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證券研究報告半導(dǎo)體設(shè)備/公司深度報告2023年10月29日國產(chǎn)CMP設(shè)備龍頭,持續(xù)走向高端化、平臺化華海清科(688120.SH)深度報告核心觀點?
對于目前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展現(xiàn)狀來看,一方面經(jīng)過了近幾年的快速發(fā)展,在相對成熟制程方面國產(chǎn)廠商的進展較快,個別廠商單點突破速度更甚;另一方面,走向更先進制程、部分核心設(shè)備、部分核心零部件仍然是當(dāng)下國產(chǎn)化發(fā)展的重點。伴隨著中國半導(dǎo)體制造、封測的崛起,設(shè)備廠商未來有望持續(xù)享有行業(yè)增長和份額提升的過程。SEMI在其2022年發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測報告》中表明,預(yù)計全球半導(dǎo)體行業(yè)將在2021至2023年間建設(shè)84座大規(guī)模芯片制造工廠,在數(shù)量方面,預(yù)計中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))將會是全球第一,計劃有20座成熟制程工廠/產(chǎn)線。?
華海清科是國產(chǎn)CMP設(shè)備龍頭廠商,CMP設(shè)備是實現(xiàn)晶圓表面平坦化關(guān)鍵設(shè)備,隨著制程的演進,對CMP設(shè)備的需求越來越多,主要的推動力來自于器件特征尺寸(CD)微細(xì)化、技術(shù)升級引入的多層布線和一些新型材料的出現(xiàn)。從制程覆蓋來看,公司CMP設(shè)備已實現(xiàn)28nm制程所有工藝全覆蓋,目前已批量供貨,14nm制程的幾個關(guān)鍵工藝CMP設(shè)備已經(jīng)在客戶端同步開展驗證工作。除了往更先進制程演進外,公司也在積極開拓先進封裝、大硅片、化合物半導(dǎo)體等市場。近幾年,公司銷量快速增長,從2019年的12臺快速增長至2022年的97臺。?
公司始終堅持以技術(shù)創(chuàng)新為企業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力,并努力踐行“裝備+服務(wù)”的平臺化發(fā)展戰(zhàn)略,深耕集成電路制造上游產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵領(lǐng)域,大力發(fā)掘CMP設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備、測量設(shè)備、晶圓再生、耗材服務(wù)等集成電路領(lǐng)域的新機會。2023年5月21日發(fā)布《關(guān)于12英寸超精密晶圓減薄機量產(chǎn)機臺出貨的自愿性披露公告》,2023年09月26日發(fā)布《關(guān)于12英寸單片終端清洗機出貨的自愿性披露公告》。另外,根據(jù)公司2023年半年報顯示,晶圓再生產(chǎn)能已經(jīng)達到10萬片/月,廠區(qū)Cu/Non
Cu兩條產(chǎn)線所有隔離工作已經(jīng)全部完成,在國內(nèi)知名大廠均已完成Demo驗證工作,獲得多家大生產(chǎn)線批量訂單并實現(xiàn)長期穩(wěn)定供貨。?
投資建議:維持前次預(yù)測,我們預(yù)測公司2023年至2025年分別實現(xiàn)營收28.05億元、37.52億元、46.99億元,同比增速分別為70.1%、33.8%、25.2%,分別實現(xiàn)歸母凈利潤7.45億元、9.71億元、12.88億元,同比增速分別為48.4%、30.5%、32.6%,對應(yīng)的PE分別為43.7倍、33.5倍、25.2倍,維持買入-A建議。?
風(fēng)險提示:晶圓廠擴產(chǎn)不及預(yù)期、新產(chǎn)品和新服務(wù)的市場開拓不及預(yù)期的風(fēng)險、客戶相對集中的風(fēng)險2財務(wù)數(shù)據(jù)與估值?2021A2022A2023E2024E2025E營業(yè)收入(百萬元)YoY(%)凈利潤(百萬元)YoY(%)毛利率(%)EPS(攤薄/元)ROE(%)804.88
1,648.84
2,804.60
3,752.39
4,698.56108.58%
104.86%
70.10%
33.79%
25.22%198.28
501.60
744.53
971.27
1,287.69102.76%
152.98%
48.43%
30.45%
32.58%44.73%
47.72%
46.50%
46.00%
46.00%1.253.164.686.118.1024.53%
10.47%
13.58%
15.10%
16.73%P/E(倍)P/B(倍)163.9440.2264.806.7843.665.9333.475.0525.244.22凈利率(%)24.63%
30.42%
26.55%
25.88%
27.41%料:3資料:聚源、華金證券研究所目錄國產(chǎn)化之路道阻且長,前景廣闊國產(chǎn)CMP龍頭,持續(xù)走向更先進制程走向平臺化,各業(yè)務(wù)條線漸次發(fā)力盈利預(yù)測與投資建議風(fēng)險提示4半導(dǎo)體設(shè)備是支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)u
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可按照主要生產(chǎn)過程進行劃分,整體可分為上游半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)、中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)、下游半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。上游半導(dǎo)體材料、設(shè)備產(chǎn)業(yè)為中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)提供必要的原材料與生產(chǎn)設(shè)備,是支撐整個信息產(chǎn)業(yè)向前發(fā)展的基礎(chǔ),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展和創(chuàng)新的基石。圖:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈料5資料:盛美上海招股書、華金證券研究所一代設(shè)備、一代工藝、一代產(chǎn)品u
半導(dǎo)體行業(yè)通常是“一代產(chǎn)品、一代工藝、一代設(shè)備”,晶圓制造要超前下游應(yīng)用開發(fā)新一代工藝,而半導(dǎo)體設(shè)備要超前晶圓制造開發(fā)新一代設(shè)備。u
