電源工程師面試筆試指南

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電源工程師面試筆試指南

參與過IC公司、電源公司的聘請，大多是“筆試+面試”的模式。

華為電源面試，是我參與過的最正式和流程最多的面試，沒有之一。我認(rèn)為有機(jī)會(huì)，多參與這樣的面試，你會(huì)學(xué)到更多。

本帖共享下我的華為電源面試經(jīng)受，和大家溝通，同時(shí)也盼望能給即將畢業(yè)的或者新人做個(gè)參考。

帖中將包括兩部分內(nèi)容：

1、華為電源面試過程共享

2、面(筆)試題共享

(有華為的面試題、IC公司招AE的筆試題、電源公司招工程師的筆試題，題目不是很難，但我覺得都很好，各位看看對(duì)幾個(gè)。)

下面開始

第一部分：華為電源面試過程

參與華為電源的聘請，比較偶然，那時(shí)候剛好到我們學(xué)校來聘請，而我原來在外面實(shí)習(xí)，由于畢業(yè)論文要回校處理，就這么碰上了。

華為電源校招時(shí)沒有筆試題，主要是以下幾個(gè)流程，我畫了張圖。個(gè)別的由于時(shí)間安排關(guān)系，順次會(huì)有調(diào)整。

面試過程中給人一種壓力感，從網(wǎng)申開始，每一關(guān)都可能刷人。這面試有點(diǎn)像游戲中的打怪升級(jí)。

最近看論壇多了許多畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)的帖子，原來又到一年畢業(yè)時(shí)，感嘆時(shí)間的飛速!回想起自己當(dāng)年鄰近畢業(yè)的那段，除了忙于畢業(yè)設(shè)計(jì)，印象最深的就是找工作參與學(xué)校聘請的日子。

參與過IC公司、電源公司的聘請，大多是“筆試+面試”的模式。

華為電源面試，是我參與過的最正式和流程最多的面試，沒有之一。我認(rèn)為有機(jī)會(huì)，多參與這樣的面試，你會(huì)學(xué)到更多。

本帖共享下我的華為電源面試經(jīng)受，和大家溝通，同時(shí)也盼望能給即將畢業(yè)的或者新人做個(gè)參考。

下面包括兩部分內(nèi)容：

1、華為電源面試過程共享

2、面(筆)試題共享

(有華為的面試題、IC公司招AE的筆試題、電源公司招工程師的筆試題，題目出的都蠻好，各位看看能否拿多少分。)

開關(guān)電源工程師面試題--你能打多少分?

共25題120題每題3分2125題每題8分(答案見文章末尾處)

1，一般狀況下，同功率的'開關(guān)電源與線性電源相比，_____。

A,體積大，效率高

B，體積小，效率低

C,體積不變，效率低

D,體積小，效率高

2，大功率開關(guān)電源常用變換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式是_____。

A,反激式

B,正激式

C,自激式

D,他激式

3,一般來說，提高開關(guān)電源的頻率，那么電源_____。

A,同體積時(shí)，增大功率

B,功率減小，體積也減小

C,功率增大，體積也增大

D,效率提高，體積增大

4，肖特基管和快復(fù)原管常作為開關(guān)電源的____。

A,輸入整流管

B,輸出整流管

C,電壓瞬變抑制管

D,信號(hào)檢波管

5，肖特基管與快復(fù)原管相比，____。

A,耐壓高

B,反向復(fù)原時(shí)間長

C,正向壓降大

D,耐壓低，正向壓降小

6，GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是開關(guān)電源中變壓器常用的驅(qū)動(dòng)元件?____。

A,GTO和GTRB,TRIAC和IGBT

C,MOSFET和IGBT

D，SCR和MOSFET

7，開關(guān)電源變壓器的損耗主要包括：____。

A,磁滯損耗、銅阻損耗、渦流損耗

B,磁滯損耗、銅阻損耗、介電損耗

C,銅阻損耗、渦流損耗、介電損耗

D,磁滯損耗、渦流損耗、介電損耗

幾個(gè)開關(guān)電源工程師基礎(chǔ)筆試題

1、一般二極管和電力電子用的二極管在結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)分?提示：psn結(jié)構(gòu)，s層的作用是什么?可以從雜質(zhì)摻雜濃度來分析。

2、在現(xiàn)代開關(guān)器件中，常?？梢钥吹絧unchthrough技術(shù)的應(yīng)用。請介紹一下這種技術(shù)的原理和它的優(yōu)點(diǎn)(相比起沒有運(yùn)用此技術(shù)的器件)。

3、IGBT有“電導(dǎo)調(diào)制”的特點(diǎn)，應(yīng)此igbt在大電流，較低頻率的應(yīng)用場合較MOSFET更有優(yōu)勢。何謂電導(dǎo)調(diào)制?

4、thyristor和gto結(jié)構(gòu)上大同小異，但后者卻能夠?qū)崿F(xiàn)主動(dòng)關(guān)斷。請介紹一下生產(chǎn)工藝上的差異。

5、在大電流應(yīng)用場合，有時(shí)需要多管并聯(lián)?，F(xiàn)在可供選擇的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并聯(lián)，哪些不能?緣由是什么?

6、在常用的dcdcconverter中，如buckconverter或boostconverter，二極管的反相復(fù)原時(shí)間對(duì)能量損耗的影響很大。為改善損耗，請給出兩種方法。提示：新器件及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

答案往下(僅供參考而已)

1答：通常為了增加二極管的耐壓，理論上可以增厚pn結(jié)，并且降低雜質(zhì)濃度，但是缺點(diǎn)是正相導(dǎo)通損耗變大。

通過加一層低雜質(zhì)的s層，性能得到改觀：正相導(dǎo)通的時(shí)候s層完全導(dǎo)通，近似于短路，徑直pn連接，所以壓降小;反相接電壓的時(shí)候，由于s層的雜質(zhì)濃度低，電導(dǎo)低，或者說此s層能夠承受的最大電場E較大，所以s層能夠承受較大電壓而不被擊穿。

2答：在開關(guān)器件中，用于提高耐壓的s層往往并沒有得到充分的利用，由于s層的一端耐壓為Ema*的時(shí)候，另外一段為0，也就是說，E在s層并不是勻稱分布的，Uma*~0.5(Ema*+Emin)——留意，器件耐壓只取決于s層中E對(duì)于l長度的積分。punchthrough就是在s層與pn結(jié)徑直再加一層高雜質(zhì)摻雜的薄層，使得此