單晶硅制造生產(chǎn)事故培訓(xùn)_第1頁(yè)
單晶硅制造生產(chǎn)事故培訓(xùn)_第2頁(yè)
單晶硅制造生產(chǎn)事故培訓(xùn)_第3頁(yè)
單晶硅制造生產(chǎn)事故培訓(xùn)_第4頁(yè)
單晶硅制造生產(chǎn)事故培訓(xùn)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩21頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

寧夏隆基系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化培訓(xùn)教育課件(PPT標(biāo)準(zhǔn)版)

培訓(xùn)目的:對(duì)各類事故的發(fā)生深入分析,積累生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),提高操作技能,防患于未然。

課程類型:專業(yè)類課目:生產(chǎn)事故培訓(xùn)課時(shí):2H

主講人:

培訓(xùn)主導(dǎo):?jiǎn)尉е圃觳?/p>

漏硅事故分類1.熔料時(shí)裝料結(jié)構(gòu)不合理導(dǎo)致漏硅事故。2.晶棒掉堝導(dǎo)致坩堝底部砸破導(dǎo)致的漏硅事故。3.回熔操作不規(guī)范導(dǎo)致的漏硅事故。4.裝料時(shí)誤將坩堝損傷導(dǎo)致的漏硅事故。5.等徑時(shí)原料結(jié)晶,致使結(jié)晶粘住晶體導(dǎo)致坩堝撕裂的漏硅事故。6.原料進(jìn)檢不合格,導(dǎo)致的坩堝腐蝕嚴(yán)重的漏硅事故。7.石墨堝底部縫隙較大造成的坩堝疲勞滲硅,漏硅.

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

1.1.熔料時(shí)裝料結(jié)構(gòu)不合理導(dǎo)致漏硅事故。顆粒料熔料時(shí)發(fā)生的漏硅事故的原因分析:

熔料時(shí)石英坩堝中部的原料處于加熱器中部,加熱器的溫度分布為中部溫度最高,向兩邊溫度遞減。沫子料在熔料的時(shí)候,由于絕大部分熱量是從堝邊傳遞到料上,而且堝的中部處在高溫區(qū),所以固態(tài)硅是先從堝邊開始熔化,而上下部分由于溫度相對(duì)較低,固態(tài)硅尚未開始熔化,導(dǎo)致沫子料熔化呈蘑菇狀。“蘑菇”上的部分料整體掉進(jìn)堝邊熔體里,當(dāng)這些料靠在堝邊上熔化時(shí)由于需要吸收大量的熱量,導(dǎo)致周圍液態(tài)熔硅再次凝固。由于上部固態(tài)硅傾斜時(shí)可能將一部分液態(tài)熔硅密封在石英坩堝R處,當(dāng)這部分熔硅再次凝固時(shí)撐破石英坩堝導(dǎo)致漏硅。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

預(yù)防措施:1.粉末料及顆粒料裝料時(shí)需注意,原料距坩堝上沿要留夠30mm的安全距離。2.熔料時(shí)的坩堝位置須在-80mm以上,以便中部及中下部的原料盡快熔化。3.熔料時(shí)加熱器的功率達(dá)到高溫85KW以后。手動(dòng)將功率升至90KW。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

距離石英坩堝上沿30mm

2.晶棒掉堝導(dǎo)致坩堝底部砸破導(dǎo)致的漏硅事故。2.1晶體掉堝原因:2.1.1在等徑至尾部時(shí),原料所剩較少,升溫不及時(shí),導(dǎo)致底部原料開始從坩堝邊緣結(jié)晶,從而使結(jié)晶片粘在晶體上,導(dǎo)致細(xì)徑扭斷,致使晶棒掉入堝內(nèi),晶棒將坩堝底部砸裂,剩余原料漏硅,因晶棒掉堝,硅溶液液面上升,導(dǎo)流筒浸硅。2.1.2提純?cè)媳旧黼s質(zhì)較多,等徑的過(guò)程中非常容易以硅溶液中的雜質(zhì)為晶核,開始從雜質(zhì)點(diǎn)結(jié)晶,從而使結(jié)晶粘住晶體,扭斷籽晶,導(dǎo)致晶棒掉入堝內(nèi),晶棒將坩堝底部砸裂,剩余原料漏硅。2.1.3引晶時(shí),細(xì)徑的直徑不符合要求,存在過(guò)細(xì)的情況。當(dāng)?shù)葟綍r(shí)晶體重量逐漸增大,細(xì)徑不能承受晶棒的重力,發(fā)生細(xì)徑斷裂,導(dǎo)致晶棒掉入堝內(nèi),晶棒將坩堝底部砸裂,剩余原料漏硅。2.1.4引晶時(shí),細(xì)徑的長(zhǎng)度不符合要求,籽晶強(qiáng)度較弱,不能承受過(guò)大的重力,籽晶斷裂致使晶棒掉入堝內(nèi)。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

