材料表征方法課件

納米材料的測(cè)試與表征材料表征方法前言納米材料分析的特點(diǎn)納米材料的成份分析納米材料的結(jié)構(gòu)分析納米材料的粒度分析納米材料的形貌分析納米材料的界面分析2024/2/22材料表征方法納米材料分析的特點(diǎn)納米材料具有許多優(yōu)良的特性諸如高比表面、高電導(dǎo)、高硬度、高磁化率等；納米科學(xué)和技術(shù)是在納米尺度上(0.1nm～100nm之間)研究物質(zhì)（包括原子、分子）的特性和相互作用，并且利用這些特性的多學(xué)科的高科技。納米科學(xué)大體包括納米電子學(xué)、納米機(jī)械學(xué)、納米材料學(xué)、納米生物學(xué)、納米光學(xué)、納米化學(xué)等領(lǐng)域。

2024/2/23材料表征方法納米材料分析的意義

納米技術(shù)與納米材料屬于高技術(shù)領(lǐng)域，許多研究人員及相關(guān)人員對(duì)納米材料還不是很熟悉，尤其是對(duì)如何分析和表征納米材料，獲得納米材料的一些特征信息。主要從納米材料的成份分析，形貌分析，粒度分析，結(jié)構(gòu)分析以及表面界面分析等幾個(gè)方面進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹。力圖通過納米材料的研究案例來說明這些現(xiàn)代技術(shù)和分析方法在納米材料表征上的具體應(yīng)用。2024/2/24材料表征方法納米材料的成份分析材料表征方法成分分析的重要性納米材料的光電聲熱磁等物理性能與組成納米材料的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)具有密切關(guān)系；

TiO2納米光催化劑摻雜C,N例子說明納米發(fā)光材料中的雜質(zhì)種類和濃度還可能對(duì)發(fā)光器件的性能產(chǎn)生影響據(jù)報(bào)；如通過在ZnS中摻雜不同的離子可調(diào)節(jié)在可見區(qū)域的各種顏色因此確定納米材料的元素組成測(cè)定納米材料中雜質(zhì)的種類和濃度是納米材料分析的重要內(nèi)容之一。2024/2/26材料表征方法圖1不同結(jié)構(gòu)的CdSe1-XTeX量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和光譜性質(zhì)示意圖1核殼結(jié)構(gòu)的CdTe-CdSe量子點(diǎn)2核殼結(jié)構(gòu)的CdSe-CdTe量子點(diǎn)3均相結(jié)構(gòu)的CdSe1-XTeX

量子點(diǎn)4梯度結(jié)構(gòu)的CdSe1-XTeX

量子點(diǎn)上述四種量子點(diǎn)的平均直徑為5.9nm組成為CdSe0.6Te0.42024/2/27材料表征方法成分分析類型和范圍納米材料成分分析按照分析對(duì)象和要求可以分為微量樣品分析和痕量成分分析兩種類型；納米材料的成分分析方法按照分析的目的不同又分為體相元素成分分析表面成分分析和微區(qū)成分分析等方法；為達(dá)此目的納米材料成分分析按照分析手段不同又分為光譜分析質(zhì)譜分析和能譜分析；2024/2/28材料表征方法納米材料成份分析種類光譜分析主要包括火焰和電熱原子吸收光譜AAS，電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜ICP-OES，X-射線熒光光譜XFS和X-射線衍射光譜分析法XRD；質(zhì)譜分析主要包括電感耦合等離子體質(zhì)譜ICP-MS和飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法TOF-SIMS能譜分析主要包括X射線光電子能譜XPS和俄歇電子能譜法AES2024/2/29材料表征方法體相成分分析方法納米材料的體相元素組成及其雜質(zhì)成分的分析方法包括原子吸收原子發(fā)射ICP，質(zhì)譜以及X射線熒光與衍射分析方法；其中前三種分析方法需要對(duì)樣品進(jìn)行溶解后再進(jìn)行測(cè)定，因此屬于破壞性樣品分析方法。而X射線熒光與衍射分析方法可以直接對(duì)固體樣品進(jìn)行測(cè)定因此又稱為非破壞性元素分析方法。2024/2/210材料表征方法原子吸收分析特點(diǎn)根據(jù)蒸氣相中被測(cè)元素的基態(tài)原子對(duì)其原子共振輻射的吸收強(qiáng)度來測(cè)定試樣中被測(cè)元素的含量；適合對(duì)納米材料中痕量金屬雜質(zhì)離子進(jìn)行定量測(cè)定，檢測(cè)限低，ng/cm3，10－10－10－14g測(cè)量準(zhǔn)確度很高，1%（3-5%）選擇性好，不需要進(jìn)行分離檢測(cè)