半導(dǎo)體行業(yè)遵循著摩爾定律向前演進,半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商每隔18-24個月推出更先進的制造工藝,不斷追求技術(shù)革新。料:、6資料:電子發(fā)燒友、華金證券研究所半導(dǎo)體設(shè)備超千億美元市場u
半導(dǎo)體制造主要包括前道(Front
End)工序和后道(BackEnd)工序,其中,前道工序包括前段工藝(FEOL,F(xiàn)rontEndOftheLine)和后段工藝(BEOL,BackEndOftheLine),主要實現(xiàn)元器件和互連線制造,后道工序包括測試和封裝。圖:半導(dǎo)體設(shè)備撬動幾十萬億的市場u
根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額相較2021的1026億美元增長5%,創(chuàng)下1076億美元的歷史新高。圖:半導(dǎo)體制程工藝概覽圖:半導(dǎo)體制造實際工藝順序7資料:SEMI、SIA、skhynix、芯語,科聞社、盾源聚芯招股書(申報稿),華金證券研究所設(shè)備種類眾多,前道設(shè)備價值占比最高u
根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),全球市場前道工藝設(shè)備占比超過80%,其中光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備占比分別為25%、17%、24%,合計占比66%。資料
:盾源聚芯招股書(申報稿)、網(wǎng)易、ofweek、薩科微官網(wǎng)、馭勢資本、Gartner、SEMI、華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院,華金證券研究所8近幾年半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化提速u
根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的數(shù)據(jù),從2012年到2022年,中國半導(dǎo)體設(shè)備市場年均增長率達到27%。2022年,中國的半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率達到35%,較前一年提高了14個百分點。u
CINNOResearch統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明,2022年全球上市公司半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)營收排名TOP10營收合計達1,030億美元,達到近三年最高營收記錄,同比增長6.1%。圖:國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司業(yè)績概況(億元,人民幣)2021年總收
2021年總收
2022年總收
2022年總收
2023年H1總
2023年H1總
2022年歸母
2023年H1歸公司簡稱入入同比入入同比收入收入同比
凈利潤
母凈利潤北方華創(chuàng)中微公司至純科技盛美上海長川科技華峰測控芯源微96.8359.90%146.8847.4030.5028.7325.7710.7113.8551.68%84.2754.79%28.13%32.13%46.94%23.5311.702.826.684.615.262.005.023.690.124.2417.9910.031.094.390.201.611.363.741.250.461.1931.0820.8416.2115.1136.72%49.18%60.88%88.00%52.50%46.32%77.25%70.49%21.89%67.12%25.2714.8016.107.62
-35.86%3.81
-29.50%8.78
120.96%8.29
151.95%8.05
108.58%6.9612.3410.0437.95%72.12%91.83%華海清科拓荊科技中科飛測-U萬業(yè)企業(yè)16.49
104.86%17.06
125.02%7.583.618.8073.99%51.76%-5.54%5.0911.5841.24%31.56%3.65
202.25%3.89
134.34%料:9資料:SEMI、CINNOResearch、wind,華金證券研究所走向更高端道阻且長,但前景廣闊u
我們認(rèn)為,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商雖然已經(jīng)取得不錯的進展,但距離海外大廠還是具有比較明顯的差距,從整個產(chǎn)業(yè)鏈來看主要體現(xiàn)在兩個方面:u
第一,國產(chǎn)晶圓廠與海外廠商相對比仍然有幾代的差距。根據(jù)韓國對外經(jīng)濟政策研究所(KIEP)2023年發(fā)布的《中國半導(dǎo)體國產(chǎn)化推進現(xiàn)狀及啟示》報告顯示,在晶圓代工領(lǐng)域,三星電子和中國臺灣的臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)3nm芯片,而僅在量產(chǎn)14nm芯片;DRAM領(lǐng)域,長鑫存儲正在量產(chǎn)19nm第一代產(chǎn)品,而三星電子、SK海力士和美光科技正在量產(chǎn)第四代(1a,14nm)產(chǎn)品,差距為5年;NAND領(lǐng)域,中國長江存儲目前正在量產(chǎn)128層第六代產(chǎn)品,三星電子正在量產(chǎn)236層第八代產(chǎn)品,SK海力士和美光科技也分別在量產(chǎn)176層和232層產(chǎn)品。u
第二,從細(xì)分賽道來看,光刻機等核心設(shè)備國產(chǎn)還在持續(xù)突破中,半導(dǎo)體設(shè)備的部分核心零部件還依賴進口,僅從覆蓋的工藝節(jié)點來看,28nm制程國產(chǎn)廠商還有許多領(lǐng)域未能覆蓋。圖:部分國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品進展?設(shè)備類型PVD設(shè)備應(yīng)用情況覆蓋AL-PAD,TiN等工藝,在55nm產(chǎn)線已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用CVD已成功覆蓋LPCVD、APCVD等設(shè)備,可用于SiNx、SIO2、Poly等多種薄膜沉積,多用于6/8英寸產(chǎn)線已覆蓋8/12寸產(chǎn)線55nm及以上節(jié)點多種類型淺槽刻蝕,可用于AL、Si、TiN等多種材料刻蝕已覆蓋立式氧化、退火爐及LPCVD爐管等設(shè)備,可滿足擴散、干/濕氧氧化、退火等工藝需求BoosterA630單片退火設(shè)備,應(yīng)用于前道后段制程中硅片表面清潔處理、K值恢復(fù)等工藝,實現(xiàn)28nm產(chǎn)線搬入使用已覆蓋CCP及ICP刻蝕設(shè)備,28及以上產(chǎn)線已實現(xiàn)產(chǎn)線應(yīng)用北方華創(chuàng)EtchFURRTPEtch中微公司CVD盛美上海WET華海清科CMPCVD主要覆蓋LED芯片和功率器件制造覆蓋多制程后清洗、去膠及濕法刻蝕等應(yīng)用CMP設(shè)備已在28nm及以上產(chǎn)線實現(xiàn)應(yīng)用覆蓋SiO2、SiNx、TEOs等工藝,在28nm及以上產(chǎn)線實現(xiàn)應(yīng)用拓荊科技ALDSiO2、SiNx等薄膜沉積,在28nm及以上產(chǎn)線STI工藝已實現(xiàn)應(yīng)用芯
