GB/T 42975-2023半導(dǎo)體集成電路驅(qū)動(dòng)器測試方法

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42975—2023

半導(dǎo)體集成電路驅(qū)動(dòng)器測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—Testmethodofdriverdevice

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42975—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

靜態(tài)參數(shù)測試

5……………2

輸入高電平電壓V

5.1(IH)………………2

輸入低電平電壓V

5.2(IL)………………3

輸入鉗位電壓V

5.3(IK)…………………3

輸入高電平電流I

5.4(IH)………………4

輸入低電平電流I

5.5(IL)………………5

輸入阻抗R

5.6(IN)………………………6

輸出高電平電壓V

5.7(OH)……………6

輸出低電平電壓V

5.8(OL)………………7

輸出阻抗R

5.9(OUT)……………………8

輸出漏電流I

5.10(LK)…………………9

輸出短路電流I

5.11(OS)………………10

峰值電流I

5.12(PK)……………………10

差分輸出電壓V

5.13(OD)………………12

差分輸出電壓變化V

5.14(ΔOD)………………………14

共模輸出電壓V

5.15(OS)………………14

共模輸出電壓變化V

5.16(ΔOS)………………………15

靜態(tài)電流I

5.17(DDQ)…………………15

動(dòng)態(tài)參數(shù)測試

6……………16

電源電流I

6.1(DD)……………………16

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時(shí)間t

6.2(PLH)……………………17

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時(shí)間t

6.3(PHL)……………………20

輸出上升時(shí)間t

6.4(r)…………………20

輸出下降時(shí)間t

6.5(f)…………………21

輸出偏斜t

6.6(SK)……………………21

時(shí)鐘抖動(dòng)j

6.7(ADD)……………………22

輸入電容C和輸出電容C

6.8(i)(O)……………………23

GB/T42975—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所安徽大華

:、、

半導(dǎo)體科技有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所廣東省中紹宣標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院有限公

、、

司中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所成都

、、、

振芯科技股份有限公司

。

本文件主要起草人劉芳周俊楊曉強(qiáng)縱雷劉凡霍玉柱林瑜攀陸堅(jiān)梁希王會(huì)影

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T42975—2023

半導(dǎo)體集成電路驅(qū)動(dòng)器測試方法

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路驅(qū)動(dòng)器以下簡稱器件的電特性測試方法的基本原理和測試程序

()。

本文件適用于系列驅(qū)動(dòng)器總線驅(qū)動(dòng)器開關(guān)驅(qū)動(dòng)器達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器

74/54、、PIN、、、

驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器和差分驅(qū)動(dòng)器等各種半導(dǎo)體工藝制造的驅(qū)動(dòng)器的電性能測試其他類

LVDS、MOSFET。

別驅(qū)動(dòng)器的測試參考使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

集成電路術(shù)語

GB/T9178—1988

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T9178—1988。

4一般要求

41測試環(huán)境條件

.

除另有規(guī)定外電測試環(huán)境溫度為+3環(huán)境氣壓如果環(huán)境濕度對試驗(yàn)有影

,25-5℃;86kPa~106kPa。

響應(yīng)在相關(guān)文件中規(guī)定

,。

42測試事項(xiàng)

.

測試期間符合以下要求

,:

若無特殊說明環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定

a),;

外界干擾不應(yīng)影