VoLTEMOS3.0占比指標(biāo)提升指導(dǎo)書

丟包率指標(biāo)提升指導(dǎo)書VOLTEMOS3.0占比指標(biāo)提升指導(dǎo)書V1.0.0丟包率指標(biāo)提升指導(dǎo)書名目\l“_TOC_250028“VoLTEMOS3.0占比指標(biāo)概述 4\l“_TOC_250027“VoLTEMOS采樣機制 4\l“_TOC_250026“MOS差的影響 4\l“_TOC_250025“影響MOS的因素 4\l“_TOC_250024“MOS低分析流程 5\l“_TOC_250023“優(yōu)化界定方案 6\l“_TOC_250022“故障告警 6\l“_TOC_250021“上行干擾 6\l“_TOC_250020“下行質(zhì)差 7\l“_TOC_250019“切換特別 9\l“_TOC_250018“TA越區(qū)掩蓋 11\l“_TOC_250017“MR弱掩蓋 11\l“_TOC_250016“MOS低問題解決案例 12\l“_TOC_250015“RLC分片功能部署提升MOS案例 12\l“_TOC_250014“功能介紹 12\l“_TOC_250013“功能實施 12\l“_TOC_250012“效果評估 13\l“_TOC_250011“通過優(yōu)化上下鏈路不平衡小區(qū)改善MOS案例 14\l“_TOC_250010“功能介紹 14\l“_TOC_250009“方案實施 14\l“_TOC_250008“效果評估 15\l“_TOC_250007“通過開啟上行NI頻選功能改善MOS案例 15\l“_TOC_250006“功能介紹 15\l“_TOC_250005“方案實施 16\l“_TOC_250004“效果評估 16\l“_TOC_250003“通過調(diào)整語音業(yè)務(wù)的HARQ傳輸次數(shù)改善MOS案例 16\l“_TOC_250002“功能介紹 16\l“_TOC_250001“效果實施 16\l“_TOC_250000“效果評估 17丟包率指標(biāo)提升指導(dǎo)書丟包率指標(biāo)提升指導(dǎo)書VoLTEMOS3.0占比指標(biāo)概述VoLTEMOS采樣機制式是憑人們在打通之后通過人耳來感知語音質(zhì)量好壞的主觀評價方式。國際電信聯(lián)盟ITU為這種語音質(zhì)量的主觀評價方式制訂了相關(guān)的評測標(biāo)準(zhǔn)，即我們所熟知的MOS。VoLTEMOS主叫起呼，進展錄音8s左右；被叫放音，主叫收音，被叫記錄第1個MOS采樣點8s；主叫放音，被叫收音，主叫記錄第1個MOS采樣點8s；2個MOS81個采樣點間隔16；2個MOS81個采樣點間隔16；被叫放音，主叫收音，被叫記錄第3個MOS采樣點8s，如此類推……MOS差的影響級別MOS用戶滿足度優(yōu)4.0-5.0很好，聽得清楚，無失真桿，無延遲感良3.5-4.0稍差，聽得清楚，延遲小，有點雜音中3.0-3.5可以承受，有肯定延遲，可以溝通差1.5-3.0級別MOS用戶滿足度優(yōu)4.0-5.0很好，聽得清楚，無失真桿，無延遲感良3.5-4.0稍差，聽得清楚，延遲小，有點雜音中3.0-3.5可以承受，有肯定延遲，可以溝通差1.5-3.0牽強，聽不太清，有較大雜音或斷續(xù)，失真嚴(yán)峻劣0-1.5極差，靜音或完全聽不清，雜音很大MOS的因素MOS值的直接影響因素為：端到端時延、抖動、丟包；VoLTE端到端時延可以分解為：UE語音編/解碼時延、空口傳輸時延、核心網(wǎng)的處理時延、傳輸網(wǎng)的傳輸時延。丟包和抖動的影響因素包括：空口信號質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動。故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語音編碼、掩蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測試終端、人為操作失誤等。MOS低分析流程MOS低問題小區(qū)優(yōu)化分析思路流程如下：MOSMOS低是是故障告警 故障告警處理 故障處理否否是是干擾 上行干擾、SINR 干擾處理否否切換問題切換頻繁、切換失敗、eSRVCC切換不準(zhǔn)時鄰區(qū)優(yōu)化否否是是越區(qū)掩蓋倍平均站距RF優(yōu)化處理否否是弱掩蓋MR弱掩蓋增掩蓋是否否是其他傳輸、核心網(wǎng)、參數(shù)、終端是幫助核查完畢優(yōu)化界定方案故障告警核查問題小區(qū)及周邊一圈層鄰近小區(qū)是否存在影響業(yè)務(wù)的故障告警故障告警，優(yōu)先處理故障告警；影響業(yè)務(wù)的告警如下：影響業(yè)務(wù)的告警.xlsxS戶的通話質(zhì)量，針對相應(yīng)的故障進展故障處理。