先進(jìn)封裝設(shè)備行業(yè)市場分析

先進(jìn)封裝設(shè)備行業(yè)市場分析后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝重要性日益凸顯摩爾定律逼近物理極限，先進(jìn)封裝重要性提升先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)成本日漸高昂，先進(jìn)封裝性價(jià)比凸顯。根據(jù)摩爾定律，芯片內(nèi)部的晶體管數(shù)量每隔18~24個(gè)月翻番，同時(shí)性能提升一倍。隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近物理極限，晶體管尺寸的微縮也越來越困難。根據(jù)芯東西數(shù)據(jù)，芯片制程從65nm升級到5nm，其制程提升約7代，而芯片設(shè)計(jì)成本增長了接近20倍，從0.24億美元提升至驚人的4.76億美金。先進(jìn)制程芯片的開發(fā)成本令芯片設(shè)計(jì)企業(yè)越來越難以承受。先進(jìn)工藝進(jìn)步速度放緩，摩爾定律難以為繼。二十一世紀(jì)以來，芯片在2015年進(jìn)入14nm時(shí)代，在2017年進(jìn)入10nm時(shí)代，在2018年進(jìn)入7nm時(shí)代，在2020年進(jìn)入5nm時(shí)代，在2022年進(jìn)入3nm時(shí)代。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于2025年推出2nm工藝節(jié)點(diǎn)。全球芯片制程從3nm升級到2nm預(yù)計(jì)將耗時(shí)三年，這比正常的摩爾定律升級時(shí)間18~24個(gè)月要多出一年多的時(shí)間，這也反映摩爾定律越來越逼近物理極限。隨著先進(jìn)工藝成本的上升和技術(shù)升級難度的增加，先進(jìn)封裝被視為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。先進(jìn)封裝能有效提高芯片內(nèi)部的互聯(lián)密度和通信速度封裝技術(shù)迭代，封裝尺寸與互聯(lián)密度不斷提升。根據(jù)Yole對半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展歷史的回溯，1990年代開始，以“Flip-Chip”和“WLCSP”為代表的封裝技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝進(jìn)入先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域。2010年代開始，以“2.5DSiinterposers”和“2D/3Dpackaging”為代表的封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更小的I/O節(jié)點(diǎn)和更大的封裝尺寸。更大的封裝密度成為先進(jìn)封裝的重要發(fā)展趨勢之一。Chiplet是提升芯片內(nèi)高速互聯(lián)的關(guān)鍵。采用傳統(tǒng)封裝的芯片系統(tǒng)中，芯片和芯片間的互聯(lián)依賴于電路板上的互聯(lián)技術(shù)，如PCIe、RapidI/O等。Chiplet技術(shù)將多個(gè)Die集成在同一顆芯片內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了片內(nèi)Die間通信（Serdes、AIB/MDIO等）。隨著單顆芯片可集成的晶體管數(shù)量越來越多，工藝節(jié)點(diǎn)越來越小，隧穿效應(yīng)逐漸明顯，漏電問題愈發(fā)凸顯，這導(dǎo)致頻率提升接近瓶頸。為進(jìn)一步提升系統(tǒng)性能，芯片由單核向多核異構(gòu)系統(tǒng)發(fā)展。Chiplet技術(shù)通過在物理層、接口層、通信層、協(xié)議層的多種技術(shù)，提升了Die間通信的速率。根據(jù)Wikichip數(shù)據(jù)，以臺(tái)積電CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)為例，CoWoS將有源硅芯片、中介層、基板三層堆疊為立體封裝結(jié)構(gòu)，芯片間的通信方式從傳統(tǒng)的引線或基板升級為Wafer，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通信速度的提升。目前幾乎所有的人工智能和加速器芯片都是基于臺(tái)積電的CoWoS工藝平臺(tái)。