薄膜材料制備

薄膜材料制備第1頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第一節(jié)薄膜材料制備方法

薄膜生長(zhǎng)方法是獲得薄膜的關(guān)鍵。薄膜材料的質(zhì)量和性能不僅依賴于薄膜材料的化學(xué)組成，而且與薄膜材料的制備技術(shù)具有一定的關(guān)系。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和各學(xué)科之間的相互交叉,相繼出現(xiàn)了一些新的薄膜制備技術(shù)。這些薄膜制備方法的出現(xiàn),不僅使薄膜的質(zhì)量在很大程度上得以改善,而且為發(fā)展一些新型的薄膜材料提供了必要的制備技術(shù)。第2頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月這些技術(shù)包括：以蒸發(fā)沉積為基礎(chǔ)發(fā)展了電子束蒸發(fā)沉積、分子束外延薄膜生長(zhǎng)(MBE)、加速分子束外延生長(zhǎng)；以載能束與固體相互作用為基礎(chǔ),先后出現(xiàn)了離子束濺射沉積、脈沖激光濺射沉積(PLD)、強(qiáng)流離子束蒸發(fā)沉積、離子束輔助沉積(IBAD)、低能離子束沉積；以等離子體技術(shù)為基礎(chǔ)發(fā)展了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射沉積等。第3頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月薄膜的制備方法很多，主要有：物理方法：

真空蒸發(fā)沉積

磁控濺射法

離子束濺射沉積

脈沖激光沉積（PLD）

分子束外延（MBE）直流磁控濺射射頻磁控濺射帶能束流輔助原位檢測(cè)分析第4頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月化學(xué)方法：化學(xué)氣相沉積（CVD）溶膠－凝膠法（Sol－Gel法）電沉積液相外延（LPE）化學(xué)束外延金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）熱解化學(xué)氣相沉積激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積（LCVD）等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）微電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（MW－ECR－CVD）直流電弧等離子體噴射化學(xué)氣相沉積觸媒化學(xué)氣相沉積(Cat－CVD)??????第5頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

一、真空蒸發(fā)沉積真空蒸發(fā)沉積設(shè)備主要組成：

（1）真空鍍膜室（2）真空抽氣系統(tǒng)（3）真空測(cè)量系統(tǒng)原理：真空條件下蒸發(fā)源材料加熱脫離材料表面束縛原子分子作直線運(yùn)動(dòng)遇到待沉積基片沉積成膜。第6頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月蒸發(fā)鍍膜設(shè)備第7頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月真空蒸發(fā)鍍膜工藝實(shí)例－Al膜制備：（1）懸掛鋁絲；（2）基片清洗及放置；（3）系統(tǒng)抽真空；（4）襯底預(yù)熱；（5）預(yù)蒸；（6）蒸發(fā)；（7）停機(jī)。第8頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月二、磁控濺射沉積所謂“濺射”就是荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子（或分子）從表面射出的現(xiàn)象。應(yīng)用這一現(xiàn)象將濺射出來(lái)的物質(zhì)沉積到基片或工作表面形成薄膜的方法稱為濺射（鍍膜）法。濺射法被廣泛地應(yīng)用于制備金屬、合金、半導(dǎo)體、氧化物、碳化物、氮化物等。濺射過(guò)程是建立在輝光放電的基礎(chǔ)上，即濺射離子都來(lái)源于氣體的放電。輝光放電產(chǎn)生于真空度為10～1Pa的稀薄氣體中的外加電壓的兩電極間。第9頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

濺射原理向高真空系統(tǒng)內(nèi)加入少量所需氣體（如氬、氧、氮等），氣體分子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下電離而產(chǎn)生輝光放電。氣體電離后產(chǎn)生的帶正電荷的離子受電場(chǎng)加速而形成等離子流，它們撞擊到設(shè)置在陰極的靶材表面上，使靶表面的原子飛濺出來(lái)，以自由原子的形式，或與反應(yīng)氣體分子形成化合物的形式，沉積到襯底表面形成薄膜層。（也稱陰極濺射法）第10頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月射頻磁控濺射系統(tǒng)基本結(jié)構(gòu)第11頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

