次《半導(dǎo)體協(xié)議》，規(guī)定日本停止在美國市場的傾銷，且要求日本企業(yè)購買美國產(chǎn)品，美國企業(yè)在日本的市場份額達(dá)到20%。1991年，美國以美國企業(yè)在日本的市場份額不足20%為由與日本簽訂了第二次《半導(dǎo)體協(xié)議》。1996年，美國在日本市場份額超過30%，在全球市場份額也達(dá)到30%，超越日本重新成為世界半導(dǎo)體第一大國。第三階段（2000～2018年）：美國采取“軟硬結(jié)合”政策，強化半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)先地位。美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)90年代再次取得全球領(lǐng)先后，積極借助個人電腦、互聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展時機，因勢利導(dǎo)，充分發(fā)揮美國在軟件、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域優(yōu)勢，通過產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)推動美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一方面，充分發(fā)揮市場競爭機制，降低市場障礙，鼓勵企業(yè)通過市場競爭提升競爭力；另一方面，把握移動互聯(lián)網(wǎng)、云計算等發(fā)展機遇，并進一步鞏固其在計算、通信等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢?？傮w上，在這個階段，美國更多地通過市場機制推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。第四階段（2018年至今）：美國通過擴大財政資助，吸引制造業(yè)回流保護半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。2018年以來，亞洲半導(dǎo)體制造和封測產(chǎn)業(yè)崛起。美國政府為應(yīng)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“空心化”，在持續(xù)通過提供研發(fā)資金支持外，陸續(xù)出臺相關(guān)法令激勵制造業(yè)回流和遏制海外競爭對手。在研發(fā)支持方面，美國國防部、能源部等多部門將半導(dǎo)體視為優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域；在立法方面，2015年，奧巴馬政府將“企業(yè)研發(fā)稅收抵免”由周期性變?yōu)橛谰眯砸怨膭畎雽?dǎo)體企業(yè)加大對長期研發(fā)的投入。特朗普政府通過加大出口管制和提出制造業(yè)法案來鞏固美國半導(dǎo)體的領(lǐng)先優(yōu)勢。2019年以來，美國通過將華為列入實體管制清單、修改外國直接產(chǎn)品規(guī)則限制華為供貨、加大半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片的出口管制等一系列措施對全球供應(yīng)鏈造成沖擊。2022年8月9日，美國總統(tǒng)拜登簽署《2022年最高法院安全資金法案》（又稱《2022年芯片和科學(xué)法案》）使之正式生效，該項立法向美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供約527億美元巨額補貼，鼓勵半導(dǎo)體企業(yè)在美國建廠。美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)補貼具有以下幾個特點:一是美國聯(lián)邦政府以研發(fā)補貼為主，側(cè)重于基礎(chǔ)性研究和部分應(yīng)用研究，開發(fā)及生產(chǎn)性流程研發(fā)投入有限。從補貼形式看，美國聯(lián)邦政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)支持多數(shù)集中在研發(fā)環(huán)節(jié)，側(cè)重于對基礎(chǔ)科學(xué)研究、基礎(chǔ)技術(shù)和部分應(yīng)用研究的政策支持。美國能源部、國防部、國家科學(xué)基金等通過與企業(yè)合作設(shè)立研發(fā)項目，分?jǐn)傃邪l(fā)成本，加大助力先進技術(shù)的突破。二是有效利用國防、政府采購服務(wù)等世界貿(mào)易組織規(guī)則例外空間的措施支持本國產(chǎn)業(yè)發(fā)展。早期的美國國防部系列采購安排為美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降低產(chǎn)品進入市場的風(fēng)險、擴大市場需求、促進產(chǎn)業(yè)迭代升級發(fā)揮了重要作用，相關(guān)采購行為由于可以援引國家安全例外，能夠豁免于世界貿(mào)易組織規(guī)則。