epht中文演示改進(jìn)無(wú)鉛焊接有機(jī)保護(hù)膜

6.2%6.2%Board- ENTEKPLUSOSPENTEKCU- 類(lèi)同于ENTEKPLUSCU-106A,使用了專(zhuān)利產(chǎn)品雖然OSP已經(jīng)有超過(guò)40年的使用，但是在最近超過(guò)十年的時(shí)間里，通過(guò)ENTEKPLUS到了很大的提升，ENTEKPLUSHT是ENTEKPLUS工藝的升級(jí)換代產(chǎn)品以符合現(xiàn)在的應(yīng)用要求和面對(duì)未來(lái)的。,,用在焊接后可形成金屬界面化合物同時(shí)也可滿足 特 優(yōu) 穩(wěn)定而長(zhǎng)期的使用期限;慢的溶銅速率 ENTEKPLUSHT7.5%v/v,24C,pH:7.5%v/v,24C,pH:8.-10.0,ENTEK75g/L,1.5%H2SO4,24C,SC-1010DE10%v/v,38C,ENTEKENTEKPLUSRA:100%,RB:95%,AV:290,pH:2.95,OSPENTEKPLUSHT

SAC305STV119610mil孔4個(gè)矩陣排列每個(gè)矩陣排列有100孔20mil孔4個(gè)矩陣排列每個(gè)矩陣排列有100孔30mil孔4個(gè)矩陣排列每個(gè)矩陣排列有100孔SAC305STV將STV測(cè)試樣板通過(guò)ENTEKPLUSHT工藝處理每種條件生產(chǎn)4片STV測(cè)試樣板.水平生產(chǎn)工藝.-0.35microns.已經(jīng)過(guò)ENTEKPLUSHT處理的STV測(cè)試樣板通過(guò)回流爐模擬回0,1,357次回流處理.參照回流SAC305波峰焊STVENTEKPLUSHTT型測(cè)試片經(jīng)過(guò)ENTEKPLUSHT處理，每種條件生產(chǎn)4片型測(cè)試片水平生產(chǎn)工藝0.35已經(jīng)過(guò)ENTEKPLUSHT處理的T型測(cè)試片通過(guò)回流爐模擬回流0,1,357次回流處理.參照回流焊條將上述處理過(guò)的T型測(cè)試片進(jìn)行沾錫天平測(cè)試參照沾錫天平測(cè)KWB-1000沾錫天平測(cè)試條件1.00.51.00.55.010.05.020.00.050.3T.alarm0.010.015.0ZeroZeroCrossTime,lessthanoneZerocrossingbeforeZeroCrossTime,lessthanoneZeroZeroCrossTime,lessthanoneZeroZeroCrossTime,lessthanENTEKPLUSHTENTEKPLUSHT有12個(gè)月的期(@20-30°C/<70%ENTEKPLUSOSP技術(shù)是唯一一種可應(yīng)用選擇性涂覆銅面和其他金屬面的混(ENIG).MeanMeanENTEKPLUSClassIIIorIII4面積空洞標(biāo)準(zhǔn)并有最高最穩(wěn)定的PLUSHT上的焊接強(qiáng)度

200

5μm 兩種ENTEK厚度0.250.48兩種無(wú)鉛回流焊次數(shù)0and3兩種錫球Sn63Pb37SAC305SnPb:OM5100-53Sn/Pb(AlphaSAC:OM-338 (AlphaENTEKPLUSHTReliability:Cohesivesolderseparationdemonstratesstrongestpossiblesolderjoints.ENTEKPLUSHTENTEKPLUSHT使用其他OSP線的前處理（雙氧水/硫酸微蝕ENTEKPLUSHT使用ME-1020（氧基過(guò)硫酸鹽）微蝕液，在美ENTEKPLUSHT厚度-0.35micron和其他OSP厚度-基于這些測(cè)試結(jié)果，ENTEKPLUSHT工藝使用ME-1020微蝕液的爬錫測(cè)試結(jié)果略好于做對(duì)比的ENTEKPLUSHT工藝使用其他OSP工藝的H2O2/H2SO4微蝕液放置時(shí)間影響 如果僅比較ENTEKPLUSHT和其他使用H2O2/H2SO4微蝕液250oC子的用在HTOSP的烷基苯并咪唑的揮發(fā)性最低，用在標(biāo)準(zhǔn)存留在OSP膜上層有較小揮發(fā)性的吡咯有的可能性用在HTOSP的烷基苯并咪唑的揮發(fā)性最低，因此有更好HTOSP的最初分解溫度是290oCOSP的最初分解溫度是259其他的OSP256oC356HTOSP有最高的分解溫度，比無(wú)鉛工藝的最高溫度高可以O(shè)SP膜表面在回流處理之前和的銅和氧原子HTOSP在經(jīng)過(guò)5次回流處理后氧的原子百分比僅有6.2%，而工HTOSP的氧原子百分比有約1.2%在經(jīng)過(guò)5次回流處理后HTOSP中銅離子百分比從0.60%增加到1.73%，這可能是由于銅離子從底層遷移到上層的對(duì)比HTOSP和傳統(tǒng)的ENTEKPLUSOSP，ENTEKPLUSHTOSP與傳統(tǒng)OSP相比幾乎沒(méi)有變色，傳統(tǒng)的OSP在經(jīng)SIR85C/85%RHIPC-TM-6502.6.3.57.33E+12962.10E+9242.51E+996>7.28E+824hours Nodendrites2.10E+924hours Nodendrites<10XdropNoevidenceofdendritesIPC-TM-650As1xOmegaSMT 最小酸值 18(mg固體含量 min.2ENTEKENTEKPLUS

別是銅含量的增加.ENTEKPLUSOSP生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)表明的重量比,這個(gè)數(shù)據(jù)低于ENTEKENTEKPLUS2 –(ICT) 即使在整個(gè)厚度范圍內(nèi)通過(guò)兩次無(wú)鉛回流處理，HTOSP仍有低的接觸(40milliohms)40milliohmsENTEKPLUSHT 板在20-35°C及>70%相對(duì)濕度條件ENTEKENTEKPLUSHTENTEK?PLUSHTENTEK?PLUSHT 需要物質(zhì)資料安全表,技術(shù)資料,生產(chǎn)商和OEM請(qǐng)發(fā)郵件MichaelCheung Jim Frandovander ENTEK的OSP技術(shù)有悠