磁控射頻濺射工作原理

洛侖茲力：F=q(E+vB)第12頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月radiofrequencysputteringsystem第13頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月LeskerRadioFrequencySputteringSystem第14頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月Dual-RF-plasmaPulsed-LaserDeposition(PLD)System第15頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三、離子束輔助沉積離子束輔助沉積裝置的原理簡(jiǎn)圖第16頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月離子束結(jié)合微波電子回旋共振輔助沉積CN膜的典型的RAMAN譜第17頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月（平衡）磁控濺射與非平衡磁控濺射E×B（平衡）磁控濺射非平衡磁控濺射第18頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月磁控濺射靶的設(shè)計(jì)第19頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月微波雙電子回旋共振諧振腔非平衡磁控濺射主要優(yōu)點(diǎn)：等離子體密度高均勻區(qū)體積大伏安特性具有兩種模式：電壓模式與電流模式可實(shí)現(xiàn)超低工作氣壓下磁控靶自持交叉場(chǎng)放電真空室600×800，均勻區(qū)300，區(qū)內(nèi)均勻度5％，靶基距100-200，工作氣壓10-2Pa，本底真空10-5Pa，離化率10％第20頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月磁場(chǎng)位形對(duì)放電特性的影響在兩種磁場(chǎng)位形下，放電特性均有兩種放電模式。位形不同，特性差異明顯，有利于成膜參數(shù)的調(diào)整。特別是，電壓模式下，濺射率低，有利于制備納米膜過(guò)程的控制與提高膜的質(zhì)量。電壓模式電流模式第21頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月微波ECR等離子體增強(qiáng)非平衡磁控濺射照片第22頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月等離子體增強(qiáng)磁控濺射特點(diǎn)（1）工作氣體的電離率高，可以產(chǎn)生高密度的等離子體。（2）濺射氣壓低，一般在0.1～0.005Pa范圍內(nèi)，低于磁控濺射的工作氣壓；通常在這個(gè)氣壓范圍內(nèi)，濺射粒子的平均自由程大于靶基距，濺射粒子不會(huì)因發(fā)生碰撞而損失能量，這意味著薄膜生長(zhǎng)所需能量不但可以由離子提供，而且也可以由中性濺射原子提供。（3）微波-ECR等離子體離子能量低，對(duì)基片的損傷很小。（4）有可能在低溫下合成亞穩(wěn)態(tài)薄膜，為新材料的合成和制備提供了又一有力手段。第23頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四、脈沖激光濺射沉積(PLD)激光器靶基片第24頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

PLD第25頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月EquipmentTheprincipalcomponents:Targetholder(red)Substrateheater(yellow)Vacuumpumps(E)Pressuregauges(P)Gasvalves(N2andO2)Windows(OWandLW)Theparametersoflaser:wavelengthl=248nmmaximumpulseenergyEmax=600mJpulsedurationt=25ns第26頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月ApplicationsPulsedlaserdeposition(PLD)isapplicabletoalmostanymaterial,inparticulartocompoundsthataredifficultorimpossibletoproduceinthin-filmformbyothertechniques.Typicalexamplesarecomplexceramicmaterialssuchashigh-temperaturesuperconductors,andcertainmagneticmaterials(e.g.,yttriumirongarnet(YIG)andmagneticshape-memory(MSM)alloyNi-Mn-Ga).第27頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月五、分子束外延分子束外延(MBE)是在超高真空環(huán)境的一種薄膜沉淀技術(shù)。所謂“外延”是指在一定的單晶材料襯底上，沿著襯底的某個(gè)晶面方向生長(zhǎng)單晶薄膜。MBE是目前被廣泛使用的重要外延技術(shù)之一（外延技術(shù)主要包括氣相外延、液相外延、分子束外延）。第28頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月與其它的薄膜材料生長(zhǎng)技術(shù)相比，MBE的突出優(yōu)點(diǎn)有：（1）由于是在超高真空環(huán)境下，因此可以利用許多測(cè)試技術(shù)對(duì)薄膜的生長(zhǎng)作原位的監(jiān)測(cè)，如反射高能電子衍射（RHEED），俄歇電子能譜（AES）和X射線光電子能譜（XPS）等。（2）超高真空環(huán)境使得所生長(zhǎng)的薄膜具有很好的單晶質(zhì)量。（3）可通過(guò)控制束流來(lái)調(diào)節(jié)生長(zhǎng)速率，從而生長(zhǎng)出超薄薄膜。（4）在較低的生長(zhǎng)溫度下，可以避免異質(zhì)結(jié)界面的相互擴(kuò)散，從而在界面處能夠形成突變的結(jié)構(gòu)。第29頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

