光致折變晶體

關(guān)于光致折變晶體第1頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月光致折變晶體也叫自顯影晶體，在光的照射下，這種材料可使自身的折射率發(fā)生變化，因而可作為光學(xué)信息的存儲介質(zhì)。它在高能量的光學(xué)存儲器（體全息存儲器），實時信息處理，全息光學(xué)，相干光放大，集成光學(xué)以及自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)中有著各種各樣潛在的應(yīng)用。第2頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月

IrondopedLiNO3

Crystal在該晶體中全息圖的基本形成過程如下：在晶體中兩束激光相交之處所形成的干涉亮條紋中的電子從陷俘狀態(tài)被激發(fā)，這些存在于空間的變化電荷形成空間電荷場，使電子從亮條紋中遷移出去而在暗條紋中重新被“陷俘”。于是通過電光效應(yīng)使晶體的折射率發(fā)生變化，這種折射率的空間變化使得這類材料有了存儲光學(xué)信息的能力第3頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月該晶體作為記錄介質(zhì)具有以下優(yōu)點：1.這種全息圖無需任何化學(xué)顯影過程，因此可進(jìn)行實時的觀察和記錄2.記錄方便，刪除容易，多次使用不疲勞，全息圖壽命可選擇，也可在晶體中固定3.大信息存儲量（理論值為1012bits/cm3)4.可記錄高速物理現(xiàn)象的瞬時狀態(tài)5.可適應(yīng)外界各種光照的環(huán)境第4頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月全息干涉實驗1.雙曝光全息干涉：在一穩(wěn)定條件下在晶體中記錄處于任意狀態(tài)的物體的全息圖，物體的第二個全息圖在物體另一狀態(tài)下，以同一參考光束記錄在第一次已曝過光的晶體上。擋住物光束，讓原參考光束照射于經(jīng)兩次曝光后的全息圖上將得到重建光波，兩同時重建的物光波在晶體后產(chǎn)生干涉，這些干涉條紋攜帶著物體變化的信息，可以通過屏幕或用照相機(jī)拍攝下來，以供觀察和分析。第5頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月對物體氣動場的研究：第6頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月

2.全息相減干涉實驗

第7頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月在實時干涉測量中，僅需記錄一個參考狀態(tài)的全息圖，將之與一系列變化的物體狀態(tài)相比較，而且物體的任一狀態(tài)都可以作為參考狀態(tài),這一技術(shù)所提供的簡便方法可以推廣到對許多物理量變化的測量，如熱量，聲波的變化，空氣流或壓力梯度的變化等。一些高速瞬變的物理現(xiàn)象也可以利用這種技術(shù)進(jìn)行處理，總之，這種晶體和其他類似的晶體是一種代替全息干板的好材料。3實時干涉測量第8頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月三維全息存儲器—新型光存儲器產(chǎn)品還不成熟，主要問題在于未得到理想的三維全息存儲材料。摻鐵LN還被認(rèn)為是首選材料，但弱點明顯：響應(yīng)時間長，抗光傷能力低，讀出過程的揮發(fā)性

第9頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月LN:Fe,MgLN:Fe,In

Ln:Fe,Zn雙摻LN具有優(yōu)良的光折變存儲性能：高衍射效率，快光折變響應(yīng)，強(qiáng)抗光散射能力且比單摻Fe晶體具有更優(yōu)良的熱固定性質(zhì)：快固定時間，高固定效率，長固定壽命且有最佳寫入光強(qiáng)及其確定方法 第10頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月體全息與光子晶體體全息技術(shù)應(yīng)用已經(jīng)成為光波導(dǎo)，波分復(fù)用，光互連和信息存儲中的重要研究方向，這些都表明了體全息技術(shù)在光通信和光信息處理方面的潛在用途。第11頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月體積全息圖具有典型的周期性介電結(jié)構(gòu)，因此可看成是一種光子晶體用光學(xué)全息方法或多光束干涉法制作可見光譜區(qū)的光子晶體，它比用傳統(tǒng)制法更簡單更便宜最近面心立方光子晶體已用四波干涉法，經(jīng)全息印刷術(shù)制作出來第12頁，課件共15頁，創(chuàng)作于2023年2月反之，因體全息介質(zhì)存在某種帶結(jié)構(gòu)，用光子晶體模型理論討論體全息圖的性質(zhì)，也是研究光學(xué)全息的一種新方法，對體全息理論和應(yīng)用的發(fā)展也是很有意義的。第13頁，課件共15頁，