2023屆人教版高中化學(xué)二輪復(fù)習(xí)講義-高考綜合大題研究-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題綜合大題練習(xí)

綜合大題專(zhuān)練

A組

1.(2022?北京西城區(qū)一模)Z*+、三乙撐二胺和對(duì)苯二甲酸根離子可形成晶體M,其晶胞示

意圖如下。

J：三乙撐二胺

)×=>(=^ooc-θ>-COO-

(I)Zn2+的價(jià)層電子排布式是

(2)C、0、N的電負(fù)性從大到小的順序是.

⑶三乙撐二胺(U)與Zn2+能形成配位鍵的原因是。

(4)在晶體M每個(gè)空腔中裝入一個(gè)順式偶氮苯分子后形成晶體M∣,晶胞示意圖如圖。一定條

件下隨著偶氮苯順?lè)唇Y(jié)構(gòu)的變化，晶體骨架發(fā)生畸變，晶體在Ml和M2兩種結(jié)構(gòu)之間相互轉(zhuǎn)

化，可以吸收和釋放N2,被稱(chēng)為“會(huì)呼吸”的晶體。

晶體裝載分子晶胞中Zd+個(gè)數(shù)晶胞體積/cm?

Mi順式偶氮苯XX10-24

反式偶氮苯-24

M24×10

資料：反式偶氮苯順式偶氮苯

i?0J見(jiàn)光

ii.Ml和M2相互轉(zhuǎn)化時(shí)，Zd+的配體和配體數(shù)均不變

①N2的電子式是。

②偶氮苯N=N中N的雜化軌道類(lèi)型是。偶氮苯存在順?lè)?/p>

異構(gòu)的原因是分子中兩個(gè)氮原子間存在__________(填“σ鍵”或“兀鍵”)。

(3)X-0

④晶胞密度小則晶體內(nèi)部的空隙大。能讓“會(huì)呼吸”的晶體吸收N2的條件是光照

射。

答案（l）3d'°

（2）0>N>C

（3）三乙撐二胺中的N給出孤電子對(duì)，Zn?+有空軌道能接受孤電子對(duì)