MBE生長(zhǎng)原理從分子束噴射爐中噴射出來(lái)的分子或原子達(dá)到襯底表面時(shí)，因表面力場(chǎng)的吸附作用而被襯底表面吸附，并經(jīng)遷移、再排列等若干動(dòng)力學(xué)過(guò)程，最后在適當(dāng)?shù)奈恢蒙厢尫懦銎療幔纬删Ш嘶蚣藿拥骄Ц窠Y(jié)點(diǎn)上，形成外延膜。部分能量較大的分子可能會(huì)從襯底表面重新脫附，重返氣相中。在一定條件下，吸附與解吸處于動(dòng)態(tài)平衡。如果分子達(dá)到襯底表面的速率小于襯底表面分子的再蒸發(fā)速率，襯底上將得不到外延沉積。只有分子達(dá)到速率大于再蒸發(fā)速率時(shí)，襯底上才會(huì)有外延沉積。第30頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月MBE設(shè)備第31頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月MBE生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)示意圖第32頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月雙室MBE系統(tǒng)示意圖第33頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月MBE設(shè)備第34頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月外延膜的晶格失配晶格失配度對(duì)外延博膜界面狀態(tài)的影響Si上外延GexSix-1時(shí)無(wú)位錯(cuò)外延層厚度隨Ge含量x的變化第35頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月六、化學(xué)氣相沉積（CVD）第36頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第37頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月化學(xué)氣相沉積過(guò)程第38頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月CVD系統(tǒng)第39頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月ThermalCVD第40頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

MOCVD第41頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月七、化學(xué)束外延（CBE）或金屬有機(jī)物-分子束外延（MOMBE）

化學(xué)束沉積（CBE）

采用與MOCVD相似的載流氣體和有機(jī)源以及MBE相似的高真空生長(zhǎng)室。第42頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月CBE生長(zhǎng)室示意圖第43頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月金屬有機(jī)物-分子束外延（MOMBE）Ga(CH3)3+AsH3

→GaAs+3CH4第44頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月光MOMBE系統(tǒng)第45頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月八、液相外延（LPE）液相外延是利用高溫下把被生長(zhǎng)元素飽和的母液與單晶襯底接觸，再以一定的速率降溫，形成母液生長(zhǎng)元素的過(guò)飽和，在襯底上沉積出一層與襯底晶格常數(shù)基本相同的單晶層。LPE已被廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件的制備。LPE生長(zhǎng)方法有四種：步冷法、平衡冷卻法、過(guò)冷法、二相法。第46頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月設(shè)備LPE設(shè)備簡(jiǎn)單，包括氫凈化系統(tǒng)，真空系統(tǒng)，精密控溫外延爐，石英管，多母液槽石墨舟等。第47頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月LPE的“舟”第48頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工藝條件生長(zhǎng)速率取決于母液的過(guò)冷度、生長(zhǎng)元素在母液中向襯底擴(kuò)散的速率、生長(zhǎng)時(shí)間和冷卻速率。步冷法步冷法適合于單一外延層的生長(zhǎng)。把在溫度T1下飽和的母液，冷卻到T2后，與襯底接觸，經(jīng)時(shí)間t后推出，外延層厚度d與步冷溫度T=T1-T2及生長(zhǎng)時(shí)間的關(guān)系為：d=k

