模擬電子技術(shù)（中南大學(xué)）知到章節(jié)答案智慧樹(shù)2023年

模擬電子技術(shù)（中南大學(xué)）知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹(shù)2023年最新第一章測(cè)試BJT管的輸入電阻比MOSFET的輸入電阻高。

參考答案:

錯(cuò)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用了PN結(jié)的反向截止特性。

參考答案:

錯(cuò)要實(shí)現(xiàn)BJT的放大作用，對(duì)發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的要求是（

）。

參考答案:

發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏工作在放大區(qū)的某晶體三極管，如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β

約為（

）。

參考答案:

100在放大電路中，測(cè)得BJT管三個(gè)管腳電位分別為6V、6.7V、12V，則這三個(gè)管腳分別是（

）。

參考答案:

E、B、C參考答案:

5.7設(shè)某增強(qiáng)型N溝道MOS管UGS（th）=3V，試問(wèn)當(dāng)它的柵源電壓uGS=2.5V時(shí)，該管處于（

）區(qū)。

參考答案:

截止參考答案:

c;a參考答案:

c;a參考答案:

b;d第二章測(cè)試阻容耦合兩級(jí)放大電路各級(jí)的Q點(diǎn)相互獨(dú)立，所以可以各級(jí)獨(dú)自計(jì)算各自的Q點(diǎn)。

參考答案:

對(duì)耗盡型NMOS管的多子與少子都參與導(dǎo)電。（

）

參考答案:

錯(cuò)參考答案:

12設(shè)某增強(qiáng)型N溝道MOS管UGS（th）=3V，試問(wèn)當(dāng)它的柵源電壓uGS=2.5V時(shí)，該管處于（

）狀態(tài)。

參考答案:

截止參考答案:

4.03參考答案:

**

參考答案:

100現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下,有電流放大作用的電路是（

）。

參考答案:

共集電路;共源電路;共漏電路;共射電路參考答案:

;;在多級(jí)放大電路下列三種三種耦合方式中，（

）耦合不能放大直流信號(hào)。

參考答案:

阻容;變壓器第三章測(cè)試當(dāng)OCL電路的最大輸出功率為1W時(shí)，功放單管的集電極最大耗散功率應(yīng)位0.75W。

參考答案:

錯(cuò)只利用兩只場(chǎng)效應(yīng)管不能復(fù)合組成復(fù)合管。

參考答案:

對(duì)差動(dòng)放大電路的共模抑制比KCMR越大，表明電路（

）。

參考答案:

對(duì)共模信號(hào)的抑制能力越強(qiáng)用恒流源取代電阻長(zhǎng)尾差動(dòng)放大電路中的RE，將會(huì)提高電路的（

）。

參考答案:

共摸抑制比功率放大電路與電壓放大電路的共同點(diǎn)是（

）。

參考答案:

都使輸出功率大于信號(hào)源提供的輸入功率參考答案:

＝9W集成運(yùn)放制造工藝使得同類(lèi)半導(dǎo)體管的（

）。

參考答案:

參數(shù)一致性好理想差動(dòng)放大電路的=

∞

的工作模式是（

）。

參考答案:

單入-雙出;雙入-雙出以下有可能組成復(fù)合管的有（

）。

參考答案:

PNP+PNP;NPN+NPN;NPN+PNP參考答案:

共模輸入電壓uIc=8mV;差模輸入電壓uId=4mV第四章測(cè)試若放大電路的電壓放大倍數(shù)為正，則引入的反饋一定是正反饋。

參考答案:

錯(cuò)阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多，引入負(fù)反饋后，越容易產(chǎn)生低頻振蕩。

參考答案:

對(duì)所謂閉環(huán)是指（

）。

參考答案:

存在反饋通路參考答案:

電壓串聯(lián)參考答案:

負(fù)反饋在負(fù)反饋放大電路中，如果令uo=0，反饋消失了，則引入的是（

）負(fù)反饋。

參考答案:

電壓在輸入量不變的情況下，若引入反饋后（

），則說(shuō)明引入的反饋是負(fù)反饋。

參考答案:

