版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
6.1半導(dǎo)體材料
6.1.1本征半導(dǎo)體
N型半導(dǎo)體
6.1.3P型半導(dǎo)體1目前一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)
6.1半導(dǎo)體材料導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感,在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類(lèi)材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。2目前二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體鍺:1886年2月,德國(guó)化學(xué)家Winkler向德國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)作了關(guān)于發(fā)現(xiàn)鍺報(bào)告,并將此元素命名為Germanium以紀(jì)念其祖國(guó)Germany。鍺在地殼中含量為0.0007%,較金、銀、鉑的含量均高,由于資源分散,增加了冶煉困難,屬于稀有元素一類(lèi)。鍺單晶可作晶體管,是第一代晶體管材料。3目前三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體硅:1823年,瑞典的貝采利烏斯,用氟化硅或氟硅酸鉀與鉀共熱,得到粉狀硅。硅在地殼中的含量是除氧外最多的元素。地殼的主要部分都是由含硅的巖石層構(gòu)成的,這些巖石幾乎全部是由硅石和各種硅酸鹽組成。硅是一種半導(dǎo)體材料,可用于制作半導(dǎo)體器件和集成電路。4目前四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型及晶體結(jié)構(gòu)5目前五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。在絕對(duì)溫度零度(即0K,相當(dāng)于-273℃),且無(wú)外界激發(fā)時(shí),本征半導(dǎo)體無(wú)自由電子,和絕緣體一樣不導(dǎo)電。
當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升高或受到光照等外界因素的影響,某些共價(jià)鍵中的價(jià)電子獲得了足夠的能量,足以?huà)昝摴矁r(jià)鍵的束縛,躍遷到導(dǎo)帶,成為自由電子,同時(shí)在共價(jià)鍵中留下相同數(shù)量的空穴。6目前六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體空穴——共價(jià)鍵中的空位。電子空穴對(duì)——由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對(duì)??昭ǖ囊苿?dòng)——空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來(lái)實(shí)現(xiàn)的。7目前七頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體本征激發(fā)
動(dòng)畫(huà)8目前八頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體空穴的運(yùn)動(dòng)
動(dòng)畫(huà)9目前九頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.1本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體特點(diǎn):電子濃度=空穴濃度
缺點(diǎn):載流子少,導(dǎo)電性差,溫度穩(wěn)定性差!本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力弱。如果摻入微量的雜質(zhì)元素,導(dǎo)電性能就會(huì)發(fā)生顯著改變。按摻入雜質(zhì)的性質(zhì)不同,分N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體,統(tǒng)稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
10目前十頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.2N型半導(dǎo)體在硅(或鍺)晶體中摻入少量的5價(jià)元素,如磷(P),則硅晶體中某些位置的硅原子被磷原子代替。因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周?chē)膫€(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵,而多余的一個(gè)價(jià)電子因無(wú)共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供;空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱(chēng)為施主雜質(zhì)。11目前十一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.2N型半導(dǎo)體12目前十二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.3P型半導(dǎo)體在硅(或鍺)晶體中摻入少量的3價(jià)元素,如硼(B)或鋁(Al),則硅晶體中某些位置的硅原子被硼原子代替。因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí),缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,它主要由摻雜形成;自由電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成??昭ê苋菀追@電子,使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱(chēng)為受主雜質(zhì)。13目前十三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.1.3P型半導(dǎo)體14目前十四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響小結(jié)摻入雜質(zhì)對(duì)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性有很大的影響,一些典型的數(shù)據(jù)如下:T=300K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度:
n=p=1.4×1010/cm31本征硅的原子濃度:4.96×1022/cm3
3以上三個(gè)濃度基本上依次相差106/cm3。
2摻雜后N型半導(dǎo)體中的自由電子濃度:
n=5×1016/cm315目前十五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2PN結(jié)的形成及特性
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
