工業(yè)結(jié)晶技術(shù)演示文稿

工業(yè)結(jié)晶技術(shù)演示文稿目前一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)優(yōu)選工業(yè)結(jié)晶技術(shù)目前二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization一、工業(yè)結(jié)晶概論Chapter1OverviewofIndustrialCrystallization結(jié)晶在工業(yè)上的應(yīng)用UtilizationofCrystallizationinIndustries結(jié)晶產(chǎn)品的表征CharacterizationofCrystallineProducts溶解度和過(guò)飽和度SolubilityandSupersaturation目前三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization二、成核Chapter2Nucleation初級(jí)成核PrimaryNucleation二次成核SecondaryNucleation工業(yè)結(jié)晶器中的成核NucleationinIndustrialCrystallizers目前四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization三、晶體生長(zhǎng)Chapter3CrystalGrowth晶體生長(zhǎng)過(guò)程ProcessInvolvedinGrowthofCrystals總的晶體生長(zhǎng)過(guò)程TheOverallCrystalGrowthProcess總的晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)TheOverallGrowthKinetics生長(zhǎng)彌散GrowthDispersion目前五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization四、粒數(shù)衡算概念Chapter4PopulationBalanceConcept結(jié)晶系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型MathematicalModelofCrystallizationsystems粒數(shù)衡算PopulationBalance通用粒數(shù)方程TheGeneralPopulationEquation分布矩MomentsofTheDistribution平均粒度AverageSizes變異系數(shù)CoefficientofVariation目前六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization五、混合懸浮混合產(chǎn)品取出結(jié)晶器：一種理想方式Chapter5MixedSuspensionMixedProductRemovalCrystallizer-AnIdealizedConfiguration混合懸浮混合產(chǎn)品取出概念MixedSuspensionMixedProductRemovalCrystallizerConceptMSMPR方式的粒數(shù)衡算PopulationBalanceforTheMSMPRConfigurationMSMPR結(jié)晶器的粒數(shù)密度分布－當(dāng)晶體生長(zhǎng)速度與粒徑無(wú)關(guān)時(shí)PopulationDensityDistributionforMSMPRCrystallizer－SizeIndependentCrystalGrowthRateMSMPR結(jié)晶器的粒數(shù)密度分布－當(dāng)晶體生長(zhǎng)速度與粒徑有關(guān)時(shí)PopulationDensityDistributionforMSMPRCrystallizer－SizeDependentCrystalGrowthRate目前七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization六、粒數(shù)影響因素Chapter6PopulationFunctions與MSMPR結(jié)晶方式的偏差DeviationsfromTheMSMPRCrystallizerConfiguration分級(jí)Classification目前八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization七、結(jié)晶動(dòng)力學(xué)的求取Chapter7DerivationofCrystallizationKinetics純粹結(jié)晶動(dòng)力學(xué)的求取DerivationofPureCrystallizationKinetics就外推得到的粒數(shù)密度數(shù)據(jù)的解釋InterpretationPopulationDensityDataObtainedResortingtoExtrapolation受粒數(shù)函數(shù)影響的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)的求取DerivationofCrystallizationKineticsfromDistributionsAffectedbyPopulationFunctions目前九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization八、結(jié)晶過(guò)程中的物理傳遞現(xiàn)象Chapter8PhysicalTransportPhenomenainCrystallization均相液體的混合MixingofHomogeneousLiquids固液懸浮物的混合MixingofSolid/LiquidSuspensions固液懸浮物中的傳質(zhì)MassTransferinSolid/LiquidSuspensions攪拌槽中的傳熱HeatTransferinAgitatedVessels目前十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization九、結(jié)晶系統(tǒng)的取樣和分析Chapter9SamplingandAnalyzingCrystallizingSystems液相樣品的取樣和分析SamplingandAnalyzingLiquidPhaseSamples固相樣品的取樣和分析SamplingandAnalyzingSolidPhaseSamples目前十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十、結(jié)晶器設(shè)計(jì)中基本原理的應(yīng)用Chapter10TheUseofFundamentalPrinciplesinCrystallizerDesign1、物料衡算用于確定結(jié)晶器體積TheUseofMassBalancetoFormulateCrystallizationVolume2、粒數(shù)衡算概念用于表征產(chǎn)品晶體粒度分布TheUseofThePopulationBalanceConcepttoCharacterizeProductCrystalSizeDistributions3、工業(yè)結(jié)晶器中結(jié)晶動(dòng)力學(xué)與操作條件的相互作用InteractionsBetweenCrystallizationKineticsandOperationConditionsinIndustrialCrystallizers4、工業(yè)結(jié)晶過(guò)程中的技術(shù)問(wèn)題TechnicalProblemsinIndustrialCrystallization目前十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十一、面向設(shè)計(jì)的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)：從小型實(shí)驗(yàn)取得的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)在結(jié)晶器設(shè)計(jì)上的應(yīng)用Chapter11DesignOrientedCrystallizationKineticsObtainedinSmallScaleExperimentsforCrystallizationDesign1、取得面向設(shè)計(jì)的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)的標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程Standardizedproceduretoderivedesignorientedcrystallizationkinetics2、標(biāo)準(zhǔn)結(jié)晶動(dòng)力學(xué)在結(jié)晶器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用TheUseofStandardCrystallizationKineticsinCrystallizerDesign從小型實(shí)驗(yàn)取得的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)用于大型結(jié)晶器設(shè)計(jì)TheUseofCrystallizationKineticsObtainedinSmallScaleExperimentsforDesignofLargeCrystallizers目前十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十二、間歇結(jié)晶器設(shè)計(jì)Chapter12DesignofBatchCrystallizers間歇結(jié)晶操作的概念ConceptofOperationinBatchCrystallization間歇結(jié)晶的一個(gè)循環(huán)DescriptionofACycleinBatchCrystallization間歇過(guò)程的結(jié)晶周期DescriptionofACrystallizationPeriodinABatchCycle間歇與連續(xù)操作的比較ComparisonofBatchandContinuousOperation不穩(wěn)定粒數(shù)衡算TheUnsteadyStateNumberBalance加晶種間歇結(jié)晶器設(shè)計(jì)：能量傳遞的最佳控制DesignofSeededBatchCrystallizersFeaturingonOptimalControlofEnergyTransfer目前十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十三、連續(xù)攪拌槽式結(jié)晶器設(shè)計(jì)Chapter13DesignofContinuousStirredTankCrystallizer混合產(chǎn)品取出的連續(xù)全混結(jié)晶器的設(shè)計(jì)DesignofContinuousWellMixedCrystallizerswithMixedProductRemoval強(qiáng)制內(nèi)循環(huán)連續(xù)蒸發(fā)結(jié)晶器設(shè)計(jì)DesignofContinuousEvaporativeCrystallizerswithForcedInternalCirculation細(xì)晶消除的全混結(jié)晶器設(shè)計(jì)DesignofWell-MixedCrystallizerswithFinesRemoval分級(jí)產(chǎn)品取出的全混結(jié)晶器設(shè)計(jì)DesignofWell-MixedCrystallizerswithClassifiedProductRemoval同時(shí)消除細(xì)晶和分級(jí)產(chǎn)品取出的全混結(jié)晶器設(shè)計(jì)DesignofWell-MixedCrystallizerswithSimultaneouslyOperativeFinesDestructionandClassifiedProductRemoval目前十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十四、強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器設(shè)計(jì)Chapter14DesignofForcedCirculationEvaporativeCrystallizer引言與工作原理IntroductionandPrinciplesofOperation蒸發(fā)結(jié)晶衡算BalancesinEvaporativeCrystallization固體分級(jí)SolidsClassification與粒徑有關(guān)的晶體生長(zhǎng)速率SizeDependentGrowthRates濃度推動(dòng)力分布DistributionofConcentrationDrivingForce液相流動(dòng)模型LiquidPhaseFlowModel推動(dòng)力衡算DrivingForceBalances區(qū)域停留時(shí)間SectionalResidenceTimes擬粒徑有關(guān)晶體生長(zhǎng)速率估算EvaluationofPseudoSize-dependentGrowthRates晶體粒徑分布預(yù)測(cè)PredictionofCrystalSizeDistribution目前十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization十五、晶漿處理：結(jié)晶器-離心機(jī)-干燥器系統(tǒng)分析Chapter15SlurryHandling:AnAnalysisofTheSystemCrysallizer-Centrifuge-Dryer管道設(shè)計(jì)DesignofPipeLines閥門(mén)選擇ChoiceofValves晶漿預(yù)濃縮設(shè)備MagmaPrethickeners脫水設(shè)備DewateringEquipment干燥設(shè)備DryingEquipment目前十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)工業(yè)結(jié)晶過(guò)程

