DB44-T 1630-2015 3528 5050 封裝型片式發(fā)光二極管

41備案號(hào)：48826-2016

DB44

3528/5050

封裝型片式發(fā)光二極管2015-07-01

廣東省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局

發(fā)布DB44/T

目 次5.5

可焊性…………………105.6

高溫貯存………………105.7

低溫貯存………………105.8

溫度循環(huán)………………105.9

耐冷熱沖擊……………105.10

電老煉…………………106

試驗(yàn)方法……………………116.1

試驗(yàn)條件………………116.2

外觀檢查………………116.3

尺寸測(cè)定………………116.4

光電性能試驗(yàn)…………………………116.5

可焊性試驗(yàn)……………116.6

高溫貯存試驗(yàn)…………………………116.7

低溫貯存試驗(yàn)…………………………116.8

溫度循環(huán)試驗(yàn)…………………………126.9

耐冷熱沖擊試驗(yàn)………………………126.10

電老煉試驗(yàn)……………127

檢驗(yàn)規(guī)則……………………127.1

出廠檢驗(yàn)………………128.1

標(biāo)志……………………128.2

包裝……………………138.3

運(yùn)輸……………………138.4

貯存……………………13DB44/T

前 言

LEDDB44/T

封裝型片式發(fā)光二極管

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了3528、5050封裝型片式發(fā)光二極管的術(shù)語和定義、型號(hào)、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)

規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本

GB/T

2828.1

GB/T

2900.65電工術(shù)語

照明

術(shù)語和定義GB/T

2900.65

Mounted

Light

Emitting

Diode

(SMD

LED)單色片式發(fā)光二極管

Mounted

Devices

Light

Emitting

Diode全彩片式發(fā)光二極管

Light

Emitting

Diode

黑色表面的片式發(fā)光二極管

face

Surface

Mounted

Light

Emitting

Diode

型號(hào)LED

LED

DB44/T

4.1

片式發(fā)光二極管 4.2

名詞解析

表示超高亮度，140mcd

以上用字母“

要求

外觀

尺寸

3528

規(guī)定（外形尺寸見圖

表1表1LED

LED

LED

LED

B1B2L4L1B3B1B2L4L1B1B2L4L1B3B1B2L4L1DB44/T

1（續(xù)）A

1（續(xù)）A

2

L

3L

2

表2A

1A

2

L

3L

2圖2L1B2A2B1L1B2A2B1DB44/T

5050

規(guī)定（外形尺寸見圖

表3A1表3L2圖35.3

電氣性能

3528

缺口A

線路B

線路圖4

LED應(yīng)采用

“A線路”的

3528

DB44/T

缺口

圖5

5050

3 421

56缺口32

45

32

451 6

1

6A線

B線

LED

5050

圖75050多彩片式發(fā)光二極管除紅色芯片采用亮度等級(jí)為甚高亮的可以采用

采用其他亮度等級(jí)芯片封裝的一律采用

1/2Deg

DB44/T

5.4

光電性能表4

50

100

1/2Deg

CCT

mcd1/2DegDB44/T

5（續(xù)）150

5（續(xù)）

mcdmcd1/2Deg

DB44/T

6（續(xù)）表7150

300

1/2DegCCT

DB44/T

8（續(xù)）150

mW

5050

mcd1/2DegDB44/T

9（續(xù)）5.5

可焊性5.6

高溫貯存5.7

低溫貯存5.8

溫度循環(huán)5.9

耐冷熱沖擊5.10電老煉DB44/T

試驗(yàn)方法6.1

試驗(yàn)條件866.2

外觀檢查6.3

尺寸測(cè)定6.4

光電性能試驗(yàn)6.4.1

正向電壓測(cè)定按SJ/T

6.4.2

反向電流測(cè)定按SJ/T

6.4.3

發(fā)光強(qiáng)度測(cè)定按SJ/T

6.4.4

發(fā)光角度測(cè)定按SJ/T

6.4.5

主波長(zhǎng)測(cè)定按SJ/T

6.4.6

峰值波長(zhǎng)測(cè)定按SJ/T

6.4.7

光譜輻射帶寬測(cè)定按SJ/T

6.5

可焊性試驗(yàn)6.6

高溫貯存試驗(yàn)

顆，取出后按5.6檢查。6.7

低溫貯存試驗(yàn)DB44/T

h（負(fù)24小時(shí)，正72小時(shí)），測(cè)試數(shù)量20顆，6.8

溫度循環(huán)試驗(yàn)min，再轉(zhuǎn)至min，循環(huán)100回合后，按5.8測(cè)定發(fā)6.9

耐冷熱沖擊試驗(yàn)片式發(fā)光二極管在-40℃±5℃條件下放置15min，再立即轉(zhuǎn)入100℃±5℃條件下放置15min，來回6.10 電老煉試驗(yàn)72小時(shí)），測(cè)試數(shù)量20顆，按5.10測(cè)定。

檢驗(yàn)規(guī)則7.1

出廠檢