根據(jù)與非網(wǎng)數(shù)據(jù)，目前片外通信絕大多數(shù)依賴于PCIe接口，PCIe6.0×16接口理論上可以實(shí)現(xiàn)128GB/s的通信速度。根據(jù)谷歌云服務(wù)中心公布的數(shù)據(jù)，應(yīng)用在AI大模型上的TPU內(nèi)部通行速度已經(jīng)達(dá)到1000PB/s，這是PCIe6.0通信速度的8,192,000倍?？梢哉f，Chiplet是提升芯片內(nèi)高速互聯(lián)的關(guān)鍵。人工智能等新興應(yīng)用對先進(jìn)封裝需求快速增長一方面，消費(fèi)電子等終端產(chǎn)品對設(shè)備需求越來越小型化，對應(yīng)的芯片封裝尺寸要求也越來越高；另一方面，5G、高性能運(yùn)算、智能駕駛、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)對芯片的性能提出了更高的要求，對應(yīng)的芯片封裝密度要求也越來越高。芯片只有提供更小的尺寸和更好的能耗才能滿足下游領(lǐng)域的需求。先進(jìn)封裝憑借更高的互聯(lián)密度和更快的通信速度，得到愈加廣泛的應(yīng)用。根據(jù)集微咨詢預(yù)估，在5G、汽車電子、可穿戴、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用需求的推動(dòng)下，2022~2026年全球封測市場規(guī)模將從815億美元增長至961億美元，CAGR達(dá)到4.2%。全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模增速顯著高于封測市場規(guī)模增速。根據(jù)集微咨詢預(yù)估，2022~2026年全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模將從379億美元增長至482億美元，CAGR達(dá)到6.2%。其中ED、3D-Stack、Fan-out的平均年復(fù)合增長率最大，分別達(dá)到24.8%、17.7%、12.0%。未來部分封裝技術(shù)在特定領(lǐng)域會(huì)有進(jìn)一步的滲透和發(fā)展，如Fan-out封裝在手機(jī)、汽車、網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域會(huì)有較大的增量空間，如3D-Stack在AI、HPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS傳感器等領(lǐng)域會(huì)有較大的增長空間。根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2022年全球先進(jìn)封裝占整體封測市場比例約為47.2%。因?yàn)橄冗M(jìn)封裝的成長性好于傳統(tǒng)封裝，預(yù)計(jì)到2026年全球先進(jìn)封裝占整體封測市場比例將超過50%。國際巨頭押注先進(jìn)封裝賽道，行業(yè)資本開支旺國際巨頭紛紛布局先進(jìn)封裝賽道，前道晶圓廠優(yōu)勢明顯臺(tái)積電是全球先進(jìn)封裝技術(shù)的領(lǐng)軍者之一，旗下3DFabric擁有CoWoS、InFO、SoIC三種先進(jìn)封裝工藝。CoWoS是臺(tái)積電最經(jīng)典的先進(jìn)封裝技術(shù)之一。2011年至今，臺(tái)積電的CoWoS工藝已經(jīng)迭代至第五代，期間中介層面積、晶體管數(shù)量、內(nèi)存容量不斷擴(kuò)大。Nvidia、AMD、Broadcom、Marvell等是臺(tái)積電CoWoS工藝的最大客戶。臺(tái)積電的InFO技術(shù)是基于CoWoS的改進(jìn)工藝，其將硅中介層替換為polyamidefilm材料，降低了單位成本和封裝高度。蘋果的iPhone7、iPhone7Plus均采用InFO封裝技術(shù)。這也是臺(tái)積電后續(xù)獨(dú)占蘋果A系列處理器訂單的關(guān)鍵因素。2018年，臺(tái)積電首次對外公布其SoIC封裝技術(shù)。該技術(shù)是臺(tái)積電基于CoWoS和多晶圓堆疊（WoW）開發(fā)的新一代封裝技術(shù)。根據(jù)臺(tái)積電官方介紹，SoIC提供創(chuàng)新的前段3D芯片堆疊技術(shù)，用于重新集成從片上系統(tǒng)（SoC）劃分的小芯片。SoIC集成的芯片在系統(tǒng)性能方面優(yōu)于原始SoC，并提供了集成其他功能的靈活性。相較于2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。