（4）①：N?=N：②sp2π鍵③2④紫外

解析（I）Zn2+的電子排布式為ls22s22p63s23p63d10,則其價(jià)層電子排布式是3dQ（2）C>0、

N為同周期元素，從左到右的排列順序?yàn)镃、N、0,非金屬性依次增強(qiáng)，所以電負(fù)性從大到

小的順序是O>N>C0（4）①N原子的價(jià)電子數(shù)為5,需要形成三對(duì)共用電子，所以N2的電

N

子式是：N：：N：o②偶氟苯U中N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,則雜化

軌道類(lèi)型是SP2。偶氮苯分子中，雙鍵氮原子存在孤電子對(duì)，所以存在順?lè)串悩?gòu)，其原因是分

子中兩個(gè)氮原子間存在兀鍵。③在晶體Ml的晶胞中，Zi?+位于棱上，每個(gè)棱被4個(gè)晶胞共

用，則x=8X；=2。④MI和M2相互轉(zhuǎn)化時(shí)，Zn2+的配體和配體數(shù)均不變，即Zn2+、三乙撐

二胺和對(duì)苯二甲酸根離子的個(gè)數(shù)比不變，現(xiàn)Ml和M2中Z*+個(gè)數(shù)比為2：4=1:2,所以相

對(duì)分子質(zhì)量比也為1：2,而Ml的體積為XIo-24c∏13,M2的體積為X10=4rn3,所以二者的

密度比為錯(cuò)誤！：錯(cuò)誤！Vl：1,所以M∣的密度小。晶胞密度小則晶體內(nèi)部的空隙大，從而

得出Ml能讓“會(huì)呼吸”的晶體吸收N2,依據(jù)“反式偶氮苯：：：順式偶氮苯”，可得出

條件是紫外光照射。

2.（2022?山東滕州市第一中學(xué)二模）聚合物鋰離子電池具有超薄化特征，適用于多種設(shè)備，電

極材料涵蓋LiFePCLiNio2、LiPF6>LiASF6等物質(zhì)。

（1）磷酸為磷的最高價(jià)含氧酸，其空間結(jié)構(gòu)如圖：

157Pm*152Pm

①鍵角大小比較：a（填“大于”“等于”或“小于”）仇

②純凈的磷酸黏度極大，隨溫度升高黏度迅速下降，原因是。

（2）聚合物鋰離子電池工作時(shí)，Lr沿聚乙二醇分子中的碳氧鏈遷移，過(guò)程如圖所示（圖中陰離

子未畫(huà)出）。

①Li+遷移過(guò)程中與聚乙二醇分子中0原子間的作用力為.（填字母）。

a.分子間作用力b.離子鍵c.共價(jià)鍵

②LiASF6的陰離子的空間結(jié)構(gòu)為；基態(tài)As原子的最高能級(jí)組軌道表示式為

一

Ni

(3)二茂銀是具有導(dǎo)電性的有機(jī)配合物。鐐在周期表中的位置是(填寫(xiě)對(duì)

應(yīng)周期、族)。X個(gè)原子共用y個(gè)電子可表示為n：3則環(huán)戊二烯離子(C5H5)中的大兀鍵可表示

為O

(4)圖1為NiO晶胞，與O?一距離最近的O?一有個(gè)。

一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O?一作密置單層排列,

Ni?,填充其中(如圖2),該“單分子層”面積密度為mg?cπ√2,則的半徑為nm(用機(jī)、

NA表示)。

答案(D①小于②溫度升高，磷酸分子間氫鍵被破壞

(2)①C②正八面體

ItiHiiuitIlIIimITnTn

3d4s4p

⑶第四周期第Vnl族ng

⑷口√?×1θ7

解析(IXDP=O和P-O的排斥力大于P-O和P-O之間的排斥力，所以鍵角α小于6。

(2)①根據(jù)圖示，Li+遷移過(guò)程中與聚乙二醇分子中O原子間形成配位鍵，作用力為共價(jià)鍵，

選c。②LiASF6的陰離子是ASF6^,ASE中AS原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是*匕F+6=6,無(wú)孤電子

對(duì)，空間結(jié)構(gòu)為正八面體；基態(tài)AS原子的最高能級(jí)組包括4s、3d、4p三個(gè)能級(jí)，最高能級(jí)

ItiHiitIItIitiimrmτ∏

組軌道表示式為3d4s4p。(3)鍥是28號(hào)元素，在周期表中的位

置是第四周期第VlD族。環(huán)戊二烯離子(CsHf)中5個(gè)原子共用6個(gè)電子，其大兀鍵可表示為∏‰

(4)由晶胞圖可知，與氧離子距離最近的氧離子有12個(gè)；設(shè)02一的半徑為αnm,單分子層重

復(fù)單元呈平行四邊形，是相鄰四個(gè)O?一球中心的連線，每個(gè)重復(fù)單元包含1個(gè)。2-和1個(gè)Ni?+,

重復(fù)單元所占的平行四邊形面積為gx24X24Xsin6(rX2)nm2=2√542χιo-i4cnq2;該“單分

子層”面積密度為.g?cm2,NAX2√5屏Xl(P4="則。2的半徑為N雨嬴X*m。

3.(2022?福建二模)C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方

面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)科學(xué)家常利用____________區(qū)分晶體SiO2和非晶體SiO2o

(2)基態(tài)Ge原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。

(3)Si為重要的半導(dǎo)體材料，硅與NaOH溶液反應(yīng)生成NaaSiCh溶液，該溶液中四種元素電負(fù)

性由小到大的順序?yàn)?。硅酸鹽中的硅酸根離子通常以[SiCM四面體(如圖1所示)

