大學(xué)化學(xué) 知識(shí)點(diǎn)歸納

能量轉(zhuǎn)換(熱效應(yīng))能否發(fā)生(反應(yīng)方向)能量轉(zhuǎn)換(熱效應(yīng))能否發(fā)生(反應(yīng)方向)反應(yīng)限度(化學(xué)平衡)反應(yīng)速率反應(yīng)的可能性反應(yīng)的現(xiàn)實(shí)性化學(xué)熱力學(xué)反應(yīng)的現(xiàn)實(shí)性化學(xué)動(dòng)力學(xué)化學(xué)反應(yīng)第一章基本框架第一章基本框架狀態(tài)過(guò)程函數(shù)環(huán)境敞開(kāi)體系封閉體系孤立體系物質(zhì)交換能量交換熱力學(xué)第一定律熱力學(xué)第二定律-△GT,p=(W有用)最大熱力學(xué)第三定律第三章基本知識(shí)點(diǎn)及要求(3)意義及書(shū)寫(xiě)注意事項(xiàng)4.一元弱酸弱堿的電離平衡：c(H+)={Kac(HA)}12c(HAc)/Ka≥400(2)c(H+)≈KapH≈pKa—lgc(弱酸鹽)c(弱酸鹽)c(弱堿)c(弱堿)6.沉淀-溶解平衡：(1)溶度積Ks及與溶解度關(guān)系(2)溶度積規(guī)則：比較離子積與7.配離子的離解平衡：(1)配合物的構(gòu)成(中心離子，配位原子，配位數(shù))第四章電化學(xué)原理及應(yīng)用2.電極電勢(shì)Eθ及電動(dòng)勢(shì)E3.Nernst方程意義，正確書(shū)寫(xiě)及應(yīng)用KCIO?)pH減小(酸度增大),電極電勢(shì)增加，氧化能力增強(qiáng)。(2)生成沉淀(配離子)影響：氧化型形成沉淀，E?J;還原型形成沉淀，elec'max(1)氧化劑和還原劑相對(duì)強(qiáng)弱的比較E(O/R)fO氧化能力R還原能力(2)氧化還原方向的判斷(3)氧化還原反應(yīng)進(jìn)行的次序(5)電極電勢(shì)的相對(duì)大小不能判斷反應(yīng)速率的大小(2)分解電壓，反電動(dòng)勢(shì)，超電勢(shì)9.金屬腐蝕與防護(hù)：(1)化學(xué)腐蝕(2)電化學(xué)腐蝕(3)了解防護(hù)方法計(jì)算電對(duì)的標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì) 應(yīng)用：1計(jì)算電對(duì)的標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)CZ3D EoZE=-zE+z?Ez?EEE_乙1~3乙(2×0.76-1×1.605)V二1反應(yīng)2Cu+→Cu2++Cu氧化數(shù)狀態(tài)變化(被氧化),另一部分向低的氧化數(shù)狀態(tài)變化(被還原),這類(lèi)反應(yīng)稱(chēng)為歧化反應(yīng) EQ/V0.771-0.44Fe3+Fe2+FeE°(O2/H?O)=1.229V>E(Fe3+/Fe2+)解釋元素的氧化還原特性0.771-0.44Fe3+Fe2+ 可發(fā)生歧化反應(yīng)的逆反應(yīng)第5章原子結(jié)構(gòu)與周期系波函數(shù)=薛定鍔方程的合理解=原子軌道(1)三原則：泡利不相容；能量最低；洪特規(guī)則(2)電子進(jìn)入能級(jí)順序及電子分布式：重點(diǎn)4,5周期(1)外層電子構(gòu)型與周期表中的位置(2)有效核電荷數(shù)，原子半徑，電負(fù)性描述了原子中電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)離核的遠(yuǎn)近。>n值越大，電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)域離核越遠(yuǎn)，也可以說(shuō)電>n值相同的各原子軌道電子離核的平均距離較接近，故常把具有相同主量子數(shù)n的各原子軌道歸并稱(chēng)為同一個(gè)“電子層”。在氫原子中n值越大的電子層，電子的能量越高。但在多電子原子中，核外電子的能量則由主量子數(shù)n和角量子數(shù)I兩者決l=0時(shí)(s軌道),原子軌道或電子云呈球形分布；>l=1時(shí)(p軌道),原子軌道的角度分布圖為雙球面，電子云l=2(d軌道)及3(稱(chēng)f軌道)時(shí)，原子軌道的形狀更為復(fù)雜。n,l相同的各原子軌道屬于同一“電子亞層”,簡(jiǎn)稱(chēng)“亞決定了原子軌道(或電子云)在空間的伸展方向。l=0,m=0,亞層只有一個(gè)球形的s軌道，無(wú)方向性。l=1,m=0、±1,p亞層有三個(gè)不同伸展方向的p軌道，常用p?,Px,P,表示這三個(gè)不同伸展方向。l=2,m=0、±1、±2,d亞層有5個(gè)不同伸展方向的d軌道。當(dāng)n,l,m都確定，就決定了是哪一個(gè)主層、什么形狀的亞層、某個(gè)伸展方向的軌道。 想象中的電子自旋screen正向(+1/2)和反向(-1/2)產(chǎn)生方向相反的磁場(chǎng)m,的取值只有+1/2和-1/2,不依賴(lài)于n,1,m三個(gè)量子數(shù)它描述了電子自旋運(yùn)動(dòng)的特征。電子的自旋只有兩個(gè)方向，通常稱(chēng)為正自旋和反自旋，或順時(shí)針?lè)较蚝头磿r(shí)針?lè)较?，可用向上或向下的箭頭“個(gè)↓”來(lái)表示這兩個(gè)不同方向的電子自旋運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。原子的外層電子構(gòu)型與周期表的分區(qū)外層電子構(gòu)型外層電子構(gòu)型IBⅡB第六章化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)2.價(jià)鍵理論(1)共價(jià)鍵極性與分子極性(電偶極矩p與分子構(gòu)型)(2)色散力，誘導(dǎo)力，取向力(3)氫鍵：特征；存在條件；對(duì)物性影響共價(jià)鍵類(lèi)型肩并肩電子云分布形狀存在方式鍵穩(wěn)定性弱形成分子時(shí)才發(fā)生雜化，孤立原子的s、p、d等軌道不發(fā)生雜化。能量相近原則只有能量相近的軌道才能發(fā)生雜化(如ns和np)。軌道數(shù)目守恒原則新組成的雜化軌道數(shù)目等于原來(lái)的原子軌道數(shù)目。能量重新分配原則雜化前原子軌道能量各不相同，雜化軌道的能量相同最大重疊原則雜化時(shí)，都有s軌道的參與，s軌道的里為正值，導(dǎo)致雜化軌道一頭大一頭小。大頭部分參與形成穩(wěn)定化學(xué)鍵。雜化軌道對(duì)稱(chēng)性分布原則雜化后原子軌道在球形空間中盡量成對(duì)稱(chēng)性分布，因此,等性雜化軌道間的鍵角相等。雜化軌道構(gòu)1分子幾何構(gòu)型直線(xiàn)形三角形正四面體三角錐實(shí)例鍵角OOOOO無(wú)無(wú)有以線(xiàn)型非結(jié)晶高分子為例玻璃態(tài)高彈態(tài)粘流態(tài)→整個(gè)高分子鏈和鏈段均被凍結(jié)?！巫兒苄　諒椥巫??！叻肿渔湶荒芤苿?dòng)，但鏈段可以自由轉(zhuǎn)動(dòng)。Tf→形變很大——高彈性變?！湺魏驼麄€(gè)高分