英特爾也在積極布局2.5D/3D先進(jìn)封裝賽道，并已經(jīng)推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等多種先進(jìn)封裝技術(shù)，力求通過2.5D/3D等多種異構(gòu)集成的形式實(shí)現(xiàn)互聯(lián)帶寬倍增和功耗減半的目標(biāo)。2018年，英特爾首次展示Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)，引入3D堆疊，在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片，實(shí)現(xiàn)橫向和縱向的互聯(lián)，且凸點(diǎn)間距進(jìn)一步降低為25~50μm。英特爾表示Foveros可以將不同工藝、結(jié)構(gòu)、用途的芯片整合到一起，從而將更多的計(jì)算電路組裝到單顆芯片上，以實(shí)現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。該技術(shù)提供了極大的靈活性，設(shè)計(jì)人員可以再新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊、各種存儲(chǔ)芯片、I/O配置，并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”。三星在2.5D/3D先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域也有布局，并已經(jīng)推出I-Cube、X-Cube等先進(jìn)封裝技術(shù)。針對2.5D封裝，三星推出的I-Cube技術(shù)可以和臺(tái)積電的CoWoS技術(shù)相媲美。針對3D封裝，三星在2020年推出X-Cube技術(shù)，將硅晶圓或芯片物理堆疊，并通過硅通孔（TSV）連接，最大程度上縮短了互聯(lián)長度，在降低功耗的同時(shí)提高傳輸速率。相較于傳統(tǒng)封裝，先進(jìn)封裝涉及到前道工序的延續(xù)，所以先進(jìn)封裝的后道工藝路線和晶圓廠的前道制造工藝界限逐漸模糊，晶圓廠在技術(shù)方面更占有優(yōu)勢。這也是臺(tái)積電、英特爾、三星等晶圓廠能主導(dǎo)先進(jìn)封裝技術(shù)的重要原因。先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺，行業(yè)資本開支旺高性能封裝需求旺盛，主要技術(shù)市場規(guī)模迎來快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021~2027年國際巨頭布局的高性能封裝市場規(guī)模將從27.4億美元增長至78.7億美元，CAGR達(dá)到19%。Yole預(yù)計(jì)到2027年，UHDFO、HBM、3DS和有源Si中介層將占高性能封裝市場規(guī)模的50%以上，是市場增長的最大貢獻(xiàn)者。嵌入式Si橋、3DNand堆棧、3DSoC和HBM是增長最快的四個(gè)領(lǐng)域，每個(gè)領(lǐng)域的CAGR都超過20%。隨著消費(fèi)和移動(dòng)終端、電信和基礎(chǔ)設(shè)施中人工智能和高性能應(yīng)用程序的快速發(fā)展，高性能封裝的需求也迎來較快增長，這也是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵解決方案之一。臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能緊缺，行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)在即。根據(jù)與非網(wǎng)援引臺(tái)積電的消息，2023年初以來，全球AI訂單需求持續(xù)增長，臺(tái)積電現(xiàn)有的先進(jìn)封裝產(chǎn)能無法滿足需求，臺(tái)積電被迫緊急增加CoWoS產(chǎn)能。臺(tái)積電預(yù)計(jì)2023年CoWoS產(chǎn)能將較2022年實(shí)現(xiàn)倍增，而2024年CoWoS產(chǎn)能將在2023年的基礎(chǔ)上再次實(shí)現(xiàn)倍增。2022年臺(tái)積電CoWoS營業(yè)收入已經(jīng)占總營業(yè)收入5%以上，并且將以20%的年增速保持增長，高于臺(tái)積電預(yù)估的總營業(yè)收入年增速10%。全球主要半導(dǎo)體廠商提高先進(jìn)封裝資本開支。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年包括英特爾、臺(tái)積電、三星等在內(nèi)的主要廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支達(dá)到110多億美元。