分析元素范圍廣，70多種

難熔性元素，稀土元素和非金屬元素，不能同時(shí)進(jìn)行多元素分析；2024/2/211材料表征方法電感耦合等離子體發(fā)射光譜法ICPICP是利用電感耦合等離子體作為激發(fā)源，根據(jù)處于激發(fā)態(tài)的待測(cè)元素原子回到基態(tài)時(shí)發(fā)射的特征譜線對(duì)待測(cè)元素進(jìn)行分析的方法；可進(jìn)行多元素同時(shí)分析，適合近70種元素的分析；很低的檢測(cè)限，一般可達(dá)到10－1～10－5μg/cm－3

穩(wěn)定性很好，精密度很高，相對(duì)偏差在1%以內(nèi)，定量分析效果好；線性范圍可達(dá)4～6個(gè)數(shù)量級(jí)

對(duì)非金屬元素的檢測(cè)靈敏度低；2024/2/212材料表征方法電感耦合等離子體質(zhì)譜法ICP-MS是利用電感耦合等離子體作為離子源的一種元素質(zhì)譜分析方法；該離子源產(chǎn)生的樣品離子經(jīng)質(zhì)譜的質(zhì)量分析器和檢測(cè)器后得到質(zhì)譜；檢出限低（多數(shù)元素檢出限為ppb-ppt級(jí)）線性范圍寬（可達(dá)7個(gè)數(shù)量級(jí)）分析速度快（1分鐘可獲得70種元素的結(jié)果）譜圖干擾少（原子量相差1可以分離），能進(jìn)行同位素分析；2024/2/213材料表征方法X-射線熒光光譜分析法是一種非破壞性的分析方法，可對(duì)固體樣品直接測(cè)定。在納米材料成分分析中具有較大的優(yōu)點(diǎn)；X射線熒光光譜儀有兩種基本類型波長(zhǎng)色散型和能量色散型；具有較好的定性分析能力，可以分析原子序數(shù)大于3的所有元素。本低強(qiáng)度低，分析靈敏度高，其檢測(cè)限達(dá)到10－5～10－9g/g（或g/cm3）幾個(gè)納米到幾十微米的薄膜厚度測(cè)定；2024/2/214材料表征方法表面與微區(qū)成份分析X射線光電子能譜；（10微米，表面）俄歇電子能譜；（6nm，表面）二次離子質(zhì)譜；（微米，表面）電子探針分析方法；（0.5微米，體相）電鏡的能譜分析；（1微米，體相）電鏡的電子能量損失譜分析；（0.5nm）2024/2/215材料表征方法電子探針分析方法電子束與物質(zhì)的相互作用也可以產(chǎn)生特征的X-射線根據(jù)X-射線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度進(jìn)行分析的方法稱為電子探針分析法；微區(qū)分析能力，1微米量級(jí)分析準(zhǔn)確度高，優(yōu)于2%分析靈敏度高，達(dá)到10－15g，100PPM－1%樣品的無損性；多元素同時(shí)檢測(cè)性可以進(jìn)行選區(qū)分析電子探針分析對(duì)輕元素很不利；2024/2/216材料表征方法電鏡-能譜分析方法利用電鏡的電子束與固體微區(qū)作用產(chǎn)生的X射線進(jìn)行能譜分析（EDAX）；與電子顯微鏡結(jié)合（SEM，TEM），可進(jìn)行微區(qū)成份分析；定性和定量分析，一次全分析；2024/2/217材料表征方法納米成份分析案例ICP-OES研究CdSe納米粒子的組成CdSe在復(fù)合納米粒子中所占比例為87.8%,其他12.2%可能為包覆在CdSe表面的有機(jī)修飾層。紅外光譜研究發(fā)現(xiàn)了季銨化吡啶環(huán)的特征吸收峰；包覆巰基乙酸的CdSe在1390cm-1的吸收峰移動(dòng)到1377cm-1處，說明通過靜電作用實(shí)現(xiàn)了乙烯基吡啶季銨鹽PVPNI與包覆巰基乙酸的CdSe兩者的有效復(fù)合2024/2/218材料表征方法納米粒子ICP-MS直接測(cè)定2024/2/219材料表征方法納米材料的粒度分析材料表征方法粒度分析的概念