2.1.5籽晶在爐子副室轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)磕碰損傷,以及其他損傷。2.1.6檢查鋼絲繩及籽晶不到位,存在不安全的因素,導(dǎo)致鋼絲繩或籽晶斷裂,致使晶棒掉堝。2.1.7籽晶在爐子副室轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)磕碰損傷,以及其他損傷。2.1.8檢查鋼絲繩不到位,鋼絲繩存在打結(jié)、彎折、毛刺、纏松、鋼絲繩跳槽等現(xiàn)象時(shí),鋼絲繩逐個(gè)斷裂,導(dǎo)致重錘和晶棒一起掉入堝內(nèi)。2.1.9對(duì)于提純,熔接不充分(溫度低,光圈未包圓),導(dǎo)致熔接處機(jī)械強(qiáng)度不足。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

2.2事故現(xiàn)場(chǎng)和拆爐后的情況:2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

3.回熔操作不規(guī)范導(dǎo)致的漏硅事故。

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

熔硅熔硅熔硅晶棒晶棒在等徑的過(guò)程中,我們經(jīng)常會(huì)遇到晶體斷線,需要做回熔處理的情況,我們回想一下回熔工藝的步驟:1.將等徑狀態(tài)切換為手動(dòng)。2.將等徑控制、熱場(chǎng)控制、生長(zhǎng)控制、坩堝跟蹤依次退出自動(dòng)狀態(tài),并將坩坩堝跟蹤設(shè)定值歸0。3.將晶轉(zhuǎn)給定為原晶轉(zhuǎn)的一半(5轉(zhuǎn)),將堝轉(zhuǎn)給為1轉(zhuǎn)---2轉(zhuǎn)。使硅溶液溫度迅速升高,預(yù)防原料結(jié)晶。4.將功率升高至60KW---65KW??焖偕吖β蕼?zhǔn)備回熔。5.選擇坩堝快速下降,使晶體脫離硅溶液,將堝位下降至引晶堝位以下30mm。待熔硅溫度升高后,緩慢逐漸的下降晶體,進(jìn)行回熔。

3.1安全隱患:3.1.1在回熔時(shí)切不可操之過(guò)急,將晶體過(guò)快的下降,而降入硅溶液的晶體并未完全熔化,最終因下降的晶體過(guò)多,使晶棒戳到石英坩堝底部。(石英坩堝在高溫狀態(tài)下,質(zhì)地是比較軟的。)導(dǎo)致石英坩堝損傷而漏硅。3.1.2下降堝位的標(biāo)準(zhǔn)之所以定在引晶堝位以下30mm,是因?yàn)榈葟綍r(shí),石墨坩堝的位置是逐漸上升的,坩堝逐步由高溫區(qū)進(jìn)入到低溫區(qū),回熔時(shí)如果過(guò)多的下降堝位,會(huì)導(dǎo)致石英坩堝溫差過(guò)大,出現(xiàn)裂紋。導(dǎo)致滲硅及漏硅。功率的要求亦是防范石英坩堝溫差過(guò)大,導(dǎo)致滲硅、漏硅。3.1.3當(dāng)晶體逐漸熔化后,硅溶液的液面距離會(huì)逐漸升高,我們?cè)诨厝鄣倪^(guò)程中需要觀察液面距導(dǎo)流筒的距離,逐步的降低坩堝位置,防止液面上升,導(dǎo)致導(dǎo)流筒浸硅。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

4.裝料時(shí)誤將坩堝損傷導(dǎo)致的漏硅事故。在運(yùn)送及安裝石英坩堝的途中,務(wù)必要輕拿輕放,保護(hù)好石英坩堝不受損傷,每個(gè)車間內(nèi)都有用海綿包裹的小車來(lái)運(yùn)送石英坩堝,我們部門還嚴(yán)格要求運(yùn)送坩堝的過(guò)程中,石英坩堝必須要倒扣在小車上,并將石英坩堝完全的放置與小車平面中央,防止在運(yùn)送途中,顛簸導(dǎo)致石英堝掉下來(lái)?yè)p壞。且在提起坩堝時(shí)嚴(yán)禁只抓住坩堝包裝袋來(lái)提起坩堝,應(yīng)該一只手提包裝袋扎口,另一只手需小心拖住石英坩堝口,小心的輕放于裝料車上。在安裝坩堝前,必須要嚴(yán)格的按照坩堝檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)坩堝進(jìn)行檢查,發(fā)現(xiàn)異常,需要向班組長(zhǎng)回報(bào),審核該坩堝是否可用。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

