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第一章嵌入式處理器1嵌入式系統(tǒng)的概念組成:定義:以應(yīng)用為主,以計(jì)算機(jī)技術(shù)為基礎(chǔ),軟硬件可裁剪,滿足系統(tǒng)對(duì)功能、性能、可靠性、體積和功耗有嚴(yán)格要求的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。組成:硬件:處理器、存儲(chǔ)器、I/O設(shè)備、傳感器軟件:①系統(tǒng)軟件,②應(yīng)用軟件。2.嵌入式處理器分類特點(diǎn):分類:①M(fèi)PU(MicroProcessorUnit)微處理器。一塊芯片,沒(méi)有集成外設(shè)接口。內(nèi)部主要由運(yùn)算器,控制器,寄存器組成。②MCU(MicroControllerUnit)微控制器(單片機(jī))。一塊芯片集成整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。③EDSP(EmbledDigitalSignalProcessor)數(shù)字信號(hào)處理器。運(yùn)算速度快,擅長(zhǎng)于大量重復(fù)數(shù)據(jù)處理④SOC(SystemOnChip)偏上系統(tǒng)。一塊芯片,內(nèi)部集成了MPU和某一應(yīng)用常用的功能模塊3.嵌入式處理器與通用計(jì)算機(jī)處理器的區(qū)別:①嵌入式處理器種類繁多,功能多樣②嵌入式處理器能力相對(duì)較弱,功耗低③嵌入式系統(tǒng)提供靈活的地址空間尋址能力④嵌入式系統(tǒng)集成了外設(shè)接口4.①哈佛體系結(jié)構(gòu):指令和數(shù)據(jù)分開(kāi)存儲(chǔ)————————(嵌入式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu))CPUCPU指令存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器①③地址總線②數(shù)據(jù)總線③地址總線④數(shù)據(jù)總線特征:在同一機(jī)器周期內(nèi)指令和數(shù)據(jù)同時(shí)傳輸②馮·諾依曼體系結(jié)構(gòu):指令和數(shù)據(jù)共用一個(gè)存儲(chǔ)器——(通用式存數(shù)結(jié)構(gòu))CPUCPU指令/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器①③⑤地址總線②④數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(多字節(jié)):大端方式:低地址存高位;小端方式:高地址存高位6.ARM指令集命名:V1~V8(ARMV表示的是指令集)7.ARM內(nèi)核命名:.命名規(guī)則:ARM{x}{y}{z}{T}{D}{M}{I}{E}{J}{F}{S}{x}——系列(版本){y}——當(dāng)數(shù)值為“2”時(shí),表示MMU(內(nèi)存管理單元){z}——當(dāng)數(shù)值為“0”時(shí),表示緩存Cache{T}——支持16位Thumb指令集{D}——支持片上Debug(調(diào)試){M}——內(nèi)嵌硬件乘法器{I}——內(nèi)嵌ICE(在線仿真器)——支持片上斷點(diǎn)及調(diào)試點(diǎn){E}——支持DSP指令{J}——支持Jazzle技術(shù){F}——支持硬件浮點(diǎn){S}——可綜合版本8. JTAG調(diào)試接口的概念及作用:①概念:(JointTestActionGroup)聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)小組→檢測(cè)PCB和IC芯片標(biāo)準(zhǔn)。