傳感器測試實驗報告

-.z.實驗一直流鼓勵時霍爾傳感器位移特性實驗實驗目的：了解霍爾式傳感器原理與應用。二、根本原理：金屬或半導體薄片置于磁場中，當有電流流過時，在垂直于磁場和電流的方向上將產生電動勢，這種物理現(xiàn)象稱為霍爾效應。具有這種效應的元件成為霍爾元件，根據(jù)霍爾效應，霍爾電勢UH＝KHIB，當保持霍爾元件的控制電流恒定，而使霍爾元件在一個均勻梯度的磁場中沿水平方向移動，則輸出的霍爾電動勢為，式中k—位移傳感器的靈敏度。這樣它就可以用來測量位移?；魻栯妱觿莸臉O性表示了元件的方向。磁場梯度越大，靈敏度越高；磁場梯度越均勻，輸出線性度就越好。三、需用器件與單元：霍爾傳感器實驗模板、霍爾傳感器、±15V直流電源、測微頭、數(shù)顯單元。四、實驗步驟：1、將霍爾傳感器安裝在霍爾傳感器實驗模塊上，將傳感器引線插頭插入實驗模板的插座中，實驗板的連接線按圖9-1進展。1、3為電源±5V，2、4為輸出。2、開啟電源，調節(jié)測微頭使霍爾片大致在磁鐵中間位置，再調節(jié)Rw1使數(shù)顯表指示為零。圖9-1直流鼓勵時霍爾傳感器位移實驗接線圖3、測微頭往軸向方向推進，每轉動0.2mm記下一個讀數(shù)，直到讀數(shù)近似不變，將讀數(shù)填入表9-1。表9－1*〔mm〕V(mv)作出V-*曲線，計算不同線性范圍時的靈敏度和非線性誤差。五、實驗本卷須知：1、對傳感器要輕拿輕放，絕不可掉到地上。2、不要將霍爾傳感器的鼓勵電壓錯接成±15V，否則將可能燒毀霍爾元件。六、思考題：本實驗中霍爾元件位移的線性度實際上反映的時什么量的變化？七、實驗報告要求：1、整理實驗數(shù)據(jù)，根據(jù)所得得實驗數(shù)據(jù)做出傳感器的特性曲線。2、歸納總結霍爾元件的誤差主要有哪幾種，各自的產生原因是什么，應怎樣進展補償。實驗二集成溫度傳感器的特性實驗目的：了解常用的集成溫度傳感器根本原理、性能與應用。根本原理：集成溫度傳器將溫敏晶體管與相應的輔助電路集成在同一芯片上，它能直接給出正比于絕對溫度的理想線性輸出，一般用于－50℃－＋150℃之間測量，溫敏晶體管是利用管子的集電極電流恒定時，晶體管的基極—發(fā)射極電壓與溫度成線性關系。為抑制溫敏晶體管Ub電壓生產時的離散性、均采用了特殊的差分電路。集成溫度傳感器有電壓型和電流型二種，電流輸出型集成溫度傳感器，在一定溫度下，它相當于一個恒流源。因此它具有不易受接觸電阻、引線電阻、電壓噪聲的干擾。具有很好的線性特性。本實驗采用的是國產的AD590。它只需要一種電源〔＋4V－＋30V〕。即可實現(xiàn)溫度到電流的線性變換，然后在終端使用一只取樣電阻〔本實驗中為R2〕即可實現(xiàn)電流到電壓的轉換。它使用方便且電流型比電壓型的測量精度更高。需用器件與單元：溫度控制器、加熱源、溫度模塊、數(shù)顯單元、萬用表。實驗步驟：1、將主控箱上總電源關閉，把主控箱中溫度檢測與控制單元中的恒流加熱電源輸出與溫度模塊中的恒流輸入連接起來。2、將溫度模塊中的溫控Pt100與主控箱的Pt100輸入連接起來。3、將溫度模塊中左上角的AD590接到a、b上〔正端接a，負端接b〕，再將b、d連接起來。4、將主控箱的+5V電源接入a和地之間。5、將d和地與主控箱的電壓表輸入端相連〔即測量1K電阻兩端的電壓〕。6、開啟主電源，將溫度控制器的SV窗口設定為〔設置方法見附錄2〕，以后每隔設定一次，即Δt=，讀取數(shù)顯表值，將結果填入下表。表10－1T〔℃〕V(mV)7、根據(jù)上表計算AD590的非線性誤差。五、實驗本卷須知：1、加熱器溫度不能加熱到120℃以上，否則將可能損壞加熱器。2、不要將AD590的+、-端接反，因為反向電壓可能擊穿AD590。