對(duì)于納米材料，其顆粒大小和形狀對(duì)材料的性能起著決定性的作用。因此，對(duì)納米材料的顆粒大小和形狀的表征和控制具有重要的意義。一般固體材料顆粒大小可以用顆粒粒度概念來描述。但由于顆粒形狀的復(fù)雜性，一般很難直接用一個(gè)尺度來描述一個(gè)顆粒大小，因此，在粒度大小的描述過程中廣泛采用等效粒度的概念。對(duì)于不同原理的粒度分析儀器，所依據(jù)的測(cè)量原理不同，其顆粒特性也不相同，只能進(jìn)行等效對(duì)比，不能進(jìn)行橫向直接對(duì)比。2024/2/221材料表征方法粒度分析的種類和適用范圍

顯微鏡法(Microscopy)

；SEM,TEM；1nm～5μｍ范圍；適合納米材料的粒度大小和形貌分析；沉降法(SedimentationSizeAnalysis)

沉降法的原理是基于顆粒在懸浮體系時(shí)，顆粒本身重力(或所受離心力)、所受浮力和黏滯阻力三者平衡，并且黏滯力服從斯托克斯定律來實(shí)施測(cè)定的，此時(shí)顆粒在懸浮體系中以恒定速度沉降，且沉降速度與粒度大小的平方成正比；10nm～20μｍ的顆粒；2024/2/222材料表征方法光散射法(LightScattering)激光衍射式粒度儀僅對(duì)粒度在5μｍ以上的樣品分析較準(zhǔn)確，而動(dòng)態(tài)光散射粒度儀則對(duì)粒度在5μｍ以下的納米樣品分析準(zhǔn)確。激光光散射法可以測(cè)量20nm－3500μｍ的粒度分布，獲得的是等效球體積分布，測(cè)量準(zhǔn)確，速度快，代表性強(qiáng)，重復(fù)性好，適合混合物料的測(cè)量。利用光子相干光譜方法可以測(cè)量1nm－3000nm范圍的粒度分布，特別適合超細(xì)納米材料的粒度分析研究。測(cè)量體積分布，準(zhǔn)確性高，測(cè)量速度快，動(dòng)態(tài)范圍寬，可以研究分散體系的穩(wěn)定性。其缺點(diǎn)是不適用于粒度分布寬的樣品測(cè)定。2024/2/223材料表征方法光散射粒度測(cè)試方法的特點(diǎn)測(cè)量范圍廣,現(xiàn)在最先進(jìn)的激光光散射粒度測(cè)試儀可以測(cè)量1nm～3000μｍ,基本滿足了超細(xì)粉體技術(shù)的要求；測(cè)定速度快,自動(dòng)化程度高,操作簡(jiǎn)單。一般只需1～1.5min；測(cè)量準(zhǔn)確,重現(xiàn)性好?？梢垣@得粒度分布；2024/2/224材料表征方法激光相干光譜粒度分析法