(PCB→印刷電路板IC→集成芯片)②作用(1)硬件基本功能測(cè)試讀寫(2)軟件下載:將運(yùn)行代碼下載到目標(biāo)機(jī)RAM中(3)軟件調(diào)試:設(shè)置斷點(diǎn)和調(diào)試點(diǎn)(4)FLASH燒寫:將運(yùn)行最終代碼燒寫到FLASH存儲(chǔ)器中。9.GPIO概念:(GeneralPurposeI/OPorts)通用輸入/輸出接口,即處理器引腳。10.S3C2410/S3C2440GPIO引腳S3C2410共有117個(gè)引腳,可分成A——H共8個(gè)組,(GPA,GPB,…GPH組)S3C2440共有130個(gè)引腳,可分成A——J共9個(gè)組,(GPA,GPB,…,GPH,GPJ組)11.GPxCON寄存器,GPxDAT寄存器,GpxUP寄存器的功能,各位含義和用法①GPxCON寄存器(控制寄存器)——設(shè)置引腳功能→GPACON(A組有23根引腳,一位對(duì)應(yīng)一個(gè)引腳,共32位,拿出0~22位,其余沒(méi)用)(若某一位是)0:(代表該位的引腳是一個(gè))輸出引腳1:地址引腳→GPBCON——GPH/JCON(用法一致,兩位設(shè)置一個(gè)引腳) 00:輸入引腳01:輸出引腳 10:特殊引腳11:保留不用GPBCON3110……01②GPxDAT寄存器(數(shù)據(jù)寄存器)——設(shè)置引腳狀態(tài)及讀取引腳狀態(tài)若某一位對(duì)應(yīng)的是輸出引腳,寫此寄存器相應(yīng)位可令引腳輸出高/低電平。若某一位對(duì)應(yīng)的是輸入引腳,讀取此寄存器可知相應(yīng)引腳電平狀態(tài)。GPBDAT3110……GPB1GPB0③GpxUP——上拉電阻寄存器0:相應(yīng)引腳使用內(nèi)部上拉電阻1:相應(yīng)引腳不適用內(nèi)部上拉電阻K1閉合,GPB11低電平K1斷開(kāi),GPB11高電平GPGDAT11位,當(dāng)GPB11為0時(shí),低電平;當(dāng)GPG11為1時(shí),高電平。#defineGPBCON(*(volatileunsignedlong*)0x56000010)#defineGPBDAT(*(volatileunsignedlong*)0x56000014)#defineGPGCON(*(volatileunsignedlong*)0x56000050)#defineGPGDAT(*(volatileunsignedlong*)0x56000054)#defineGPFCON(*(volatileunsignedlong*)0x56000060)#defineGPFDAT(*(volatileunsignedlong*)0x56000064)#defineGPB5_OUT1<<(5*2)#defineGPB6_OUT1<<(6*2)#defineGPB7_OUT1<<(7*2)#defineGPB8_OUT1<<(8*2)#defineGPG11_IN~(3<<(11*2))#defineGPG3_IN~(3<<(3*2))#defineGPF2_IN~(3<<(2*2))#defineGPF0_IN~(3<<(0*2))intmain(){unsignedlongdwDat;GPBCON=GPB5_OUT|GPB6_OUT|GPB7_OUT|GPB8_OUT;GPGCON=GPG11_IN&GPG3_IN;GPFCON=GPF2_IN&GPF0_IN;while(1){dwDat=GPGDAT;if(dwDat&(1<<11))//如果表達(dá)式為真值,表示K1沒(méi)被按下,與GPG11相連GPBDAT|=(1<<5);//LED1熄滅elseGPBDAT&=~(1<<5);//LED1點(diǎn)亮if(dwDat&(1<<3))//如果表達(dá)式為真值,表示K2沒(méi)被按下,與GPG3相連GPBDAT|=(1<<6);//LED2熄滅elseGPBDAT&=~(1<<6);//LED2點(diǎn)亮if(dwDat&(1<<2))//如果表達(dá)式為真值,表示K3沒(méi)被按下,與GPF2相連GPBDAT|=(1<<7);//LED3熄滅elseGPBDAT&=~(1<<7);//LED3點(diǎn)亮if(dwDat&(1<<0))//如果表達(dá)式為真值,表示K4沒(méi)被按下,與GPF0相連GPBDAT|=(1<<8);//LED4熄滅elseGPBDAT&=~(1<<8);//LED4點(diǎn)亮}return0;}嵌入式存儲(chǔ)器1.