物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題

周清（2011年黃岡高二質(zhì)檢）下列說法中正確的是（）電子云通常是用小黑點(diǎn)來表示電子的多少B能量高的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，能量低的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)處于最低能量的原子叫基態(tài)原子電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜下列電子層中，包含有f能級(jí)的是（）K電子層B.L電子層C.M電子層D.N電子層（2011年南京金陵中學(xué)）下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是（）K+1s22s22p63s23p6B.As1s22s22p63s23p63de4s24p3C.N3-1s22s22p6D.Cr1s22s22p63s23p63d44s2Is2p3s3p已知錳的核電荷數(shù)為Is2p3s3p3dk[W\用1忖|怙|忖iiHii忖屮刑||忖|怙If[質(zhì)2s2卩：俺Is2s22s2p張Is2s22s2p張3p可可用而冋嚇口|忡|忖出2p盹3p忖t；||U||UAAt￡2s2priiHitAfAMMAAtIIH1下列原子或離子的電子排布式正確的是,違反能量最低原理的是,違反洪特規(guī)則的是,違反泡利原理的是

①c/+;ls32s32pG3s33ps?F-：ls22s￡3pe2?po2pnopEl2?po2pnopEl?Cr；ls32s32p53s^3p63d44s3⑤Fe：lss2s32pG3s￡3ps3d^4s3?Mg3+；ls32s￡2p62p1託2&2p忖⑦c：回匹構(gòu)造原理揭示的電子排布能級(jí)順序，實(shí)質(zhì)是各能級(jí)能量高低。若以E(nl)表示某能級(jí)的能量，以下各式中正確的是()AE(5s)>E(4f)>E(4s)>E(3d)B.E(3d)>E(4s)>E(3p)>E(3s)CE(4s)<E(3s)<E(2s)<E(1s)D.E(5s)>E(4s)>E(4f)>E(3d)(2011年合肥一中高二檢測(cè))關(guān)于電子云的下列說法不正確的是()s電子繞核旋轉(zhuǎn)，其軌道為一圓圈，而p電子是走8字形s軌道都是球形軌道軌道不同，電子云的形狀也不一樣電子云圖是形象地描述電子在空間單位體積內(nèi)出現(xiàn)概率大小的圖形下列說法正確的是(雙選)()鉀(K)原子基態(tài)的原子結(jié)構(gòu)示意圖為"「H0電子式為HV?H2??Mg的原子基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s23piCa2+基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s23p6(2011年河南檢測(cè))下列四種元素中，其單質(zhì)氧化性最強(qiáng)的是()

原子含有未成對(duì)電子最多的第二周期元素位于元素周期表中第三周期IIIA族的元素原子最外層電子排布為2s22p6的元素原子最外層電子排布為2s22p5的元素下面是第二周期部分元素基態(tài)原子的電子排布圖，據(jù)此下列說法錯(cuò)誤的是()UtlUtlBVtlAAN()每個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子電子排在同一能級(jí)時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道每個(gè)能層所具有的能級(jí)數(shù)等于能層的序數(shù)(n)若原子軌道里有2個(gè)電子，則其自旋方向相反下列各組表述中，兩個(gè)微粒一定不屬于同種元素原子的是()A3p能級(jí)有一個(gè)空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p2的原子M層全充滿而N層為4s2的原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2的原子1最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的5的原子和價(jià)電子排布為4s24p5的原子D2p能級(jí)有一個(gè)未成對(duì)電子的基態(tài)原子和原子的價(jià)電子排布為2s22p5的原子寫出下列原子的電子排布式。S(2)Cu(3)Cr(4)Se(5)Zn(6)Fe2924343026(1)(2)(3)(4)(5)(6)A、B、C、D是四種短周期元素，E是過渡元素。A、B、C同周期，C、^7^工2工D同主族，A的原子結(jié)構(gòu)示意圖為丿,B是同周期除稀有氣體外半徑最大的元素，C的最外層有三個(gè)成單電子，E的外圍電子排布式為3d64s2?；卮鹣铝袉栴}：A為(寫出元素符號(hào)，下同)，電子排布式是TOC\o"1-5"\h\z；B為，簡(jiǎn)化電子排布式是；C為，價(jià)電子排布式是；D為，電子排布圖是；E為，原子結(jié)構(gòu)示意圖是A、B、C、D、E代表5種元素。請(qǐng)?zhí)羁眨篈元素基態(tài)原子的最外層有3個(gè)未成對(duì)電子，次外層有2個(gè)電子，其元素符號(hào)為。B元素的負(fù)一價(jià)離子和C元素的正一價(jià)離子的電子層結(jié)構(gòu)都與氬相同，B的元素符號(hào)為,C的元素符號(hào)為。D元素的正三價(jià)離子的3d能級(jí)為半充滿，D的元素符號(hào)為,其基態(tài)原子的電子排布式為。E元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對(duì)電子，只有一個(gè)未成對(duì)電子，E的元素符號(hào)為,其基態(tài)原子的電子排布式為1解析：選C。電子云是用小黑點(diǎn)表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的概率，小黑點(diǎn)的疏密表示出現(xiàn)概率的大小，A項(xiàng)錯(cuò)誤；通常能量低的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，能量高的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；基態(tài)原子的能量最低，C項(xiàng)正確；D項(xiàng)電子由基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，或由激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)，都會(huì)產(chǎn)生原子光譜。2解析：選D。能層數(shù)=能層中所包含的能級(jí)數(shù)。而要含有f能級(jí)則能層數(shù)必須大于等于4,即從N層開始往后才會(huì)出現(xiàn)f能級(jí)。3解析：選D。D項(xiàng)中Cr的電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p63d54si,半充滿狀態(tài)為較穩(wěn)定狀態(tài)。4解析：選D。根據(jù)洪特規(guī)則，電子排布在同一能級(jí)的不同軌道上時(shí)優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋方向相同，A項(xiàng)中未單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，C項(xiàng)中雖單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道但自旋方向不相同。根據(jù)泡利原理，1個(gè)原子軌道最多可容納2個(gè)電子且自旋方向相反，選項(xiàng)B中的s軌道的自旋方向相同。5解析：根據(jù)核外電子排布規(guī)律②中錯(cuò)誤在于電子排完2s軌道后應(yīng)排2p軌道而不是3p軌道，正確的應(yīng)為1s22s22p6；③中沒有遵循洪特規(guī)則一—電子在能量相同的軌道上排布時(shí)，應(yīng)盡可能分占不同的軌道并且自旋方3s3y向相同，正確的應(yīng)為：^^ms；④中忽略了能量相同的原子軌道在半充滿狀態(tài)時(shí)，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定，正確的應(yīng)為：1s22s22p63s23p63d54si。⑤和⑥正確，⑦違反泡利原理，正確的應(yīng)為CW2s2pSBItHII答案：①⑤⑥②③④⑦6解析：選B。根據(jù)構(gòu)造原理，各能級(jí)、能量的大小順序?yàn)閕s2s2p3s3p4s3d4p5s能量由低到高，A項(xiàng)和D項(xiàng)正確順序?yàn)?/p>

