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文檔簡介

HTR-4立式4寸快速退火爐HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設備）廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中，通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能，技術指標高、工藝復雜、專用性強。主要應用領域：1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；2.離子注入/接觸退火；3.金屬合金；4.熱氧化處理；5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；6.多晶硅退火；7.太陽能電池片退火；8.高溫退火；9.高溫擴散。產品特點：可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。存儲熱處理工藝：方便工藝參數調取，提高實驗效率，數據可查詢?？焖倏販嘏c高真空：最高升溫速率可達150℃/s，真空度最高可達到10-5Pa。程序設定與氣路擴展：可實現不同溫度段的精確控制，進行降溫段的自動轉接，并能夠對工藝菜單進行保存，方便調用。采用MFC精確控制氣體流量，實現不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣等）下的熱處理。獨特的腔體空間設計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性≤1%。全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現自動控制。超高安全系數：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障設備使用安全。主要技術參數：最大樣品尺寸4英寸（直徑100mm）控溫范圍RT~1200℃升溫速率（max）150℃/s高溫段降溫速率（max）1200℃/min控溫精度±0.5℃溫場均勻性≤1%

氣體流量標配1路MFC控制（氮氣）可擴展至4路壓力控制~1bar，±100Pa工藝

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