橢偏儀指導(dǎo)書

橢偏儀操作指導(dǎo)書目的使用橢偏儀測量經(jīng)PECVD鍍膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。適用范圍適用于CENTECH公司的SE400advanced型號的橢偏儀。三?設(shè)備主要性能及相關(guān)參數(shù)3.1設(shè)備型號：SE400advanced3.2設(shè)備構(gòu)成：A光學(xué)系統(tǒng)部分：由支架、定位顯微鏡、線偏振光發(fā)射器(包括632.8nm激光源)、橢圓偏振光接受和分析器組成。此部分完成整個光學(xué)部分的測試。BPC機部分。此部分完成數(shù)據(jù)的分析和輸出。四?運行前的檢查主要檢查設(shè)備光學(xué)儀器部分是否損壞和電腦是否可正常使用。五.設(shè)備操作啟動軟件將橢偏儀控制器和PC的電源打開，為了儀器快速可用和延長激光器壽命，推薦將橢偏儀控制器連續(xù)運轉(zhuǎn)。SE400advanced程序通常被安裝在文件夾：C:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用資源管理器或者直接雙擊桌面的SE400advanced圖標(biāo)，啟動軟件。

Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-1:SE400advanced圖標(biāo)軟件打開時會自動進入上次退出時的登陸用戶界面。Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-2:SE400advaneed用戶認(rèn)證通過菜單"Login"，能夠添加、更改或刪除用戶和用戶權(quán)限。用戶主窗口ReadyFig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-3:SE400advanced主窗口最后一次使用的模式會被自動加載。通過菜單，工具欄或模式列表，能夠選擇另外的模式。在軟件界面的右下角，一個圖標(biāo)（2）用來顯示橢偏儀控制器的連接狀態(tài)，它通常顯示為綠色。如果顯示不為綠色，請檢查橢偏儀和控制器之間的網(wǎng)絡(luò)連接是否正常，并檢查屏幕右下角的任務(wù)欄的網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)。樣品測試1） 在recipe下拉菜單中選擇08Si3N4onsilicon100nm.2） 將樣品平放于測試臺，并定位3）通過按 4心 來開始測量，測量完成后，結(jié)果被顯示在主結(jié)果區(qū)（3）和protocol區(qū)（4）。測量選項在"Measurementoptions"頁面中，能夠按照測量的數(shù)值計算方法、數(shù)值極限和結(jié)果報告,對一些設(shè)定進行更改。此外，設(shè)定入射角度和對多角度測量所使用角度的選擇，也能夠在這里進行。Fig.錯誤文檔中沒有指定樣式的文字。-4:模式選項（測量）

測量任務(wù)Psi,Delta橢偏角度的測量。Substratens，ks使用freesurface.模型時，基底的復(fù)折射率。Thickness使用單層透明膜模型，并指定膜層折射率和基底折射率時，膜層的厚度；開始膜厚由用戶給出或由CER測量給出。Thickness+n使用單層膜模型時，膜層的厚度和折射率（基底的復(fù)折射率作為固定值）。開始膜厚由用戶給出或由CER測量給出。Thickness+n+absorption多角度測量情況下，膜層的厚度、折射率和吸收系數(shù)，使用“Thickness+n”模型，橢偏儀需要用多角度測量。Twolayers多角度測量情況下，雙層膜的厚度。5.模型選項頁面"Mode1"包含了所有對測量進行分析的參數(shù)。軟件所使用的默認(rèn)模型為在吸收基底上的三層吸收膜。模型的參數(shù)能夠被直接輸入在相應(yīng)的區(qū)域，另一種方法是使用SENTECH材料庫，可通過膜層名字右邊的按鈕使用材料庫。Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-5:模式選項（模型）■Materialtfatalb^c口問兇HantsPt(PlaUnuml-Palt.fth(Rhcdtum]Ru(Rutherii-m)5F11侍擊 )NFig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-5:模式選項（模型）■Materialtfatalb^c口問兇HantsPt(PlaUnuml-Palt.fth(Rhcdtum]Ru(Rutherii-m)5F11侍擊 )NK AuthorZ.3Z744.14KS2.1+5(15.606^3.7fi7ti4.60^9L.7787O.QO[?：iHandt?joktf□閃由GarEtanterfaokfe.Editedb$|zE.D.PahL(XcademicPresEj19B5.pjbkdataHnnctiMkofOptedCmstantsofSilds,D.A^irK5Schotttechric^仃血3.8714a.QLE?JeOscndateG.EJejfcspnjr.SI(Skon(ILf|)SI^SkonlSi(Sicon)-Hdoped5i(Skcnj-parcius5ll3GeB9(51icorigermi=rikjm'[5lZDGeECi(SiicorigermEnLim)5EfiGe?2(Skorige^msnpjmJ創(chuàng)那I(Sllconritrld^)5L3Tiq(5ltnnrttrtl6)jSiESGecS(Skorigcrrnsnpjm)5i85Get5(^IectigB-maniumj5IS6GeEE(5korigwmarikjm：2日輛…QU丄馳…」H劇onttedGE.JBh頁J.r...3.afi573.37143磁*L.96425.0358Q6O口1口-a..O.QLS0.DL5S0.0279a.aasfl0.3373陰皿0.1745a.aamn.aoroij.o+ejjQ.aLBfl0.0LS9JdkondMa應(yīng)巳】日也an』.JeOscndataGE」日冶onJr?D.AsprwsCTJE7Median『rfeiMurefnentJelkcndetaG.EJ^isDn.Jr.Jelhcridiatm心EJ日詁on』，JdismdataG.EJdhonjfHandbookofOptliNCorstants.of勺oldsEdtedbyE.D.Paik?AcaderriiLPress,L^SS.Handt?joktf。閃咱Ganstartsrf5ofii±iEditedbyE.D.Paik,todarrt匸Pre鎬L9S5.JriSscndataG.EJcJhmJf,JdlsondeiA'S-EJdlim^Jr.JelkuridataG.EJ^kDn.Jr.Fig.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-6:SE400advaneed材料庫模型參數(shù)的描述在下表給出：Ns基底折射率Ks基底吸收系數(shù)Na周圍環(huán)境的折射率（空氣:n=1）Ka周圍環(huán)境的吸收系數(shù)（空氣:k=0）Phi入射角（垂直時入射角=0°）La激光波長（nm）Nu上層膜的折射率Ku上層膜的吸收系數(shù)（通常為負(fù)）Du上層膜的厚度Nm中間層膜的折射率Km中間層膜的吸收系數(shù)Dm中間層膜的厚度Nl底層膜的折射率Kl底層膜的吸收系數(shù)Dl底層膜的厚度Tab.錯誤!文檔中沒有指定樣式的文字。-1:三層膜模型的參數(shù)總結(jié)6.退出軟件點擊右上角的按鈕，關(guān)閉SENTECH軟件界面，就可以退出SE400advanced程序。六.注意事項被測片放于測試臺，測試時注意片子不要移動，以使測試準(zhǔn)確。測試時若參數(shù)有較大偏差（n約為2.05-2.11,d約為84-92nm）,應(yīng)先考慮PECVD工藝問題，再考慮橢偏儀本身是否測試準(zhǔn)確。測試時其Degreeofpolarization（偏振度）應(yīng)大于0.996。定期檢查光路準(zhǔn)確情況：1） 首先在70度位置測量SiO2標(biāo)準(zhǔn)片，看是