上行干擾小區(qū)級系統(tǒng)上行每個PRB-11行干擾小區(qū)；上行干擾對MOS的影響分析：MOS3.0占比隨上行干擾水平變化趨勢圖-118100.0099.5099.0098.5098.00全RB平均噪聲干擾〔分貝毫瓦〕MOS3.0占比(%)上行干擾與MOS3.0占比隨上行干擾水平變化趨勢圖-118100.0099.5099.0098.5098.00全RB平均噪聲干擾〔分貝毫瓦〕MOS3.0占比(%)干擾特征分類干擾特征分類其它局部載波高滾降干擾緣由諧波干擾雜散干擾干擾器復(fù)合干擾〔滾降+整體抬升〕系統(tǒng)內(nèi)干擾上行干擾類問題處理建議：

干擾器干擾復(fù)合干擾〔雜散+堵塞〕系統(tǒng)內(nèi)干擾結(jié)合現(xiàn)場進展干擾排查和處理，調(diào)整P0NominalPusch參數(shù)等；下行質(zhì)差CQI用以表示下行信道的質(zhì)量，eNodeB依據(jù)CQI信息選擇適宜的調(diào)度算法和下行數(shù)據(jù)塊大小，以保證UE在不同無線環(huán)境下都能獵取最優(yōu)的下行性能。CQI值由UELTE標(biāo)準(zhǔn)中沒有明確定義CQICQI的PDSCH的解碼錯誤率〔BLER〕10CQIUE需要依據(jù)測量結(jié)果〔比方SINR〕評估下行鏈路特性，并承受內(nèi)部算法確定此SINR條件下所能獵取的BLER值，并依據(jù)BLER<10%的限制，上報對應(yīng)的CQI值。LTE系統(tǒng)中規(guī)定CQI1~15，其對應(yīng)的調(diào)制方式以及碼率關(guān)系如下：因此介于調(diào)制方式的選擇，定義CQI750%，可判定該小區(qū)為下行質(zhì)差小區(qū)；前臺測試中，推斷質(zhì)差的閱歷標(biāo)準(zhǔn)為：RSRP>-100dBm,SINR<=1。下行質(zhì)差對MOS影響分析：用戶投訴在朝陽西道與大理北路交口四周“VOLTESINR<0VOLTETSLUB0418-ZLHD-001〔PCI：132)與TSLUB0089路北區(qū)空軍機場-ZLHF-001〔PCI：342)存在模三干擾，導(dǎo)致SINR質(zhì)差，2月19日調(diào)整TSLUB0089路北區(qū)空軍機場-ZLHF-001SINR根本提升到10以上，VOLTE通話正常，觀看平臺指標(biāo)，調(diào)整前后，TSLUB0418路北區(qū)雅頌居-ZLHD-001TSLUB0089-ZLHF-001小區(qū)MOS3.085%上升到90%以上。優(yōu)化前現(xiàn)場測試圖如下：優(yōu)化后現(xiàn)場測試圖如下：MOS3.0占比95.0090.0085.0080.0075.00TSLUB0418路北區(qū)雅頌居-ZLHD-001MOS3.0占比(%)TSLUB0089路北區(qū)空軍機場-ZLHF-001MOS3.0MOS3.0占比95.0090.0085.0080.0075.00TSLUB0418路北區(qū)雅頌居-ZLHD-001MOS3.0占比(%)TSLUB0089路北區(qū)空軍機場-ZLHF-001MOS3.0占比(%)下行質(zhì)差類問題優(yōu)化建議：進展干擾排查、PCI核查、重疊掩蓋核查；切換特別由于切換參數(shù)設(shè)置不當(dāng)，導(dǎo)致切換不準(zhǔn)時、頻繁切換及eSRVCC切換失敗等現(xiàn)象，會嚴(yán)峻影響MOS以頻繁切換為例：測試車輛由西向東行駛至翔云道與大理北路穿插口路段，該區(qū)域主要占用TSLUB0125-ZLHD-00〔PC：6，TSLUB0231-ZLHD-00〔PC：2TSLUB0165-ZLHD-00〔PC4TSLUB0165〔PCI：128〕等小區(qū)，由于重疊掩蓋嚴(yán)峻，切換次數(shù)增加，MOS變差。將TSLUB0165-ZLHD-003小區(qū)功率下調(diào)6dTSLUB0165-ZLHD-0022MOS1.474優(yōu)化前測試圖如下：優(yōu)化后測試圖如下：切換問題處理建議：結(jié)合現(xiàn)場進展RF優(yōu)化、切換門限優(yōu)化以及添加周邊有效網(wǎng)元為鄰區(qū)關(guān)系，保證通話的持續(xù)性及良好的通話環(huán)境。