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第二單元離子鍵離子晶體核心素養(yǎng)發(fā)展目標(biāo)1.能結(jié)合實(shí)例描述離子鍵的成鍵特征及其本質(zhì),能根據(jù)晶格能大小

解釋和預(yù)測(cè)同類型離子化合物的某些性質(zhì)。2.能描述常見類型的離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)。3.能運(yùn)用模型和有關(guān)理論解釋不同類型離子化合物的晶胞構(gòu)成。隨堂演練知識(shí)落實(shí)課時(shí)對(duì)點(diǎn)練內(nèi)容索引一、離子鍵的形成二、離子晶體一、離子鍵的形成1.形成過程靜電引力靜電斥力2.特征陰、陽離子可以看成是

對(duì)稱的,電荷分布也是

對(duì)稱,它們?cè)诳臻g各個(gè)方向上的

相同,在各個(gè)方向上只要空間條件允許一個(gè)離子可同時(shí)吸引多個(gè)帶相反電荷的離子,故離子鍵無

性和

性。球形球形靜電作用方向飽和深度思考1.怎樣理解離子鍵的實(shí)質(zhì)是“靜電作用”?提示在離子化合物中,陰、陽離子之間的靜電引力使陰、陽離子相互吸引,陰離子的核外電子與陽離子的核外電子之間、陰離子的原子核與陽離子的原子核之間的靜電斥力使陰、陽離子相互排斥。當(dāng)陰、陽離子之間的靜電引力和靜電斥力達(dá)到平衡時(shí),陰、陽離子保持一定的平衡核間距,形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵。2.寫出下列離子化合物的電子式。(1)MgCl2答案(2)NaOH答案(3)Na2O2(4)NaH答案答案歸納總結(jié)(1)成鍵條件:成鍵元素的原子得、失電子的能力差別很大,電負(fù)性差值大于1.7。(2)離子鍵的存在只存在于離子化合物中:大多數(shù)鹽、強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物(過氧化物如Na2O2)、氫化物(如NaH和NH4H)等。應(yīng)用體驗(yàn)1.具有下列電子排布的原子中最難形成離子鍵的是A.1s22s22p2

B.1s22s22p5C.1s22s22p63s2

D.1s22s22p63s1√解析形成離子鍵的元素為活潑金屬元素與活潑非金屬元素,A為C元素,B為F元素,C為Mg元素,D為Na元素,則只有A項(xiàng)碳元素既難失電子,又難得電子,不易形成離子鍵。2.下列關(guān)于離子鍵的說法錯(cuò)誤的是A.離子鍵沒有方向性和飽和性B.非金屬元素組成的物質(zhì)也可以含離子鍵C.形成離子鍵時(shí)離子間的靜電作用包括靜電引力和靜電斥力D.因?yàn)殡x子鍵無飽和性,故一種離子周圍可以吸引任意多個(gè)帶異性電荷

的離子√解析活潑金屬和活潑非金屬元素原子間易形成離子鍵,但由非金屬元素組成的物質(zhì)也可含離子鍵,如銨鹽,B項(xiàng)正確;離子鍵無飽和性,體現(xiàn)在一種離子周圍可以盡可能多地吸引帶異性電荷的離子,但也不是任意的,因?yàn)檫@個(gè)數(shù)目還要受兩種離子的半徑比(即空間條件是否允許)和個(gè)數(shù)比的影響,D項(xiàng)錯(cuò)誤。易錯(cuò)警示(1)金屬元素與非金屬元素形成的化學(xué)鍵有可能是共價(jià)鍵,如AlCl3。(2)完全由非金屬元素形成的化合物中有可能含離子鍵,如NH4Cl、NH4H,一定有共價(jià)鍵。(3)離子鍵不具有飽和性是相對(duì)的,每種離子化合物的組成和結(jié)構(gòu)是一定的,而不是任意的。返回二、離子晶體1.概念及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)概念:由陰、陽離子按一定方式有規(guī)則地排列形成的晶體。(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)①構(gòu)成微粒:

,離子晶體中不存在單個(gè)分子,其化學(xué)式表示的是離子的個(gè)數(shù)比。②微粒間的作用力:

。陰離子陽離子離子鍵2.晶格能(U)(1)概念:拆開

離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子時(shí)所

的能量。(2)影響因素:離子晶體中離子半徑越小,所帶電荷越多,晶格能越大。(3)晶格能與晶體物理性質(zhì)的關(guān)系:晶格能越大,離子鍵越

,離子晶體的熔點(diǎn)越

、硬度越

。1mol吸收牢固高大3.離子晶體的結(jié)構(gòu)(1)離子的配位數(shù):離子晶體中一個(gè)離子周圍最鄰近的

的數(shù)目,叫做離子的配位數(shù)。(2)典型離子晶體的結(jié)構(gòu)異電性離子化學(xué)式NaClCsCl晶胞結(jié)構(gòu)示意圖

晶胞中微粒數(shù)Na+、Cl-都為___Cs+、Cl-都為___陰、陽離子個(gè)數(shù)比__________離子的配位數(shù)Cl-和Na+配位數(shù)都為__Cl-和Cs+配位數(shù)都為__411∶11∶1684.離子晶體的性質(zhì)(1)熔、沸點(diǎn)較

,硬度較

。(2)離子晶體不導(dǎo)電,但

后能導(dǎo)電。(3)大多數(shù)離子晶體能溶于水,難溶于有機(jī)溶劑。高大熔化溶于水深度思考1.NaCl的熔點(diǎn)為801℃,CsCl的熔點(diǎn)為645℃,試解釋其原因。提示Na+、Cs+所帶電荷一樣,但Na+的半徑小于Cs+的半徑,NaCl中的離子鍵強(qiáng)于CsCl中的離子鍵,所以NaCl的熔點(diǎn)高于CsCl的熔點(diǎn)。2.試歸納總結(jié)影響離子晶體熔點(diǎn)高低的因素有哪些?提示離子所帶電荷數(shù)越多,核間距越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高。3.下面是NaCl、CsCl的晶胞結(jié)構(gòu),若晶胞參數(shù)均為apm,試分別計(jì)算它們的密度。(1)NaCl晶體的ρ=____________g·cm-3。(2)CsCl晶體的ρ=____________g·cm-3。應(yīng)用體驗(yàn)1.正誤判斷,正確的打“√”,錯(cuò)誤的打“×”(1)含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體(

)(2)有些離子晶體中除含離子鍵外還存在共價(jià)鍵(

)(3)離子晶體受熱熔化,破壞化學(xué)鍵,吸收能量,屬于化學(xué)變化(

)(4)某些離子晶體受熱失去結(jié)晶水,屬于物理變化(

)×√××2.下列性質(zhì)適合于離子晶體的是A.熔點(diǎn)1070℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電B.熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8℃,沸點(diǎn)444.6℃D.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97g·cm-3√解析離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))導(dǎo)電,B項(xiàng)錯(cuò)誤;CS2是非極性溶劑,根據(jù)“相似相溶規(guī)則”,C項(xiàng)錯(cuò)誤;由于離子晶體質(zhì)硬易碎,且固態(tài)不導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。3.MgO、Rb2O、CaO、BaO四種離子晶體的熔點(diǎn)高低順序正確的是A.MgO>Rb2O>BaO>CaOB.MgO>CaO>BaO>Rb2OC.CaO>BaO>MgO>Rb2OD.CaO>BaO>Rb2O>MgO√解析四種離子晶體所含陰離子相同,所含陽離子不同。對(duì)Mg2+、Rb+、Ca2+、Ba2+進(jìn)行比較,Rb+所帶電荷數(shù)少,其與O2-形成的離子鍵最弱,故Rb2O的熔點(diǎn)最低。對(duì)Mg2+、Ca2+、Ba2+進(jìn)行比較,它們所帶電荷一樣多,半徑:Mg2+<Ca2+<Ba2+,與O2-形成的離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是MgO>CaO>BaO,相應(yīng)離子晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镸gO>CaO>BaO。4.在離子晶體中,陰、陽離子按一定的規(guī)律進(jìn)行排列,如圖甲是NaCl的晶胞結(jié)構(gòu)。在離子晶體中,陰、陽離子具有或近似具有球形對(duì)稱結(jié)構(gòu),它們可以看作是不等徑的剛性圓球,并彼此相切,如圖乙。(已知a為常數(shù)。)(1)在NaCl晶體中,每個(gè)Na+同時(shí)吸引____個(gè)Cl-;而Na+與Cl-的數(shù)目之比為______。61∶1解析觀察晶胞的結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)Na+同時(shí)吸引6個(gè)Cl-;在每個(gè)晶胞中含Na+的個(gè)數(shù)為4,含Cl-的個(gè)數(shù)也為4,即Na+與Cl-的數(shù)目之比為1∶1。解析由圖乙可知,因?yàn)閞(Cl-)>r(Na+),0.414∶1(3)若a=5.6×10-8cm,NaCl晶體的密度為__________(已知5.63≈175.6,NaCl的摩爾質(zhì)量為58.5g·mol-1)。2.2g·cm-3解析由NaCl晶體結(jié)構(gòu)分析,每個(gè)晶胞中含有4個(gè)“NaCl”,返回隨堂演練知識(shí)落實(shí)1.下列各組數(shù)值是相應(yīng)元素的原子序數(shù),其中所表示的原子能以離子鍵結(jié)合形成穩(wěn)定化合物的是A.1與6 B.2與8C.9與11 D.8與14√1234562.具有下列外圍電子排布式的基態(tài)原子中,能形成AB2型離子化合物的是A.2s22p2與2s22p4