6.2.3PN結(jié)的電容效應(yīng)
PN結(jié)的反向擊穿
6.2.1PN結(jié)的形成16目前十六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.1PN結(jié)的形成17目前十七頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過(guò)程:因濃度差
空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)
內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移
內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散
最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)18目前十八頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.1PN結(jié)的形成19目前十九頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.1PN結(jié)的形成對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面,離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。在空間電荷區(qū),由于缺少多子,所以也稱(chēng)耗盡層。20目前二十頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.1PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成
動(dòng)畫(huà)21目前二十一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
如果外加電壓使PN結(jié)中:P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位,稱(chēng)為加正向電壓,簡(jiǎn)稱(chēng)正偏;
PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕敉饧与妷菏闺娏鲝腜區(qū)流到N區(qū),PN結(jié)呈低阻性,所以電流大;反之是高阻性,電流小。
P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位,稱(chēng)為加反向電壓,簡(jiǎn)稱(chēng)反偏。22目前二十二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū),方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反,削弱了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱,擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流,可忽略漂移電流的影響,PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。
PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?3目前二十三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓動(dòng)畫(huà)24目前二十四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)
外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū),方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同,加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng),擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流,可忽略擴(kuò)散電流,由于漂移電流本身就很小,PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。
PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽谝欢ǖ臏囟葪l件下,由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的,故少子形成的漂移電流是恒定的,基本上與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān),這個(gè)電流也稱(chēng)為反向飽和電流。25目前二十五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加反向電壓動(dòng)畫(huà)26目前二十六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)
PN結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流;PN結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。
由此可以得出結(jié)論:PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?7目前二十七頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
PN結(jié)V-I特性表達(dá)式:其中:PN結(jié)的伏安特性IS——反向飽和電流VT
——溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下(T=300K):28目前二十八頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.3PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng),它由兩方面的因素決定。
一是勢(shì)壘電容CB
二是擴(kuò)散電容CD29目前二十九頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.3PN結(jié)的電容效應(yīng)(1)勢(shì)壘電容CB勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí),離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變,這相當(dāng)PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化,猶如電容的充放電。勢(shì)壘電容示意圖30目前三十頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.3PN結(jié)的電容效應(yīng)(2)擴(kuò)散電容CD
擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后,在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因PN結(jié)正偏時(shí),由N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的電子,與外電源提供的空穴相復(fù)合,形成正向電流。剛擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近,形成一定的多子濃度梯度分布曲線(xiàn)。反之,由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴,在N區(qū)內(nèi)也形成類(lèi)似的濃度梯度分布曲線(xiàn)。31目前三十一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.3PN結(jié)的電容效應(yīng)擴(kuò)散電容示意圖當(dāng)外加正向電壓不同時(shí),擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不相同,這就相當(dāng)電容的充放電過(guò)程。勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容均是非線(xiàn)性電容。32目前三十二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.2.4PN結(jié)的反向擊穿
當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),反向電流突然快速增加,此現(xiàn)象稱(chēng)為PN結(jié)的反向擊穿。熱擊穿——不可逆
雪崩擊穿
齊納擊穿
電擊穿——可逆33目前三十三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3半導(dǎo)體二極管
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)
二極管的伏安特性
二極管的主要參數(shù)34目前三十四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)在PN結(jié)上加上引線(xiàn)和封裝,就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型兩大類(lèi)。(1)點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管結(jié)構(gòu)示意圖
PN結(jié)面積小,結(jié)電容小,用于檢波和變頻等高頻電路。35目前三十五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)(a)面接觸型(b)集成電路中的平面型(c)代表符號(hào)
(2)面接觸型二極管PN結(jié)面積大,用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型36目前三十六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.2二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線(xiàn)可用下式表示鍺二極管2AP15的V-I特性硅二極管2CP10的V-I特性37目前三十七頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.2二極管的伏安特性硅二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5V左右,
鍺二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1V左右。
當(dāng)0<V<Vth時(shí),正向電流為零,Vth稱(chēng)為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓。
當(dāng)V>0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段:
當(dāng)V>Vth時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)正向電流,并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。38目前三十八頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.2二極管的伏安特性當(dāng)V<0時(shí),即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域:
當(dāng)VBR<V<0時(shí),反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱(chēng)反向飽和電流IS。
當(dāng)V≥VBR時(shí),反向電流急劇增加,VBR稱(chēng)為反向擊穿電壓。39目前三十九頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.2二極管的伏安特性
溫度對(duì)二極管的性能有較大的影響,溫度升高時(shí),反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加,如硅二極管溫度每增加8℃,反向電流將約增加一倍;鍺二極管溫度每增加12℃,反向電流大約增加一倍。
另外,溫度升高時(shí),二極管的正向壓降將減小,每增加1℃,正向壓降VF(VD)大約減小2mV,即具有負(fù)的溫度系數(shù)。40目前四十頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.2二極管的伏安特性溫度對(duì)二極管伏安特性曲線(xiàn)的影響41目前四十一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.3二極管的主要參數(shù)半導(dǎo)體二極管的參數(shù)包括最大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、最大反向工作電壓VRM、反向電流IR、最高工作頻率fmax和結(jié)電容Cj等。幾個(gè)主要的參數(shù)介紹如下:
(1)最大整流電流IF——二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),允許通過(guò)二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓VBR——和最大反向工作電壓VRM
二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱(chēng)為反向擊穿電壓VBR。
為安全計(jì),在實(shí)際工作時(shí),最大反向工作電壓VRM一般只按反向擊穿電壓VBR的一半計(jì)算。42目前四十二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.3.3二極管的主要參數(shù)(4)正向壓降VF(5)動(dòng)態(tài)電阻rd
在室溫下,在規(guī)定的反向電壓下,一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí);鍺二極管在微安(A)級(jí)。
在規(guī)定的正向電流下,二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8V;鍺二極管約0.2~0.3V。
反映了二極管正向特性曲線(xiàn)斜率的倒數(shù)。顯然,rd與工作電流的大小有關(guān),即