TA越區(qū)掩蓋問題小區(qū)的TA1.5倍，即可判定為越區(qū)掩蓋。TA區(qū)間與距離對應(yīng)關(guān)系如下：用戶隨機接入時TA值在區(qū)X范圍的接入次數(shù)TA值〔1TA=78.12m〕00-10-0.0812--30.16-0.2324--70.31-0.5538--130.63-1.02414-251.09-1.95526-452.03-3.52646-853.59-6.64786-1856.72-14.458186-38514.53-30.089386-68530.15-53.5110686-98553.59-76.9511大于985大于76.95MOS影響分析：越區(qū)掩蓋易形成MOD3SINRMOS。越區(qū)掩蓋類問題處理建議：針對越區(qū)掩蓋小區(qū)，結(jié)合現(xiàn)場進展RF優(yōu)化調(diào)整、功率調(diào)整、鄰區(qū)核查等；MR弱掩蓋宏站小區(qū)弱掩蓋采樣點大于20%，室分小區(qū)弱掩蓋承受點大于10%，即可定位為弱掩蓋小區(qū)；MRMOS影響分析：121MR10%時，MOS3.020%時，MOS3.0MR弱掩蓋是影響小區(qū)MOS3.0不同弱掩蓋比例小區(qū)不同弱掩蓋比例小區(qū)MOS3.0占比折線圖99.650%99.600%99.550%99.500%99.450%99.400%99.350%99.300%99.250%＜5%[5%,10%)[10%,20%)[20%,30%)≥30%MOS3.0占比弱掩蓋類問題處理建議：RFRRU拉遠(yuǎn)、增規(guī)劃站點解決；MOS低問題解決案例MOS提升優(yōu)化閱歷，NI頻選功能，RLCMOS3.0占TOP小區(qū)，HARQ傳輸次數(shù)，參考功率等參數(shù)是常常性修改參數(shù)，提升MOS3.0占比指標(biāo)效果明顯。下面針對具體功能開啟或參數(shù)修改舉例介紹。RLCMOS案例RLC分片功能部署RLC分片功能調(diào)整可以改善上行丟MOS指標(biāo)。功能介紹在上行遠(yuǎn)點調(diào)度，RLCUERLC通過限制語音包的RLCPDCPUEHARQRLCHARQ功能實施選取TSLUB0164選取TSLUB0164路北區(qū)天元大廈-ZLHD-001小區(qū)做效果驗證，分別在不同的信號強度下測試并對QCI1丟包率及MCS等指標(biāo)作比照分析；比照覺察在“上行限制拆片數(shù)目功RSRP〔dBm〕-80-85RSRP〔dBm〕-80-85-90-100-105-110-120分段MCS時延〔s〕抖動〔ms〕丟包率〔%〕前253.6117.590后262.3217.370前273.7716.580.24后262.7516.120.19前28416.980.05后182.5416.890.02前183.9617.590.23后173.1917.060.18前133.3415.260.03后172.5111.580.02前142.426.680.43后143.156.050.27前74.8715.240.31后114.5415.540.244時，上行丟包率指標(biāo)改善效果最明顯,由此建4，并作全網(wǎng)推廣；效果評估全網(wǎng)MOS及上行丟包率指標(biāo)MOS3.0占比上行平均丟包率20161125RLC4，開啟后網(wǎng)絡(luò)MOS3.096.1396.28全網(wǎng)MOS及上行丟包率指標(biāo)MOS3.0占比上行平均丟包率96.45%0.54%96.40%96.35%0.52%96.30%96.25%0.50%96.20%96.15%0.48%96.10%96.05%0.46%96.00%95.95%11月23日11月24日11月25日11月26日11月27日11月28日0.44%通過優(yōu)化上下鏈路不平衡小區(qū)改善MOS案例功能介紹當(dāng)小區(qū)的PHR<0占比大于MR弱掩蓋比例，我們認(rèn)為此小區(qū)存在上行受限問題，即上下行鏈路不平衡，這類小區(qū)即使下行無線環(huán)境良好，也會消滅MOS評分低問題。