B.3s23p4與2s22p4

C.3s2與2s22p5

D.3s2與3s23p1√1234563.(2020·蕪湖高二線上測(cè)試)如圖所示是從NaCl或CsCl的晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是A.圖(1)和(3) B.圖(2)和(3)C.圖(1)和(4) D.只有圖(4)√123456解析NaCl晶體中,每個(gè)Na+周圍最鄰近的Cl-有6個(gè),構(gòu)成正八面體,同理,每個(gè)Cl-周圍最鄰近的6個(gè)Na+也構(gòu)成正八面體,由此可知圖(1)和(4)是從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖,C項(xiàng)正確。1234564.一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽離子A以

表示,陰離子B以表示。關(guān)于該離子晶體的說法正確的是A.陽離子的配位數(shù)為8,化學(xué)式為ABB.陰離子的配位數(shù)為4,化學(xué)式為A2BC.每個(gè)晶胞中含4個(gè)AD.每個(gè)A周圍有4個(gè)與它等距且最近的A√每個(gè)A周圍與它等距且最近的A有12個(gè),D項(xiàng)錯(cuò)誤。1234565.同類晶體物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的變化是有規(guī)律的,試分析下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)規(guī)律性變化的原因:A組物質(zhì)NaClKClCsCl熔點(diǎn)/K10741049918B組物質(zhì)NaMgAl熔點(diǎn)/K370922933(1)A組物質(zhì)是____晶體,晶體微粒之間通過_______相連,離子鍵由強(qiáng)到弱的順序?yàn)開________________。離子離子鍵NaCl>KCl>CsCl解析A組物質(zhì)為離子晶體,離子之間通過離子鍵相結(jié)合。123456(2)B組物質(zhì)是_____晶體,外圍電子數(shù)由少到多的順序是__________,微粒粒子半徑由大到小的順序是__________,金屬鍵強(qiáng)度由大到小的順序?yàn)開___________。A組物質(zhì)NaClKClCsCl熔點(diǎn)/K10741049918B組物質(zhì)NaMgAl熔點(diǎn)/K370922933金屬Na<Mg<AlNa>Mg>AlAl>Mg>Na解析B組物質(zhì)為金屬晶體,是由金屬鍵結(jié)合而成的,外圍電子數(shù)排列順序:Na<Mg<Al,而粒子半徑排列順序:Na>Mg>Al。1234566.通過X射線探明,KCl、MgO、CaO、NiO、FeO立體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似。12345(1)某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示,請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤_______________________________________________________。應(yīng)為O2-,實(shí)心球應(yīng)為Mg2+;8號(hào)空心球應(yīng)改為實(shí)心球空心球6解析因?yàn)檠趸V與氯化鈉的晶體結(jié)構(gòu)相似,所以在晶體中每個(gè)Mg2+周圍應(yīng)該有6個(gè)O2-,每個(gè)O2-周圍應(yīng)該有6個(gè)Mg2+,根據(jù)此規(guī)則可得⑧應(yīng)該改為黑色。由于Mg2+的半徑小于O2-的半徑,所以空心球代表O2-,實(shí)心球代表Mg2+。123456(2)MgO是優(yōu)良的耐高溫材料,MgO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是____________________________________________。Mg2+的半徑比Ca2+的半徑小,MgO的晶格能大解析MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+的半徑比Ca2+的半徑小,MgO的晶格能大,熔點(diǎn)高。123456(3)Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO____FeO(填“<”或“>”),NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為___、___。>66解析NiO晶胞與NaCl晶胞相同,所以Ni和O的配位數(shù)都是6,離子半徑:Ni2+<Fe2+,晶格能:NiO>FeO,所以熔點(diǎn):NiO>FeO。123456(4)已知CaO晶體密度為a