IndustrialCrystallization參考書(shū)目ReferencesMullin,J.W.,Crystallisation,2nded..Butterworths,London,1972.TQ026.5/YM1中譯本：胡維杰、寧桂玲等編譯，《結(jié)晶過(guò)程》。大連：大連理工大學(xué)出版社，1991。TQ026.5/H2Jancic,S.J.andP.A.M.Grootscholten,IndustrialCrystallization.DelftUniversityPress,Delft,Holland,1984.TQ026.5/YJ1[蘇聯(lián)]E.B.哈姆斯基著，古濤、葉鐵林譯，《化學(xué)工業(yè)中的結(jié)晶》?；瘜W(xué)工業(yè)出版社，北京，1984。TQ026.5/H1丁緒淮、談遒著，《工業(yè)結(jié)晶》?；瘜W(xué)工業(yè)出版社，北京，1985。JournalofCrystalGrowth.Tung,H.H.,Paul,E.L.,Midler,M,McCauley,J.A.,CrystallizationofOrganicCompounds:AnIndustrialPerspective.NewJercey:JohnWiley&Sons,2009.

目前十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第一章工業(yè)結(jié)晶概論§1.1結(jié)晶在工業(yè)上的應(yīng)用

化工、食品、醫(yī)藥、冶金等多領(lǐng)域§1.2結(jié)晶產(chǎn)品的表征

純度&強(qiáng)度形狀&外觀晶體粒度分布眾數(shù)mode中值mediansize平均尺寸meansize變異系數(shù)CV目前十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure1.1Illustrationofmaximumsupersaturationandgrowthrateatwhichsoundandpurecrystalsfreefrominclusionscanbeobtained.目前二十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure1.2Typicalcumulativeundersizeweightdistributionsobtainedincontinuouscrystallization.Figure1.3Therelativepercentagefrequencycurveshowingcommonlyusedaveragesizes.目前二十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)CV%＝(標(biāo)準(zhǔn)差standarddeviation/平均尺寸meansize)×100%目前二十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§1.3溶解度和過(guò)飽和度

Figure1.4Solubilitycurveforatypicalsubstance.目前二十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Gibbs-Thomson方程CL＝C*exp(MY/RTρcL)eq.(1.1)式中參數(shù)：

CL:粒徑為L(zhǎng)的粒子的溶解度,kg/kgsolutionC*:大粒子的溶解度,kg/kgsolutionM:分子量,kg/kgmol·KY:固體粒子的表面能,J/m2R:氣體常數(shù),J/mol·Kρc:晶體密度,kg/m3T:絕對(duì)溫度,KL:晶體尺寸,m目前二十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第二章成核：機(jī)理及來(lái)源成核機(jī)理可以區(qū)分為以下幾種情況：成核Nucleation初級(jí)成核Primary二次成核Secondary均相成核Homogeneous多相成核Heterogeneous目前二十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§2.1初級(jí)成核

Figure2.1Theanalogyofthestatesofstabilitybetweenasimplemechanicalsystemandacrystallizingsystem.目前二十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure2.2Freeenergydiagramforhomogeneousnucleationindicatingtheexistenceofacriticalnucleus.均相成核：ΔG＝kaL2σ+kvL3(ΔG)v

（2.3）目前二十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)ka表面形狀因子：定義：表面積=kaL2kv體積形狀因子:定義：體積=kvL3L為晶體特征尺寸對(duì)于球形顆粒，面積=∏×d2，如果以d為特征尺寸，則ka=∏；體積=∏/6×d3，如果以d為特征尺寸，則kv=∏/6。對(duì)于立方體顆粒，面積=6×d2，如果以邊長(zhǎng)d為特征尺寸，則ka=6；體積=d3，如果以d為特征尺寸，則kv=1。目前二十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)對(duì)式(2.3)求最大值，得：Lc=-2kaσ/3kv(ΔG)v----------(2.5)

得臨界尺寸：目前二十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)多相成核：υ＝0°，cosυ＝1，ΔGHET＝0completeaffinity0<υ<180°，ΔGHET<ΔGHOM

partialaffinityυ＝180°，cosυ＝-1，ΔGHET＝ΔGHOM

completenon- affinity結(jié)論：目前三十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§2.2二次成核

二次成核初始產(chǎn)晶針狀產(chǎn)晶碰撞產(chǎn)晶雜質(zhì)濃度梯度流體剪切力目前三十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

二次晶核的來(lái)源

Figure2.3Typeofproductcrystalsobtainedinpurestagnantsolutions

目前三十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure2.4Typeofproductcrystalsobtainedinimpurestagnantsolutions

目前三十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure2.5Typeofproductcrystalsobtainedinagitatedsolutions

目前三十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

影響二次成核的因素

影響二次成核的因素有：過(guò)飽和度、冷卻速率、攪拌速度、晶種尺寸、晶種數(shù)量、雜質(zhì)等。其中過(guò)飽和度是最重要的。

目前三十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§2.3工業(yè)結(jié)晶器中的成核

sourceofnucleitypeofnucleationprocesspreventionorremedynucleationinducedbyexcessivesupersaturationboilingzoneprimaryreducesspecificproductionrates,increasecrystalsurfaceareahotfeedinletprimaryenhanceheatdissipation,reducedegreeofsuperheating,carefullychoseinletpositioninletofdirectcoolantprimaryenhanceheatdissipation,reducetemperatureofcoolant,choseinletpositionheatexchangers,chillers,etc.primaryreducetemperaturegradientsbyincreasingsurfacearea,increaseliquidvelocitiesreactionzoneprimaryenhancemixinganddissipationofsupersaturation,increasecrystalsurfaceareacavitatingmovingpartsprimaryadjusttipspeed,suppressboilingbysufficientstaticheadnucleationinducedbycrystalinteractionscrystal/crystallizercontacts-collisionswithmovingparts(impellers,pumps,etc.)-collisionswithcrystallizerwallssecondaryadjusttipspeedanddesignconfiguration,coatimpellerswithsoftmaterials,reduceifpossiblemagmadensityandmeancrystalsizecrystal/crystalcontacts-crystalgrindinginsmallclearancespaces(impeller/drafttube,pumpstator/rotor)secondaryattritionbreakagecarefullyspecifyallclearancesandhydrodynamicsoftwophaseflowthereincrystal/solutioninteraction-fluidshear,effectofimpurities,etc.primarysecondaryreducejetting,gettoknowtheeffectofimpuritiesforeachparticularsystem,preventincrustation目前三十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure2.6