三是美國州政府補貼形式豐富，側(cè)重于生產(chǎn)和制造環(huán)節(jié)。美國政府對企業(yè)的補貼方式多數(shù)以稅收優(yōu)惠為主，主要集中在研究和制造環(huán)節(jié)。2022年5月，美國政府通過法案，將為美國本土的半導(dǎo)體制造項目提供約520億美元的財政援助，同時積極推進為集成電路制造項目提供最高25%的減稅政策，鼓勵英特爾、三星等企業(yè)建廠。四是美國采取貿(mào)易投資限制等變相支持措施，單邊主義和保護主義色彩較重。例如，美國對日本、中國等發(fā)起301調(diào)查，通過關(guān)稅和貿(mào)易政策阻礙公平貿(mào)易；限制產(chǎn)品出口或?qū)ο嚓P(guān)企業(yè)實施懲罰，擴大實體清單企業(yè)數(shù)量，包括限制服務(wù)器用的微處理器出口，對中興通訊、晉華進行禁運，把華為及其70個附屬公司以及中科曙光等中國企業(yè)列入出口管制實體清單。企業(yè)獲益：英特爾是全球半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，也是美國政府補貼以及州和地方政府補貼的最大受益者之一，1989～2020年共獲得補貼235億美元。據(jù)美國“goodjobsfirst”網(wǎng)站統(tǒng)計，1989～2020年英特爾獲得的64億美元補貼中，63億美元來自各州政府，包括俄勒岡州的26.7億美元、新墨西哥州的26.6億美元、亞利桑那州的1億美元。英特爾接受的政府補貼總體上以稅收優(yōu)惠為主，具體形式包括“戰(zhàn)略投資計劃”、“工業(yè)稅收債券”、“對外貿(mào)易區(qū)”等，部分措施較有代表性，通過隱蔽的政策設(shè)計，為英特爾的生產(chǎn)銷售、參與國際競爭提供了重要支持。例如，英特爾廠區(qū)所在的俄勒岡州華盛頓郡希爾斯伯勒（Hillsboro），提供英特爾房屋和地價稅優(yōu)惠減免，替英特爾節(jié)省逾11億美元。其他國家/地區(qū)：政府引導(dǎo)+技術(shù)研發(fā)+市場化實現(xiàn)上世紀(jì)80年代迅速崛起日本：政府引導(dǎo)集中資源重視研發(fā)，大規(guī)模投資生產(chǎn)參與全球競爭。（1）集中研發(fā)高投入，從國外引進技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。（2）參與市場化競爭，成本質(zhì)量優(yōu)勢取勝。（3）正值大型機時代及家電興起，下游需求潮流帶動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日制DRAM在質(zhì)量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，使得80年代日制DRAM在全球市場中所占份額不斷上升，1982年超過美國，1987年達(dá)到頂峰80%。1985年美國針對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起301調(diào)查，于1986年達(dá)成第一次半導(dǎo)體協(xié)議，1987年美國再次指責(zé)日本向第三國傾銷，于1991達(dá)成簽訂第二次半導(dǎo)體協(xié)議。兩次協(xié)議簽訂使得日本半導(dǎo)體廠商的價格優(yōu)勢喪失，份額逐漸受到韓國及中國臺灣省新興廠商的侵蝕。目前日本半導(dǎo)體公司在設(shè)備、材料領(lǐng)域具有較強優(yōu)勢。目前日本廠商主要針對NANDFlash、CIS（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細(xì)分品類，在高端數(shù)字電路方面涉足不多。而半導(dǎo)體設(shè)備材料廠商由于良好的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累，至今仍在全球市場占據(jù)非常重要的地位。韓國：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有明顯的政府和財團主導(dǎo)特點，政府扶持企業(yè)逆周期擴產(chǎn)實現(xiàn)趕超。20世紀(jì)80年代，政府強力干預(yù)，韓國選擇DRAM作為發(fā)展重點，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展，三星、現(xiàn)代、LG等財團參與DRAM為主的大規(guī)模芯片生產(chǎn)。1999年后三星成為韓國第一大集團，韓國DRAM市占率超過日本。其中，20世紀(jì)80年代DRAM市場景氣不佳，到1986年底，三星半導(dǎo)體累計虧損達(dá)3億美元，盡管美日多家公司縮減產(chǎn)能或退出市場，三星仍依靠政府扶持逆周期投資。2000-2010年，三星電子從韓國政府獲得稅收減免共約87億美元。從三星的經(jīng)驗來看，集成電路產(chǎn)業(yè)需時以十年計，數(shù)以每年千億計的高投入。