通過光子相關(guān)光譜（PCS）法，可以測(cè)量粒子的遷移速率。而液體中的納米顆粒以布朗運(yùn)動(dòng)為主，其運(yùn)動(dòng)速度取決于粒徑，溫度和粘度等因素。在恒定的溫度和粘度條件下，通過光子相關(guān)光譜（PCS）法測(cè)定顆粒的遷移速率就可以獲得相應(yīng)的顆粒粒度分布光子相關(guān)光譜(ＰＣＳ)技術(shù)能夠測(cè)量粒度度為納米量級(jí)的懸浮物粒子,它在納米材料，生物工程、藥物學(xué)以及微生物領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。2024/2/225材料表征方法電鏡法粒度分析優(yōu)點(diǎn)是可以提供顆粒大小，分布以及形狀的數(shù)據(jù)，此外，一般測(cè)量顆粒的大小可以從1納米到幾個(gè)微米數(shù)量級(jí)。并且給的是顆粒圖像的直觀數(shù)據(jù)，容易理解。但其缺點(diǎn)是樣品制備過程會(huì)對(duì)結(jié)果產(chǎn)生嚴(yán)重影響，如樣品制備的分散性，直接會(huì)影響電鏡觀察質(zhì)量和分析結(jié)果。電鏡取樣量少，會(huì)產(chǎn)生取樣過程的非代表性。2024/2/226材料表征方法適合電鏡法粒度分析的儀器主要有掃描電鏡和透射電鏡。普通掃描電鏡的顆粒分辨率一般在6nm左右，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的分辨率可以達(dá)到0.5nm。掃描電鏡對(duì)納米粉體樣品可以進(jìn)行溶液分散法制樣，也可以直接進(jìn)行干粉制樣。對(duì)樣品制備的要求比較低，但由于電鏡對(duì)樣品有求有一定的導(dǎo)電性能，因此，對(duì)于非導(dǎo)電性樣品需要進(jìn)行表面蒸鍍導(dǎo)電層如表面蒸金，蒸碳等。一般顆粒在10納米以下的樣品比較不能蒸金，因?yàn)榻痤w粒的大小在8納米左右，會(huì)產(chǎn)生干擾的，應(yīng)采取蒸碳方式。掃描電鏡有很大的掃描范圍，原則上從1nm到mm量級(jí)均可以用掃描電鏡進(jìn)行粒度分析。而對(duì)于透射電鏡，由于需要電子束透過樣品，因此，適用的粒度分析范圍在1-300nm之間。對(duì)于電鏡法粒度分析還可以和電鏡的其他技術(shù)連用，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)顆粒成份和晶體結(jié)構(gòu)的測(cè)定，這是其他粒度分析法不能實(shí)現(xiàn)的。2024/2/227材料表征方法粒度分析應(yīng)用高分子納米微球研究2024/2/228材料表征方法光催化劑的分散狀態(tài)2024/2/229材料表征方法水解聚丙烯酰胺溶液的粒度分布圖圖9光子相關(guān)光譜技術(shù)示意圖2024/2/230材料表征方法納米材料的結(jié)構(gòu)分析不僅納米材料的成份和形貌對(duì)其性能有重要影響，納米材料的物相結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)對(duì)材料的性能也有著重要的作用。目前，常用的物相分析方法有X射線衍射分析、激光拉曼分析以及微區(qū)電子衍射分析。2024/2/231材料表征方法

X射線衍射結(jié)構(gòu)分析

XRD物相分析是基于多晶樣品對(duì)X射線的衍射效應(yīng)，對(duì)樣品中各組分的存在形態(tài)進(jìn)行分析。測(cè)定結(jié)晶情況，晶相，晶體結(jié)構(gòu)及成鍵狀態(tài)等等。可以確定各種晶態(tài)組分的結(jié)構(gòu)和含量。靈敏度較低，一般只能測(cè)定樣品中含量在1%以上的物相，同時(shí)，定量測(cè)定的準(zhǔn)確度也不高，一般在1%的數(shù)量級(jí)。XRD物相分析所需樣品量大（0.1g），才能得到比較準(zhǔn)確的結(jié)果，對(duì)非晶樣品不能分析。2024/2/232材料表征方法樣品制備樣品的顆粒度對(duì)X射線的衍射強(qiáng)度以及重現(xiàn)性有很大的影響。一般樣品的顆粒越大，則參與衍射的晶粒數(shù)就越少，并還會(huì)產(chǎn)生初級(jí)消光效應(yīng)，使得強(qiáng)度的重現(xiàn)性較差。要求粉體樣品的顆粒度大小在0.1～10μm范圍。此外，當(dāng)吸收系數(shù)大的樣品，參加衍射的晶粒數(shù)減少，也會(huì)使重現(xiàn)性變差。因此在選擇參比物質(zhì)時(shí)，盡可能選擇結(jié)晶完好，晶粒小于5μm，吸收系數(shù)小的樣品。一般可以采用壓片，膠帶粘以及石蠟分散的方法進(jìn)行制樣。由于X射線的吸收與其質(zhì)量密度有關(guān)，因此要求樣品制備均勻，否則會(huì)嚴(yán)重影響定量結(jié)果的重現(xiàn)性。2024/2/233材料表征方法X射線衍射分析

