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文檔簡(jiǎn)介
2021年電工資格證考試全真模擬試卷及答案(一)
一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)
1、電子技術(shù)包括—信息電子技術(shù)—和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬
電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。
2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在開關(guān)狀態(tài)。
當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí),—開關(guān)損耗會(huì)成為主要的損耗。
3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為載波比,
當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為同步調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范
圍劃分成若干頻段,每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方
式稱為分段同步調(diào)制。
4、面積等效原理指的是,沖量___相等而—形狀不同的窄脈沖加在具
有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí),其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中,開關(guān)速度最快的是MOSFET,
單管輸出功率最大的是GTO,應(yīng)用最為廣泛的是
IGBTo
6、設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí),晶閘管可
能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值,即—新5,其承受的最大
正向電壓為@2O
7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源,則稱為逆變,如果接到負(fù)載,則稱為
逆變。
8、如下圖,指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路(用
V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)。?tl時(shí)間段內(nèi),電流的通路為;(2)tl?t2時(shí)間段內(nèi),電流的通路
為;
⑶t2?t3時(shí)間段內(nèi),電流的通路為;(4)t3?t4時(shí)間段內(nèi),電流的通路
為;(5)t4?t5時(shí)間段內(nèi),電流的通路為;
二、選擇題(本題共10小題,前4題每題2分,其余每題1分,共
14分)
1、單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調(diào)制工作時(shí),在電壓的正
半周是()
A、VI與V4導(dǎo)通,V2與V3關(guān)斷
B、VI常通,V2常斷,V3與V4交替通斷
C、VI與V4關(guān)斷,V2與V3導(dǎo)通
侑9藏小邱[
D、VI常斷,V2常通,V3與V4交替通斷波f",!*
2、對(duì)于單相交流調(diào)壓電路,下面說法錯(cuò)誤的是()
A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí),晶閘管的
導(dǎo)通角小于180度
B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí),必須加寬脈沖或脈
沖列觸發(fā),電路才能正常工作
C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí),
晶閘管的導(dǎo)通角為180度
D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角
不為180度
3、在三相三線交流調(diào)壓電路中,輸出電壓的波形如下圖所示,在tl?已
時(shí)間段內(nèi),有()晶閘管導(dǎo)通。
A、1個(gè)B、2個(gè)C、3個(gè)D、
4個(gè)
4、對(duì)于單相交交變頻電路如下圖,在tl~已時(shí)間段內(nèi),P組晶閘管變
流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()
A、P組阻斷,N組整流B、P組阻斷,N組逆
變
C、N組阻斷,P組整流D、N組阻斷,P組逆
變
5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,控制角的范圍是()
A、30°-150B、0°?120°C、15°?125°D、
0°?150°
6、桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是()
A、加快功率晶體管的開通B、延緩功率晶體管的關(guān)
斷
C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護(hù)器件
7、直流斬波電路是一種()變換電路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC
8、為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲(chǔ)時(shí)間,桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)
常采用()
A、du/dt抑制電路B、抗飽和電路C、di/dt抑制電路D、吸收
電路