其中，英特爾是先進(jìn)封裝領(lǐng)域資本開支最大的廠商，其主導(dǎo)的先進(jìn)封裝技術(shù)為EMIB和Foveros，而EMIB和Foveros結(jié)合又誕生了Co-EMIB技術(shù)，該技術(shù)主要被應(yīng)用于英特爾旗下的PonteVecchioGPU。英特爾計(jì)劃為其FoverosDirect采用混合鍵合技術(shù)，并提高了資本開支。臺(tái)積電緊隨英特爾之后，2021年在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支達(dá)到30.5億美元。臺(tái)積電的CoWoS工藝平臺(tái)提供硅中介層或RDL的解決方案，衍生的LSI解決方案則對標(biāo)EMIB的解決方案。此外，臺(tái)積電在通過InFO解決方案為UHDFO爭取更多業(yè)務(wù)的同時(shí)，也在為3DSoC定義新的系統(tǒng)級路線和技術(shù)。臺(tái)積電在積極主導(dǎo)下一代系統(tǒng)級封裝技術(shù)路線，并為此維持了較高的資本開支水平。三星擁有類似于臺(tái)積電CoWoS-S的I-Cube技術(shù)。三星同時(shí)也是3D堆棧內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者之一，提供HBM和3DS的解決方案，其X-Cube預(yù)計(jì)也將使用混合鍵合技術(shù)。英特爾、臺(tái)積電、三星憑借晶圓廠在前道領(lǐng)域的優(yōu)勢，主導(dǎo)了先進(jìn)封裝領(lǐng)域的技術(shù)路線。2021年日月光在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支約20億美元，僅次于英特爾、臺(tái)積電和三星。日月光也是唯一一個(gè)試圖和晶圓廠/IDM廠競爭先進(jìn)封裝技術(shù)的OSAT廠商。日月光憑借其FoCoS產(chǎn)品，也是目前唯一具有UHDFO解決方案的OSAT廠商。但是就前端制造能力和財(cái)務(wù)能力而言，其他OSAT廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域并不具備和英特爾、臺(tái)積電、三星等晶圓大廠并駕齊驅(qū)的實(shí)力。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2022年包括英特爾、臺(tái)積電、三星等在內(nèi)的主要廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支進(jìn)一步上升至150多億美元。其中，英特爾的先進(jìn)封裝資本開支進(jìn)一步上升至47.5億美元，依然位居第一；臺(tái)積電的先進(jìn)封裝資本開支上升至40億美元，位居第二；三星的先進(jìn)封裝資本開支維持在20億美元的水平，位居第三；其他OSAT廠商也都紛紛上調(diào)其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支。隨著業(yè)內(nèi)認(rèn)識(shí)到先進(jìn)封裝對于抵抗摩爾定律放緩的重要性，全球主要半導(dǎo)體廠商紛紛提高其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支。我們預(yù)計(jì)隨著先進(jìn)封裝在后摩爾時(shí)代扮演越來越重要的角色，先進(jìn)封裝領(lǐng)域的資本開支也將維持在一個(gè)較高的水平。先進(jìn)封裝推動(dòng)產(chǎn)業(yè)革新，國產(chǎn)供應(yīng)鏈價(jià)值重塑先進(jìn)封裝是前道工序的衍生先進(jìn)封裝從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看屬于封裝測試環(huán)節(jié)。先進(jìn)封裝廠為客戶的晶圓裸片提供定制化的技術(shù)解決方案。先進(jìn)封裝是前道工序的衍生。傳統(tǒng)的晶圓制造流程包括氧化、涂膠、光刻、刻蝕、離子注入、物理/化學(xué)氣相沉積、拋光、晶圓檢測、清洗等環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的封測流程包括磨片/背面減薄、切割、貼片、銀漿固化、引線焊接、塑封、切筋成型、FT測試等環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)封裝側(cè)重于板級互聯(lián)，先進(jìn)封裝側(cè)重于晶圓級互聯(lián)。先進(jìn)封裝在晶圓上通過TSV和RDL分別實(shí)現(xiàn)縱向和橫向的互聯(lián)，而TSV和RDL則更類似于前道的晶圓制造工序，所以說先進(jìn)封裝是前道工序的衍生。