嵌入式存儲(chǔ)器的分類,特點(diǎn)一、分類一、分類SRAM:靜態(tài)隨即存儲(chǔ)器(cache)存取速度會(huì)計(jì),容量小,造價(jià)高,不需刷新DRAM:動(dòng)態(tài)隨即存儲(chǔ)器(內(nèi)存)造價(jià)低,存取速度稍慢,存儲(chǔ)單元需刷新SDRAM:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器步時(shí)鐘(上升沿或下降沿存取數(shù)據(jù))DDRSDRAM:(DualDataRate雙倍速率)(上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù))FLASH:閃存(外存)速度慢,容量大,造價(jià)低NANDFLASH:與非閃存東芝數(shù)據(jù)NORFLASH:或非閃存Intel代碼2.SRAM存儲(chǔ)電路:寫數(shù)據(jù):選通信號(hào)為高電平,T5,T6導(dǎo)通如果寫1,D發(fā)出高電平,D#發(fā)低電平當(dāng)選通信號(hào)失效,T1截止,T2導(dǎo)通,T3,T4做負(fù)載使用T4的內(nèi)阻>>T2內(nèi)阻T3的內(nèi)阻>>T1內(nèi)阻Q為高電平,由Vcc提供Q#為低電平,由接地端提供寫1以及讀取同理。3.SDRAM芯片按BANK劃分的優(yōu)點(diǎn):1)提高存儲(chǔ)器訪問(wèn)速度2)節(jié)能4.SDRAM讀操作:1)發(fā)送行地址和行選通信號(hào)tRCD(表示行地址發(fā)出到列地址發(fā)出的時(shí)間間隔)2)發(fā)送列地址和列選通信號(hào),以及數(shù)據(jù)讀命令,從命令發(fā)出到數(shù)據(jù)出現(xiàn)在總線上有延遲,這個(gè)延遲成為CAS延遲。用CL表示。5.SDRAM寫操作1)發(fā)送行地址和行選通新號(hào)tRCD2)發(fā)送到列地址和列選通新號(hào),以及寫命令,同時(shí)數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)總線傳給芯片,不存在CL延時(shí)。6.SDRAM突發(fā)傳輸(Burst)作用;可以實(shí)現(xiàn)同一行的相鄰存儲(chǔ)單元連續(xù)傳輸,只需指定起始列地址和突發(fā)長(zhǎng)度,內(nèi)存芯片自動(dòng)對(duì)后面相應(yīng)數(shù)量存儲(chǔ)單元進(jìn)行連續(xù)讀寫操作且不需要重復(fù)提供列地址。T1T1T2T3T4T5T6命令地址CL=2讀列地址aa+1a+2讀列a+3T7bBL=4→突發(fā)長(zhǎng)度CL=2→兩個(gè)時(shí)鐘周期7.NorFLASH——(特點(diǎn):讀的快,寫的慢)1).W39L040A介紹512K×8NorFLASH芯片控制邏輯控制邏輯數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)地址譯碼存儲(chǔ)體D0-D7片選CE#A0-A18讀OE#寫WE#2).讀操作:(1)讀普通數(shù)據(jù):CE#低,OE#低,WE#高A0-A18發(fā)地址,數(shù)據(jù)被送往D0-D7(2)讀廠家ID:CE#低,OE#低,WE#高A9~12V,A1A000b(3)讀器件ID:CE#低,OE#低,WE#高A9~12V,A1A001b3).