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文檔簡介

《光纖通信技術》課程課程團隊：馬曉明趙曉吉吳粵湘林琪雪崩光電二極管

APD的結構和分類01雪崩光電二極管原理02目錄01.APD的結構和分類設計動機：在光生電流尚未遇到后續(xù)電路的熱噪聲時已經(jīng)在高電場的雪崩區(qū)得到放大，以提高接收機靈敏度。根據(jù)制作材料分類：Si—APD：中速，短波長800nmGe-APD：高速，長波長1300-1550InGaAs-APD光N+P+I電極防反射涂層P電極02.雪崩光電二極管原理光電流反向偏壓U輸出光電流暗電流02.雪崩光電二極管原理雪崩倍增效應：?PN結上加反向高壓，使耗盡層內的電場強度增加，進入耗盡層的光生載流子動能很大，更容易與晶格碰撞而產(chǎn)生新的電子-空穴對。?電子-空穴對又被電場加速獲得足夠大的動能，產(chǎn)生新的電子-空穴對。?依次類推，耗盡層內的載流子數(shù)目劇增，發(fā)生雪崩效應，從而使反向結電流倍增。02.PIN光電二極管原理光吸收光倍增光P+IPN+

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