Crystalsizesandmassdepositionson100gof0.1mmseeds目前三十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第三章晶體生長(zhǎng)§3.1晶體生長(zhǎng)中的過(guò)程

晶體從溶液中生長(zhǎng)過(guò)程至少包含以下三步：1)

溶質(zhì)從溶液主體向晶體表面附近傳遞

2)

晶體表面上發(fā)生的某種過(guò)程(常稱為表面結(jié)合過(guò)程）

3)結(jié)晶熱的逸散

目前三十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.1Concentrationandtemperatureprofilesincrystallizationfromsolutionforasystemofexothermicheatofcrystallizationandnormalsolubility.目前三十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

通過(guò)膜的傳遞

靜止流體、分子傳遞：Fick’slaw恒定濃度梯度，溶質(zhì)向平板的單向擴(kuò)散：

=D(cˊ-ciˊ)/δ---------(3.2)

湍流情況下：

＝kd(cˊ-ciˊ)

---------(3.3)

式3.2與式3.3是表達(dá)晶體生長(zhǎng)的擴(kuò)散理論的基本方程。

目前四十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

表面結(jié)合過(guò)程

表面結(jié)合過(guò)程是發(fā)生在晶體表面的歷程。

表面結(jié)合動(dòng)力學(xué)

表面結(jié)合過(guò)程與過(guò)飽和度、體系的特性和晶體表面條件有關(guān)。晶體生長(zhǎng)的主要阻力是表面結(jié)合過(guò)程而不是體積擴(kuò)散過(guò)程。目前四十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.2Growthanddissolutionratesforpotashalumcrystalsat32℃

目前四十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)GSI=kr(ci-c*)r

·······---------(3.4)

表面結(jié)合過(guò)程常用經(jīng)驗(yàn)關(guān)聯(lián)式：Arrhenius方程：kr=kr

0exp(-ΔEr/RT)-----------(3.5)

Bennema模型：晶核上的晶核模型：

GSI＝Aσ5/6exp(-B/σ)·······-----------(3.7)目前四十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§3.2總的晶體生長(zhǎng)過(guò)程

總的晶體生長(zhǎng)速率應(yīng)該是濃度推動(dòng)力及其相應(yīng)的速度常數(shù)的函數(shù)，即：

G＝f(Δc,Kd,Kr)

·······--------(3.8)

表面結(jié)合過(guò)程為一級(jí)(r=1)時(shí)：G=kg（c-c*）·······----------(3.9)

r>1時(shí)：G∝Δcg··············---(3.10)目前四十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§3.3總的晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)

與尺寸有關(guān)的晶體生長(zhǎng)

Figure3.3Effectofcrystal/solutionrelativevelocityonthegrowthrateof(111)faceofpotashalumcrystalsat32℃

McCabe’sΔL定律目前四十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)G(111)=6.24×10-4v0.65Δcg·······--------(3.11)（111）晶面的生長(zhǎng)速率關(guān)聯(lián)式：=16L0.63Δcg----------------------(3.12)流化床中得到的生長(zhǎng)速率關(guān)聯(lián)式：目前四十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.4Comparisonbetweenfacegrowthratesofsinglecrystals(smoothcurve)andoverallgrowthratesobtainedinafluidizedbedcrystallizer目前四十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.5TheeffectofcrystalsizeLontheoverallgrowthrateofpotashalumat30℃

目前四十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

傳質(zhì)和表面結(jié)合阻力對(duì)晶體生長(zhǎng)的相對(duì)貢獻(xiàn)推導(dǎo)

concentrationdrivingforcemasstransfersurfaceintegrationcrystal/solutionhydrodynamicstemperatureandimpuritiesoverallgrowthrateFigure3.6Schematicrepresentationofinfluencesexertedbythegrowthenvironmentuponprocessesinvolvedincrystalgrowth.目前四十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)假定溶解過(guò)程僅僅由傳質(zhì)控制，則：

Figure3.7Crystaldissolutionkineticsforpotashalumat30℃目前五十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.8Surfaceintegrationkineticsforpotashalumcrystalsat30℃.Thedottedlinesindicateoverallgrowthratesfromwhichthesewerederived

目前五十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure3.9Surfaceintegrationkineticsforpotashalumcrystalsat30℃asafunctionofcrystalsizeandsupersaturation

目前五十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

對(duì)于總生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、溶解動(dòng)力學(xué)和表面結(jié)合動(dòng)力學(xué)對(duì)過(guò)飽和度都是一級(jí)的情況，可以用下式計(jì)算總速度常數(shù)：Figure3.10Percentageofthetotalresistancetocrystalgrowthofferedbyvolumediffusionandsurfaceintegrationprocessasafunctionofcrystalsizeforpotashalumat30℃

目前五十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

晶體生長(zhǎng)速率表達(dá)式

McCabeandStevens’smodel

：G=dL/dt=1.77×10-3×Lav1.1(c-c*)1.8················(3.15)Bransom’smodel

dL/dt=aRebΔcn····································(3.17)

連續(xù)結(jié)晶器中簡(jiǎn)化為：dL/dt=avbΔcn····································(3.19)

dL/dt=aLbΔcn·······································(3.20)或目前五十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)CanningandRandolph’smodelG=G0(1+a1L+a2L2+···+anLn)·····································(3.21)