9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流()
A、減小至維持電流以下B、減小至擎住電流以下
C、減小至門極觸發(fā)電流以下D、減小至5A以下
10、IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件,它是()
A、GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFETB、MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C、MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管D、MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO
三、簡(jiǎn)答題(共3小題,22分)
1、簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。(7分)
2、電壓型逆變電路的主要特點(diǎn)是什么?(8分)
3、簡(jiǎn)述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件,并指出至少兩種引起有源逆變失敗
的原因(7分)
四、作圖題(共2小題,每題12分,共24分)
1、三相全控橋,阻感負(fù)載,主回路整流變壓器的接法是D,y5,采用
NPN管的鋸齒波觸發(fā)器,要求在整流與逆變狀態(tài)運(yùn)行。同步變壓器
二側(cè)電壓經(jīng)R-C濾波器濾波后(滯后角為30°)接到觸發(fā)電路。同
步變壓器的的接法為Y/Y-10,4接法,如下圖所示,選擇晶閘管的同
步電壓。(要給出分析過程,分析依據(jù))
VT
晶閘管VT2VT3VT4VT5VT6
1
主電路電壓+U、v
+4-uw+uv-uu-uv
同步電
壓
2、電路與波形如圖所示。(1)若在tl時(shí)刻合上K,在t2時(shí)刻斷開K,
畫出負(fù)載電阻R上的電壓波形;(2)若在tl時(shí)刻合上K,在t3時(shí)
負(fù)載
電阻R上的電壓波形。寬度大于360°)o
(a)電路圖(b)輸入電壓%的波形圖
五、計(jì)算題(共1小題,共20分)
1、電路如圖所示,單相全控橋式整流電路接大電感負(fù)載,R=4Q,
U2=220VO
(1)觸發(fā)角為60°時(shí),(a)試求Ud、L、晶閘管電流平均值LVT、
晶閘管電流有效值IVT、變壓器副邊電流有效值k;(b)作出小、
id、iVT2>i2的波形圖(圖標(biāo)清楚,比例適當(dāng))。
(2)當(dāng)負(fù)載兩端接有續(xù)流二極管時(shí),(a)試求Ud、%、LT、Ivr、
【VD、【dVD、[2;(b)作出Ud、i(]>ivT2、LD、的波形圖(圖標(biāo)清
楚,比例適當(dāng))。
L
R
第一套題答案!
一、填空題(共8小題,每空1分,共20分)
1、空1信息電子技術(shù)
2、空1開關(guān);空2開關(guān)
3、空1載波比;空2同步;空3分段同步
4、空1沖量;空2形狀
5、空1MOSFET;空2GTO;空3IGBT
6、空1次4;空2金5
7、空1有源;空2無源
8、空1VD1;空2VI;空3VD2;空4V2;空5VD1
二、選擇題(共1()小題,前4題每題2分,其余每題1分,共14分)
1、(B)2、(D)3、(C)4、(C)5、(D)
6、(A)7、(C)8、(B)9、(A)10、(B)
三、簡(jiǎn)答題(共3小題,共22分)
1、(7分)
晶閘管導(dǎo)通的條件是:陽極承受正向電壓,處于阻斷狀態(tài)的晶閘管,
只有在門極加正向觸發(fā)電壓,才能使其導(dǎo)通。門極所加正向觸發(fā)脈沖
的最小寬度,應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的最小陽極電流,
即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。(3分)
使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是:使流過晶閘管的電流減小至某個(gè)小
的數(shù)值一維持電流IH以下。其方法有二:
(1)減小正向陽極電壓至某一最小值以下,或加反向陽極電壓;(2
分)
(2)增加負(fù)載回路中的電阻。(2分)
2、(8分)
(1)直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容,直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng);(2分)
⑵輸出電壓為矩形波,輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同;(3分)
(3)阻感負(fù)載時(shí)需提供無功。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功提供
通道,逆變橋各臂并聯(lián)反饋二極管。(3分)
3、(7分)
(1)外部條件:要有一個(gè)能提供逆變能量的直流電源,且極性必須
與直流電流方向一致,其電壓值要稍大于Ud;(2分)
(2)內(nèi)部條件:變流電路必須工作于0<90°區(qū)域,使直流端電壓Ud
的極性與整流狀態(tài)時(shí)相反,才能把直流功率逆變成交流功率返送回電
網(wǎng)。這兩個(gè)條件缺一不可。(2分)
當(dāng)出現(xiàn)觸發(fā)脈沖丟失、晶閘管損壞或快速熔斷器燒斷、電源缺相等原
因都會(huì)發(fā)生逆變失敗。當(dāng)逆變角太小時(shí),也會(huì)發(fā)生逆變失敗。(3分)
四、作圖題(共2小題,每題12分,共24分)
1、(12分)
同步變壓器的鐘點(diǎn)數(shù)為Y/Y-10,4
晶閘管VT1VT2VT3VT4VT5VT6
主電路電壓+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw
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