當(dāng)前產(chǎn)業(yè)逆全球化趨勢下，多地區(qū)頒布政策，保障本土供應(yīng)安全。如：歐盟委員會于2022年2月8日推出《歐洲芯片法案》，擬動員超過430億歐元（約480億美元）的公共和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造，目標(biāo)是到2030年將歐盟的芯片產(chǎn)能全球占比從目前的10%提高到20%。日本于2022年1月初亦通過一項芯片補貼法案，總計6000億日元（約52億美元）的預(yù)算將用于支持芯片制造商，其中向臺積電提供4000億日元（約34.7億美元）的補貼。2021年5月，韓國發(fā)布“K半導(dǎo)體戰(zhàn)略”，宣布未來十年將攜手三星電子、SK海力士等153家韓國企業(yè)，投資510萬億韓元（約4510億美元），目標(biāo)是將韓國建設(shè)成全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，引領(lǐng)全球的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。2021年12月，印度政府批準(zhǔn)一項約100億美元的激勵計劃，旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進入印度。國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)：政策+補貼+免稅推動高速發(fā)展，在全球汽車產(chǎn)業(yè)彎道超車近年來，國務(wù)院、財政部、工業(yè)和信息化部、科技部、發(fā)展改革委等多部門都陸續(xù)印發(fā)了支持、規(guī)范新能源汽車行業(yè)的發(fā)展政策，內(nèi)容涉及新能源汽車的稅率減免、購車補貼、產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)扶持等內(nèi)容，有力推動了國內(nèi)新能源汽車行業(yè)的進步和發(fā)展。我們總結(jié)新能源汽車行業(yè)的歷史政策，對于行業(yè)的補貼涉及多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，舉措包括直接補貼及減免購置稅等，使消費者和生產(chǎn)企業(yè)直接受益。國家自2001年以來推行的新能源汽車政策主要包括：1）生產(chǎn)端給予汽車制造企業(yè)補貼，2）消費端消費者購車免購置稅、購買汽車給補貼，3）在配套環(huán)節(jié)方面，充電站執(zhí)行大工業(yè)電價、暫免收取基本電費等多項措施。通過一系列產(chǎn)業(yè)扶持與財稅補貼政策，我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從無到有的飛躍式發(fā)展。2013-2019年產(chǎn)銷量呈整體上升趨勢。2015年我國超過美國成為全球最大的新能源汽車生產(chǎn)國，2021年銷量突破350萬輛。目前我國的新能源汽車產(chǎn)銷量占據(jù)全球產(chǎn)銷量的半壁江山，所生產(chǎn)、銷售的新能源汽車車型有70%以上都是純電動汽車，其余多為插電混合汽車。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策展望與分析1、頂層設(shè)計：統(tǒng)籌規(guī)劃，制定統(tǒng)一目標(biāo)，組織協(xié)調(diào)強化頂層設(shè)計，統(tǒng)一規(guī)劃國內(nèi)技術(shù)發(fā)展路徑，強化部門協(xié)調(diào)，強化區(qū)域聯(lián)動，形成集聚效應(yīng)。1）強化頂層設(shè)計，可統(tǒng)一規(guī)劃技術(shù)發(fā)展路徑，設(shè)定技術(shù)目標(biāo)節(jié)點。強化攻關(guān)決策和統(tǒng)籌協(xié)調(diào)，制定國家半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略。確定產(chǎn)業(yè)鏈短板環(huán)節(jié)，制定技術(shù)節(jié)點和商業(yè)化進度的目標(biāo)。2）強化部門協(xié)調(diào)、區(qū)域聯(lián)動。在關(guān)鍵環(huán)節(jié)和核心技術(shù)領(lǐng)域，可推動加強共性技術(shù)研發(fā)，聯(lián)合企業(yè)、科研機構(gòu)攻關(guān)協(xié)調(diào)。可以跨部門協(xié)調(diào)人、財、物、政策等科技資源?？赏ㄟ^下設(shè)辦公室，負(fù)責(zé)聘用產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的科學(xué)家擔(dān)任項目經(jīng)理人，遴選關(guān)鍵核心技術(shù)和領(lǐng)軍人才、攻關(guān)計劃監(jiān)督與落實、攻關(guān)目標(biāo)考核、制定支持政策等事項。3）聚焦大平臺建設(shè)，有助于提升產(chǎn)業(yè)集聚力和協(xié)同創(chuàng)新效率。