晶圓級封裝的常見工藝流程包括：PI光刻、濺射、PR光刻、電鍍、植球、磨片等。PI光刻是在Wafer表面涂覆PSPI光刻膠（PositivePhotoresist），進(jìn)行紫外線曝光，再通過顯影和固化工藝，獲得所需的CD開口位置。濺射是通過物理氣相沉積原理，將高純度的金屬材料置于真空室，通過離子束、電子束或高能粒子束來撞擊金屬材料表面，使其發(fā)生濺射，從而產(chǎn)生大量微小的金屬顆粒，這些顆粒會(huì)沉積在晶圓表面上并形成金屬薄膜。PR光刻和PI光刻類似，區(qū)別在于曝光后無需固化，而是在電鍍后進(jìn)行去膠操作。電鍍是在種子層UBM（UnderBumpMetal）上方涂覆一層導(dǎo)電漆，用于芯片與外部電路板之間的連接。然后，將晶圓浸入含有銅離子的電解液中，并將釬料作為陰極，使銅離子在釬料表面還原，形成一層均勻的銅層。電鍍完成后，顯影所預(yù)留的用于結(jié)構(gòu)成型的光刻膠仍然處在晶圓表面，故需要使用藥液噴淋的方式進(jìn)行除膠。電鍍后可能會(huì)出現(xiàn)的多余UBM，通常需要使用腐蝕工藝去除。植球是在焊盤位置涂覆助焊劑，在其對應(yīng)位置放置錫球，利用Reflow將錫球焊接至焊盤位置。磨片是按照具體產(chǎn)品的工藝要求，將晶圓磨劃至需求厚度，然后將處理完成的晶圓經(jīng)過切割，分離成單獨(dú)的成品芯片。硅通孔TSV是一種能讓2.5D/3D封裝遵循摩爾定律演進(jìn)的互連技術(shù)。TSV能實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間、芯片與晶圓之間、晶圓與晶圓之間完全穿孔的垂直電氣連接。這些垂直連接可用于互連多個(gè)芯片、存儲(chǔ)器、傳感器和其他模塊。硅通孔互連賦予了各種2.5D/3D封裝應(yīng)用和架構(gòu)芯片縱向維度的集成能力，以最低的能耗/性能指標(biāo)提供極高的性能和功能，以打造更小更快更節(jié)能的設(shè)備。TSV技術(shù)是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵技術(shù)。TSV技術(shù)的工藝流程包括晶圓的表面清洗、光刻膠圖案化、干法/濕法蝕刻溝槽、氣相沉積、通孔填充、化學(xué)機(jī)械拋光等多道關(guān)鍵工藝。TSV工藝涉及的設(shè)備包括晶圓減薄機(jī)、掩膜設(shè)備、涂膠機(jī)、激光打孔機(jī)、電鍍設(shè)備、濺射臺(tái)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等。TSV工藝可以分為先通孔（Via-first）、中通孔（Via-middle）和后通孔（Via-last），中通孔目前是高級3DIC以及中介層堆棧的熱門選擇。晶圓廠、封測廠均對TSV技術(shù)有深度研究。臺(tái)積電、三星、英特爾等晶圓廠在前道制造環(huán)節(jié)經(jīng)驗(yàn)豐富，對前道TSV技術(shù)熟能生巧，因而在2.5D/3D封裝技術(shù)上獨(dú)占鰲頭。半導(dǎo)體設(shè)備市場復(fù)蘇在即，國產(chǎn)供應(yīng)鏈持續(xù)發(fā)力全球半導(dǎo)體設(shè)備市場有望在2024年復(fù)蘇。根據(jù)SEMI發(fā)布的《2023年年中半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測報(bào)告》，2023年全球前道半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到764.3億美元，并在2024年增長至877.6億美元；2023年全球后道測試設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到63.9億美元，并在2024年增長至69.0億美元；2023年全球后道封裝設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到45.9億美元，并在2024年增長至53.4億美元。我們預(yù)計(jì)隨著半導(dǎo)體周期逐步從周期底部復(fù)蘇，各大廠商對封裝和測試的資本開支意愿有望回升?？紤]到先進(jìn)封裝在封裝和測試行業(yè)中的重要性日益凸顯，先進(jìn)封裝設(shè)備在封裝和測試設(shè)備中的占比也有望進(jìn)一步提升。國產(chǎn)先進(jìn)封裝設(shè)備廠商持續(xù)迭代新產(chǎn)品。北方華創(chuàng)作為中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠商之一，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司的UBM/RDL金屬沉積設(shè)備、TSV金屬沉積設(shè)備、TSV刻蝕設(shè)備、全新DESCUM設(shè)備已經(jīng)正式投放市場或已經(jīng)完成研發(fā)。