E(4f)>E(5s)>E(3d)>E(4s)；對(duì)于不同能層的相同能級(jí)，能層序數(shù)越大，能量越高。7解析：選A。本題是涉及電子云的概念題，必須從概念出發(fā)，判斷正誤。A項(xiàng)不正確，因?yàn)殡娮舆\(yùn)動(dòng)并無固定軌道，應(yīng)改為：s電子在核外運(yùn)動(dòng),電子云圖或概率分布呈球形對(duì)稱，其剖面圖是個(gè)圓，而P電子云圖或概率分布呈啞鈴形，其剖面圖是8形。8解析：選BD°A8解析：選BD°A項(xiàng)原子結(jié)構(gòu)示意圖為C項(xiàng)中Mg的基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s2。9解析：選DoA項(xiàng)，含未成對(duì)電子最多的第二周期元素為N,B項(xiàng)為Al,C項(xiàng)為Ne，D項(xiàng)為F，故F?的氧化性最強(qiáng)。10解析：選D。由題給的四種元素原子的電子排布圖可知，在一個(gè)原子軌道里，最多只能容納2個(gè)電子即符合泡利原理，A正確；當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，即符合洪特規(guī)則,B正確；任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開始，而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù),C正確；若在一個(gè)原子軌道里有2個(gè)電子，則它們的自旋方向相反，若在同一能級(jí)的不同軌道里有2個(gè)電子，貝I」自旋方向相同，故D錯(cuò)。11解析：選B。解答該題時(shí)要依據(jù)構(gòu)造原理和原子核外電子排布規(guī)則,逐項(xiàng)認(rèn)真分析°A項(xiàng)，3p能級(jí)有一個(gè)空軌道，說明3p上填2個(gè)電子，因填1個(gè)電子有2個(gè)空軌道，填3個(gè)電子或3個(gè)以上電子無空軌道，則3p上有2個(gè)電子，3s上肯定已填滿，價(jià)電子排布為3s23p2,因此A中兩微粒相同。M層全充滿而N層為4s2,M層上有d軌道,即:3s23p63d10,顯然是鋅元素,3d64s2是鐵元素，B選項(xiàng)符合題意。C中價(jià)電子排布為4s24p5,則3d上已排滿10個(gè)電子，核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s24p5；最外層電子數(shù)是1核外電子總數(shù)5的原子，可按下述方法討論：若最外層電子數(shù)為1,核外電子總數(shù)為5不可能，最外層電子數(shù)為2,核外電子總數(shù)為10不可能，同理,

可討論，只有最外層電子數(shù)為7,核外電子總數(shù)為35時(shí)合理，其電子排布式也是1s22s22p63s23p63dio4s24p5,二者是同種元素的原子。D中2p能級(jí)有—個(gè)未成對(duì)電子，可以是2p1，也可以是2p5，因此二者不一定屬于同種元素的原子，D選項(xiàng)不符合題意。12解析：注意Cu、Cr的3d能級(jí)的全充滿和半充滿狀態(tài)。答案：(1)1s22s22p63s23p41s22s22p63s23p63dio4si1s22s22p63s23p63d54s11s22s22p63s23p63d1o4s24p41s22s22p63s23p63d1o4s21s22s22p6314解析：由A元素基態(tài)原子的次外層有2個(gè)電子，說明次外層是K層，則共有2層，最外層有3個(gè)未成對(duì)電子，所以最外層電子排布為2s22p3,因此是氮元素，符號(hào)是N。氬是18號(hào)元素，故B為17號(hào)元素Cl，C為19號(hào)元素K。D元素的正三價(jià)離子的3d能級(jí)為半充滿，則D元素的正三價(jià)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，電子總數(shù)為23，故D原子的電子總數(shù)為26,因此D是鐵元素，符號(hào)為Fe，基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2。E元素核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,故E是銅元素，符號(hào)為Cu，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d1o4s1。13解析：由題意可知，A為Si，B為Na，C為P，貝l」D為N，E為Fe。這五種元素電子排布式分別為：A：1s22s22p63s23p2,B：1s22s22p63s1,C：1S22