擦除操作(必須先擦除后寫),寫數(shù)據(jù)“1”(1)整片擦出:CE#低,OE#高,WE#低,發(fā)出6個(gè)總線周期暗號(hào)地址線:5555h——2AAAh——5555h——5555h——2AAAh——5555h數(shù)據(jù)線:AAh——55h——80h——AAh——55h——10h發(fā)送完畢,芯片自動(dòng)執(zhí)行擦除操作,用時(shí)約6s(2)塊擦除:CE#低,OE#高,WE#低,發(fā)出6個(gè)總線周期暗號(hào)地址線:5555h——2AAAh——5555h——5555h——2AAAh——SA數(shù)據(jù)線:AAh——55h——80h——AAh——55h——30hSA表塊地址,擦除時(shí)間約0.7s4).寫操作(字節(jié)編程)將1變?yōu)椤?”CE#低,OE#高,WE#低,發(fā)出4個(gè)總線周期暗號(hào)地址線:5555h——2AAAh——5555h——AIN數(shù)據(jù)線:AAh——55h——A0h——DIN發(fā)送完畢,芯片自動(dòng)執(zhí)行字節(jié)編程(燒寫),最快9μs8.NANDFLASH特點(diǎn):無(wú)單獨(dú)的地址總線和數(shù)據(jù)總線,地址、數(shù)據(jù)以及命令共用一個(gè)I/O總線1.K9F1208X0C介紹①包含4096個(gè)存儲(chǔ)塊,每塊32頁(yè),每頁(yè)(512+16)字節(jié)512代表主存儲(chǔ)區(qū)(用戶數(shù)據(jù)),16代表備用存儲(chǔ)區(qū)(EEC)21225(29+24)=226+221=64M+2M②頁(yè)是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及讀寫基本單位2).寫操作(頁(yè)編程)200μs80h→4個(gè)周期地址→寫數(shù)據(jù)到頁(yè)寄存器→10h→芯片自動(dòng)寫入通過(guò) R/B#(高結(jié)束) FLASH狀態(tài)寄存器第6位(1結(jié)束) CPU通過(guò)FLASH狀態(tài)寄存器第0位判斷是否成功(0成功)3).塊擦除4096塊=21260h→3個(gè)周期地址→D0h→芯片自動(dòng)擦出4).塊保護(hù)命令 41h:禁止寫42h:禁止擦出43h:禁止寫和擦出41h~43h→80h→塊地址(4個(gè)周期)→10h→芯片自動(dòng)執(zhí)行 5).器件ID讀操作90h→00h→廠家ID、器件ID、第三附屬ID、第四附屬ID9、NorFLASH和NANDFLASH比較(必考?。。?!10分左右)①接口差別: NOR提供足夠的地址引腳尋址;NAND采用8個(gè)位引腳傳遞命令、地址和數(shù)據(jù)。②性能差別: NOR地址線和數(shù)據(jù)線分開(kāi),傳輸效率高,讀取速度比NAND快,但擦出和寫入速度要比NAND慢得多。③容量和成本:NAND容量大于NOR容量,成本低與NOR。④可靠性和耐用性:NAND擦寫次數(shù)約為100萬(wàn)次,NOR約為10萬(wàn)次;尺寸上NAND比NOR小8倍,NAND容易發(fā)生位翻轉(zhuǎn),可靠性略差。⑤軟件支持:在NOR上運(yùn)行代碼不需要任何軟件支持;在NAND上進(jìn)行同樣操作需要驅(qū)動(dòng)程序,即內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)⑥市場(chǎng)取向比較:NOR用于對(duì)數(shù)據(jù)可靠性要求比較高的代碼存儲(chǔ)應(yīng)用,如通信產(chǎn)品和網(wǎng)路處理等領(lǐng)域;NAND則用于存儲(chǔ)容量較高的MP3、存儲(chǔ)卡等領(lǐng)域10、S3C2410/S3C2440地址空間劃分邏輯地址空間:232=4G外部地址空間:1G0x0000_0000~0x4000_0000(_用于4位一區(qū)分,只是個(gè)符號(hào),無(wú)具體意義)內(nèi)部地址空間:3G(寄存器地址范圍0x4800_0000~0x5FFF_FFFF,剩余空間閑置)1).