Abegg,StevensandLarson’smodel(ASLmodel)G=G0(1+γL)b

，b<1，L≥0··································(3.22)

§3.4生長(zhǎng)彌散

在固定過(guò)飽和度下，生長(zhǎng)速率可以有很大變化。這種現(xiàn)象稱為生長(zhǎng)速率彌散。目前五十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第四章粒數(shù)衡算概念§4.1結(jié)晶系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型

結(jié)晶器模型由基于基本原理的方程組和一個(gè)經(jīng)驗(yàn)生長(zhǎng)速率方程組成，為空間和時(shí)間的函數(shù)。這些一般方程組可以根據(jù)具體情況簡(jiǎn)化。

目前五十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure4.1Schematicrepresentationofcountercurrentflowbetweencrystalsandmotherliquorwithparametersdistributedinaxialdirection–aperfectlyclassifiedfluidizedbedcrystallizer.目前五十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure4.2Schematicrepresentationofawellmixedcrystal/solutionsystemwithlumpedparameters–aperfectlymixedcrystallizer.目前五十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)ModelSolutionConcentrationParametersCrystalConcentrationParameters1stirredtanklumpedlumped2fluidizedbeddistributedinaxialdirectiondistributedinaxialdirection3notconsideredinliteraturedistributedinaxialdirectionlumped4notconsideredinliteraturelumpeddistributedinaxialdirection表4.1幾種理想情況

第一種情況又可以按照產(chǎn)品取出方式分為二種類型，即：

a)

混合懸浮混合產(chǎn)品取出結(jié)晶器

b)

混合懸?。旨?jí)產(chǎn)品取出結(jié)晶器目前五十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§4.2粒數(shù)衡算整個(gè)結(jié)晶器系統(tǒng)的粒數(shù)守恒定律可以寫(xiě)成：

Nin-Nout=Naccumulation·····························(4.1)對(duì)于晶體尺寸為l的晶體，總粒數(shù)衡算就是：Nin|l-Nout|l=Naccumulation|l···························(4.2)

由于晶體數(shù)在結(jié)晶系統(tǒng)內(nèi)隨點(diǎn)和點(diǎn)而不同，所以要考慮粒數(shù)密度，嚴(yán)格講是頻率粒數(shù)密度：目前六十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)在穩(wěn)態(tài)操作的結(jié)晶系統(tǒng)內(nèi)，晶體總數(shù)是：

總粒數(shù)密度：平均粒數(shù)密度：

n(l)=N(l)/V··················································(4.5)

單位懸浮體積的晶體數(shù)是：

目前六十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§4.3一般粒數(shù)方程

作出下列假設(shè)：

懸浮物占據(jù)可變體積V，被限制在固定邊界和自由重力表面中

懸浮物進(jìn)出物流可以認(rèn)為在徑向混合，但懸浮物本身不必是均勻的

懸浮物中的顆粒在給定的粒徑范圍內(nèi)和給定的懸浮體積單元內(nèi)連續(xù)分布

目前六十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure4.3Schematicrepresentationofaflowsystemcontaininganarbitrarysuspensionofparticlesundergoingvariouspopulationevents.目前六十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

當(dāng)晶體粒數(shù)守恒定律用點(diǎn)粒數(shù)密度表示時(shí)，對(duì)于圖4.3的方式可得：

·································(4.7)式中參數(shù)：n：粒數(shù)密度，litre-1μm-1

：點(diǎn)(x,y,z)處粒徑范圍L到L+dL的晶粒數(shù)Q：懸浮液體積流率i,o：下標(biāo)，表示進(jìn)口和出口B(L)：體積微元dV內(nèi)的二次成核，因此B(L)dL是單位體積單位時(shí)間產(chǎn)生的L到L+dL范圍的晶粒數(shù)A(L)：體積微元dV內(nèi)的磨損，因此A(L)dL是單位體積單位時(shí)間產(chǎn)生的L

到L+dL范圍的晶粒數(shù)D(L)：體積微元dV內(nèi)的破碎，因此D(L)dL是單位體積單位時(shí)間由于破碎產(chǎn)生的L到L+dL范圍的晶粒數(shù)；對(duì)于因破碎而消失的晶體群可以認(rèn)為是負(fù)值目前六十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)λ(L)：體積微元dV內(nèi)的細(xì)晶消除，因此λ(L)dL是單位體積單位時(shí)間由于細(xì)晶消除而消失的L到L+dL范圍的晶粒數(shù)M(L)：體積微元dV內(nèi)的聚集，因此M(L)dL是由于聚集而產(chǎn)生的L到L+dL范圍的晶粒數(shù)；對(duì)于因聚集而消失的晶體群可以認(rèn)為是負(fù)值P(L)：體積微元dV內(nèi)的選擇性產(chǎn)品取出，因此P(L)dL是從體系選擇性取出的L

到L+dL范圍的晶粒數(shù)p式4.7左邊全微分并重排，得到：

合并式4.7和4.8并重排得到：

目前六十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)對(duì)于任意范圍L1到L2的顆粒，式4.9都應(yīng)恒等于零，因此：