XRD物相定性分析

物相定量分析

晶粒大小的測(cè)定原理

介孔結(jié)構(gòu)測(cè)定；多層膜分析物質(zhì)狀態(tài)鑒別2024/2/234材料表征方法晶粒大小的測(cè)定原理

用XRD測(cè)量納米材料晶粒大小的原理是基于衍射線的寬度與材料晶粒大小有關(guān)這一現(xiàn)象。利用XRD測(cè)定晶粒度的大小是有一定的限制條件的，一般當(dāng)晶粒大于100nm以上，其衍射峰的寬度隨晶粒大小的變化就不敏感了；而當(dāng)晶粒小于10nm時(shí)，其衍射峰隨晶粒尺寸的變小而顯著寬化；試樣中晶粒大小可采用Scherrer公式進(jìn)行計(jì)算2024/2/235材料表征方法

是入射X射線的波長(zhǎng)

是衍射hkl的布拉格角

hkl是衍射hkl的半峰寬，單位為弧度。使用Scherror公式測(cè)定晶粒度大小的適用范圍是5nm

300nm。2024/2/236材料表征方法小角X射線衍射測(cè)定介孔結(jié)構(gòu)

小角度的X射線衍射峰可以用來研究納米介孔材料的介孔結(jié)構(gòu)。這是目前測(cè)定納米介孔材料結(jié)構(gòu)最有效的方法之一。由于介孔材料可以形成很規(guī)整的孔，所以可以把它看做周期性結(jié)構(gòu)，樣品在小角區(qū)的衍射峰反映了孔洞周期的大小。對(duì)于孔排列不規(guī)整的介孔材料，此方法不能獲得其孔經(jīng)周期的信息。2024/2/237材料表征方法多層膜的研究在納米多層膜材料中，兩薄膜層材料反復(fù)重疊，形成調(diào)制界面。當(dāng)X射線入射時(shí)，周期良好的調(diào)制界面會(huì)與平行于薄膜表面的晶面一樣，在滿足布拉格方程時(shí)，產(chǎn)生相干衍射。由于多層膜的調(diào)制周期比一般金屬和小分子化合物的最大晶面間距大得多，所以只有小周期多層膜調(diào)制界面產(chǎn)生的X射線衍射峰可以在小角度區(qū)域中觀察到。對(duì)制備良好的小周期納米多層膜可以用小角度XRD方法測(cè)定其調(diào)制周期。2024/2/238材料表征方法物質(zhì)狀態(tài)的鑒別

不同的物質(zhì)狀態(tài)對(duì)X射線的衍射作用是不相同的，因此可以利用X射線衍射譜來區(qū)別晶態(tài)和非晶態(tài)。不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的XRD譜示意圖

2024/2/239材料表征方法納米材料研究中的XRD分析

TiO2納米材料晶粒大小測(cè)定對(duì)于TiO2納米粉體，衍射峰2θ為21.5°，為101晶面。當(dāng)采用CuKα，波長(zhǎng)為0.154nm，衍射角的2θ為25.30°，半高寬為0.375°，一般Sherrer常數(shù)取0.89。根據(jù)Scherrer公式，可以計(jì)算獲得晶粒的尺寸。D101＝Kλ/B1/2cosθ＝0.89×0.154×57.3、（0.375×0.976）＝21.5nm。2024/2/240材料表征方法納米TiN/AlN薄膜樣品的XRD譜對(duì)于S2樣品在2θ=4.43°時(shí)出現(xiàn)明銳的衍射峰，根據(jù)Braag方程，可計(jì)算出其對(duì)應(yīng)的調(diào)制周期為1.99nm；而對(duì)于S3.5樣品的2θ=2.66°，調(diào)制周期為3.31nm；分別與其設(shè)計(jì)周期2nm和3.5nm近似相等

2024/2/241材料表征方法介孔結(jié)構(gòu)測(cè)定六方孔形MCM-41密堆積排列示意圖

合成產(chǎn)物的XRD圖譜

2024/2/242材料表征方法單層分散研究圖21在TiO2載體表面負(fù)載不同含量CuO的納米催化劑的XRD譜圖22XRD測(cè)定CuO在TiO2載體表面的單層分散閾值2024/2/243材料表征方法激光拉曼物相分析