PHR分析理論推導(dǎo)過程如下：理論推導(dǎo)(考慮了終端功率+用戶分布+MR掩蓋+小區(qū)功率)：A下的終端放射功率：Txpower≈(23-PHR)終端到達(dá)高干擾小區(qū)B的路損PL≈Rspwr-CellBRSRP, 則效勞小區(qū)A的終端對于高干擾小區(qū)B的上行干擾量Na≈(23-PHR)-(Rspwr-CellBRSRP);A的全部終端對于高干擾小區(qū)B的上行干擾量=∑Na而高干擾小區(qū)B相鄰的全部小區(qū)下終端對于高干擾小區(qū)B的上行干擾量N=∑Na+∑Na+∑Na+∑Na+…其中：PHR：MR.LteScPHR，終端的放射功率余量；CellBRSRP：MR測量報告；Rspwr：Rs功率配置。方案實施地市目〔CRS功率大于或小區(qū)占比〔CRS小區(qū)數(shù)〔CRS功率大于或小區(qū)占比小區(qū)數(shù)〔CRS〔CRS21dBm〕大于或等21dBm〕于或等于18dBm〕地市目〔CRS功率大于或小區(qū)占比〔CRS小區(qū)數(shù)〔CRS功率大于或小區(qū)占比小區(qū)數(shù)〔CRS〔CRS21dBm〕大于或等21dBm〕于或等于18dBm〕小區(qū)占比〔CRS率大于大于15dBm〕15dBm〕唐山市235961242052.64%1721372.95%1883979.84%石家莊市2515623149.20%574522.84%600623.88%滄州市2032517888.80%1422870.00%1562776.89%保定市2714818996.99%1226145.16%1243745.81%邯鄲市1930612486.46%604931.33%730837.85%邢臺市161773412.11%253315.66%262016.20%承德市121221130.93%162213.38%165513.65%秦皇島市12704720.57%827865.16%830165.34%衡水市12580540.43%550943.79%577845.93%廊坊市16272310.19%876153.84%880954.14%張家口市13963170.12%1016772.81%1020773.10%全省1993512029710.18%9236646.33%9758748.95%鑒于上面分析，選取現(xiàn)網(wǎng)上下行鏈路不平衡，MOS3.01883個小區(qū)，2017313dBm。效果評估參考功率調(diào)整后丟包率變化狀況0.60%0.50%0.40%0.30%0.20%0.10%0.00%上行丟包率下行丟包率31MOS消滅特別，無法供給準(zhǔn)確的參考，221360.18%0.07%參考功率調(diào)整后丟包率變化狀況0.60%0.50%0.40%0.30%0.20%0.10%0.00%上行丟包率下行丟包率通過開啟上行NI頻選功能改善MOS案例功能介紹LTERBNIUE在調(diào)度上NIPRB來改善丟包狀況。方案實施選取人流量較大的核心商業(yè)區(qū)地段作為驗證區(qū)域,分別在功能關(guān)閉及三種配置的場景下進展驗證，當(dāng)NIMOS114日完成對全網(wǎng)NINIMOS善：效果評估核心商業(yè)區(qū)地段NINI時，測試MOS開關(guān)開啟狀況MOS時延〔s〕抖動〔ms〕丟包率NI3.8763.24417.4010.20%NI3.923.15317.8160.10%NI3.9263.3916.9910.20%傳重傳都翻開NI頻選3.9453.13816.7010.00%NIMOS值、丟包率、抖動時延等VOLTE標(biāo)均有所改善。HARQMOS案例功能介紹喪失或出錯的數(shù)據(jù)的重傳主要是由MAC層的HARQ機制處理的,該機制能夠供給快速重傳,/下行語音業(yè)務(wù)的HARQ傳輸次數(shù)即是確定出錯包的實時性。效果實施2/HARQ傳輸次數(shù)”由4次8次，修改后觀看全網(wǎng)指標(biāo)，MOS3.0占比及上下行平均丟包率指標(biāo)提升明顯，其12515:00完成對全網(wǎng)上/HARQ傳輸次48的修改調(diào)整。效果評估MOS3.0占比及上下行丟包率指標(biāo)98.50%98.00%97.50%97.00%96.50%96.00%0.60%0.50%0.40%0.30%0.20%0.10%0.00%MOS3.0占比上行平均丟包率下行平均丟包率12515:00/下行語音業(yè)務(wù)的HARQ48MOS3.0MOS3.0占比及上下行丟包率指標(biāo)98.50%98.00%97.50%97.00%96.50%96.00%0.60%0.50%0.40%0.30%0.20%0.10%0.00%MOS3.0占比上行平均丟包率下行平均丟包率通過防止乒乓A2大事策略開關(guān)改