存儲介質(zhì)分類

存儲介質(zhì)分類目錄硬盤技術(shù)固態(tài)硬盤I/O操作SSD優(yōu)勢2硬盤技術(shù)磁盤組件盤片控制電路讀/寫磁頭磁頭臂磁盤接口主軸（馬達電機及軸承在其下方）硬盤屬性發(fā)動機盤片柱面扇區(qū)磁道讀/寫磁頭ABCD磁頭臂發(fā)動機I/O操作讀寫IO(Read/WriteIO)操作：磁盤是用來給我們存取數(shù)據(jù)用的，存數(shù)據(jù)時候?qū)?yīng)的是寫IO操作，取數(shù)據(jù)的時候?qū)?yīng)的是讀IO操作。單個IO操作：從操作系統(tǒng)內(nèi)核發(fā)出的一個讀或者寫IO命令到操作系統(tǒng)內(nèi)核接收到IO回應(yīng)。這段時間稱為IO響應(yīng)時間。隨機訪問(RandomAccess)與連續(xù)訪問(SequentialAccess)：由當(dāng)次IO給出的扇區(qū)地址與上次IO結(jié)束的扇區(qū)地址相差得是否較大決定。順序IO模式(QueueMode)/并發(fā)IO模式(BurstMode)：由磁盤組一次能執(zhí)行的IO命令個數(shù)決定。單個IO的大小(I/Ochunksize)/IO塊大?。↖/Oblocksize）：單個IO的大小是指對于讀寫磁盤來說單個IO操作數(shù)據(jù)的大小，數(shù)值并不是固定的。IO塊大小：為了方便數(shù)據(jù)的管理，數(shù)據(jù)庫、文件系統(tǒng)等應(yīng)用程序每次讀寫IO的大小，大小固定。SLC-MLC-TLC在SLC中，每個存儲單元(cell)只存1bit數(shù)據(jù)：0或1在MLC中，每個存儲單元(cell)可存2bit數(shù)據(jù)：00,01,10,11在TLC中，每個存儲單元(cell)可存3bit數(shù)據(jù):000,001,010,011,100,101,110和111固態(tài)硬盤的磨損對SSD盤的可靠性影響最大的是其抗磨損能力，即其cell能被擦寫的次數(shù)。企業(yè)級的SLC、MLC和TLC在抗磨損方面的區(qū)別明顯：類型容量可擦寫次數(shù)單位容量價格SLC小約100,000高eMLC中等約30,000中等cMLC中等5,000~10,000低TLC大500

~1,000很低固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)SSD硬件結(jié)構(gòu)原理無高速旋轉(zhuǎn)部件，性能高、功耗低多通道并發(fā)，通道內(nèi)Flash顆粒復(fù)用時序支持TCQ/NCQ，一次響應(yīng)多個IO請求典型響應(yīng)時間低于0.1msDDR內(nèi)存?zhèn)溆秒娫碨AS接口FLASH6Gbps多通道并發(fā)SSD控制器SSD架構(gòu)框圖SSD性能優(yōu)勢響應(yīng)時間短機械硬盤的機械特性導(dǎo)致大部分時間浪費在尋道和機械延遲上，數(shù)據(jù)傳輸效率受到嚴(yán)重制約。讀寫效率高機械硬盤在進行隨機讀寫操作時，磁頭不停地移動，導(dǎo)致讀寫效率低下。而SSD通過內(nèi)部控制器計算出數(shù)據(jù)的存放位置，直接進行存取操作，故效率高。SSD技術(shù)性能優(yōu)勢VSIP/FCSAN傳統(tǒng)HDD存儲系統(tǒng)SSD存儲系統(tǒng)尋道時間I/OI/O機械延遲時間SSD功耗優(yōu)勢4塊250塊20004000SSDHDD約400倍100K讀IOPS功耗對比熱圖對比功耗(W)SSD硬盤機械硬盤SSD的環(huán)境適應(yīng)優(yōu)勢SSD不含高速旋轉(zhuǎn)的機械結(jié)構(gòu)部件，經(jīng)得住嚴(yán)苛的環(huán)境考驗，以華為SSD硬盤為例：可承受振動加速度16.4G，機械硬盤一般為0.5G以下抗沖擊1500G，機械硬盤一般為70G左右華為SSD使用專用設(shè)備做過如下測試：靜壓試驗、跌落試驗、隨機振動試驗、沖擊試驗、碰撞試驗SSD在存儲中的應(yīng)用訪問頻率

數(shù)據(jù)分布ACBSSD介質(zhì)

FC/SAS磁盤

SATA/NL-SAS/磁帶