Tt1/2

式中k為與生長(zhǎng)元素在母液中擴(kuò)散有關(guān)的常數(shù)。第49頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月平衡法平衡法是在溫度T下將飽和母液與襯底接觸后，以一定的溫降速率冷卻，經(jīng)過(guò)時(shí)間t后，把母液推出。生長(zhǎng)層厚度與各參數(shù)的關(guān)系為：d=kRt3/2過(guò)冷法過(guò)冷法生長(zhǎng)的厚度是前兩種之和：d=k

Tt1/2＋

kRt3/22323第50頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月九、溶膠－凝膠（sol-gel）法包括提拉法和甩膠法兩種工藝。適合于氧化物薄膜的制備。將成膜物質(zhì)溶解于有機(jī)溶劑中，制成有機(jī)溶膠。提拉法是將基片直接浸入溶膠中，然后按一定速率提起，溶膠均勻涂在基片表面。在一定溫度條件下，基片表面的溶膠將轉(zhuǎn)化成凝膠，并分解成氧化物。甩膠法是在勻膠機(jī)上進(jìn)行。將基片放在勻膠機(jī)上，并在基片表面上滴上溶膠，經(jīng)勻膠機(jī)的高速旋轉(zhuǎn)，在基片上均勻涂覆溶膠。第51頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月溶膠形成過(guò)程M-O-R+H2OM-OH+R-OH

(hydrolysis)

M-OH+HO-MM-O-M+H2O(watercondensation)

M-O-R+HO-MM-O-M+R-OH(alcoholcondensation)

(M=Si,Zr,Ti)第52頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第53頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第54頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月提拉法提拉法涂膜原理第55頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月提拉設(shè)備工作原理第56頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月提拉設(shè)備第57頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月勻膠法第58頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月勻膠設(shè)備勻膠機(jī)滴膠機(jī)左為勻膠機(jī)，右為滴膠機(jī)第59頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月小結(jié)薄膜的制備方法多，發(fā)展快；物理方法與化學(xué)方法各具特點(diǎn)。應(yīng)針對(duì)不同的材料特點(diǎn)，慎重選擇制備方法；軟化學(xué)方法制膜技術(shù)制備條件要求較低，適合制備復(fù)雜組分的薄膜材料，且成本低廉，具有很好的發(fā)展前景。第60頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第二節(jié)薄膜材料檢測(cè)技術(shù)薄膜的檢測(cè)包括成分檢測(cè)、結(jié)構(gòu)檢測(cè)和性能檢測(cè)等內(nèi)容。薄膜的厚度很小，一般在1微米以下，因此，薄膜的成分和結(jié)構(gòu)檢測(cè)可采用表面分析技術(shù)進(jìn)行。薄膜的性能檢測(cè)與薄膜的種類及其應(yīng)用領(lǐng)域有關(guān)。由于薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域繁多，其檢測(cè)方法也多種多樣，因此，這里將不作重點(diǎn)介紹。第61頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月表面分析技術(shù)