式4.10為任意懸浮顆粒的一般粒數(shù)衡算方程。

在穩(wěn)態(tài)條件下，所有時(shí)間導(dǎo)數(shù)都為零；又如進(jìn)料中可能不含晶體，則ni＝0。

如果結(jié)晶器是全混的，則點(diǎn)粒數(shù)密度可用平均密度n代替，即：目前六十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§4.4分布矩

-zerothmoment(thetotalnumberofcrystalsperunitvolumeofcrystalsuspension)(4.13)-firstmoment(thetotallengthofcrystalsperunitvolumeofcrystalsuspension)(4.14)-secondmoment(multipliedbyasurfacefactorgivesthetotalcrystalsurfaceareaperunitvolumeofcrystalsuspension)(4.15)-thirdmoment(multipliedbyavolumefactorgivesthetotalvolumeofcrystalsperunitvolumeofcrystalsuspension,i.e.,volumefractionofsolids)(4.16)目前六十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)有幾種方法用分布矩來(lái)表示晶體粒度分布，即:

目前六十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)累積重量百分?jǐn)?shù)(式4.23)是最常用的表達(dá)粒徑分布的方法。

目前六十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure4.4Typicalcumulativeundersizeweightdistributionsobtainedincontinuouscrystallization.目前七十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§4.5平均尺寸

Figure4.5Therelativepercentagefrequencycurveshowingcommonlyusedaveragesizes.目前七十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

眾數(shù)：最頻繁發(fā)生的值通過(guò)相對(duì)頻率曲線的最高點(diǎn)，即該值處的頻率密度最大。

對(duì)于重量分布的情況，有：

中值：圖4.5中的中線將曲線下的面積分為相等的二部分，即累積頻率曲線的50％尺寸處。對(duì)于重量分布的情況

：

平均值：平均值的垂直線通過(guò)與分布曲線相同形狀的均勻厚度和密度的紙的重心。重量分布下：目前七十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§4.6變異系數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)偏差可以表示成分布均值的百分?jǐn)?shù)，這個(gè)百分?jǐn)?shù)就叫做變異系數(shù)。

從粒數(shù)密度分布求變異系數(shù)的推導(dǎo)

變異系數(shù)定義為：重量分布的標(biāo)準(zhǔn)偏差為：目前七十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

因此，變異系數(shù)可以用分布矩表示如下：

從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)估算變異系數(shù)

Figure4.6

Sizedistributionsforvariousproductsfrom“Oslo”crystallizers

目前七十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

Forcumulativeweightpercentundersize：Forcumulativeweightpercentoversize：

這種方法嚴(yán)格講只適用于累積尺寸百分?jǐn)?shù)曲線在算術(shù)－概率坐標(biāo)紙上為直線的情況。

目前七十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第五章混合懸浮-混合產(chǎn)品取出結(jié)晶器

§5.1混合懸浮混合產(chǎn)品取出結(jié)晶器概念

Figure5.1ThecontinuousMSMPRcrystallizermodel.目前七十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§5.2MSMPR方式的粒數(shù)衡算

一般粒數(shù)衡算方程目前七十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)進(jìn)一步簡(jiǎn)化可得：對(duì)于MSMPR，一般粒數(shù)衡算方程（式4.10）簡(jiǎn)化為：目前七十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)§5.3MSMPR結(jié)晶器的粒數(shù)密度分布——當(dāng)晶體生長(zhǎng)速度與粒徑無(wú)關(guān)時(shí)

對(duì)于MSMPR方式，穩(wěn)態(tài)操作，生長(zhǎng)速率與晶體尺寸無(wú)關(guān)的情況，式5.2進(jìn)一步簡(jiǎn)化成：

積分得：式5.4表明lnn與晶體尺寸L成直線關(guān)系。

目前七十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure5.2ExperimentalsodiumchlorideMSMPRcrystallizer(a)withatypicalpopulationdensityplot(b)obtainedatsteadystate

目前八十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)MSMPR結(jié)晶器中的眾數(shù)

合并式4.25和式5.4得到:

LM＝3Gτ·····································（5.6）MSMPR結(jié)晶器的中值

結(jié)合式4.26和式5.4得到：

Lm＝3.67Gτ·····························（5.8）目前八十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)MSMPR結(jié)晶器的平均值

合并式4.27和式5.4得到:

MSMPR結(jié)晶器的變異系數(shù)

合并式4.31和式5.4得到：

CV＝50％······················································(5.11)

目前八十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)MSMPR結(jié)晶器的懸浮密度

合并式4.16和式5.4得到：

§5.3MSMPR結(jié)晶器的粒數(shù)密度分布——當(dāng)晶體生長(zhǎng)速度與粒徑有關(guān)時(shí)幾個(gè)假設(shè)：

a)所有晶體的形狀相似，可以用一個(gè)特征尺寸L表示

b)

線性生長(zhǎng)速率與尺寸有關(guān)，可用ASL生長(zhǎng)速率模型表示目前八十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)G(L)=G0(1+γL)bforb<1,L≥0

c)

晶體的聚集、磨損、破碎不發(fā)生

將式5.2與ASL模型合并，并積分，得到:

當(dāng)b=0時(shí)，式5.14就表示與尺寸無(wú)關(guān)的生長(zhǎng)速率的粒度分布。如果定義γ為1/G0τ，將G0τ代入式5.14得到:

目前八十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)式5.15取對(duì)數(shù)，得到：

當(dāng)b=0，式5.16就簡(jiǎn)化成式5.4。式5.16可以簡(jiǎn)化成無(wú)因次形式：

令y=n/n0······································(5.17)x=γL=L/G0τ·········································(5.18)則式5.16可以寫(xiě)成目前八十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure5.3DimensionlesspopulationdensitydistributionsfortheMSMPRconfigurationsatconditionsofsizedependentcrystalgrowth

目前八十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure5.4Typicalpopulationdensityplotobtainedinthe1.3litrecontinuousMSMPRcrystallizerforpotashalum/watersystemat30℃

目前八十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

面積分布函數(shù)

面積分布函數(shù)a(L)可以定義為單位懸浮體積的尺寸為L(zhǎng)的晶體的總面積，即:a(L)=kanL2

將式5.15代入并無(wú)因次化，得：其中y(a)為無(wú)因次面積分布，定義為γ2a(L)/kan0。

目前八十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure5.5DimensionlessareadistributionfunctionforasteadystateMSMPRcrystallizer(equation5.20)showingthewideningeffectofsizedependentcrystalgrowthrateontheproductcrystalsizedistribution目前八十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

重量分布函數(shù)

重量分布函數(shù)w(L)可以定義為單位晶體懸浮體積內(nèi)尺寸L的晶體的總重量，即：w(L)=nL3kvρc將式5.15代入并無(wú)因次化，得：其中：目前九十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure5.6DimensionlessweightdistributionfunctionforasteadystateMSMPRcrystallizer(equation5.21)showingthewideningeffectofsizedependentgrowthrateontheproductcrystalsizedistribution目前九十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

重量分布函數(shù)也可以用分布矩表示。累積重量百分?jǐn)?shù)是最常用的方法。將式4.23與式5.15合并，并整理成無(wú)因次形式，得到：目前九十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第六章粒數(shù)影響因素§6.1偏離MSMPR結(jié)晶器方式

大規(guī)模工業(yè)結(jié)晶器中通常不能滿足前面采用的簡(jiǎn)化條件。Figure6.1Typicalpopulationdensityplotsobtainedinthe1500litreNaClcrystallizerfortwodifferentsuspensionlevelswithreferencetothecentrelineoftangentialinlet目前九十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)大規(guī)模氯化鈉結(jié)晶器中的粒數(shù)密度分布的特征是：

尺寸小于約100μm時(shí)，粒數(shù)密度隨晶體尺寸減小而迅速增加。

尺寸在約100μm和300μm之間有一個(gè)平臺(tái)，顯示一個(gè)最高點(diǎn)和一個(gè)最低點(diǎn)。

尺寸大于約300μm時(shí)，粒數(shù)密度隨晶體粒度增加迅速降低。

根據(jù)操作條件的不同，分布的頭尾部分斜率以及平臺(tái)部分寬度可以不同，但上圖所示的特征形狀卻保持不變。幾點(diǎn)考慮：

大規(guī)模氯化鈉結(jié)晶器偏離MSMPR方式，而55升的小規(guī)模結(jié)晶器接近MSMPR方式；

粒數(shù)函數(shù)在起作用，而在55升的小規(guī)模結(jié)晶器中粒數(shù)函數(shù)可能被抑制了；目前九十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

外循環(huán)方式可能會(huì)使不同尺寸的晶體選擇性地暴露在過(guò)飽和度的空間變化中，這會(huì)導(dǎo)致擬尺寸相關(guān)的生長(zhǎng)?！?.2分級(jí)

固體內(nèi)部分級(jí)

結(jié)晶器產(chǎn)生內(nèi)部分級(jí)是流動(dòng)狀況的結(jié)果。內(nèi)部分級(jí)導(dǎo)致擬尺寸相關(guān)生長(zhǎng)速率。

如果固相和液相的密度差較大，以及產(chǎn)品晶體較大，則很難達(dá)到全混懸浮。晶體容易偏離液體流線，這就會(huì)導(dǎo)致分級(jí)。包括內(nèi)部分級(jí)，細(xì)晶消除和分級(jí)產(chǎn)品取出。修正總粒數(shù)衡算：

目前九十五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)也即：平均晶體停留時(shí)間可以寫(xiě)成：

引入分離系數(shù)的概念：

τl=∑Vi/Qo=V/Qo·····································(6.5)

其中平均生長(zhǎng)速率定義為：

目前九十六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)代入式6.3得到：

合并式6.2和式6.7并重排得到：

從上式可以得出產(chǎn)品晶體粒度分布圖的斜率：

類似地結(jié)晶器內(nèi)的混合粒數(shù)密度圖的斜率可以寫(xiě)成：

目前九十七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)平均生長(zhǎng)速率可以用各體積單元的晶體停留時(shí)間τi表示：

其中τi=Vi/Qonp·····························(6.12)