外部地址空間劃分閑置——128MBANK7SDRAM64M0x3000000~0x33FFFFFF——128MBANK6擴(kuò)展串口AB——128MBANK510/100M網(wǎng)卡——128MBANK410M網(wǎng)卡——128MBANK3IDE接口控制塊寄存器16字節(jié)——128MBANK2IDE接口命令寄存器16字節(jié)——128MBANK1NorFLah2M0x00000000~0x00FFFFFF——128MBANK0CPU提供8個(gè)片選引腳nGCS0~nGCS7128M=227CPU又引出27根引腳用于地址選擇S3C2410 GPIO 117 其余全為專用引腳 2722).內(nèi)部地址空間存儲(chǔ)控制器(SDRAM):0x4800_0000~0x4800_0030中斷控制器:0x4A00_0000~0x4A00_001CNANDFLASH:0x4E00_0000~0x4E00_0014UART:0x5000_0000~0x5000_8028USB:0x5200_0140~0x5200_026FI2C:0x5400_0000~0x5400_000CA/D:0x5800_0000~0x5800_001011.MMU內(nèi)存管理單元作用①將虛擬地址轉(zhuǎn)換為物理地址②控制內(nèi)存訪問(wèn)權(quán)限12.MMU地址轉(zhuǎn)換原理一級(jí)頁(yè)表項(xiàng)類型細(xì)頁(yè)表1024頁(yè)表項(xiàng)210粗頁(yè)表256項(xiàng)28無(wú)效00無(wú)效00錯(cuò)誤31物基2010段類型31粗頁(yè)表基地址1001粗頁(yè)表類型31細(xì)頁(yè)表基地址1211細(xì)頁(yè)表類型二級(jí)頁(yè)表(粗頁(yè)表)細(xì)頁(yè)表項(xiàng)無(wú)效00無(wú)效00錯(cuò)誤31物基1601大頁(yè)類型31物基1210小頁(yè)類型31物基1011微小頁(yè)類型第三章中斷體系結(jié)構(gòu)1.ARM處理器的7種工作模式 ①用戶模式:正常②快速中斷模式:FIQ③中斷模式:IRQ④管理模式⑤數(shù)據(jù)訪問(wèn)中止模式⑥系統(tǒng)模式 ⑦未定義指令中止模式2.CPSR寄存器NNZCVIFT40......765N:運(yùn)算結(jié)果是否為負(fù)Z:運(yùn)算結(jié)果是否為0C:進(jìn)位/借位V:溢出I:1:禁止中斷0:使能中斷F:1:禁止快中斷0:使能T:1:Thumb狀態(tài)0:ARM狀態(tài)4...0:工作模式: 10000用戶 10001快中 10010中斷3.中斷處理過(guò)程①中斷控制器匯聚中斷信號(hào),通知CPU②CPU保存運(yùn)行環(huán)境,調(diào)用ISR(中斷服務(wù)程序)處理中斷③ISR讀取中斷控制器,識(shí)別中斷流并執(zhí)行相應(yīng)處理④清除中斷,恢復(fù)現(xiàn)場(chǎng),繼續(xù)執(zhí)行4.優(yōu)先級(jí)寄存器(PRIORITY)66543210......RINT0871920ARB_MODE6ARB_SEL6ARB_SEL0312831282722211615109430REQ4~REQ1REQ5~REQ0REQ5~REQ0REQ5~REQ0REQ5~REQ0REQ4~REQ1664664ARBITER5ARBITER4ARBITER3ARBITER2ARBITER1ARBITER0REQ5REQ4REQ3REQ2REQ1REQ0 ARBIIER6ARB_MODE設(shè)置仲裁器工作模式0:ARB_SEL不變 (表示設(shè)置仲裁器工作模式屏蔽)1:ARB_SEL自動(dòng)變化ARB_SEL高→低00REQ0>1>2>3>4>501REQ0>2>3>4>1>510REQ0>3>4>1>2>511REQ0>4>1>2>3>5已被服務(wù)的REQxARB_SEL新值REQ0/REQ5不變REQ101REQ210REQ311REQ400第四章系統(tǒng)時(shí)鐘與定時(shí)器1、S3C2410/2440時(shí)鐘分類①FCLK CPU核時(shí)鐘主頻②HCLK AHB總線 AdvancedHigh-PerformanceBus高性能總線 