表面分析技術(shù)是人們?yōu)榱双@取表面的物理、化學(xué)等方面的信息而采用的一些實(shí)驗(yàn)方法和手段。一般地說(shuō)，它是利用一種探測(cè)束——如電子束、離子束、光子束、中性粒子束等，有時(shí)還加上電場(chǎng)、磁場(chǎng)、熱等的作用，來(lái)探測(cè)材料的形貌、化學(xué)組成、原子結(jié)構(gòu)、原子狀態(tài)、電子狀態(tài)等方面的信息。第62頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月表面分析原理SampleExcitationsourceEnergySelectorSignalDetectorEvent第63頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月分析技術(shù)及其適用范圍探測(cè)粒子發(fā)射粒子分析方法名稱簡(jiǎn)稱主要用途ee低能電子衍射LEED結(jié)構(gòu)ee反射式高能電子衍射RHEED結(jié)構(gòu)ee俄歇電子能譜AES成分ee掃描俄歇探針SAM微區(qū)成分ee電離損失譜ILS成分e能量彌散x射線譜EDXS成分ee俄歇電子出現(xiàn)電勢(shì)譜AEAPS成分e軟x射線出現(xiàn)電勢(shì)譜SXAPS成分ee消隱電勢(shì)譜DAPS成分ee電子能量損失譜EELS原子及電子態(tài)eI電子誘導(dǎo)脫附ESD吸附原子態(tài)及成分ee透射電子顯微鏡TEM形貌ee掃描電子顯微鏡SEM形貌ee掃描透射電子顯微鏡STEM形貌第64頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月各分析方法的工作方式探測(cè)粒子發(fā)射粒子分析方法名稱簡(jiǎn)稱主要用途II離子探針質(zhì)量分析IMMA微區(qū)成分II靜態(tài)次級(jí)離子質(zhì)譜SSIMS成分In次級(jí)中性離子質(zhì)譜SNMS成分II離子散射譜ISS成分、結(jié)構(gòu)II盧瑟福背散射譜RBS成分、結(jié)構(gòu)Ie離子中和譜INS最表層電子態(tài)I離子激發(fā)x射線譜IEXS原子及電子態(tài)第65頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月各分析方法的工作方式探測(cè)粒子發(fā)射粒子分析方法名稱簡(jiǎn)稱主要用途

ex射線光電子譜XPS成分、化合態(tài)

e紫外線光電子譜UPS分子及固體電子態(tài)

e同步輻射光電子譜SRPES成分、原子及電子態(tài)紅外吸收譜IR原子態(tài)拉曼散射譜RAMAN原子態(tài)

擴(kuò)展x射線吸收譜精細(xì)結(jié)構(gòu)SEXAFS結(jié)構(gòu)

角分辨光電子譜ARPES原子及電子態(tài)結(jié)構(gòu)

I光子誘導(dǎo)脫附譜PSD原子態(tài)第66頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月各分析方法的工作方式探測(cè)粒子發(fā)射粒子分析方法名稱簡(jiǎn)稱主要用途Ee場(chǎng)電子顯微鏡FEM結(jié)構(gòu)EI場(chǎng)離子顯微鏡FIM結(jié)構(gòu)EI場(chǎng)離子顯微鏡-原子探針AP-FIM結(jié)構(gòu)及成分Ee場(chǎng)電子發(fā)射能量分布FEED電子態(tài)Ee掃描隧道顯微鏡STM形貌Tn熱脫附譜TDS原子態(tài)n中性粒子碰撞誘導(dǎo)輻射SCANIIR成分n

n分子束散射MBS結(jié)構(gòu)、原子態(tài)AWAW聲顯微鏡AM形貌原子力顯微鏡AFM形貌第67頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月部分表面分析設(shè)備的分析范圍第68頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月各分析技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域及其效果XPSAESILSISSRBSSIMS測(cè)氫NoNoNoNoNoYes元素靈敏度均勻性GoodGoodBadGoodGoodBad最小可檢測(cè)靈敏度10-2-10-310-2-10-310-910-2-10-310-2-10-310-4-10-5定量分析GoodYesBadBadGoodBad化學(xué)態(tài)判斷GoodYesYesBadBadBad譜峰分辨率GoodGoodGoodBadBadGood識(shí)譜難易GoodGoodGood---表面探測(cè)深度MLsMLsMLsMLML-mML-MLs空間分辨率BadGoodGoodBadBadGood無(wú)損檢測(cè)YesYesYesNoYesYes理論數(shù)據(jù)完整性GoodYesBadYesGoodBadXPS:x射線光電子譜;AES:俄歇電子能譜;ILS:電離損失譜;ISS:離子散射譜;RBS:盧瑟福背散射譜;SIMS:靜態(tài)次級(jí)離子質(zhì)譜第69頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月薄膜厚度測(cè)定第70頁(yè)，課件共76頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月橢偏儀法橢偏儀法是利用橢圓偏振光在薄膜表面反射時(shí)會(huì)改變偏振狀態(tài)的現(xiàn)象來(lái)測(cè)量薄膜的厚