標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 31958-2023 非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃》與《GB/T 31958-2015 薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃》相比,在內(nèi)容上有以下主要變更:
-
標(biāo)準(zhǔn)名稱的調(diào)整:新版本的標(biāo)準(zhǔn)名稱明確指出了適用對(duì)象為“非晶硅”薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃,更加具體地界定了該標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍。
-
術(shù)語和定義部分更新:根據(jù)技術(shù)發(fā)展情況及市場(chǎng)需求變化,《GB/T 31958-2023》對(duì)相關(guān)術(shù)語進(jìn)行了修訂或新增,以確保表述更準(zhǔn)確、全面覆蓋當(dāng)前行業(yè)內(nèi)的專業(yè)詞匯和技術(shù)概念。
-
性能指標(biāo)要求提高:新版標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)基板玻璃的各項(xiàng)物理化學(xué)性能提出了更為嚴(yán)格的要求。例如,在抗彎強(qiáng)度、熱膨脹系數(shù)等方面設(shè)定了更高的標(biāo)準(zhǔn)值,旨在促進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量提升。
-
測(cè)試方法優(yōu)化:對(duì)于某些關(guān)鍵參數(shù)的檢測(cè)方法,《GB/T 31958-2023》引入了更為先進(jìn)可靠的實(shí)驗(yàn)手段,并細(xì)化了操作步驟說明,增強(qiáng)了測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。
-
增加了環(huán)保要求:考慮到可持續(xù)發(fā)展理念日益受到重視,《GB/T 31958-2023》特別增加了關(guān)于材料回收利用以及生產(chǎn)過程中節(jié)能減排的相關(guān)規(guī)定,體現(xiàn)了對(duì)環(huán)境保護(hù)的關(guān)注。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-08-06 頒布
- 2024-03-01 實(shí)施




文檔簡(jiǎn)介
ICS8104030
CCSQ.34.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T31958—2023
代替GB/T31958—2015
非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器用
基板玻璃
Substrateglassforamorphoussiliconthinfilmtransistorliquid
crystaldisplaydevice
2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T31958—2023
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃與相
GB/T31958—2015《》,GB/T31958—2015
比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下
,,:
刪除了點(diǎn)狀缺陷表面污染劃傷掉片缺角有效區(qū)的術(shù)語和定義見年版的
a)、、、、、(20153.1~3.5、
更改了定位角直角度的定義見年版的
3.11),、(3.4、3.6,20153.12、3.14);
更改了外觀質(zhì)量的要求見年版的
b)(4.1,20154.1);
更改了長(zhǎng)度偏差寬度偏差的要求見年版的
c)、(4.2.1,20154.2.1);
更改了厚薄差的要求見年版的
d)(4.2.3,20154.2.2);
更改了切角偏差定位角偏差的要求見年版的
e)、(4.2.4,20154.2.3);
更改了波紋度翹曲的要求見年版的
f)、(4.3、4.5,20154.3、4.4);
增加了表面粗糙度的要求見
g)(4.4);
增加了導(dǎo)熱系數(shù)軟化點(diǎn)退火點(diǎn)再熱線收縮率應(yīng)力彈性模量體積電阻率介電常數(shù)介電
h)、、、、、、、、
損耗的性能要求見
(4.6);
更改了平均線熱膨脹系數(shù)密度應(yīng)變點(diǎn)的性能指標(biāo)見年版的
i)、、(4.6,20154.5~4.7);
更改了化學(xué)耐久性的性能指標(biāo)見年版的
j)(4.6,20154.9);
更改了外觀質(zhì)量的試驗(yàn)方法見年版的
k)(5.2,20155.2);
更改了厚度測(cè)量示意圖見年版的
l)(5.3.2,20155.3.2);
更改了定位角切角測(cè)量示意圖見年版的
m)、(5.3.3,20155.3.3);
更改了直角度的試驗(yàn)方法及測(cè)量示意圖見年版的
n)(5.3.4,20155.3.4);
更改了波紋度的試驗(yàn)方法見年版的
o)(5.4,20155.4);
增加了表面粗糙度導(dǎo)熱系數(shù)軟化點(diǎn)退火點(diǎn)再熱線收縮率應(yīng)力彈性模量體積電阻率介
p)、、、、、、、、
電常數(shù)介電損耗的試驗(yàn)方法見
、(5.5、5.7、5.9、5.10、5.12、5.14、5.15、5.17~5.19);
更改了翹曲的試驗(yàn)方法見年版的
q)(5.6,20155.5);
更改了平均線熱膨脹系數(shù)的試驗(yàn)方法見年版的
r)(5.8,20155.6);
更改了應(yīng)變點(diǎn)的試驗(yàn)方法見年版的
s)(5.11,20155.8);
更改了密度的試驗(yàn)方法見年版的
t)(5.13,20155.7);
更改了透射比的試驗(yàn)方法見年版的
u)(5.16,20155.9);
更改了化學(xué)耐久性的試驗(yàn)方法見年版的
v)(5.20,20155.10);
更改了堿金屬氧化物含量的試驗(yàn)方法見年版的
w)(5.21,20155.11);
增加了單項(xiàng)判定內(nèi)容包括表面粗糙度理化性能所列項(xiàng)目見
x),、(6.3.4.1);
更改了運(yùn)輸和貯存的要求見和年版的和
y)(7.37.4,20157.37.4)。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出
。
本文件由全國(guó)工業(yè)玻璃和特種玻璃標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC447)。
本文件起草單位彩虹集團(tuán)有限公司中建材玻璃新材料研究院集團(tuán)有限公司彩虹顯示器件股份
:、、
有限公司蚌埠中光電科技有限公司中國(guó)國(guó)檢測(cè)試控股集團(tuán)股份有限公司北京工業(yè)大學(xué)玻璃新材料
、、、、
創(chuàng)新中心安徽有限公司東旭集團(tuán)有限公司彩虹集團(tuán)邵陽特種玻璃有限公司深圳市宇創(chuàng)顯示科
()、、()、
Ⅰ
GB/T31958—2023
技有限公司湖南邵虹特種玻璃股份有限公司
、。
本文件主要起草人仵小曦曹志強(qiáng)金良茂李淼田英良李俊杰官敏李青薛新建趙金寶
:、、、、、、、、、、
劉正茂沈玉國(guó)張曉東徐莉華趙志永國(guó)麗段美江胡恒廣高羽李娜孫龍文樊波
、、、、、、、、、、、。
本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂
2015,。
Ⅱ
GB/T31958—2023
非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器用
基板玻璃
1范圍
本文件規(guī)定了非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則包裝標(biāo)志
,,,、、
運(yùn)輸和貯存
。
本文件適用于非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃以下簡(jiǎn)稱基板玻璃的設(shè)計(jì)生產(chǎn)研發(fā)
(“”)、、
和測(cè)試
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
測(cè)量電氣絕緣材料在工頻音頻高頻包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)
GB/T1409、、()
的推薦方法
纖維玻璃化學(xué)分析方法
GB/T1549
建筑玻璃可見光透射比太陽光直接透射比太陽能總透射比紫外線透射
GBT2680—2021、、、
比及有關(guān)窗玻璃參數(shù)的測(cè)定
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣
GB/T2828.1—20121:(AQL)
計(jì)劃
玻璃密度測(cè)定浮力法
GB/T5432
照明測(cè)量方法
GB/T5700—2008
玻璃平均線熱膨脹系數(shù)的測(cè)定
GB/T16920
玻璃軟化點(diǎn)測(cè)試方法
GB/T28195
固體絕緣材料介電和電阻特性第部分電阻特性方法
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