微
PRcoating前道涂膠顯影設(shè)備已突破28nm及以上節(jié)點工藝制程技術(shù),可支持光刻設(shè)備聯(lián)機使用料至純科技WET已覆蓋28nm及以上節(jié)點全部工藝技術(shù)要求,并成功實現(xiàn)產(chǎn)線應(yīng)用10資料:集微咨詢,華金證券研究所設(shè)備行業(yè)周期與下游需求景氣度相關(guān)u
設(shè)備行業(yè)周期直接面對下游晶圓廠資本開支,而晶圓廠資本開支則離不開對于未來幾年終端半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用發(fā)展趨勢,因此整體上來看設(shè)備行業(yè)周期與下游需求景氣度有比較強的相關(guān)性。圖:2013-2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售總額(億美元)及同比與全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額(億美元)及同比料11資料:SEMI、SIA,華金證券研究所制程向前演進推動設(shè)備不斷升級u
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沿著摩爾定律向前演進,從1μm發(fā)展到當(dāng)下的5nm、3nm,特征尺寸不斷縮小,對生產(chǎn)技術(shù)和制造工藝提出了更高的要求,整個制造過程愈為復(fù)雜,制造成本顯著上升。圖:平面晶體管與FinFET以及GAAFETu
晶體管結(jié)構(gòu)從2D走向3D,導(dǎo)致部分加工步驟大幅度增加,比如更多的刻蝕和薄膜沉積等,從而大幅度提升了制造成本。圖:各類設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中的價值占比25020015010050214.95155.57114.284.4962.7247.4639.530.8225.0465nm21.34090nm45nm28nm20nm
16/14nm
10nm7nm5nm3nm料:華金每5萬片晶圓產(chǎn)能的設(shè)備投資額(億美元)12資料:LamResearch、IBS、SEMI,華金證券研究所硅含量的提升是設(shè)備市場擴容的發(fā)動機u
電子化在人類社會各個維度的普及帶動了硅含量的不斷提升,不斷涌現(xiàn)的新類別是推動硅含量提升的抓手,從早期的PC到智能手機再到未來的萬物智能。圖:半導(dǎo)體市場規(guī)模擴張歷程13資料:WTST、智東西、華金證券研究所新需求醞釀新動能u
展望未來,我們認(rèn)為有幾個產(chǎn)業(yè)趨勢預(yù)計持續(xù)發(fā)力進而推動全球硅含量的繼續(xù)提升:1、汽車的
“電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化”帶來的車載半導(dǎo)體價值量持續(xù)提升,TechInsights指出,2023年汽車半導(dǎo)體需求預(yù)計將增長19.0%,在2022年至2027年的五年期間,市場將以16.7%的復(fù)合年增長率增長,到2030年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長到1442億美元;2、AI技術(shù)的快速發(fā)展預(yù)計將在全維度范圍提升硬件設(shè)備的智能化水平,影響深遠,所帶來的除了AI服務(wù)器的需求外,未來走向推理階段,將會是更大的市場放量機會。研究機構(gòu)Aletheia報告指出,預(yù)估AI服務(wù)器市場規(guī)模將在2024年翻倍、2025年達到1350億美元,是2022年規(guī)模的4.5倍;3、新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革突飛猛進,機器人產(chǎn)業(yè)作為其中的關(guān)鍵通用目的技術(shù),將會保持快速增長勢頭,并在互補性技術(shù)的推動下,功能更加豐富和強大,向著云化、智能化、協(xié)同化等方向演進;4、VR/AR/MR/智能手表等可穿戴設(shè)備的快速發(fā)展。據(jù)博睿產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測,在新的市場需求推動下,未來7年(2023年~2029年),全球智能可穿戴裝備的市場規(guī)模將以10.6%的復(fù)合增長,于2029年達到1717.3億美元。u
SIA預(yù)計,2023年半導(dǎo)體銷售額將下降10.3%,2024年全球半導(dǎo)體銷售額將增長11.8%,達到5759.97億美元,超過2022年的5740.84億美元,將創(chuàng)歷史新高。其中,2024年IC芯片全球銷售額預(yù)計將增長13.9%至4703.49億美元,邏輯芯片將增長6.8%至1852.66億美元。此外,其他關(guān)鍵類別,包括離散、傳感器、模擬和微型等都將呈現(xiàn)個位數(shù)增長。從地區(qū)來看,幾乎所有地區(qū)都有望在2024年呈現(xiàn)持續(xù)增長,美洲和亞太地區(qū)或?qū)⒊尸F(xiàn)兩位數(shù)同比增長。料:14資料:TechInsights、Aletheia、博睿產(chǎn)業(yè)研究院、SIA,華金證券研究所國產(chǎn)晶圓廠擴張是設(shè)備國產(chǎn)化之引u
SEMI在其2022年發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測報告》中表明,預(yù)計全球半導(dǎo)體行業(yè)將在2021至2023年間建設(shè)84座大規(guī)模芯片制造工廠,并投資5000多億美元。增長預(yù)期包括2022年開始建設(shè)的33家新工廠和預(yù)計2023年將新增的28家工廠。在數(shù)量方面,預(yù)計中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))將會是全球第一,計劃有20座成熟制程工廠/產(chǎn)線。u