如上海、無錫和杭州已建成國家集成電路產(chǎn)業(yè)化基地，南京、合肥與蘇州等城市也在優(yōu)勢區(qū)域規(guī)劃半導(dǎo)體集聚區(qū)，謀劃區(qū)域整體發(fā)展。發(fā)揮長三角的輻射效應(yīng)：面對美國對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的肆意打壓（華為、中興、中芯國際等企業(yè)被美國商務(wù)部列入實體清單），而長三角產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)應(yīng)積極圍繞關(guān)鍵環(huán)節(jié)與核心技術(shù)領(lǐng)域，加強共性技術(shù)研發(fā)、聯(lián)合攻關(guān)協(xié)調(diào)創(chuàng)新，提升產(chǎn)業(yè)整體競爭力。2、引導(dǎo)投資：引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)基金長期投資，進一步完善半導(dǎo)體企業(yè)融資渠道，優(yōu)化考核指標(biāo)過去幾年科創(chuàng)板的設(shè)立和國家/地方產(chǎn)業(yè)基金對產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了一定引導(dǎo)作用。未來可在合理有效設(shè)定基金考核目標(biāo)（如長期技術(shù)目標(biāo)可能與投資回報相悖）、貸款信用擔(dān)保、完善風(fēng)險投資體系等方面進一步優(yōu)化。1）合理設(shè)定考核指標(biāo)，有效發(fā)揮政府引導(dǎo)基金對行業(yè)發(fā)展的支持作用。有序推進市場化政策工具——政府產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投入，建立與真正有潛力企業(yè)的長效對接機制，主要體現(xiàn)在政府需繼續(xù)發(fā)揮帶頭作用，定期鼓勵民資、外資攜手加大對企業(yè)的長期資本投入力度，結(jié)合投后管理讓潛力企業(yè)形成更為高效的長期成長機制。政府產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金一定要帶來“有效”的投資，即區(qū)分不同類型細(xì)分行業(yè)和項目的投資目的，且對于不同環(huán)節(jié)不同重要性的項目考核要盡量靈活。例如對于“卡脖子”環(huán)節(jié)相關(guān)項目的投資，由于高科技“卡脖子”環(huán)節(jié)本身發(fā)展難度較大的主要原因就是前期投入較大、產(chǎn)出周期長、失敗概率高，在市場機構(gòu)不愿意主動參與此類項目投資的情況下，需要財政資金積極作為。而當(dāng)前產(chǎn)業(yè)基金（例如“大基金”和各地的集成電路產(chǎn)業(yè)基金）的考核中收益是非常重要的內(nèi)容之一，但針對“卡脖子”重點項目的基金投資考核，不能以收益作為衡量標(biāo)準(zhǔn)，更多靠考核項目的成果轉(zhuǎn)化、商業(yè)落地等情況。因此需要結(jié)合投資項目本身的特點，為政府引導(dǎo)基金建立多維度和動態(tài)的評價體系，以實現(xiàn)精準(zhǔn)施策，并保持一定政策彈性，從而實現(xiàn)對行業(yè)發(fā)展的有效支持。2）完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信用擔(dān)保政策。半導(dǎo)體行業(yè)屬于資金密集型行業(yè)，加之消費者對于產(chǎn)品的性能要求越來越高，相關(guān)產(chǎn)品的更新迭代速度非常快，企業(yè)對于資金的需求量很大。當(dāng)前半導(dǎo)體企業(yè)的資金來源渠道主要來自政府補貼與投資，以京東方為例，根據(jù)《置身事內(nèi)》整理，政府補貼多次幫助京東方及時籌措到了產(chǎn)線建設(shè)必需的資金，幫助公司跨過了面板行業(yè)的壁壘，助力京東方在多個主流液晶顯示領(lǐng)域出貨量穩(wěn)居全球第一（根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)）。而半導(dǎo)體的研發(fā)屬于風(fēng)險性較高的項目，因而半導(dǎo)體公司更容易出現(xiàn)壞賬，于銀行貸款角度，信貸的風(fēng)險偏高，放貸審核相對較為慎重。因此，政府可完善相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)信用擔(dān)保政策，用財政資金補貼銀行的方式建立半導(dǎo)體公司資金貸款的擔(dān)保機制。3）健全完善我國的風(fēng)險投資機制體系。從半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展過程來看，其資金的來源是多元化的，僅是財政與銀行信貸還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，完善我國的風(fēng)險投資機制體系對于吸引更多的民間資本、國外資本等大有裨益。