第2章光電探測器概述半導體物理基礎知識_第1頁
第2章光電探測器概述半導體物理基礎知識_第2頁
第2章光電探測器概述半導體物理基礎知識_第3頁
第2章光電探測器概述半導體物理基礎知識_第4頁
第2章光電探測器概述半導體物理基礎知識_第5頁
已閱讀5頁，還剩47頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

第2章光電探測器概述第2電探測器概光電探測器概光電探測器的性能參噪聲的基本概念、表示方

補充知識半導體物理基礎知學科由半導體 N個N個原……導帶c禁帶價帶Ev禁帶電子能量 電子能量電子1．原子能級電子N個原N個原禁帶禁帶1．原子能級與晶體能電子 帶電子

N個原：：

N個原禁帶N個原禁帶禁帶電子 N個原禁帶禁禁帶禁帶電子能 絕緣體、半導體、金屬的能帶SiOSiO電阻率Si半半導體具有獨特光電特性－－重要應用本征包括N型半導體和P型半導體包括N型半導體和P型半導體半導體共價電子—空穴－－載流－－本征

兩種載流3．半導體

導 N型半導體

N型半導

本征）本征）自由電本征）空穴（雜質(zhì)）自由電子(多子 (少子“Negative”——N型半導P型半導體

P型半導

(本征(本征）自由電子（本征）（雜質(zhì)） 半導體 (b)N型半導 (c)P型半導－－－－三者I型 (b)N型

摻雜百萬分之一的雜質(zhì),載流子濃度提高百萬倍？半導所摻雜子（多子子（少子特施主雜電空電子濃nn>>濃度受主雜空電電子濃np<<濃度 熱平衡載流子的f(E)n11Ef(E)n11Ef－－熱平衡條件下，能量為E 的物理意

fn(E)

1exp(EEfE fn(E)電子占據(jù)概率fn： ： 1f(E)1pn1exp(EfkT)

(E)

1exp(EEfkT

fn(E)

1exp(EEf載流子EEff(E)exp

Ef nNexp

Eff(E)n1f(E)n11Eff(E) nEf 載流子的導帶子濃nN

EcEf

pNpNEfvv本征和雜質(zhì)半導體中 能級半導 本征半導體；（b）N（c）P 結(jié)熱 結(jié)載流子

能級Ef描述 Φ(x)=Φ0(1－r)e-半導體本征吸收(a)本征半導體 (b)N型半導體 (c)P型半導hvhvg或hcghc1.240EgEg特點：產(chǎn)生電子－空穴本征吸收(a)本征半導體 (b)N型半導體 (c)P型半導特特別注意非本征吸本征半導N束縛電N束縛電子→

N型半導體 (c)P型半導PP束縛空穴→價hc01.24μm或hc1.24μmd0daa 電子－空穴hc1.24 電子或空01.24μm01.24ddaa

非平衡載流子的注入和復非平衡載熱生載流光生載流熱生載流光生載流非平衡載流子的注入和復產(chǎn)生－－使非平衡載流子濃度增加的復合－－使非平衡載流子濃度減小的非平衡載 ctc

， ，2.非平衡載復合率 R

G（熱）G0

rn0 非平衡載流子dp(t)dp(t)G 弱注Δn(t)=Δp(t)<<rn0p0rn0n(t弱注Δn(t)=Δp(t)<<dΔp(t)rnΔp(t)dt 非平衡載流子dΔp(t)rnΔp(t)

c1/(rn0dt (t

c tc

tdp(t) dp(

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論