據(jù)TrendForce集邦咨詢2023年10月份發(fā)布的統(tǒng)計,2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補貼,擴產(chǎn)進度最為積極,預(yù)估中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%,成長至2027年的33%,其中以(HuaHongGroup)、合肥晶合集成(Nexchip)擴產(chǎn)最為積極。(SMIC)、華虹集團圖:2023-2027年各區(qū)域全球成熟制程產(chǎn)能占比分布預(yù)測料:下15資料:TrendForce、SEMI、華金證券研究所目錄國產(chǎn)化之路道阻且長,前景廣闊國產(chǎn)CMP龍頭,持續(xù)走向更先進制程走向平臺化,各業(yè)務(wù)條線漸次發(fā)力盈利預(yù)測與投資建議風(fēng)險提示16始于清華大學(xué)成果轉(zhuǎn)化u
華海清科成立于2013年4月10日,是一家擁有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商,主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù),主要產(chǎn)品為化學(xué)機械拋光(CMP)設(shè)備。u
2014年8月15日,清華大學(xué)出具《關(guān)于同意化學(xué)機械拋光項目產(chǎn)業(yè)化組建方案的批復(fù)》(清校復(fù)[2014]5號),對華海清科有限的設(shè)立進行了批復(fù),同意將30項化學(xué)機械拋光核心技術(shù)以知識產(chǎn)權(quán)出資入股的方式組建天津華海清科機電科技有限公司,并將清華方持有的股權(quán)40%按照如下比例獎勵給3位主要成果完成人。圖:公司發(fā)展歷程17資料:公司官網(wǎng)、華金證券研究所CMP同時覆蓋12和8英寸u
CMP是先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環(huán)節(jié)必需的關(guān)鍵制程工藝,公司所生產(chǎn)CMP設(shè)備可廣泛應(yīng)用于12英寸和8英寸的集成電路大生產(chǎn)線,產(chǎn)品總體技術(shù)性能已達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。u
公司推出國內(nèi)首臺擁有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的12英寸CMP設(shè)備并實現(xiàn)量產(chǎn)銷售,是目前國內(nèi)唯一一家為集成電路制造商提供12英寸CMP商業(yè)機型的高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商。料:18資料:華海清科招股書、華金證券研究所CMP是實現(xiàn)晶圓表面平坦化關(guān)鍵技術(shù)圖:CMP設(shè)備工作原理u
CMP全稱為Chemical-MechanicalPlanarization,直譯過來就是“化學(xué)機械平坦化”的意思,是集成電路制造工藝過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵技術(shù)。CMP設(shè)備通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化。圖:CMP設(shè)備工作示意圖圖:CMP設(shè)備拋光效率對比19資料:華海清科招股書、jacksonlea官網(wǎng),華金證券研究所CMP設(shè)備的三大關(guān)鍵技術(shù)u
CMP設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)分為三個方面:第一是拋光技術(shù),需要通過多區(qū)壓力控制等技術(shù)要素實現(xiàn)“拋得平”;第二是量測技術(shù),需要在拋光過程中通過終點檢測等實現(xiàn)“停得準(zhǔn)”;第三是清洗技術(shù),需要在拋光完成后通過超潔凈清洗等實現(xiàn)“洗得凈”,CMP設(shè)備是干進干出的集成電路制造裝備,在完成拋光環(huán)節(jié)后晶圓表面會有大量的顆粒等污染物,需要非常高要求的清洗技術(shù)實現(xiàn)不破壞晶圓的微觀結(jié)構(gòu)完成清洗工藝。圖:平坦化技術(shù)示意圖料:研20資料:《300mm硅片化學(xué)機械拋光設(shè)備及其關(guān)鍵技術(shù)研究》王彩玲、華金證券研究所CMP設(shè)備分類及核心構(gòu)成u
CMP工藝在芯片制造中的應(yīng)用包括淺溝槽隔離平坦化(STICMP)、多晶硅平坦化(PolyCMP)、層間介質(zhì)平坦化(ILDCMP)、金屬間介質(zhì)平坦化(IMDCMP)、銅互連平坦化(CuCMP)。u
CMP系統(tǒng)主要由拋光設(shè)備、拋光液和拋光墊三個部分組成?,F(xiàn)有的CMP設(shè)備主要有旋轉(zhuǎn)型、軌道式和直線式三種基本類型。圖:不同類型的CMP設(shè)備(從左到右分別是旋轉(zhuǎn)式、軌道式、直線式)資21資料:《化學(xué)機械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》燕禾等、華金證券研究所走向先進制程,路徑不變、系統(tǒng)更難u
目前最先進的5-3nm制程也仍采用CMP技術(shù)進行晶圓全局平坦化,且12英寸晶圓也是目前最先進制程的芯片制造生產(chǎn)線所采用的尺寸標(biāo)準(zhǔn),因此CMP設(shè)備在未來較長時間內(nèi)不存在技術(shù)迭代周期,但是設(shè)備中各核心模塊的技術(shù)和控制系統(tǒng)會不斷升級。u
隨著芯片技術(shù)節(jié)點的持續(xù)下降,對CMP設(shè)備的平坦化效果、控制精度、系統(tǒng)集成度和后清洗技術(shù)要求越來越高。CMP設(shè)備也將向著拋光頭分區(qū)精細(xì)化、工藝控制智能化、清洗單元多能量組合化、預(yù)防性維護精益化的方向發(fā)展。圖:伴隨制程升級對于局部平整度要求不斷提升料:22資料:《300mm硅片化學(xué)機械拋光設(shè)備及其關(guān)鍵技術(shù)研究》王彩玲、華金證券研究所三大應(yīng)用場景,集成電路制造市場最大u
在集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈中,CMP設(shè)備在硅片制造、集成電路制造、封裝測試三大環(huán)節(jié)均有應(yīng)用,其中集成電路制造是CMP設(shè)備應(yīng)用最主要的場景。u
在先進封裝領(lǐng)域,CMP工藝會越來越多被引入并大量使用,這將成為CMP設(shè)備除IC制造領(lǐng)域外一個大的需求增長點。料:圖23資料:華海清科招股書,華金證券研究所市場擴容的推動力u
隨著制程的演進,對CMP設(shè)備的需求越來越多,主要的推動力來自于器件特征尺寸(CD)微細(xì)化、技術(shù)升級引入的多層布線和一些新型材料的出現(xiàn)。u