裝料擺放料塊時(shí)更需要輕拿輕放,嚴(yán)禁野蠻操作,硬擠硬塞,防止裝料途中將坩堝損傷,而導(dǎo)致在熔料時(shí)石英堝存在傷痕,導(dǎo)致漏硅。

本圖,該員工存在極大的安全隱患,您發(fā)現(xiàn)了嗎?對(duì)了,該員工裝料時(shí)左手抓著很多的料塊,右手從左手一一取出料塊擺放到石英坩堝里。如果左手的原料不小心脫落,必將把石英坩堝砸破?。?024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

5.等徑時(shí)原料結(jié)晶,致使結(jié)晶粘住晶體導(dǎo)致坩堝撕裂的漏硅事故。

5.1事故原因:5.1.1在等徑至尾部時(shí),原料所剩較少,升溫不及時(shí),導(dǎo)致底部原料開始從坩堝邊緣結(jié)晶,從而使結(jié)晶片粘在晶體上,導(dǎo)致細(xì)徑扭斷,致使晶棒掉入堝內(nèi),晶棒將坩堝底部砸裂,(或者晶棒與坩堝粘連,使石英坩堝撕裂)剩余原料漏硅,硅溶液液面上升,導(dǎo)流筒浸硅。5.1.2提純?cè)媳旧黼s質(zhì)較多,等徑的過(guò)程中非常容易以硅溶液中的雜質(zhì)為晶核,開始從雜質(zhì)點(diǎn)結(jié)晶,從而使結(jié)晶粘住晶體,扭斷籽晶,導(dǎo)致晶棒掉入堝內(nèi),晶棒將坩堝底部砸裂,剩余原料漏硅。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

5.2預(yù)防措施:拉提純?cè)蠒r(shí),應(yīng)在等徑前將生長(zhǎng)控制中的設(shè)定拉速降低,預(yù)防硅溶液過(guò)早結(jié)晶。6寸晶體的生長(zhǎng)控制設(shè)定拉速應(yīng)在1.0mm/min以下。8寸晶體的生長(zhǎng)控制設(shè)定拉速應(yīng)在0.6mm/min以下。在等徑的過(guò)程中切不可疏忽大意,需要經(jīng)常的巡視爐臺(tái)運(yùn)行是否正常。在記錄數(shù)據(jù)的時(shí)候更要做個(gè)有心人,應(yīng)該用心觀察生長(zhǎng)控制中設(shè)定拉速與實(shí)際拉速的偏差是否較大,如果實(shí)際拉速大幅度高于設(shè)定拉速,則說(shuō)明硅溶液溫度較低,是將要結(jié)晶的前兆,應(yīng)該及時(shí)的采取升溫的措施。更為重要的是我們的操作人員需要具備很強(qiáng)的責(zé)任心,經(jīng)常對(duì)設(shè)備進(jìn)行巡視,及時(shí)采取措施排除異?,F(xiàn)象。防患于未然!2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

6.原料不合格,導(dǎo)致的坩堝腐蝕嚴(yán)重的漏硅事故。

6.1

事故分析:原料清洗不合格,原料雜質(zhì)較多,在高溫熔料時(shí),原料中的雜質(zhì)在高溫條件下,與石英坩堝的主要成分SiO2發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致坩堝腐蝕嚴(yán)重,漏硅!

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

7.石墨堝底部縫隙較大造成的坩堝疲勞滲硅,漏硅.在熱場(chǎng)安裝完成后,我們需要認(rèn)真的檢查熱場(chǎng)裝配是否符合要求,如:檢查石墨坩堝的安裝是否存在縫隙較大,底部是否平整的問(wèn)題。熔料時(shí),石英坩堝會(huì)發(fā)生軟化的現(xiàn)象,坩堝內(nèi)的熔硅有向下的重力,石英坩堝與石墨坩堝R面接觸的地方受力較重,石墨坩堝的縫隙較大時(shí),石英坩堝會(huì)被原料擠壓,填進(jìn)石墨坩堝的縫隙里,發(fā)生石英坩堝被拉薄的現(xiàn)象。

如果設(shè)備運(yùn)行時(shí)間過(guò)長(zhǎng),石英坩堝不能承受長(zhǎng)時(shí)間的高溫,從而使石英坩堝從R面縫隙破裂,發(fā)生漏硅事故。