rd=VF/IF(3)反向電流IR43目前四十三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)半導(dǎo)體二極管圖片44目前四十四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4
二極管電路分析方法
6.4.1圖解分析方法
6.4.2簡(jiǎn)化模型分析方法45目前四十五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.1圖解分析方法二極管是一種非線(xiàn)性器件,因而其電路一般要采用非線(xiàn)性電路的分析方法,相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜,而圖解分析法則較簡(jiǎn)單,但前提條件是已知二極管的V-I特性曲線(xiàn)。46目前四十六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)例1電路如圖所示,已知二極管的V-I特性曲線(xiàn)、電源VDD和電阻R,求二極管兩端電壓vD和流過(guò)二極管的電流iD。解:由電路的KVL方程,可得即是一條斜率為-1/R的直線(xiàn),稱(chēng)為負(fù)載線(xiàn)
Q的坐標(biāo)值(VD,ID)即為所求。Q點(diǎn)稱(chēng)為電路的工作點(diǎn)47目前四十七頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模將指數(shù)模型分段線(xiàn)性化,得到二極管特性的等效模型。(1)理想模型(a)V-I特性(b)代表符號(hào)(c)正向偏置時(shí)的電路模型(d)反向偏置時(shí)的電路模型48目前四十八頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模(2)恒壓降模型(a)V-I特性(b)電路模型(3)折線(xiàn)模型(a)V-I特性(b)電路模型49目前四十九頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模(4)小信號(hào)模型vs=0時(shí),Q點(diǎn)稱(chēng)為靜態(tài)工作點(diǎn),反映直流時(shí)的工作狀態(tài)。vs=Vmsint時(shí)(Vm<<VDD),將Q點(diǎn)附近小范圍內(nèi)的V-I特性線(xiàn)性化,得到小信號(hào)模型,即以Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線(xiàn)。50目前五十頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模(4)小信號(hào)模型過(guò)Q點(diǎn)的切線(xiàn)可以等效成一個(gè)微變電阻即根據(jù)得Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)則常溫下(T=300K)(a)V-I特性(b)電路模型51目前五十一頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模(4)小信號(hào)模型
特別注意:小信號(hào)模型中的微變電阻rd與靜態(tài)工作點(diǎn)Q有關(guān)。該模型用于二極管處于正向偏置條件下,且vD>>VT。(a)V-I特性(b)電路模型52目前五十二頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)6.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法2.模型分析法應(yīng)用舉例(1)整流電路(a)電路圖(b)vs和vo的波形53目前五十三頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)2.模型分析法應(yīng)用舉例(2)靜態(tài)工作情況分析理想模型(R=10k)當(dāng)VDD=10V時(shí),恒壓模型(硅二極管典型值)折線(xiàn)模型(硅二極管典型值)設(shè)當(dāng)VDD=1V時(shí),(自學(xué))(a)簡(jiǎn)單二極管電路(b)習(xí)慣畫(huà)法54目前五十四頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)2.模型分析法應(yīng)用舉例(3)限幅電路
電路如圖,R=1kΩ,VREF=3V,二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解,當(dāng)vI=6sintV時(shí),繪出相應(yīng)的輸出電壓vO的波形。55目前五十五頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)2.模型分析法應(yīng)用舉例(4)開(kāi)關(guān)電路電路如圖所示,求AO的電壓值解:先斷開(kāi)D,以O(shè)為基準(zhǔn)電位,即O點(diǎn)為0V。則接D陽(yáng)極的電位為-6V,接陰極的電位為-12V。陽(yáng)極電位高于陰極電位,D接入時(shí)正向?qū)?。?dǎo)通后,D的壓降等于零,即A點(diǎn)的電位就是D陽(yáng)極的電位。所以,AO的電壓值為-6V。56目前五十六頁(yè)\總數(shù)六十五頁(yè)\編于八點(diǎn)2.模型分析法應(yīng)用舉
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 2023年耐磨劑項(xiàng)目融資計(jì)劃書(shū)
- 2023年出入口機(jī)項(xiàng)目籌資方案
- 電力電工基礎(chǔ)模擬題與答案
- 養(yǎng)老院老人病情告知制度
- 旅居民房管理合同范本(2篇)
- 2024年度商家入駐健康醫(yī)療產(chǎn)業(yè)合作協(xié)議3篇
- 2024年物聯(lián)網(wǎng)智能倉(cāng)儲(chǔ)物流服務(wù)合同
- 2025年呼和浩特貨車(chē)從業(yè)資格證考試題目答案
- 《社??ㄊ褂谩氛n件
- 《電通量與高斯定律》課件
- 《西游記知識(shí)競(jìng)賽》題庫(kù)及答案(單選題100道、多選題100道)
- 2024年行政執(zhí)法人員執(zhí)法資格考試必考題庫(kù)及答案(共190題)
- QC-提高地鐵車(chē)站直螺紋鋼筋機(jī)械連接一次性合格率
- 《2025酒店預(yù)算的進(jìn)與退》
- 民辦學(xué)校教職工入職背景審查制度
- 2024年新人教版四年級(jí)數(shù)學(xué)上冊(cè)《教材練習(xí)21練習(xí)二十一(附答案)》教學(xué)課件
- 2024年湛江市農(nóng)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司招聘筆試沖刺題(帶答案解析)
- 商業(yè)倫理與社會(huì)責(zé)任智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年
- MOOC 創(chuàng)新思維與創(chuàng)業(yè)實(shí)驗(yàn)-東南大學(xué) 中國(guó)大學(xué)慕課答案
- JBT 1472-2023 泵用機(jī)械密封 (正式版)
- 二級(jí)公立醫(yī)院績(jī)效考核三級(jí)手術(shù)目錄(2020版)
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論