14納米技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP工藝步驟數(shù)將由180納米技術(shù)節(jié)點的10次增加到20次以上,而7納米及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP工藝步驟數(shù)甚至超過30次。圖:伴隨制程升級對于CMP工藝步驟提升圖:9-11層金屬結(jié)構(gòu)CuCMP的示意圖24資料:安集科技2021年年報,華海清科招股書,華金證券研究所全球市場規(guī)模接近30億美元u
根據(jù)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國CMP設(shè)備行業(yè)市場前景預(yù)測及未來發(fā)展趨勢研究報告》顯示,2022年,全球CMP設(shè)備市場規(guī)模為27.78億美元,同比下降0.18%,市場規(guī)模保持穩(wěn)定,預(yù)計2023年CMP市場規(guī)模將達到30.4億美元。從區(qū)域分布來看,中國CMP設(shè)備市場份額占全球23.97%。圖:2022年按區(qū)域劃分CMP設(shè)備市場份額占比圖:2018-2023年全球CMP設(shè)備市場規(guī)模預(yù)測3530252015105其他,3.82%日本,5.36%30.427.8327.78歐洲,8.71%中國大陸,23.97%18.4215.814.93韓國,16.27%中國臺灣,23.69%北美,18.18%0201820192020202120222023E料:證券全球CMP設(shè)備市場規(guī)模(億美元)25資料:SEMI,研究院,、華金證券研究所美日大廠壟斷全球市場u
全球CMP設(shè)備市場處于高度壟斷狀態(tài),主要由美國應(yīng)用材料和日本荏原兩家設(shè)備制造商占據(jù),兩家制造商合計擁有全球CMP設(shè)備超過90%的市場份額,尤其在14nm以下最先進制程工藝的大生產(chǎn)線上所應(yīng)用的CMP設(shè)備僅由兩家國際巨頭提供。u
根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)顯示,2019年,兩家龍頭企業(yè)近乎壟斷了全球CMP設(shè)備的市場,其中應(yīng)用材料占據(jù)了全球CMP設(shè)備市場近70%的市場份額,荏原機械則占據(jù)了近25%。圖:華海清科、應(yīng)用材料、日本荏原CMP設(shè)備能力對比圖:2019年全球CMP設(shè)備市場競爭格局其他,5%?華海清科應(yīng)用材料日本荏原已實現(xiàn)28nm制程應(yīng)用制程工
的成熟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,應(yīng)用于最先進的
應(yīng)用于部分材質(zhì)的藝水平14nm制程工藝技
5nm制程工藝術(shù)正處于驗證中5nm制程工藝荏原機械,25%最大晶圓尺寸12英寸12英寸12英寸拋光頭技術(shù)
7分區(qū)拋光頭直驅(qū)式拋光驅(qū)動技7分區(qū)拋光頭7分區(qū)拋光頭應(yīng)用材料,70%皮帶傳動或直驅(qū)驅(qū)皮帶傳動或直驅(qū)驅(qū)動技術(shù);電機電流動技術(shù);電機電流終點檢測技術(shù);提終點檢測技術(shù);水術(shù);歸一化拋光終點識別技術(shù);VRM豎直干燥技術(shù)產(chǎn)品技術(shù)特點拉干燥技術(shù)平刷洗技術(shù)26資料:SEMI,華海清科招股書,華金證券研究所28nm工藝全覆蓋,14nm工藝驗證中圖:華海清科CMP設(shè)備產(chǎn)業(yè)應(yīng)用情況u
公司CMP設(shè)備已實現(xiàn)28nm制程所有工藝全覆蓋,目前已批量供貨;14nm制程的幾個關(guān)鍵工藝CMP設(shè)備已經(jīng)在客戶端同步開展驗證工作。圖:華海清科部分CMP設(shè)備能力產(chǎn)品類別適配制程應(yīng)用領(lǐng)域擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)首臺12英寸CMP
設(shè)備,適用于集成電路制造、晶圓基片生產(chǎn)、CMP
研磨材料研發(fā)和相關(guān)的科學(xué)研究
,可以滿足Oxide/STI/Poly/Cu/WCMP
等各種工藝需求。Universal30065~130nm根據(jù)市場需求研發(fā)的新型12英寸CMP
設(shè)備,具有四個拋光單元和單套清洗單元,集成多種終點檢測技術(shù),可以滿足45~130nmOxide/STI/Poly/Cu/WCMP
等各種工藝需求。Universal300Plus
45~130nm根據(jù)中高端市場需求開發(fā)的先進12英寸CMP
設(shè)備,具有四個拋光單元和雙清洗單元,可以28~65nm邏輯芯片以
滿足Oxide/SiN/STI/Poly/Cu/WUniversal300Dual
及2Xnm存儲芯片CMP
等各種工藝需求。是根據(jù)高端市場需求開發(fā)的先進12英寸CMP
設(shè)備。拋光頭具有8個獨立氣壓分區(qū),用于14~45nm邏輯芯片以
實現(xiàn)晶片更加優(yōu)異的全局平坦化,結(jié)合先進的多種終點檢測技術(shù),可以滿足及1Xnm存儲芯片
Oxide/SiN/STI/Poly/Cu/WCMP
等各種工藝需求Universal300X28nm以下邏輯芯片
在300X機型基礎(chǔ)上搭載了更先進的組合清洗技術(shù),展現(xiàn)更卓越的清洗效果,可以滿足Oxide/以及1Xnm存儲芯片
SiN/STI/Poly/Cu/WCMP
等各種工藝需求Unsal300T27資料:華海清科招股書,華金證券研究所積極開拓先進封裝等新市場u
除了往更先進制程演進外,公司也在積極開拓先進封裝、大硅片、化合物半導(dǎo)體等市場。u
根據(jù)公司2023年半年報顯示,用于先進封裝、大硅片領(lǐng)域的CMP設(shè)備已批量交付客戶大生產(chǎn)線;面向化合物半導(dǎo)體推出的CMP設(shè)備已在SiC、GaN、LN、LT等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)市場應(yīng)用,取得批量銷售訂單;公司進一步開發(fā)了兼容6/8英寸、拋光+清洗全自動控制的CMP設(shè)備,提升了第三代半導(dǎo)體襯底的拋光工藝水平、自動化程度和生產(chǎn)效率,同時大幅減少了耗材用量,已在頭部客戶通過驗證。圖:華海清科面向第三代半導(dǎo)體客戶推出的
Universal-150Smart料:28資料:華海清科官網(wǎng)、華金證券研究所國產(chǎn)份額占比持續(xù)提升u
按照SEMI統(tǒng)計的2018年-2020年中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))地區(qū)的CMP設(shè)備市場規(guī)模和公司2018年度-2020年度CMP設(shè)備銷售收入計算,公司2018年-2020年在中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))地區(qū)的CMP設(shè)備市場占有率約為1.05%、6.12%和12.64%。u