此外，政府也可以帶頭參與風(fēng)險投資中，以安徽合肥為例，合肥建投、合肥產(chǎn)投及其旗下的基金，通過設(shè)立母子基金等形式，吸引社會資本共同發(fā)展，使高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的融資效應(yīng)有所增加。3、人才支持：培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)人才，給予國內(nèi)人才稅收優(yōu)惠，海外人才國民待遇黨的二十大報告指出：“教育、科技、人才是全面建設(shè)社會主義現(xiàn)代化國家的基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性支撐。”人才是高新技術(shù)的基石，教育是人才培養(yǎng)的關(guān)鍵，更要推動“產(chǎn)、學(xué)、研、用”全鏈條體系的建立。1）針對科研體系，加大基礎(chǔ)研究，完善科研、教育體系機制?？梢砸試野雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求為導(dǎo)向，啟動國家大科學(xué)工程研究探索計劃；可以通過設(shè)置半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究經(jīng)費（例如以國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值的10%為標(biāo)準(zhǔn)匹配），鼓勵各研究型高校成立半導(dǎo)體學(xué)院，為半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究增設(shè)科研基金項目和創(chuàng)新研究群體等人才類項目；此外，可以在全國設(shè)立半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)科學(xué)研究中心，資助半導(dǎo)體創(chuàng)新群體和研究組，以人才團隊效應(yīng)帶動基礎(chǔ)研究向半導(dǎo)體領(lǐng)域回流。2）吸引全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀人才，壯大半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究隊伍，便利入籍通道，給予國民待遇。在集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程中，需要高度重視科學(xué)家的力量，加快科技人員的培養(yǎng)，鼓勵企業(yè)建立科研院所，利用來自世界各地的人才，并吸引更多的優(yōu)質(zhì)人才?，F(xiàn)階段，美國政府為了使本國所擁有的專利技術(shù)得到更多保護，半導(dǎo)體公司在聘用中國人時已經(jīng)逐漸放緩了步伐，這也為中國吸納優(yōu)秀人才回國創(chuàng)造了機會。為此，可以引入對集成電路產(chǎn)業(yè)高科技人才專項獎勵計劃，構(gòu)建出立體化的人才吸引機制。針對性設(shè)置相關(guān)人才項目科技項目，大力實施人才的“引留并舉”，革新人才應(yīng)用思維，建立健全芯片產(chǎn)業(yè)高層次人才引進機制，精準(zhǔn)施策，面向高層次人才要力爭做到“一人一策”。3）考慮到半導(dǎo)體行業(yè)是高度的人才密集型行業(yè)，建議可以考慮實施個人所得稅優(yōu)惠與企業(yè)所得稅優(yōu)惠相互結(jié)合的稅收政策。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)過程本質(zhì)上是高科技人才參與企業(yè)的創(chuàng)新制造，尤其當(dāng)前國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的人才不僅需要國內(nèi)培養(yǎng)，也需要對外引進優(yōu)秀人才。因此可以對參與高新技術(shù)的研發(fā)的科研人員進行一定的個稅減免優(yōu)惠，有利于國內(nèi)人才團隊的壯大且激勵個人創(chuàng)造創(chuàng)新。此外，對企業(yè)的高管也可以進行一定的稅收優(yōu)惠，以此作為激勵的一種手段。企業(yè)高管在半導(dǎo)體的商品市場化中起到關(guān)鍵的領(lǐng)導(dǎo)作用，對其進行一定程度的稅收激勵，有助于管理者更好服務(wù)于企業(yè)。具體操作來說，一方面通過個人專利申報或重要的管理職能等等外部信息的公開透明評選，篩選國家半導(dǎo)體行業(yè)重要人才，通過建立人才庫實現(xiàn)針對高精尖人才的全部個稅減免。另一方面可以鼓勵各城市建立省一級的對應(yīng)人才庫，對于沒有入選國家高精尖人才庫的重要個人可評選省級人才庫，入庫之后實現(xiàn)個人所得稅中地稅部分的減免，兩者作為補充和結(jié)合。