當(dāng)一束激發(fā)光的光子與作為散射中心的分子發(fā)生相互作用時(shí)，大部分光子僅是改變了方向，發(fā)生散射，而光的頻率仍與激發(fā)光源一致，這中散射稱為瑞利散射。但也存在很微量的光子不僅改變了光的傳播方向，而且也改變了光波的頻率，這種散射稱為拉曼散射。其散射光的強(qiáng)度約占總散射光強(qiáng)度的10－6～10－10。拉曼散射的產(chǎn)生原因是光子與分子之間發(fā)生了能量交換，改變了光子的能量。2024/2/244材料表征方法拉曼活性在固體材料中拉曼激活的機(jī)制很多，反映的范圍也很廣：如分子振動(dòng)，各種元激發(fā)（電子，聲子，等離子體等），雜質(zhì)，缺陷等

晶相結(jié)構(gòu)，顆粒大小，薄膜厚度，固相反應(yīng)，細(xì)微結(jié)構(gòu)分析，催化劑等方面2024/2/245材料表征方法Raman光譜可獲得的信息Raman特征頻率材料的組成MoS2,MoO3Raman譜峰的改變加壓/拉伸狀態(tài)每1%的應(yīng)變，Si產(chǎn)生1cm-1Raman位移Raman偏振峰晶體的對(duì)稱性和取向用CVD法得到金剛石顆粒的取向Raman峰寬晶體的質(zhì)量塑性變形的量2024/2/246材料表征方法晶粒度影響利用晶粒度對(duì)LRS散射效應(yīng)導(dǎo)致的位移效應(yīng)，還可以研究晶粒度的信息晶粒度影響2024/2/247材料表征方法金屬絲網(wǎng)負(fù)載薄膜光催化劑TiO2薄膜晶體結(jié)構(gòu)145cm-1,404cm-1,516cm-1,635cm-1是銳鈦礦的Raman峰；

228cm-1,294cm-1是金紅石的Raman峰；在超過400℃后，有金紅石相出現(xiàn)；

2024/2/248材料表征方法薄膜晶粒尺度研究

體相銳鈦礦Raman峰[1，2]制備的薄膜Raman峰142cm-1145cm-11U.Balachandran,N.G.Eror,J.Sol.State.Chem,42(1982)276-282.2SeanKelly,FredH.Pollak,MichaTomkiewicz,J.Phys.Chem.B

101(1997)2730-2734.

Raman峰的位置會(huì)隨著粒子粒徑和孔徑的大小發(fā)生變化。粒徑的變小會(huì)使峰位置偏移，峰不對(duì)稱加寬，峰強(qiáng)變?nèi)?，TiO2

薄膜孔徑變小，體現(xiàn)在142cm-1的峰位置變化明顯，從位置142cm-1到145cm-1的變化，顯示粒徑的大小為10nm[2]，與TEM結(jié)果一致。2024/2/249材料表征方法電子衍射分析所用的電子束能量在102～106eV的范圍內(nèi)。電子衍射與X射線一樣，也遵循布拉格方程。電子束衍射的角度小，測(cè)量精度差。測(cè)量晶體結(jié)構(gòu)不如XRD。電子束很細(xì)，適合作微區(qū)分析因此，主要用于確定物相以及它們與基體的取向關(guān)系以及材料中的結(jié)構(gòu)缺陷等。2024/2/250材料表征方法電子衍射特點(diǎn)電子衍射可與物像的形貌觀察結(jié)合起來，使人們能在高倍下選擇微區(qū)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析，弄清微區(qū)的物象組成；電子波長(zhǎng)短，使單晶電子衍射斑點(diǎn)大都分布在一二維倒易截面內(nèi)，這對(duì)分析晶體結(jié)構(gòu)和位向關(guān)系帶來很大方便；電子衍射強(qiáng)度大，所需曝光時(shí)間短，攝取衍射花樣時(shí)僅需幾秒鐘。