據(jù)統(tǒng)計長江存儲、華虹無錫、上海華力一二期項目、上海積塔在中國國際招標(biāo)網(wǎng)上公布的2019年至2021年期間CMP設(shè)備采購項目的評標(biāo)結(jié)果及中標(biāo)結(jié)果:該等公司2019年共招標(biāo)采購38臺CMP設(shè)備,其中華海清科中標(biāo)8臺,占比21.05%;2020年共招標(biāo)采購82臺CMP設(shè)備,其中華海清科中標(biāo)33臺,占比40.24%;2021年共招標(biāo)采購61臺CMP設(shè)備,其中華海清科中標(biāo)27臺,占比44.26%。圖:2019-2022年公司CMP設(shè)備銷量(臺)及單價(萬元/臺)圖:華海清科CMP設(shè)備核心關(guān)鍵能力??201912202018202135?2022銷量(臺)16141210850.00%45.00%40.00%35.00%30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%300系列14.3147.65%42.78%均價(萬元/臺)1,624.00
2,002.93
1,949.07?銷量(臺)-11?1,018.14
1,155.00?12
19
36200系列均價(萬元/臺)?總銷量(臺)11.4336.75%?9730.16%圖:2022年華海清科CMP設(shè)備營收占比24.51%6.94其他,13.23%63.5341.9520.320.141.73%00.00%2017料20182019202020212022毛利率2023H1CMP設(shè)備,86.77%:CMP設(shè)備營收(億元)29資料:wind、華海清科招股書、公司年報,華金證券研究所目錄國產(chǎn)化之路道阻且長,前景廣闊國產(chǎn)CMP龍頭,持續(xù)走向更先進制程走向平臺化,各業(yè)務(wù)條線漸次發(fā)力盈利預(yù)測與投資建議風(fēng)險提示30布局減薄、清洗、量測設(shè)備等業(yè)務(wù)u
公司始終堅持以技術(shù)創(chuàng)新為企業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力,并努力踐行“裝備+服務(wù)”的平臺化發(fā)展戰(zhàn)略,深耕集成電路制造上游產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵領(lǐng)域,大力發(fā)掘CMP設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備、測量設(shè)備、晶圓再生、耗材服務(wù)等集成電路領(lǐng)域的新機會。圖:華海清科在研項目一覽料:券31資料:華海清科2023年半年報,華金證券研究所晶圓減薄屬于半導(dǎo)體制造后道工序圖:傳統(tǒng)的晶圓減薄工序u
晶圓減薄是指對封裝前的硅晶片或化合物半導(dǎo)體等多種材料進行高精度磨削,使其厚度減少至合適的超薄形態(tài),是半導(dǎo)體制造后道工序中的重要環(huán)節(jié)之一。u
在后道制程階段,晶圓(正面已布好電路的硅片)在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減?。╞ackthinning)加工以降低封裝貼裝高度,減小芯片封裝體積,改善芯片的熱擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。料:32資料:電子工程專輯,華金證券研究所多層布線和3D封裝推動減薄需求u
目前,多層布線和3D封裝技術(shù)的應(yīng)用成為集成電路制造突破摩爾定律物理極限的重要解決方案,而多層布線和3D封裝的加工工藝對集成電路的平整度提出了更高的要求,化學(xué)機械拋光和機械磨削的晶圓超精密減薄技術(shù)是目前集成電路整體平坦化和減薄的主流加工方式。u
據(jù)QYResearch數(shù)據(jù),2021年全球晶圓減薄機市場銷售額達到了6.9億美元,預(yù)計2028年將達到13億美元,年復(fù)合增長率CAGR為7.4%。圖:迎來以3D封裝為代表高密度封裝時代料:33資料:中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國基金網(wǎng),華金證券研究所超精密晶圓減薄機量產(chǎn)出貨u
根據(jù)公司2023年5月21日發(fā)布的《關(guān)于12英寸超精密晶圓減薄機量產(chǎn)機臺出貨的自愿性披露公告》顯示,公司新一代12英寸超精密晶圓減薄機Versatile-GP300量產(chǎn)機臺出機發(fā)往集成電路龍頭企業(yè)。該機型是業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)12英寸晶圓超精密磨削和CMP全局平坦化的有機整合集成設(shè)備,Versatile-GP300量產(chǎn)機臺可穩(wěn)定實現(xiàn)12英寸晶圓片內(nèi)磨削總厚度變化(以下簡稱“TTV”)<1um和減薄工藝全過程的穩(wěn)定可控。該機型可以滿足集成電路、先進封裝等制造工藝的晶圓減薄需求。圖:華海清科超精密晶圓減薄設(shè)備料:x34資料:華海清科官網(wǎng),華金證券研究所清洗是重要工藝環(huán)節(jié)u
清洗是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要工藝環(huán)節(jié),用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能存在的雜質(zhì),避免雜質(zhì)影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能。u
在半導(dǎo)體硅片的制造過程中,需要清洗拋光后的硅片,保證其表面平整度和性能,從而提高在后續(xù)工藝中的良品率;而在晶圓制造工藝中要在光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工序前后進行清洗,去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì),減小缺陷率;而在封裝階段,需根據(jù)封裝工藝進行TSV清洗、UBM/RDL清洗等。圖:清洗涉及到半導(dǎo)體制造、封測的每個環(huán)節(jié)料:x35資料:盛美上海招股書,華金證券研究所半導(dǎo)體清洗分濕法和干法兩種u
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同,目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是指利用溶液、酸堿、表面活性劑水及其混合物,經(jīng)過溶解、腐蝕、化學(xué)反應(yīng)等方法去除硅片表面雜質(zhì)的技術(shù),是目前半導(dǎo)體器件進行清洗的主流技術(shù)。u
