MOS絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解

。。絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解絕緣柵型場效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體外表的電場效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少轉(zhuǎn)變導(dǎo)電溝道來掌握漏極電流的絕緣柵型場效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體外表的電場效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少轉(zhuǎn)變導(dǎo)電溝道來掌握漏極電流的1000000000Ω。增加型：VGS=0VDS作用下無iDVGS=0VDSiD。構(gòu)造和符號〔以N溝道增加型為例〕在一塊濃度較低的P型硅上集中兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體外表掩蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。NMOS12.2.工作原理〔N〕VGS=0VDSPNVGS=0，ID=0VGS0VGS>0Sio2PVGSPNVGS>0→gVGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑2↑VT：開啟電壓，在VDSVGS°，VT=VGS—VDS(4)VGS>0VDSVDS↑→ID不變3。。63、NMOSPMOS在實際工程中，我們根本都用增加型mosNP我們常用的是NMOS，由于其導(dǎo)通電阻小，且簡潔制造。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載〔如馬達(dá)〕，這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS3.1．導(dǎo)通特性NMOS的特性，Vgs大于肯定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的狀況〔低端驅(qū)動〕，只要柵極電壓到達(dá)4V10VPMOS，VgsVCC〔高端驅(qū)動〕。但是，雖然PMOSNMOS。按溝道材料型和絕緣柵型各分按溝道材料型和絕緣柵型各分NPMOSMOSN;P4.2.MOS3.2．MOS3.2．MOS不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這局部消耗的能MOSMOS幾毫歐的也有。MOS在導(dǎo)通和截止的時候，肯定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越高，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種方法都可以減小開關(guān)損失。3.1．MOS跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于肯定的值，就可以了。這個很簡潔做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的構(gòu)造中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS驅(qū)動時第一要留意的是可供給瞬間短路電流的大小。NMOSMOS時源極電壓與漏極電壓〔VCC〕一樣，所以這時柵極電壓要比VCC4V或10V。假設(shè)在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。4、MOS4.1．MOSMOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中