凈輸入量減小關(guān)于交流反饋與直流反饋，正確的描述有（

）。

參考答案:

交流負(fù)反饋能夠抑制環(huán)內(nèi)的一切噪聲與干擾;凡是在交流通路中的存在負(fù)反饋稱(chēng)為交流負(fù)反饋;直流負(fù)反饋的作用就是穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn);交流負(fù)反饋能夠展寬通頻帶參考答案:

引入了交流負(fù)反饋;引入了交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋參考答案:

閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf=11;閉環(huán)放大倍數(shù)與閉環(huán)電壓放大倍數(shù)相等;反饋組態(tài)是電壓串聯(lián)第五章測(cè)試在各種運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相輸入端均為虛地。

參考答案:

錯(cuò)無(wú)論是有源濾波電路，還是無(wú)源濾波電路，其通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均可以大于1。

參考答案:

錯(cuò)對(duì)集成運(yùn)放KCMR要求最高的運(yùn)算電路是（

）電路。

參考答案:

同相比例參考答案:

-12V參考答案:

-8V二階BPF可以由（

）組成。

參考答案:

一階LPF和一階HPF串聯(lián)由運(yùn)放組成的對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)運(yùn)算電路，下列說(shuō)法正確的是（

）。

參考答案:

都屬于線性運(yùn)算電路關(guān)于同相比例電路，正確的描述有（

）。

參考答案:

輸入電阻低;輸入電阻高;比例系數(shù)可以大于或等于1

;可以實(shí)現(xiàn)電壓跟隨器關(guān)于反相積分運(yùn)算電路，正確的描述有（

）。

參考答案:

輸入電阻低;可以實(shí)現(xiàn)將方波轉(zhuǎn)換為三角波;可以采用“虛短”與“虛斷”求解輸出與輸入的關(guān)系

關(guān)于乘法器正確的描述有（

）。

參考答案:

能夠?qū)崿F(xiàn)函數(shù)Y＝aX2

;與集成運(yùn)放組合可以實(shí)現(xiàn)除法運(yùn)算;與電容組合可以實(shí)現(xiàn)倍頻電路第六章測(cè)試在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過(guò)程中，單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只躍變一次。

參考答案:

錯(cuò)當(dāng)集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)，輸出電壓不是高電平，就是低電平。

參考答案:

對(duì)相對(duì)來(lái)說(shuō)，（

）比較器的抗干擾能力強(qiáng)。

參考答案:

滯回制作頻率非常穩(wěn)定的測(cè)試用信號(hào)源，應(yīng)選用（

）振蕩電路。

參考答案:

石英晶體正弦波參考答案:

A1構(gòu)成滯回比較器，A2構(gòu)成積分運(yùn)算電路自激振蕩是電路在（

）的情況下，產(chǎn)生了有規(guī)則的、持續(xù)存在的輸出波形的現(xiàn)象。

參考答案:

沒(méi)有輸入信號(hào)參考答案:

****參考答案:

Rf

短路;R1斷路關(guān)于比較器，正確的描述有（

）。

參考答案:

滯回比較器工作在正反饋狀態(tài);窗口比較器是由兩個(gè)單限比較器構(gòu)成的;單限比較器工作在開(kāi)環(huán)狀態(tài)參考答案:

（b）;（c）第七章測(cè)試在單相橋式整流電容濾波電路中，若有一只整流管斷開(kāi)，輸出電壓平均值變?yōu)樵瓉?lái)的一半。

參考答案:

錯(cuò)線性直流電源中的調(diào)整管工作在放大狀態(tài)，開(kāi)關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

參考答案:

對(duì)串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對(duì)象是（

）。

參考答案:

基準(zhǔn)電壓與取樣電壓之差若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用（

）。

參考答案:

電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路在單相橋式整流電路中，若有一只整流管虛焊，則（

）。

參考答案:

變?yōu)榘氩ㄕ?/p>

在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則（

）。

參考答案:

整流管及變壓器將因電流過(guò)大而燒壞參考答案:

+18V及-9V關(guān)于直流穩(wěn)壓電源中的濾波電