的方式形成鏈狀、環(huán)狀或網(wǎng)絡(luò)狀復(fù)雜陰離子，圖2所示為一種環(huán)狀硅酸根離子，寫(xiě)出其化學(xué)

[SiOJ示意圖環(huán)狀硅酸根離子

(4)實(shí)驗(yàn)中常用K3[Fe(CN)6]檢驗(yàn)Fe?+,K3[Fe(CN)6]中Fe3+的配位數(shù)為,其中碳原

子的雜化軌道類(lèi)型為。1molK3[Fe(CN)6]中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為

(5)灰錫的晶體結(jié)構(gòu)(如圖3所示)與金剛石相似，其中A處原子的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),則

C處原子的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,

答案(I)X射線衍射實(shí)驗(yàn)

⑵17

(3)Na<Si<H<0Si6O∣Γ

(4)6SP1：1

⑸(；,1)

解析(1)構(gòu)成晶體的粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列，晶體的這一結(jié)構(gòu)特征可以通

過(guò)X射線衍射圖譜反映出來(lái)。因此區(qū)分晶體SiO2和非晶體SiO2的最可靠的科學(xué)方法是對(duì)固

體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)。

(2)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Is22s22p63s23p63d∣°4s24p2,共有17個(gè)原子軌道，故基態(tài)

Ge原子的核外電子有17種不同的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。

(3)在Na2SiO3溶液中含有四種元素分別是Na、H、0、Sio元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性

就越大。元素的非金屬性由弱到強(qiáng)的順序是Na<Si<H<0,故這四種元素的電負(fù)性由小到

大的順序?yàn)镹a<Si<H<O:根據(jù)環(huán)狀硅酸根離子結(jié)構(gòu)、可結(jié)合均攤法計(jì)算，知其化學(xué)式為

SibOli-O

(4)根據(jù)配合物結(jié)構(gòu)可知Fe?+的配位數(shù)是6;由于其中C原子形成了共價(jià)三鍵，所以C原子雜

化軌道類(lèi)型是sp;在配離子［Fe(CN)6］3一中的中心離子Fe3+與6個(gè)配離子CN-通過(guò)6個(gè)配位鍵

結(jié)合，配位鍵是C鍵；在配離子CN-中形成共價(jià)三鍵，共價(jià)三鍵中一個(gè)是6鍵，兩個(gè)是n鍵，

所以在1molK3［Fe(CN)6］中含有12molσ鍵,12molπ鍵,則1mo?K3［Fe(CN)6］中含有σ鍵

與兀鍵的數(shù)目之比為1：1。

4.(2022?廣東茂名一模)銀及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)和科研領(lǐng)域有重要的用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)Ni原子價(jià)層電子的軌道表示式為。

⑵含有4個(gè)水分子的醋酸鎮(zhèn)［Ni(C2H3O2)2?4H2Ol在電鍍中有廣泛應(yīng)用，其中H2O中O原子的

雜化軌道類(lèi)型為，若該構(gòu)型為八面體，則中心Ni原子的配位數(shù)為

(3)Ni0、Feo的晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型均與氯化鈉的相同，已知熔點(diǎn)：NiO>FeO,則離子半徑kNi?*)

(填“<”或“>”“Fe?+);天然的和人工合成的氧化銀常存在各種缺陷，某

缺陷氧化銀的組成為NiO,其中Ni元素只有+2和+3兩種價(jià)態(tài)，兩種價(jià)態(tài)的鍥離子數(shù)目之

比為。

(4)四斑基銀［Ni(COH是由路德維希?蒙德所發(fā)現(xiàn)。室溫下，它是一種具有揮發(fā)性的液體，其熔、

沸點(diǎn)低的原因是;CO分子內(nèi)σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為o

(5)金屬銀與鐲(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。若阿伏

加德羅常數(shù)的值為NA,晶胞邊長(zhǎng)為αpm,則該晶胞的密度為g?cm^o

(2)sp3雜化6

(3)<11：1

(4)Ni(CO)4是分子晶體，熔化或揮發(fā)時(shí)破壞的是范德華力，因此熔、沸點(diǎn)較低1：2

434

⑸加X(jué)IO,°

解析(I)Ni為28號(hào)元素，核外有28個(gè)電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為［Ar］3di?s2,