g·cm-3,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則CaO晶胞體積為_____cm3。解析由于CaO與NaCl的晶胞同為面心立方結(jié)構(gòu),所以CaO晶胞中也含有4個(gè)鈣離子和4個(gè)氧離子,因此CaO晶胞體積為

。返回123456課時(shí)對(duì)點(diǎn)練基礎(chǔ)對(duì)點(diǎn)練題組一離子鍵和離子晶體1.下列說法不正確的是A.靜電作用只有引力B.離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用C.離子鍵沒有方向性和飽和性D.離子鍵雖然沒有飽和性,但離子晶體中陰、陽離子的個(gè)數(shù)比并不是任

意的√123456789101112131415162.下列敘述正確的是A.帶相反電荷離子之間的相互吸引稱為離子鍵B.金屬元素和非金屬元素化合時(shí)不一定形成離子鍵C.原子最外層只有1個(gè)電子的主族元素與鹵素所形成的化學(xué)鍵一定是離

子鍵D.非金屬元素形成的化合物中不可能含有離子鍵√12345678910111213141516解析離子鍵的本質(zhì)是陰、陽離子之間的靜電作用,靜電作用包括靜電引力和靜電斥力,A項(xiàng)不正確;活潑金屬與活潑非金屬容易形成離子鍵,一般當(dāng)成鍵原子元素的電負(fù)性差值小于1.7時(shí),原子間不易形成離子鍵,如AlCl3和BeCl2中金屬與非金屬原子之間形成共價(jià)鍵,B項(xiàng)正確;原子最外層只有1個(gè)電子的主族元素包括H元素和堿金屬元素,H元素與鹵素形成共價(jià)鍵,C項(xiàng)不正確;由非金屬元素形成的化合物中可能含有離子鍵,如銨鹽中

與陰離子之間形成離子鍵。123456789101112131415163.離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子的半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般規(guī)律是離子半徑越小,離子所帶電荷越多,則離子鍵越強(qiáng)。K2O、MgO、CaO三種物質(zhì)中離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是A.K2O、MgO、CaO

B.MgO、K2O、CaOC.MgO、CaO、K2O

D.CaO、MgO、K2O√12345678910111213141516解析離子半徑:K+>Ca2+>Mg2+,離子所帶電荷數(shù):Ca2+=Mg2+>K+,所以離子鍵由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镸gO、CaO、K2O。4.(2020·青島高二居家考試)有關(guān)離子晶體的下列說法不正確的是A.離子晶體在熔融狀態(tài)時(shí)都能導(dǎo)電B.離子晶體具有較高的熔、沸點(diǎn),較大的硬度C.離子晶體中陰、陽離子個(gè)數(shù)比為1∶1D.氯化鈉溶于水時(shí)離子鍵被破壞√12345678910111213141516解析在熔融狀態(tài)下,離子晶體中存在自由移動(dòng)的離子,故能導(dǎo)電,A項(xiàng)正確;離子晶體具有較高的熔、沸點(diǎn)和較大的硬度,B項(xiàng)正確;離子晶體中陰、陽離子個(gè)數(shù)比各不相同,C項(xiàng)不正確;氯化鈉溶于水時(shí),電離成自由移動(dòng)的離子,離子鍵被破壞,D項(xiàng)正確。123456789101112131415165.下列有關(guān)晶格能的敘述正確的是A.晶格能是氣態(tài)原子形成1摩爾離子晶體釋放的能量B.晶格能通常取正值,但有時(shí)也取負(fù)值C.晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定D.晶格能越大,物質(zhì)的硬度反而越小√123456789101112131415166.已知金屬鈉與兩種鹵族元素形成的化合物Q、P,它們的晶格能分別為923kJ·mol-1、786