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

7.1漏硅的表現(xiàn)現(xiàn)象:7.1.1熱場(chǎng)電阻過(guò)低報(bào)警;7.1.2加熱電流不穩(wěn);7.1.3波紋管溫度升高報(bào)警;7.1.4爐壓升高報(bào)警;7.1.5熔硅減少。7.2解決途徑:7.2.1現(xiàn)場(chǎng)處理:停加熱,如果爐壓不斷上升,可以判斷下軸波紋管燒破,漏氣;或爐子被燙穿,漏水??申P(guān)閉氬氣,調(diào)整節(jié)流閥開度為100%,加大抽氣效果。讓爐體自然冷卻。

此時(shí),禁止正對(duì)著窺視孔觀察爐內(nèi),應(yīng)從側(cè)面觀察,并盡量減少觀察時(shí)間。以防窺視孔爆炸傷人。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

7.2.2拆爐時(shí)未檢查爐內(nèi)壓力是否充至大氣壓,盲目提升副室,致使晶棒碰到副室,籽晶斷裂,晶棒掉堝。7.2.3拆爐升晶體時(shí),晶棒(短)未完全升進(jìn)副室就盲目的關(guān)閉隔離閥,使隔離閥碰到晶棒,籽晶斷裂,晶棒掉堝。以及長(zhǎng)晶體未升到安全位置,盲目旋轉(zhuǎn)副室及爐蓋,致使晶棒掉堝。7.2.4拆爐時(shí)操作人員配合不默契,旋轉(zhuǎn)副室及爐蓋時(shí)步調(diào)不一致,致使晶棒掉堝。7.2.5爐臺(tái)設(shè)備硬限位及軟限位,沒(méi)校正好,或失靈。導(dǎo)致晶體升過(guò)頭,鋼絲繩在副室頂部卡斷,晶棒掉堝。

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

8.熔重錘事故

8.1事故原因:8.1.1檢查鋼絲繩不到位,鋼絲繩打折或跳槽以及鋼絲繩斷裂,造成重錘掉入熔硅。8.1.2操作者操作失誤,操作完籽晶下降未及時(shí)關(guān)閉外部引晶器,外部引晶器下降按鈕卡死,致使重錘溶入熔硅。8.1.3籽晶未升入副室安全位置就關(guān)閉隔離閥,致使鋼絲繩卡斷,重錘掉入熔硅。8.1.4用物品卡住引晶器按鈕。此種違規(guī)將予以重罰。2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

8.2預(yù)防措施:8.2.1檢查鋼絲繩時(shí),有毛刺、打折以及自己不能判斷的情況及時(shí)找機(jī)修去認(rèn)真檢查填寫設(shè)備保修單并簽字.8.2.2外部引晶器隨用隨關(guān),避免異常事故發(fā)生。8.2.3隔離前,確認(rèn)籽晶升至安全位置在進(jìn)行隔離操作。

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

9導(dǎo)流筒浸硅事故

9.1事故原因:9.1.1料熔完后未降功率,導(dǎo)致跳硅濺到導(dǎo)流筒上;9.1.2升堝位時(shí)沒(méi)看爐子里面升過(guò)頭了;9.1.3回熔時(shí)沒(méi)降堝位;9.1.4沒(méi)有在工藝選擇里面隔離,也沒(méi)有導(dǎo)氣就關(guān)閉隔離閥導(dǎo)致跳硅;

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

9.1.5渣蓋提到一半時(shí)掉落;9.1.6晶體掉落熔硅中;9.1.7提晶體時(shí)沒(méi)有退堝跟,9.1.8高堝位拉晶且堝跟太快。

2024/1/23培訓(xùn)教育

學(xué)習(xí)成長(zhǎng)

10.墩?qǐng)迨鹿?0.1墩?qǐng)宓亩x:由于異常情況導(dǎo)致拉晶不能繼續(xù)進(jìn)行,在原料剩余較多的情況下被迫停爐的生產(chǎn)事故稱為墩?qǐng)?。如果剩余原料較多,在停爐過(guò)程中冷卻過(guò)程不當(dāng)會(huì)進(jìn)一步造成漏硅。造成墩?qǐng)宓脑颍?0.2原料問(wèn)題原料臟,特別是提純料,在熔料過(guò)程中會(huì)嚴(yán)重腐蝕坩堝,造成滲硅,引起電阻過(guò)低報(bào)警,被迫停爐。在這種情況下如果繼續(xù)加熱,石英坩堝將被腐蝕穿,導(dǎo)致漏硅,造成更大的損失

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論