同時，也可以進一步細(xì)化機制，例如如何建立評選制度，如何進行人才庫的動態(tài)更新，以實現(xiàn)對人才的有效激勵。4、攻關(guān)機制：成立國家級科研機構(gòu)，以企業(yè)為主體科研攻關(guān)采用以企業(yè)為主體的攻關(guān)機制，完善“揭榜掛帥”等組織模式，可針對薄弱環(huán)節(jié)統(tǒng)一制定攻關(guān)計劃，以企業(yè)為主體，有針對性支持，推動企業(yè)高效地實現(xiàn)技術(shù)攻關(guān)。1）建立關(guān)鍵技術(shù)項目攻關(guān)機制，聯(lián)合開展核心技術(shù)攻關(guān)，拓展系統(tǒng)化應(yīng)用。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈長且廣，上游包括EDA軟件/IP模塊、半導(dǎo)體設(shè)備和材料，中游是芯片設(shè)計、制造、封裝和測試，下游是各類電子產(chǎn)品，涉及大量材料、設(shè)備和配件、軟件和IP模塊。王陽元院士指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的任何一種材料、一種設(shè)備甚至一個配件都可能成為制約競爭者的手段。建議梳理產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵技術(shù)、“卡脖子”技術(shù)，企業(yè)牽頭，委托高校院所或企業(yè)高校聯(lián)合體，探索采取“揭榜掛帥”、“定向研發(fā)合作制”等方式，針對“卡脖子”環(huán)節(jié)進行專項補貼，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)的進步。貫通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游，同時完善創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化收益分配機制，建立以成果轉(zhuǎn)化為導(dǎo)向的科技創(chuàng)新評價體系，突破制約半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸問題。2）充分發(fā)揮半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家級科研機構(gòu)、具有學(xué)科優(yōu)勢的高校以及科技創(chuàng)新型企業(yè)的作用。進一步加強高校集成電路和軟件專業(yè)建設(shè)，加快推進集成電路一級學(xué)科設(shè)置工作；鼓勵有條件的高校采取與集成電路企業(yè)合作的方式，加快推進示范性微電子學(xué)院建設(shè)；鼓勵地方按照國家有關(guān)規(guī)定表彰和獎勵在集成電路和軟件領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的高端人才以及高水平工程師和研發(fā)設(shè)計人員，完善股權(quán)激勵機制；加強行業(yè)自律，引導(dǎo)集成電路和軟件人才合理有序流動，避免惡性競爭。集中優(yōu)勢力量加快研發(fā)和創(chuàng)新速度，實現(xiàn)我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的科技自立自強。5、財稅政策：加大優(yōu)惠力度，結(jié)合多種稅收優(yōu)惠實現(xiàn)補貼目前針對集成電路產(chǎn)業(yè)已有“兩免三減半”、“五免五減半”、“十年免稅”、“設(shè)計公司減按10%征收”等所得稅優(yōu)惠政策，未來可以針對上游環(huán)節(jié)（如設(shè)備、材料、零部件等）和卡脖子核心環(huán)節(jié)加大優(yōu)惠力度，結(jié)合多種稅收（例如增值稅等）優(yōu)惠方式鼓勵行業(yè)發(fā)展。1）當(dāng)前的稅收優(yōu)惠政策主要集中在企業(yè)所得稅方面，后續(xù)還可以結(jié)合多種稅收優(yōu)惠方式鼓勵行業(yè)發(fā)展。當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)惠稅收政策主要集中在企業(yè)所得稅的減免，如2020年7月，國務(wù)院頒布了《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中提到對“國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅?！贝撕筘斦康人牟课?020年、2021年、2022年發(fā)布了相應(yīng)的稅收支持政策，明確根據(jù)國家鼓勵的不同類型的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項目制定相應(yīng)的稅收優(yōu)惠政策。部分電子行業(yè)公司企業(yè)所得稅減稅對2021年的凈利潤影響彈性測算（詳見附錄表16），可以看出降低一定的所得稅率（例如3%），企業(yè)的凈利潤將增長相近比例（3%左右），長期