六、思考題：大家知道在一定的電流模式下PN結的正向電壓與溫度之間具有較好的線性關系，因此就有溫敏二極管，你假設有興趣可以利用開關二極管或其它溫敏二極管在50℃－100℃之間，作溫度特性，然后與集成溫度傳感器一樣區(qū)間的溫度特性進展比較，從線性看溫度傳感器線性優(yōu)于溫敏二極管，請說明理由。七、實驗報告要求：1、簡單說明AD590的根本原理，討論電流輸出型和電壓輸出型集成溫度傳感器的優(yōu)缺點。2、總結實驗后的收獲、體會。實驗三光電二極管和光敏電阻的特性研究一、實驗目的：了解光電二極管和光敏電阻的特性與應用。二、根本原理：〔1〕光電二極管：光電二極管是利用PN結單向導電性的結型光電器件，構造與一般二極管類似。PN結安裝在管的頂部，便于承受光照。外殼上有以透鏡制成的窗口以使光線集中在敏感面上，為了獲得盡可能大的光生電流，PN結的面積比一般二極管要大。為了光電轉換效率高，PN結的深度比一般二極管淺。光電二極管可工作在兩種狀態(tài)。大多數(shù)情況下工作在反向偏壓狀態(tài)。在這種情況下，當無光照時，處于反偏的二極管工作在截止狀態(tài)，這時只有少數(shù)載流子在反向偏壓的作用下，渡越阻擋層形成微小的反向電流，即暗電流。反向電流小的原因是在PN結中，P型中的電子和N型中的空穴〔少數(shù)載流子〕很少。當光照射在PN結上時，PN結附近受光子轟擊，吸收其能量而產生電子空穴對，使P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子濃度大大增加，在外加反偏電壓和內電場的作用下，P區(qū)的少數(shù)載流子渡越阻擋層進入N區(qū)，N區(qū)的少數(shù)載流子渡越阻擋層進入P區(qū)，從而使通過PN結的反向電流大為增加，形成了光電流，反向電流隨光照強度增加而增加。另一種工作狀態(tài)是在光電二極管上不加電壓，利用PN結受光照強度增加而增加。N結受光照時產生正向電壓的原理，將其作為微型光電池用。這種工作狀態(tài)一般用作光電檢測。光電二極管常用的材料有硅、鍺、銻化銦、砷化銦等，使用最廣泛的是硅、鍺光電二極管。光電二極管具有響應速度快、精巧、穩(wěn)固、良好的溫度穩(wěn)定性和低工作電壓的優(yōu)點，因而得到了廣泛的應用。圖為光電流信號轉換電路，Vo=IpR，Ip為光電流，R是反響電阻?！?〕光敏電阻：光敏電阻是利用光的入射引起半導體電阻的變化來進展工作的。光敏電阻的工作原理是基于光電導效應：在無光照時，光敏電阻具有很高的阻值；在有光照時，當光電子的能量大于材料禁帶寬度，價帶中的電子吸收光子能量后躍遷到導帶，激發(fā)出可以導電的電子—空穴對，使電阻降低，光線愈強，激發(fā)出的電子—空穴對越多，電阻值越低；光照停頓后，自由電子與空穴復合，導電能力下降，電阻恢復原值。制作光敏電阻的材料常用硫化鎘〔CdS〕、硒化鎘〔CdSe〕、硫化鉛〔PbSe〕銻化銦〔InSb〕等。由于光導效應只限于光照外表的薄層，所以一般都把半導體材料制成薄膜，并賦予適當?shù)碾娮柚?，電極構造通常做成梳形，這樣，光敏電阻與電極之間的距離短，載流子通過電極的時間少，而材料的載流子壽命又較長，于是就有很高的內部增益G，從而獲得很高的靈敏度。光敏電阻具有靈敏度高，光譜響應范圍寬，重量輕，機械強度高，耐沖擊，抗過載能力強，耗散功率大，以及壽命長等特點。光敏電阻的阻值R和光的強度呈現(xiàn)強烈的非線性。三、實驗器件與單元：光電模塊，主控箱，萬用表，0~20mA恒流源。四、實驗內容與步驟：1、將主控箱的0~20mA恒流源調節(jié)到最小。2、把0~20mA恒流源的輸出和光電模塊上的恒流輸入連接起來，以驅動LED光源。3.1、硅光電池實驗：將恒流源從0開場每隔2mA記錄一次，填入以下相應的表格，光電二極管的強度指示在光電模塊的右邊數(shù)顯上。3.2、光敏電阻實驗：由于光敏電阻光較弱時變化較大，所以在0~2mA之間，每隔0.5mA記錄一次，以后每隔2mA做一次實驗，測得的數(shù)據(jù)填入以下相應表格。