3d4s

則其價(jià)層電子的軌道表示式為上Urlrl+IMQL

(2)H2O中O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+‘一廣2=4,故雜化軌道類(lèi)型為sp3雜化，若該構(gòu)型為八

面體，則CH3COCΓ和H2O均為配體，中心Ni原子的配位數(shù)為6。

(3)Ni0、Feo的晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型均與氯化鈉的相同，均為離子晶體，已知熔點(diǎn)：NiO>FeO,則

晶格能：NiO>FeO,因此離子半徑r(Ni2+)Vr(Fe2+),設(shè)兩種價(jià)態(tài)的鍥離子數(shù)目分別為x、y,

則x+y=,2x+3y=2,解得x=,y=,即兩種價(jià)態(tài)的鑲離子數(shù)目之比為：=11：1。

(4)四燕基銀［Ni(C0R在室溫下是一種具有揮發(fā)性的液體，可知Ni(CO)4是分子晶體，熔化或

揮發(fā)時(shí)破壞的是范德華力，因此熔、沸點(diǎn)較低；Cc)的結(jié)構(gòu)式為C三0,含有1個(gè)C鍵與2個(gè)

π鍵，因此σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為1：2。

(5)根據(jù)晶胞示意圖可知，La位于晶胞的頂點(diǎn)，Ni位于晶胞的面心和體心，則一個(gè)晶胞中La

1159X5+139434

原子的個(gè)數(shù)為8X?j=l,Ni原子的個(gè)數(shù)為8X5+l=5,則晶胞的質(zhì)量為---T1---------g=苛g，

0Z/VAONAo

.434

3033

又晶胞的邊長(zhǎng)為apm,則晶胞的體積為(〃X10)cm,因此晶胞的密度為方WXIO3°g?cm0

B組

1.(2022?吉林延邊一模)銅是人類(lèi)廣泛使用的第一種金屬，含銅物質(zhì)在生產(chǎn)生活中有著廣泛應(yīng)

用?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)銅鎬氧化物(CUMn2。4)能在常溫下催化氧化一氧化碳和甲醛(HCH0)。

①基態(tài)Cu原子的M層電子排布式為。

②CO和N2互為等電子體。標(biāo)準(zhǔn)狀況下VLCO分子中兀鍵數(shù)目為。

⑵鈣銅合金可用作電解法制備金屬鈣的陰極電極材料。鈣在元素周期表中位于—(填

“s”“p”“d”或“ds”)區(qū)。一種鈣銅合金的結(jié)構(gòu)如圖(∏［可看作是由I、∏兩種原子層交

替堆積排列而形成的)。該鈣銅合金中銅原子與鈣原子的個(gè)數(shù)比為。

I∏?n

(3)已知硫酸銅稀溶液呈藍(lán)色，判斷硫酸銅稀溶液中不存在的作用力有(填字母)。

A.配位鍵B.金屬鍵

C.離子鍵D.氫鍵

E.范德華力

(4)已知Cu2O的熔點(diǎn)為1235℃,Cu2S的熔點(diǎn)為1130℃,Cu2O熔點(diǎn)較高的原因是

2

(5)Cιp+可形成[CU(X)2]2+,其中X代表CH3—HN-CH2~CH2—NH2。則1mol[Cu(X)2]

粒中VSEPR模型為四面體的非金屬原子共有mol?