2024/2/251材料表征方法電子衍射原理當(dāng)波長(zhǎng)為l

的單色平面電子波以入射角q照射到晶面間距為d的平行晶面組時(shí)，各個(gè)晶面的散射波干涉加強(qiáng)的條件是滿足布拉格關(guān)系：

2dsinq=nl

入射電子束照射到晶體上，一部分透射出去，一部分使晶面間距為d的晶面發(fā)生衍射，產(chǎn)生衍射束。

2024/2/252材料表征方法電子衍射原理當(dāng)一電子束照射在單晶體薄膜上時(shí)，透射束穿過薄膜到達(dá)感光相紙上形成中間亮斑；衍射束則偏離透射束形成有規(guī)則的衍射斑點(diǎn)對(duì)于多晶體而言，由于晶粒數(shù)目極大且晶面位向在空間任意分布，多晶體的倒易點(diǎn)陣將變成倒易球。倒易球與愛瓦爾德球相交后在相紙上的投影將成為一個(gè)個(gè)同心圓。

電子衍射結(jié)果實(shí)際上是得到了被測(cè)晶體的倒易點(diǎn)陣花樣，對(duì)它們進(jìn)行倒易反變換從理論上講就可知道其正點(diǎn)陣的情況――電子衍射花樣的標(biāo)定2024/2/253材料表征方法電子衍射的標(biāo)定多晶衍射花樣是同心的環(huán)花樣，可以用類似粉末X射線的方法來處理?？梢杂?jì)算獲得各衍射環(huán)所對(duì)應(yīng)的晶面間距。由此可以分析此相的晶體結(jié)構(gòu)或點(diǎn)陣類型，也可以由晶面指數(shù)和晶面間距獲得點(diǎn)陳常數(shù)?？梢院蚗射線衍射分析的數(shù)據(jù)對(duì)照。單晶的衍射花樣比較簡(jiǎn)單，可以獲得晶面間距以及點(diǎn)陳類型和晶體學(xué)數(shù)據(jù)。表1是電子衍射花樣與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系。具體指標(biāo)化過程可以通過計(jì)算機(jī)完成。2024/2/254材料表征方法2024/2/255材料表征方法2024/2/256材料表征方法2024/2/257材料表征方法

納米線已經(jīng)形成在受到電子束照射時(shí)發(fā)生變形電子衍射花樣為規(guī)律性的斑點(diǎn)

Fig2.ATEMfor10minFig2.BTEMfor30min

顆粒為長(zhǎng)圓形：定向生長(zhǎng)顆粒自組裝形成的長(zhǎng)串：納米線電子衍射花樣為不清晰的亮環(huán)：非晶Fig2.CTEMfor60min

納米線已經(jīng)完全形成在電子束照射下較為穩(wěn)定電子衍射花樣：納米線的取向取向一致晶體的C軸同納米線的走向一致

2024/2/258材料表征方法納米材料的形貌分析材料的形貌尤其是納米材料的形貌也是材料分析的重要組成部分，材料的很多重要物理化學(xué)性能是由其形貌特征所決定的。對(duì)于納米材料，其性能不僅與材料顆粒大小還與材料的形貌有重要關(guān)系。如顆粒狀納米材料與納米線和納米管的物理化學(xué)性能有很大的差異。2024/2/259材料表征方法形貌分析的主要內(nèi)容是分析材料的幾何形貌，材料的顆粒度，及顆粒度的分布以及形貌微區(qū)的成份和物相結(jié)構(gòu)等方面；納米材料常用的形貌分析方法主要有：掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡和原子力顯微鏡。2024/2/260材料表征方法SEM形貌分析掃描電鏡分析可以提供從數(shù)納米到毫米范圍內(nèi)的形貌像，觀察視野大，其分辯率一般為6納米，對(duì)于場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡，其空間分辯率可以達(dá)到0.5納米量級(jí)。其提供的信息主要有材料的幾何形貌，粉體的分散狀態(tài)，納米顆粒大小及分布以及特定形貌區(qū)域的元素組成和物相結(jié)構(gòu)。掃描電鏡對(duì)樣品的要求比較低，無論是粉體樣品還是大塊樣品，均可以直接進(jìn)行形貌觀察2024/2/261材料表征方法TEM形貌分析透射電鏡具有很高的空間分辯能力，特別適合納米粉體材料的分析。其特點(diǎn)是樣品使用量少，不僅可以獲得樣品的形貌，顆粒大小，分布以還可以獲得特定區(qū)域的元素組成及物相結(jié)構(gòu)信息。透射電鏡比較適合納米粉體樣品的形貌分析，但顆粒大小應(yīng)小于300nm，否則電子束就不能透過了。對(duì)塊體樣品的分析，透射電鏡一般需要對(duì)樣品進(jìn)行減薄處理。2024/2/262材料表征方法STM&AFM形貌分析掃描隧道顯微鏡主要針對(duì)一些特殊導(dǎo)電固體樣品的形貌分析?？梢赃_(dá)到原子量級(jí)的分辨率，但僅適合具有導(dǎo)電性的薄膜材料的形貌分析和表面原子結(jié)構(gòu)分布分析，對(duì)納米粉體材料不能分析。掃描原子力顯微鏡可以對(duì)納米薄膜進(jìn)行形貌分析，分辨率可以達(dá)到幾十納米，比STM差，但適合導(dǎo)體和非導(dǎo)體樣品，不適合納米粉體的形貌分析。這四種形貌分析方法各有特點(diǎn)，電鏡分析具有更多的優(yōu)勢(shì)，但STM和AFM具有可以氣氛下進(jìn)行原位形貌分析的特點(diǎn)。