存儲(chǔ)控制器 LCD控制器 DMA控制器 USB等③PCLK APB總線 AdvancedPeripheralBus 低頻總線 WATCHDOGI2C UART PWM定時(shí)器...2.FCLK的生成 Ⅰ)上電 PLL沒(méi)有啟動(dòng) FCLK=Fin Ⅱ)系統(tǒng)穩(wěn)定 引導(dǎo)程序開(kāi)始執(zhí)行,可以在引導(dǎo)程序開(kāi)始啟動(dòng)MPLL,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間(LockTime),MPLL輸出穩(wěn)定,CPU工作在FCLK下3.FCLK計(jì)算公式:晶振頻率:Fin=12MHZ—PLL—倍頻→FCLK4.S3C2410/2440定時(shí)器結(jié)構(gòu)圖PCLKPCLK8位預(yù)分頻器0定時(shí)器01/21/41/81/16TCLK08位預(yù)分頻器11/21/41/81/16TCLK1定時(shí)器1定時(shí)器2定時(shí)器4定時(shí)器3Tout0Tout1Tout2Tout3Tout4(0~255)TCLK0,TCLK1外部時(shí)鐘源定時(shí)器工作時(shí)鐘6.WATCHDOG定時(shí)器結(jié)構(gòu)圖WTCON[2]PCLKWTCON[2]PCLK8位預(yù)分頻器01/161/321/641/128WTCNT減1計(jì)數(shù)WTDAT復(fù)位信號(hào)發(fā)生器RESET中斷信號(hào)WTCON[15:8]WTCON[4:3]WTCON[5]啟動(dòng)看門狗1:?jiǎn)?dòng)0:不啟動(dòng)WTCON[0]是否發(fā)出復(fù)位信號(hào)1:發(fā)出0:不發(fā)喂狗:定時(shí)設(shè)置WTCNT的值使其不為0,防止系統(tǒng)重啟5.定時(shí)器內(nèi)部控制邏輯圖TCMPBnTCMPBnTCNTBn比較TCMPnTCNTnTCDNTCNTOn減1計(jì)數(shù)當(dāng)前比較值當(dāng)前計(jì)數(shù)值控制定時(shí)器比較值初值計(jì)數(shù)值初值獲取當(dāng)前計(jì)數(shù)值①工作流程 1)設(shè)置TCMPBn和TCNTBn (決定占空比) 2)將TCMPBn和TCNTBn傳遞給TCMPn和TCNTn(手動(dòng)),啟動(dòng)定時(shí)操作,TCNTn減1計(jì)數(shù),當(dāng)前計(jì)數(shù)值可通過(guò)TCNTOn讀出 3)當(dāng)TCNTn=TCMPn輸出端Toutn反轉(zhuǎn),TCNTn繼續(xù)減1計(jì)數(shù) 4)當(dāng)TCNTn減到0時(shí),Toutn再次發(fā)生反轉(zhuǎn),并觸發(fā)定時(shí)器中斷 5)dangTCNTn=0時(shí),如果TCON寄存器蔣定時(shí)期n設(shè)為“自動(dòng)加載”,那么TCMPBn和TCNTBn的值被自動(dòng)載入,TCMPn和TCNTn中,下一輪計(jì)數(shù)開(kāi)啟 (自動(dòng)加載不包括第一次)第五章同步異步收發(fā)器(UART)1.幀:起始位+數(shù)據(jù)位+校驗(yàn)位+停止位起始位:1位數(shù)據(jù)位:5,6,7,8校驗(yàn)位:可選奇校驗(yàn)(“1”校驗(yàn)),偶校驗(yàn)(“0”校驗(yàn))停止位:1或者2位發(fā)送“101”SDASCLSDASCL101SACKP規(guī)則:當(dāng)SCL為高電平,有的設(shè)備將SDA拉高,有的設(shè)備將SDA拉低,發(fā)出高電平的設(shè)備將退出競(jìng)爭(zhēng)。二、幀的傳輸0100000101101000001011空閑空閑幀-12V-3V0V3V12V起始位字節(jié)最低位字節(jié)最高位LSBMS
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