kJ·mol-1,下列有關(guān)說法不正確的是A.Q的熔點(diǎn)比P的高B.若P是NaCl,則Q一定是NaFC.Q中成鍵離子核間距比P的小D.若P是NaCl,則Q可能是NaBr√12345678910111213141516解析Q的晶格能大于P的晶格能,故Q的熔點(diǎn)比P的高,A項(xiàng)正確;因F-的半徑比Cl-的小,其他鹵素離子的半徑比Cl-的大,故若P是NaCl,只有NaF的晶格能大于NaCl的晶格能,B項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯(cuò)誤;因Q、P中陽離子均為Na+,陰離子所帶電荷數(shù)相同,故晶格能的差異是由成鍵離子核間距決定的,晶格能越大,表明核間距越小,C項(xiàng)正確。123456789101112131415167.下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是A.熔點(diǎn):NaF>MgF2>AlF3B.晶格能:NaF>NaCl>NaBrC.陰離子的配位數(shù):CsCl>NaCl>CaF2D.硬度:MgO>CaO>BaO√12345678910111213141516解析掌握好離子半徑的大小變化規(guī)律是分析離子晶體性質(zhì)的關(guān)鍵。r(Na+)>r(Mg2+)>r(Al3+),Na+、Mg2+、Al3+所帶電荷依次增大,所以NaF、MgF2、AlF3的離子鍵依次增強(qiáng),晶格能依次增大,故熔點(diǎn)依次升高;r(F-)<r(Cl-)<r(Br-),故NaF、NaCl、NaBr的晶格能依次減小;在CsCl、NaCl、CaF2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4;r(Mg2+)<r(Ca2+)<r(Ba2+),故MgO、CaO、BaO中離子鍵依次減弱,晶格能依次減小,硬度依次減小。12345678910111213141516題組二離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)8.有一種藍(lán)色晶體,化學(xué)式可表示為Mx[Fey(CN)6],經(jīng)X射線衍射實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3+和Fe2+分別占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而CN-位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的基本結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說法正確的是A.該晶體的化學(xué)式為M2[Fe2(CN)6]B.該晶體屬于離子晶體,M呈+1價(jià)C.該晶體屬于離子晶體,M呈+2價(jià)D.晶體中與每個(gè)Fe3+距離最近且相等的CN-有3個(gè)√12345678910111213141516由陰、陽離子形成的晶體為離子晶體,M的化合價(jià)為+1價(jià),B正確,C錯(cuò)誤;由題圖可看出與每個(gè)Fe3+距離最近且相等的CN-有6個(gè),D錯(cuò)誤。12345678910111213141516123456789101112131415169.已知CaF2是離子晶體,如果用“