(6)一種含有Fe,Cu,S三種元素的礦物的晶胞(如圖所示)，屬于四方晶系(晶胞底面為正方形),

則該化合物的化學(xué)式為；若晶胞的底面邊長(zhǎng)為anm,

晶體的密度為pg?cnΓ3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶胞的高為nm?

答案(I)φ3s23p63dl°②錯(cuò)誤！(2)s5：1(3)BC(4)兩者都是離子晶體，且陰、陽(yáng)離子

電荷數(shù)都相同，但r(θ2-)<r(S2-),所以Cu2O的晶格能大，熔點(diǎn)較高(5)10(6)FeCuS2

736

Λ2P‰×1Q-21

解析(1)②CO和N2互為等電子體。等電子體結(jié)構(gòu)相似，Co分子中C、O原子之間以共價(jià)

三鍵C三O結(jié)合，其中含有1個(gè)◎鍵，2個(gè)兀鍵。在標(biāo)準(zhǔn)狀況下VLCo氣體中含有氣體分子

物質(zhì)的量是“(CO)=錯(cuò)誤！mol則該分子中含有的兀鍵數(shù)目Mn)=錯(cuò)誤！。(3)硫酸銅在溶液中

完全電離產(chǎn)生自由移動(dòng)的離子，不存在離子鍵：水分子之間存在范德華力、氫鍵；水分子、

硫酸根離子中原子之間形成共價(jià)鍵，水合銅離子中存在配位鍵，不存在金屬鍵。(5)Cu2+可形

成[CU(X)2]2+,其中X代表CH3—HN—CH2—CH2-NH2,其中的C、N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)都

是4,VSEPR模型為四面體形，1個(gè)[CU(XR2+中含有的四面體形原子有2X5=10個(gè)，則1mol

[Cu(X)2]2+微粒中VSEPR模型為四面體的非金屬原子共有IOmoL(6)根據(jù)圖示可知在一個(gè)晶

胞中含有的Fe原子數(shù)目為8X?∣+4x?+1=4;含有的CU原子數(shù)目為4義J+6x[=4,含有

的S原子數(shù)目是8個(gè)，"(Fe)：〃(Cu)：n(S)=l：1：2,所以該物質(zhì)的化學(xué)式為FeCuS2;假設(shè)

胞曲度為Cnm,該昨胞密度P=LNA(AXIOF)等5.=而收gg-cm'

2.Li,Fe,AS均為重要的合金材料，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基態(tài)Li原子核外電子占據(jù)的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有個(gè)，占據(jù)最高能層電子的電子云輪

廓圖形狀為。

(2)L.的焰色試驗(yàn)為紫紅色，很多金屬元素能產(chǎn)生焰色試驗(yàn)的原因?yàn)閛

(3)基態(tài)Fe?+比基態(tài)Fe?,穩(wěn)定的原因?yàn)椤?/p>

3+

(4)KSCN和K4[Fe(CN)6]均可用于檢驗(yàn)Fe?

①SCN的空間結(jié)構(gòu)為,碳原子的雜化方式為?

②KdFe(CN)J中所含元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?用元素符號(hào)表示)；?mol

[Fe(CN)J-中含有σ鍵的數(shù)目為。

(5)Li>Fe和AS可組成一種新型材料，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若晶胞參數(shù)為anm,阿伏

加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體的密度可表示為g?cnΓ3(列式即可)。

Li?FeoAs

)X?LiAS原子重疊

晶胞結(jié)構(gòu)圖Z軸方向投影圖

答案(1)2球形(2)電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)或基態(tài)時(shí)，以光的

形式釋放能量(3)基態(tài)Fe?+的價(jià)電子排布式為3d6,而基態(tài)Fe3+的價(jià)電子排布式為3個(gè),為

X1023

半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性更強(qiáng)(4)①直線形SP②N>C>Fe>K12NA(5)Fr

解析(4)①SCN-中C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為2,空間結(jié)構(gòu)為直線形，其中碳原子的雜化

