華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)格式模板-2013年

本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）格式模板本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）格式模板本彩頁封面僅為電子稿樣本，文本裝訂時(shí)請以班為單位到教材科領(lǐng)取紙質(zhì)封面及資料袋后再裝訂本彩頁封面僅為電子稿樣本，文本裝訂時(shí)請以班為單位到教材科領(lǐng)取紙質(zhì)封面及資料袋后再裝訂畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）誠信聲明本人鄭重聲明：所呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表和撰寫的研究成果，也不包含為獲得華東交通大學(xué)或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書所使用過的材料。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，本人愿承擔(dān)由此而造成的一切后果及責(zé)任。本人簽名____________導(dǎo)師簽名__________年月日華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目指導(dǎo)教師學(xué)歷職稱具體要求：進(jìn)度安排：指導(dǎo)教師簽字：年月日教研室意見：教研室主任簽字：年月日題目發(fā)出日期設(shè)計(jì)（論文）起止時(shí)間附注：

華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告書課題名稱課題來源課題類型導(dǎo)師學(xué)生姓名學(xué)號專業(yè)開題報(bào)告內(nèi)容：方法及預(yù)期目的：指導(dǎo)教師簽名：日期：課題類型：（1）A—工程設(shè)計(jì)；B—技術(shù)開發(fā)；C—軟件工程；D—理論研究；（2）X—真實(shí)課題；Y—模擬課題；Z—虛擬課題（1）、（2）均要填，如AY、BX等。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評閱書(1)姓名學(xué)號專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目指導(dǎo)教師評語：得分指導(dǎo)教師簽字：年月日評閱人評語：得分評閱人簽字：年月日等級等級

華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評閱書(2)姓名學(xué)號專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目答辯小組評語：等級組長簽字：年月日答辯委員會意見：等級答辯委員會主任簽字：年月日（學(xué)院公章）注：答辯小組根據(jù)評閱人的評閱簽署意見、初步評定成績，交答辯委員會審定，蓋學(xué)院公章。“等級”用優(yōu)、良、中、及、不及五級制（可按學(xué)院制定的畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)成績評定辦法評定最后成績）。

華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）答辯記錄姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時(shí)間答辯組成員（簽字）：答辯記錄：記錄人（簽字）：年月日答辯小組組長（簽字）：年月日附注：中文摘要：獨(dú)占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中中文摘要：獨(dú)占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中宋體，5號，對齊居中LED外延宋體，5號，對齊居中"摘要"用3號黑體字、居中專業(yè)："摘要"用3號黑體字、居中學(xué)生姓名：指導(dǎo)教師：摘要正文用小4號宋體字寬禁帶III－Ⅴ正文用小4號宋體字本文在自制常壓MOCVD和英國進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機(jī)理進(jìn)行了研究，對材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1．首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率?！疚牡玫搅藝?63計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞用小4號黑體字、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔關(guān)鍵詞用小4號黑體字、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔頁眉：外文TimesNewRoman字體頁眉：外文TimesNewRoman字體，五號，居中的居中英文摘要：獨(dú)占一頁；論文題目用TimesNewRoman字體小2號加粗、居中nitridesandhighbrightnessblueLEDwafers"ABSTRACT"用TimesNewRoman"ABSTRACT"用TimesNewRoman字體3號加粗、居中正文用TimesNewRoman字體小4號正文用TimesNewRoman字體小4號MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.…………Thisworkwassupportedby863programinChina.關(guān)鍵詞用TimesNewRoman小4號加粗、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；關(guān)鍵詞用TimesNewRoman小4號加粗、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔頁眉：中文宋體，小五號，居中目錄頁眉：中文宋體，小五號，居中"目錄"用小2號黑體字、居中摘要 Ⅰ"目錄"用小2號黑體字、居中Abstract Ⅱ第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”） 11.1III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用 11.2III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 41.3摻雜和雜質(zhì)特性 121.4氮化物材料的制備 131.5氮化物器件 191.6GaN基材料與其它材料的比較 22目錄內(nèi)容最少列出第一級標(biāo)題（章）和第二級標(biāo)題（節(jié)）；前者用4號黑體字，后者用4號宋體字，第三級標(biāo)題用4號楷體字，居左頂格、單獨(dú)占行，每一級標(biāo)題后應(yīng)標(biāo)明起始頁碼目錄內(nèi)容最少列出第一級標(biāo)題（章）和第二級標(biāo)題（節(jié)）；前者用4號黑體字，后者用4號宋體字，第三級標(biāo)題用4號楷體字，居左頂格、單獨(dú)占行，每一級標(biāo)題后應(yīng)標(biāo)明起始頁碼第二章氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 312.1MOCVD材料生長機(jī)理 312.2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備 32…………結(jié)論 136參考文獻(xiàn)（References） 138致謝 150節(jié)標(biāo)題：節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文TimesNewRoman，四號居左1.1III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用正文文字：中文宋體，英文TimesNewRoman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進(jìn)2個(gè)漢字符正文文字：中文宋體，英文TimesNewRoman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進(jìn)2個(gè)漢字符。章標(biāo)題：中文宋體，英文TimesNewRoman，四號居中…………表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNewRoman，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNewRoman，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文TimesNewRoman，五號?！?-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、c和T0的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c(eV/K)T0(K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致發(fā)光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-4~3.471-9.310-477263………… …………加熱電阻―――□―――■■―――□――→氣流測溫元件測溫元件圖1-1熱風(fēng)速計(jì)原理圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNewRoman，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文TimesNewRoman，五號。第二章氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝2.1MOCVD材料生長機(jī)理…………轉(zhuǎn)換控制頻率信號源頻率控制器地址發(fā)生器波形存儲器Ｄ／Ａ轉(zhuǎn)換器濾波器頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1DDS方式AWG的工作流程…………標(biāo)題：標(biāo)題：中文宋體，4號，居中；英文TimesNewRoman，4號，居中。[1]Well．Multiple-modulatorfraction-ndivider[P]．USPatent，5038117．1986-02-02參考文獻(xiàn)正文用5號宋體字，英文TimesNewRoman，5號[2]參考文獻(xiàn)正文用5號宋體字，英文TimesNewRoman，5號[3]萬心平，張厥盛．集成鎖相環(huán)路——原理、特性、應(yīng)用[M]．北京：人民郵電出版社，1990．302-307．[4]Miler．Frequencysynthesizers[P]．USPatent，4609881．1991-08-06．[5]CandyJC．Auseofdouble-integretioninsigma-deltamodulation[J]．IEEETransCommun，1985，33(COM)：249-258．[6]丁孝永．調(diào)制式小數(shù)分頻鎖相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．常見參考文獻(xiàn)格式：①常見參考文獻(xiàn)格