2024/2/263材料表征方法電子束和固體樣品表面作用2024/2/264材料表征方法SEM形貌像信息背射電子像

信息深度是0.1～1微米，元素成份象和表面形貌象，分辯率40nm；二次電子像表面5-10nm的區(qū)域，能量為0-50eV，表面形貌，分辯率0.5-6nm；形貌襯度；吸收電子像 表面化學(xué)成份和表面形貌信息，分辨率40nm2024/2/265材料表征方法掃描電鏡的特點(diǎn)較高的放大倍數(shù)，20-20萬(wàn)倍之間連續(xù)可調(diào)；很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細(xì)微結(jié)構(gòu)；樣制備簡(jiǎn)單。目前的掃描電鏡都配有X射線能譜儀裝置，這樣可以同時(shí)進(jìn)行顯微組織性貌的觀察和微區(qū)成分分析2024/2/266材料表征方法高分辨TEM高分辨TEM是觀察材料微觀結(jié)構(gòu)的方法。不僅可以獲得晶包排列的信息，還可以確定晶胞中原子的位置。200KV的TEM點(diǎn)分辨率為0.2nm，1000KV的TEM點(diǎn)分辨率為0.1nm。可以直接觀察原子象2024/2/267材料表征方法高分辨顯微像高分辨顯微像的襯度是由合成的透射波與衍射波的相位差所形成的。入射電子與原子發(fā)生碰撞作用后，會(huì)是入射電子波發(fā)生相位的變化。透射波和衍射波的作用所產(chǎn)生的襯度與晶體中原子的晶體勢(shì)有對(duì)應(yīng)關(guān)系。重原子具有較大的勢(shì)，像強(qiáng)度弱。2024/2/268材料表征方法高分辨像晶格條紋像 常用于微晶和析出物的觀察，可以揭示微晶的存在以及形狀，但不能獲得結(jié)構(gòu)信息。但可通過衍射環(huán)的直徑和晶格條紋間距來獲得。一維結(jié)構(gòu)像即將觀察像與模擬像對(duì)照，就可以獲得像的襯度與原子排列的對(duì)應(yīng)關(guān)系；2024/2/269材料表征方法A:非晶態(tài)合金B(yǎng):熱處理后微晶的晶格條紋像C:微晶的電子衍射明亮部位為非晶暗的部位為微晶2024/2/270材料表征方法2024/2/271材料表征方法二維晶格像（單胞尺度的像）能觀察到單胞的二維晶格像，但不含原子尺度的信息，稱為晶格像。二維結(jié)構(gòu)像（原子尺度的像；晶體結(jié)構(gòu)像）像中含有單胞內(nèi)原子排列的信息2024/2/272材料表征方法2024/2/273材料表征方法A:β氮化硅的結(jié)構(gòu)像B:α氮化硅的結(jié)構(gòu)像C,e：β氮化硅的模擬像和原子排列D,f：α氮化硅的結(jié)構(gòu)像模擬像和原子排列2024/2/274材料表征方法形貌分析應(yīng)用材料表征方法(a)38%(b)29%(c)22%(d)16%用不同濃度的前驅(qū)體溶液所制出的薄膜的SEM形貌TheeffectsofprecursorconcentrationonthetextureofGd2CuO4film2024/2/276材料表征方法