Figure6.2Schematicrepresentationofvariousgeometriesconcerninginletandoutletinforcedcirculationcrystallizers目前九十八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.3Theinfluenceoftheinletandoutletconfigurationonclassificationandobtainedcrystalsizedistributionsatidenticalconditionsfortangentialandreversedoperation目前九十九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.4Theinfluenceoftheinletandoutletconfigurationonclassificationandobtainedcrystalsizedistributionsatidenticalconditionsfortangentialanddoubleradialinletconfiguration

目前一百頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

內(nèi)部液體非理想分布

針對(duì)圖2所示結(jié)晶器的液體分布模型：Figure6.5Reactorinseriesconceptsproposedtoaccountforliquidflowencounteredininlet/outletcrystallizerconfigurationspresentedinFigure6.2

目前一百零一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.6Evaluatedpseudosizedependentgrowthratesarisingfromspatialvariationsinsupersaturationforeachdesignconfiguration

目前一百零二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

外部分級(jí)

細(xì)晶消除

為了使結(jié)晶器能在高過(guò)飽和度下運(yùn)行，以高生產(chǎn)率產(chǎn)生大晶體，就不能允許過(guò)多的晶體與之競(jìng)爭(zhēng)過(guò)飽和度。因此，細(xì)晶應(yīng)該從結(jié)晶系統(tǒng)選擇性消除。Figure6.7Schematicrepresentationofacrystallizerfeaturingannularsettlingzonetoeffectfinesremovalanddestructionthereofthroughdissolution(aDTB-DraftTubeBaffledcrystallizerconcept)目前一百零三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.81m3DTBcrystallizerusedforthestudyoffinesremoval目前一百零四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)定義分級(jí)系數(shù)：λ(L）＝nA(L)/n(L)································(6.13)Figure6.9TheeffectoffineswithdrawalrateonclassificationcoefficientinDTBcrystallization

目前一百零五頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.10TheeffectoftheheightofsettlingzoneinclassificationcoefficientinDTBcrystallization

目前一百零六頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)產(chǎn)品分級(jí)

產(chǎn)品分級(jí)的目標(biāo)是取出較大和較均勻的產(chǎn)品晶體。通常在集鹽器或淘析腿中實(shí)現(xiàn)。Figure6.11Schematicrepresentationofelutriationdevice,usedtoclassifyproductincontinuouscrystallizationofsodiumchloride

目前一百零七頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)分級(jí)系數(shù)定義為：λp(L）＝nc(L)/np(L)························(6.14)Figure6.12ProductclassificationparametersobtainedforelutriationlegdeviceshowninFigure6.11fordifferentlevelsofclearliquoradvance

目前一百零八頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.13Effectofthelevelofclearliquoradvancetoclassificationdeviceonthecoefficientofvariationofproductwithdrawn

目前一百零九頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.14Effectofthelevelofclearliquoradvanceonthemediansizeofproductwithdrawn

目前一百一十頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

磨損

磨損的大部分原因是與晶體的高能機(jī)械接觸，如葉輪、泵、運(yùn)動(dòng)部件與靜止部件之間小余隙等。Figure6.15Crystalsizedistributiondevelopedfromanarrowfractionofseedshavingundergoneattritionduring120secondsatconditionsof540rpmandwithsuspensiondensityof20kg/m3

目前一百一十一頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)Figure6.16Crystalsizedistributionsdevelopedfromtwodifferentsievefractionshavingundergonethesameattritionhistoryduring120secondsat540rpmandwithsuspensiondensityof20kg/m3

目前一百一十二頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)

聚集

顆粒聚集可由兩種方法定量，即聚集度和聚集速度。聚集度是指給定時(shí)間下樣品中聚集粒子占總粒子的百分?jǐn)?shù)。聚集速度是指顆粒聚集反應(yīng)與時(shí)間的關(guān)系。操作參數(shù)對(duì)聚集速度的影響

溫度湍流晶漿密度過(guò)飽和度顆粒粒徑分布停留時(shí)間試劑純度結(jié)晶器和攪拌器材質(zhì)目前一百一十三頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)聚集的實(shí)驗(yàn)定量

RUNagglomeratecontent%productionratekgsugar/m3hevaporationratekgvapour/m2htemperaturedifferencefeed–crystallizer℃remarks1(5runs)90-100350-400200-28020-24adiabaticoperation2(10runs)50-80150-300100-18010-15adiabaticoperation3(15runs)90-100350-700280-5407-8partialheatinput4(5runs)40-60150-300140-2802-4partialheatinput

結(jié)論：低平均過(guò)飽和度和沒(méi)有高的局部過(guò)飽和度導(dǎo)致低聚集的產(chǎn)品晶體。Table6.1Agglomeratecontentinthefraction1.4<L<1.7mmfordifferentprocessconditionsincontinuoussucrosecrystallization目前一百一十四頁(yè)\總數(shù)三百九十四頁(yè)\編于五點(diǎn)第七章結(jié)晶動(dòng)力學(xué)的求取Figure7.1Pictorialrepresentationofinterrelationshipsbetweenpurecrystallizationkinetics,populationfunctiononcrystalsizedistr