方式為sp。②KdFe(CN)H中基態(tài)K、Fe、C、N原子吸引電子能力依次增強(qiáng)，第一電離能依

次增大，所以四種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>C>Fe>K;Fe?+與CN-形成配位鍵

含6個(gè)σ鍵，每1個(gè)CN-中含有1個(gè)σ鍵，所以1mol[Fe(CN)6]「中含有◎鍵的數(shù)目為12NAo

(5)由圖可知，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Li、4個(gè)As、4個(gè)Fe,則該晶體的密度可表示為p=

4×(7+75+56)XlO23

W"XI(TPg53=^Γg?cm"

口[

3.氟硼酸鹽是化工生產(chǎn)中比較常見(jiàn)的一類(lèi)物質(zhì)，如KBF4、NH4BF4,∣?L」BF；等。

(1)下列狀態(tài)的氟中，失去最外層一個(gè)電子所需要的能量最大的為(填字母)。

IHel冏而TTIHeI[t∏HTTTTT

2s2p

[Hei皿mτm田IHel迎皿J]ffl

2p3s2s2p

C

(2)KBF4是合成深紫色固體氟硼鍍酸鉀的原料。BF3能結(jié)合F形成BF；,在此過(guò)程中F-B-F

的鍵角將(填“減小”或“增大”)。

(3)1LJBFI是一種液體電解質(zhì)，在有機(jī)合成中能提高氫化反應(yīng)的選擇性。

①該物質(zhì)的組成元素中屬于p區(qū)元素的有種。

②該物質(zhì)中C原子的雜化類(lèi)型為。

③與KBFM熔點(diǎn)：530℃)相比,該物質(zhì)熔點(diǎn)較低的可能原因?yàn)镺

(4)NH4BF4是合成新型材料氮化硼的原料之一。

①NH4BF4中對(duì)鍵合電子吸引能力最強(qiáng)的元素是(填元素符號(hào))，其中配位鍵與σ鍵

的數(shù)目之比為。

②氮化硼的主要結(jié)構(gòu)有六方氮化硼和立方氮化硼，其中立方氮化硼晶胞的截面圖如圖所示：

產(chǎn)7nm*∣

A的田田壬籌

z=。Z=扣z=*αZ=加

據(jù)此判斷，每個(gè)晶胞中含有B的數(shù)目為,B、N原子之間的最短距離為nmo

答案(I)B(2)減小(3)①4②SP2、sp3③陽(yáng)離子體積大，陰、陽(yáng)離子間的作用力弱

(4)?F1：4②4坐a

解析(I)A項(xiàng)，該粒子為基態(tài)F原子，其失去最外層一個(gè)電子所需要的能量小于F*;B項(xiàng)，

該粒子為基態(tài)F*,由于F的第二電離能高于第一電離能，故其失去最外層一個(gè)電子所需要的

能量較大；C項(xiàng)，該粒子為激發(fā)態(tài)F原子，其失去最外層一個(gè)電子所需要的能量小于基態(tài)F

原子：D項(xiàng)，該粒子為激發(fā)態(tài)F卡,其失去最外層一個(gè)電子所需要的能量小于基態(tài)F+。(2)BF3

的空間結(jié)構(gòu)為平面正三角形，F(xiàn)-B—F的鍵角為120°,BFI的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形，F(xiàn)-B-F

的鍵角為109。28',故BF3結(jié)合F-形成BF4^的過(guò)程中，F(xiàn)-B-F的鍵角減小。

(3)①該物質(zhì)的組成元素有C、H、N、B、F,屬于P區(qū)的元素是C、N、B、F,共4種。

②該物質(zhì)中，五元環(huán)中的C原子采用sp2雜化，烷基上的碳原子采用sp3雜化，即該物質(zhì)中C

原子的雜化類(lèi)型為SP2、SP3。(4)①NH4BF4中，F(xiàn)的電負(fù)性最強(qiáng)，故對(duì)鍵合電子吸引能力最強(qiáng)