在濕法清洗工藝路線下,目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等,其中單片清洗設(shè)備市場份額占比最高。圖:濕法清洗設(shè)備分類圖:清洗工藝在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用示例36資料:盛美上海招股書、《半導(dǎo)體制造中的濕法清洗技術(shù)》賀敏輝等,華金證券研究所半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模及推動力u
芯片技術(shù)節(jié)點不斷提升,從55nm、40nm、28nm至14nm、7nm及以下,對晶圓表面污染物的控制要求越來越高,往往光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序前后都需要一步清洗工序。u
根據(jù)Gartner統(tǒng)計數(shù)據(jù),2018年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模為
34.17億美元,2019年和2020年受全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行的影響,有所下降,分別為30.49億美元和25.39億美元。2024年預(yù)計全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)將達到31.93億美元。圖:2018-2024年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模(億美元)圖:制程節(jié)點與清洗步驟之間的關(guān)系資37資料:《半導(dǎo)體制造中的濕法清洗技術(shù)》賀敏輝等、Gartner、華金證券研究所12英寸單片終端清洗機出貨u
根據(jù)華海清科2023年09月26日發(fā)布的《關(guān)于12英寸單片終端清洗機出貨的自愿性披露公告》顯示,公司首臺12英寸單片終端清洗機HSC-F3400機臺出機發(fā)往國內(nèi)大硅片龍頭企業(yè)。HSC-F3400機型配備了新型清洗模塊、干燥模塊及顆粒與金屬污染控制系統(tǒng),可穩(wěn)定實現(xiàn)大硅片正面及背面的高效率超潔凈清洗。是公司繼CMP設(shè)備、減薄設(shè)備之后,在濕法設(shè)備系列產(chǎn)品中推出的又一項重要成果。圖:公司部分清洗設(shè)備一覽料:38資料:華海清科公告、華金證券研究所晶圓再生業(yè)務(wù)發(fā)展迅速u
公司以自有CMP設(shè)備和清洗設(shè)備為依托,針對下游客戶生產(chǎn)線控片、擋片的晶圓再生需求,積極拓展晶圓再生業(yè)務(wù),目前已成為具備Fab裝備及工藝技術(shù)服務(wù)的晶圓再生專業(yè)代工廠。根據(jù)公司2023年半年報顯示,隨著募集資金的逐步投入,晶圓再生產(chǎn)能已經(jīng)達到10萬片/月,廠區(qū)Cu/NonCu兩條產(chǎn)線所有隔離工作已經(jīng)全部完成,大幅提高了再生工藝水平和客戶供應(yīng)能力。同時公司積極開拓新客戶,在國內(nèi)知名大廠均已完成Demo驗證工作,獲得多家大生產(chǎn)線批量訂單并實現(xiàn)長期穩(wěn)定供貨。圖:公司晶圓再生業(yè)務(wù)優(yōu)勢料:39資料:華海清科官網(wǎng),、華金證券研究所布局離子注入賽道u
離子注入是集成電路中最重要的摻雜技術(shù)之一,是器件功能的關(guān)鍵,經(jīng)由離子注入來決定晶體管的電學(xué)性能,重點通過對半導(dǎo)體芯片施加離子加速,注入摻雜元素,改變其導(dǎo)電性能,最終形成器件結(jié)構(gòu)。根據(jù)離子束電流和束流能量范圍,離子注入機可分為三大類,分別是中低束流離子注入機、低能大束流離子注入機、高能離子注入機。低能大束流離子注入機通常掃描硅片超淺源漏區(qū)注入的超低能束流,被應(yīng)用于邏輯芯片、DRAM、3D存儲器和CMOS圖像傳感器制造中;高能離子注入機流能量超過200keV,最高達到幾個MeV向溝槽或厚氧化層下面注入雜質(zhì),能形成倒摻雜阱和埋層,較多應(yīng)用在功率器件、IGBT、CMOS圖像傳感器、5G射頻、邏輯芯片等器件制備的過程中。u
根據(jù)公司2023年9月5日發(fā)布的投資者調(diào)研紀(jì)要顯示,公司參股了芯崳半導(dǎo)體(上海)有限公司,其已完成部分離子注入設(shè)備的研發(fā)工作,相關(guān)產(chǎn)品已進入某集成電路大生產(chǎn)線驗證,目前驗證較為順利。u
據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計顯示,2022年全球離子注入設(shè)備市場規(guī)模達206億元,預(yù)計2023年增至211億元。在中國(數(shù)據(jù)不含臺灣地區(qū))市場,2022年離子注入設(shè)備市場規(guī)模為66億元,2023年有望增至74億元。從市場格局上看,全球離子注入機設(shè)備主要以應(yīng)用材料(AMAT)、亞舍立(Acelis)、日本issin及SEN等國外廠商為主導(dǎo)。料:40資料:華海清科公告、華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、華金證券研究所目錄國產(chǎn)化之路道阻且長,前景廣闊國產(chǎn)CMP龍頭,持續(xù)走向更先進制程走向平臺化,各業(yè)務(wù)條線漸次發(fā)力盈利預(yù)測與投資建議風(fēng)險提示41盈利預(yù)測與投資建議u
盈利預(yù)測假設(shè)1、考慮到公司CMP設(shè)備屬于國產(chǎn)龍頭,未來幾年正處于滲透率持續(xù)提升的過程,而減薄設(shè)備未來也有望逐步釋放業(yè)績,預(yù)計公司2023-2025年該業(yè)務(wù)實現(xiàn)收入24.12億元、31.64億元、39.33億元,同比增速分別為68.59%、31.16%、24.32%,預(yù)計毛利率分別為47.00%、46.50%、46.00%;2、努力踐行“裝備+服務(wù)”的平臺化發(fā)展戰(zhàn)略,深耕集成電路制造上游產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵領(lǐng)域,大力發(fā)掘濕法設(shè)備、測量設(shè)備、晶圓再生、耗材服務(wù)等集成電路領(lǐng)域的新機會,預(yù)計公司2023-2025年該業(yè)務(wù)實現(xiàn)收入3.93億元、5.89億元、7.66億元,同比增速分別為80.00%、50.00%、30.00%,預(yù)計毛利率分別為43.43%、43.31%、46.00%。?2020353.282021693.7220222023E2024E2025ECMP