”表示F-;用“

”表示Ca2+,在如圖所示中,符合CaF2晶體結(jié)構(gòu)的是√123456789101112131415161234567891011121314151610.在冰晶石(Na3[AlF6])晶胞中,[AlF6]3-占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl晶胞中Cl-占據(jù)的位置,則冰晶石晶胞中含Na+個(gè)數(shù)為A.12 B.8 C.4 D.3√12345678910111213141516解析NaCl晶胞中所含Cl-個(gè)數(shù)為8×+6×=4,由題意知,冰晶石晶胞中[AlF6]3-的個(gè)數(shù)也應(yīng)為4,化學(xué)式Na3[AlF6]中Na+和[AlF6]3-的個(gè)數(shù)比為3∶1,所以冰晶石晶胞中含Na+個(gè)數(shù)為4×3=12。11.黃銅礦(CuFeS2)是煉銅的最主要礦物,火法冶煉黃銅礦的過程中,其中一步反應(yīng)是2Cu2O+Cu2S6Cu+SO2↑,其中Cu2O晶胞如圖所示,下列說法錯(cuò)誤的是A.Cu原子的第一電離能小于Zn原子的第一電離能B.該晶胞中灰球代表銅原子、白球代表氧原子C.Cu2O和Cu2S熔點(diǎn)較高的是Cu2OD.Cu2O的晶胞中Cu+的配位數(shù)是2√12345678910111213141516解析Cu原子的外圍電子排布式為3d104s1,失去一個(gè)電子達(dá)到較穩(wěn)定的3d10,Zn原子的外圍電子排布式為3d104s2,為全充滿穩(wěn)定狀態(tài),所以Cu原子的第一電離能小于Zn原子的第一電離能,A正確;12345678910111213141516由圖知Cu2O晶胞中灰球的個(gè)數(shù)為

×8+1=2個(gè),白球的個(gè)數(shù)為4個(gè),所以灰球與白球的個(gè)數(shù)比為1∶2,故灰球代表的是氧原子,白球代表的是銅原子,B錯(cuò)誤;Cu2O和Cu2S都屬于離子晶體,離子半徑越小,熔點(diǎn)越高,離子半徑:O2-<S2-,所以熔點(diǎn)較高的是Cu2O,C正確;12345678910111213141516灰球代表的是氧原子,白球代表的是銅原子,根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可以判斷Cu+的配位數(shù)是2,D正確。1234567891011121314151612.某離子晶體DxEC6的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,陽離子D+位于晶胞棱的中點(diǎn)和晶胞內(nèi)部,陰離子

位于晶胞的頂點(diǎn)和面心。則DxEC6中x的值為A.1 B.2 C.3 D.4√1234567891011121314151613.鋇在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鋇的氧化物晶體,其晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列有關(guān)說法正確的是A.該晶體屬于離子晶體B.晶體的化學(xué)式為Ba2O2C.該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與CsCl相似D.與每個(gè)Ba2+距離相等且最近的Ba2+共有8個(gè)√12345678910111213141516綜合強(qiáng)化練12345678910111213141516解析晶體中含有Ba2+和

,則該晶體屬于離子晶體,A正確;該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl的晶胞結(jié)構(gòu)相似,所以與每個(gè)Ba2+距離相等且最近的Ba2+共有12個(gè),C、D不正確;該氧化物的1個(gè)晶胞中含有4個(gè)Ba2+和4個(gè)

,則晶體的化學(xué)式應(yīng)為BaO2,B不正確。14.根據(jù)表格數(shù)據(jù)回答下列有關(guān)問題:(1)已知NaBr、NaCl、MgO等離子晶體的核間距離和晶格能如下表所示:離子化合物NaBrNaClMgO離子的核間距/pm290276205晶格能/(kJ·mol-1)

7873890①NaBr晶體比NaCl晶體晶格能_____(填“大”或“小”),主要原因是__________________________。②MgO晶體比NaCl晶體晶格能大,主要原因是_________________________________________________________________。小NaBr比NaCl離子的核間距大離子的電荷數(shù)的絕對(duì)值大,并且離子的核間距小氧化鎂晶體中的陰、陽12345678910111213141516離子化合物NaBrNaClMgO離子的核間距/pm290276205晶格能/(kJ·mol-1)

7873890③NaBr、NaCl和MgO晶體中,熔點(diǎn)最高的是______。(2)Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的____(填“高”或“低”),請(qǐng)解釋原因:____________________________________________________________________________________。12345678910111213141516MgO高半徑小于S2-的半徑,Cu2O的離子鍵強(qiáng)于Cu2S的離子鍵,所以Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的高O2-的離子化合物NaBrNaClMgO離子的核間距/pm290276205晶格能/(kJ·mol-1)

787389012345678910111213141516(3)NaF的熔點(diǎn)____(填“>”“<”或“=”)

的熔點(diǎn),其原因

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