的元素是F;NH；和BFl中，各存在1個(gè)配位鍵和3個(gè)單犍，配位鍵和單鍵都是σ鍵，故NH4BF4

中配位鍵與σ鍵的數(shù)目之比為1:4o②根據(jù)立方氮化硼晶胞的截面圖可知，立方氨化硼晶胞

結(jié)構(gòu)與金剛石晶胞結(jié)構(gòu)相似，N原子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，其個(gè)數(shù)為8×∣+6×τ=4,B

原子位于晶胞內(nèi)部，其個(gè)數(shù)為4;B、N原子之間的最短距離為體對(duì)南線的;，晶胞參數(shù)為anm,

則B、N原子之間的最短距離為坐4nm。

4.(2022?天津市南開(kāi)區(qū)二模)第VlA族的氧、硫、硒(Se)、硫(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出

多種化合價(jià)，含第VlA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基態(tài)O原子電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為形。

(2)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖所示，S原子的雜化軌道類(lèi)型是。

⑶基態(tài)Se原子的核外電子排布式為。

(4)S、Se、Te三種元素電負(fù)性由大到小的順序是，三種元素氫化物水溶液的酸

性最強(qiáng)的是(填化學(xué)式)。

(5)CS2分子中共價(jià)鍵的類(lèi)型是,常溫下CO2是氣體而CS2是液體的原因是

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，

S周?chē)o鄰且等距的Zn有個(gè)。晶胞棱長(zhǎng)為apm,密度為g?cπΓ3(NA表示阿

伏加德羅常數(shù)的值)。

3

答案(1)啞鈴(2)sp(3)ls22s22p63s23p63d%s24p4(或[Ar]3d%s24p4)(4)S>Se>TeH2Te

(5)σ鍵、兀鍵CO2和CS2組成和結(jié)構(gòu)相似，CS2相對(duì)分子質(zhì)量比CCh大，范德華力更大，沸

×1n32

點(diǎn)更高(6)4醞

解析(2)從圖中可以看出，在S8分子中，每個(gè)S原子形成2個(gè)共價(jià)鍵，則S原子的價(jià)層電

子對(duì)數(shù)為4,S原子采用的雜化軌道類(lèi)型是SP3。(4)同主族元素從上到下非金屬性依次減弱，

因此非金屬性：S>Se>Te,非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則電負(fù)性：S>Se>Te;非金屬性越

強(qiáng)的元素，與氫元素的結(jié)合能力越強(qiáng)，則其氨化物在水溶液中就越難電離，酸性就越弱，故

酸性最強(qiáng)的是H?Te。(5)CS2分子中，C與S原子形成雙鍵，結(jié)構(gòu)式為S=C=S,每個(gè)雙鍵都

是含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，則含有的共價(jià)鍵類(lèi)型為σ鍵和兀鍵。(6)晶胞中S原子位于頂點(diǎn)

和面心，共含有8X1+6X?=4個(gè)，Zn原子位于體內(nèi)，共4個(gè)，則S周?chē)o鄰且等距的Zn

OZ

4X97QQQ

有4個(gè)；1個(gè)晶胞中平均含有4個(gè)ZnS,質(zhì)量為m=-^—g=干廠g,晶胞的體積為V=

NRD/VA

388

_γ∏NAgX10犯

3

(a×10-'θ)cm?則密度為P=."1(,。)3cm，=赤g'ɑ^??

5.(2022?廣東肇慶二模)近年來(lái)我國(guó)在高溫超導(dǎo)材料的研究中取得了重大突破，高溫超導(dǎo)體僅

出現(xiàn)在共價(jià)性很強(qiáng)的氧化物中，例如帶有直線形的CU-O-CU鏈節(jié)的網(wǎng)格層對(duì)超導(dǎo)性有重要的

作用?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基