設(shè)備&減薄設(shè)備1,430.73106.24%47.65%218.112,412.0068.59%47.00%392.603,163.5031.16%46.50%588.903,933.0024.32%46.00%765.57同比增速(%)?毛利率(%)其他業(yè)務(wù)合計96.37%42.78%111.1636.75%32.61同比增速(%)?毛利率(%)240.88%56.90%804.88108.58%44.73%96.21%48.18%1,648.84104.85%47.72%80.00%43.43%2,804.6070.10%46.50%50.00%43.31%3,752.4033.79%46.00%30.00%46.00%4,698.5725.22%46.00%53.55%385.89營收合計同比增速(%)?綜合毛利率(%)38.17%42資料:wind、華金證券研究所盈利預(yù)測與投資建議u
我們選取國內(nèi)已經(jīng)上市的半導(dǎo)體設(shè)備公司作為可比公司:中微公司主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備及其他設(shè)備;北方華創(chuàng)主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備,廣泛應(yīng)用于邏輯器件、存儲器件、先進封裝、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、微機電系統(tǒng)、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等工藝制造過程;盛美上海從事對先進集成電路制造與先進晶圓級封裝制造行業(yè)至關(guān)重要的單晶圓及槽式濕法清洗設(shè)備、電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備和前道涂膠顯影設(shè)備和等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備等的開發(fā)、制造和銷售;拓荊科技目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列,廣泛應(yīng)用于國內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產(chǎn)線,此外,公司推出了應(yīng)用于晶圓級三維集成領(lǐng)域的混合鍵合設(shè)備產(chǎn)品系列。華海清科的PE低于可比公司估值的均值。u
維持前次預(yù)測,我們預(yù)測公司2023年至2025年分別實現(xiàn)營收28.05億元、37.52億元、46.99億元,同比增速分別為70.1%、33.8%、25.2%,分別實現(xiàn)歸母凈利潤7.45億元、9.71億元、12.88億元,同比增速分別為48.4%、30.5%、32.6%,對應(yīng)的PE分別為43.7倍、33.5倍、25.2倍,維持買入-A建議。歸母凈利潤2024EPE2024E上市公司中微公司總市值1,0232023E16.3036.432025E23.662023E62.82025E18.7248.9710.567.9554.7
43.3北方華創(chuàng)盛美上海拓荊科技均值1,33453662.4313.5410.8236.663.590.663.443.727.250.858.147.733.521.439.642.736.725.28.455.09461????華海清科3257.459.7112.88Wind一致預(yù)期,華海清科盈利預(yù)測來自華金證券研究所,注:股價為2023年10月27日收盤價43目錄國產(chǎn)化之路道阻且長,前景廣闊國產(chǎn)CMP龍頭,持續(xù)走向更先進制程走向平臺化,各業(yè)務(wù)條線漸次發(fā)力盈利預(yù)測與投資建議風(fēng)險提示44風(fēng)險提示u
晶圓廠擴產(chǎn)不及預(yù)期:半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)受下游半導(dǎo)體市場及終端消費市場需求波動的影響較大,如果未來終端消費市場需求尤其是增量需求下滑或由于快速擴張導(dǎo)致的產(chǎn)能過剩,半導(dǎo)體制造廠商可能會削減資本性支出規(guī)模,將會對包括公司在內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)企業(yè)的經(jīng)營業(yè)績造成較大不利影響。u
新產(chǎn)品和新服務(wù)的市場開拓不及預(yù)期的風(fēng)險:若公司新產(chǎn)品和新服務(wù)的客戶驗證進度不及預(yù)期、通過工藝驗證后市場開拓不利或公司經(jīng)營管理水平無法滿足相關(guān)業(yè)務(wù)開拓要求,則會對公司未來經(jīng)營業(yè)績的持續(xù)提升產(chǎn)生不利影響。u
客戶相對集中的風(fēng)險:由于集成電路制造行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型,國內(nèi)外主要集成電路制造商均呈現(xiàn)經(jīng)營規(guī)模大、數(shù)量少的行業(yè)特征,公司下游客戶所處行業(yè)的集中度較高。公司客戶集中度較高可能會導(dǎo)致公司在商業(yè)談判中處于弱勢地位,且公司的經(jīng)營業(yè)績與下游半導(dǎo)體廠商的資本性支出密切相關(guān),客戶自身經(jīng)營狀況變化也可能對公司產(chǎn)生較大的影響。如果公司后續(xù)不能持續(xù)開拓新客戶或?qū)我豢蛻粜纬芍卮笠蕾?,將不利于公司未來持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。45財務(wù)報表預(yù)測與估值數(shù)據(jù)匯總?cè)A海清科(688120)股價(2023-10-27):204.52元
投資評級:買入-A資產(chǎn)負(fù)債表會計年度流動資產(chǎn)現(xiàn)金????單位:百萬元?2025E?利潤表????單位:百萬元2025E46992021A24606172022A71222023E980626962024E109843214會計年度營業(yè)收入營業(yè)成本2021A8052022A16498622023E280515002024E3752202614162?20574414?4452537應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款預(yù)付賬款973842857466105431722227860731112470222258400767?159?6592?2229?876?0?營業(yè)稅金及附加營業(yè)費用26767114-216100100217-11-113314168126309-60
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