光敏電阻的大小用萬用表測量光電模塊上的光敏電阻輸出端?！?〕光電二極管：I〔mA〕V(mv)〔2〕光敏電阻：I〔mA〕R五、實驗本卷須知：注意要將主控箱上恒流輸出的正負端和光電模塊上的正負端對應接好，否則，光發(fā)送端將不能發(fā)光。六、思考題：1、當將硅光電池作為光探測器時應注意那些問題？2、討論光敏電阻主要應用在什么場合。七、實驗報告要求：1、根據(jù)實驗數(shù)據(jù)做出光敏電阻和硅光電池的特性曲線圖。2、簡述光敏電阻和硅光電池的根本特性。實驗四電容式傳感器的位移特性實驗一、實驗目的：了解電容式傳感器構造及其特點。根本原理：利用平板電容C＝εS／d和其它構造的關系式通過相應的構造和測量電路可以選擇ε、S、d中三個參數(shù)中，保持兩個參數(shù)不變，而只改變其中一個參數(shù)，則可以有測谷物枯燥度〔ε變〕測微小位移〔變d〕和測量液位〔變S〕等多種電容傳感器。變面積型電容傳感器中，平板構造對極距特別敏感，測量精度受到影響，而圓柱形構造受極板徑向變化的影響很小，且理論上具有很好的線性關系，〔但實際由于邊緣效應的影響，會引起極板間的電場分布不均，導致非線性問題仍然存在，且靈敏度下降，但比變極距型好得多?！吵蔀閷嶋H中最常用的構造，其中線位移單組式的電容量C在忽略邊緣效應時為：〔1〕式中——外圓筒與內圓柱覆蓋局部的長度；——外圓筒內半徑和內圓柱外半徑。當兩圓筒相對移動時，電容變化量為〔2〕于是，可得其靜態(tài)靈敏度為：〔3〕可見靈敏度與有關，越接近，靈敏度越高，雖然內外極筒原始覆蓋長度與靈敏度無關，但不可太小，否則邊緣效應將影響到傳感器的線性。本實驗為變面積式電容傳感器，采用差動式圓柱形構造，因此可以很好的消除極距變化對測量精度的影響，并且可以減小非線性誤差和增加傳感器的靈敏度。需用器件與單元：電容傳感器、電容傳感器實驗模板、測微頭、數(shù)顯單元、直流穩(wěn)壓源。實驗步驟：1、將電容式傳感器裝于電容傳感器實驗模板上，將傳感器引線插頭插入實驗模板的插座中。2、將電容傳感器實驗模板的輸出端Vo1與數(shù)顯單元Vi相接〔插入主控箱Vi孔〕Rw調節(jié)到中間位置。3、接入±15V電源，旋動測微頭改變電容傳感器動極板的位置，每隔0.2mm記下位移*與輸出電壓值，填入表8-1。表8－1電容傳感器位移與輸出電壓值*(mm)V(mv)4、根據(jù)表8-1數(shù)據(jù)計算電容傳感器的系統(tǒng)靈敏度S和非線性誤差。五、實驗本卷須知：1.傳感器要輕拿輕放，絕不可掉到地上。2.做實驗時，不要接觸傳感器，否則將會使線性變差。圖8-1電容傳感器位移實驗接線圖六、思考題：1、簡述什么是傳感器的邊緣效應，它會對傳感器的性能帶來哪些不利影響。2、電容式傳感器和電感式傳感器相比，有哪些優(yōu)缺點？七、實驗報告要求：1、整理實驗數(shù)據(jù)，根據(jù)所得得實驗數(shù)據(jù)做出傳感器的特性曲線，并利用最小二乘法做出擬合直線，計算該傳感器得非線性誤差。2、根據(jù)實驗結果，分析引起這些非線性得原因，并說明怎樣提高傳感器得線性度。實驗一電容式傳感器的位移特性實驗班級：：**：1.實驗目的了解電容式傳感器構造及其特點。2.實驗器件電容傳感器、電容傳感器實驗模板、測微頭、數(shù)顯單元、直流穩(wěn)壓源。3.根本原理4.實驗結果：電容傳感器位移與輸出電壓值*〔mm〕V〔mv〕根據(jù)實驗數(shù)據(jù)計算電容傳感器的系統(tǒng)靈敏度S和非線性誤差實驗二直流鼓勵時霍爾傳感器位移特性實驗班級：：**：1.實驗目的了解霍爾式傳感器原理與應用。2.實驗器件霍爾傳感器實驗模板、霍爾傳感器、±15V直流電源、測微頭、數(shù)顯單元。3.根本原理4.實驗結果*〔mm〕V〔mv〕作出V-*曲線，計算