芯源微作為中國半導(dǎo)體涂膠顯影設(shè)備龍頭廠商之一，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司的單片濕法刻蝕設(shè)備、單片濕法去膠機(jī)、單片清洗機(jī)、涂膠顯影設(shè)備已經(jīng)正式投放市場。盛美上海作為中國半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭廠商之一，在先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備和清洗設(shè)備領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司已經(jīng)成功開發(fā)先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備、3DTSV電鍍設(shè)備。多款設(shè)備也處于研發(fā)和量產(chǎn)前期。芯源微芯源微：涂膠顯影設(shè)備龍頭，先進(jìn)封裝深度受益2002年，沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司成立。公司主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片式濕法設(shè)備（清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)），可用于8/12英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)）及6英寸及以下單晶圓處理（如化合物、MEMS、LED芯片制造等環(huán)節(jié)）。截至2023年三季報(bào)，芯源微第一大股東為沈陽先進(jìn)制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司，持股比例達(dá)到11.57%。公司實(shí)控人鄭廣文持有沈陽先進(jìn)制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司82.86%的股權(quán)。芯源微第二大股東為遼寧科發(fā)實(shí)業(yè)有限公司，持股比例達(dá)到10.48%。遼寧科發(fā)實(shí)業(yè)有限公司背后的股東為遼寧省國資委、遼寧省財(cái)政廳。芯源微第三大股東為沈陽中科天盛自動(dòng)化技術(shù)有限公司，持股比例達(dá)到8.48%。沈陽中科天盛自動(dòng)化技術(shù)有限公司背后股東為中國科學(xué)院沈陽自動(dòng)化研究所。涂膠顯影設(shè)備是芯源微的的標(biāo)桿產(chǎn)品，也是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵處理設(shè)備。涂膠顯影設(shè)備主要與光刻機(jī)（芯片生產(chǎn)線上最龐大、最精密復(fù)雜、難度最大、價(jià)格最昂貴的設(shè)備）配合進(jìn)行作業(yè)，通過機(jī)械手使晶圓在各系統(tǒng)間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工藝過程。作為光刻機(jī)的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影）設(shè)備，涂膠顯影機(jī)的性能不僅直接影響到細(xì)微曝光圖案的形成，其顯影工藝的圖形質(zhì)量和缺陷控制對后續(xù)諸多工藝（諸如蝕刻、離子注入等）中圖形轉(zhuǎn)移的結(jié)果也有著深刻的影響。目前公司在集成電路前道晶圓加工領(lǐng)域客戶包括中芯國際、長江存儲(chǔ)、華虹半導(dǎo)體等，在集成電路后道先進(jìn)封裝領(lǐng)域客戶包括臺(tái)積電、華為、長電科技、通富微電、日月光等，在化合物、MEMS、LED等領(lǐng)域客戶包括三安集成、乾照光電、華燦光電等。2016~2022年，芯源微營業(yè)收入從1.48億元增長至13.85億元，CAGR達(dá)到45%；凈利潤從0.05億元增長至2.00億元，CAGR達(dá)到85%。芯源微經(jīng)營業(yè)績保持穩(wěn)健增長。2016~2022年，芯源微研發(fā)費(fèi)用持續(xù)增長，研發(fā)費(fèi)用率持續(xù)維持在相對高位。2022年，公司研發(fā)費(fèi)用達(dá)到1.52億元，研發(fā)費(fèi)用率達(dá)到11.0%。2016~2022年，芯源微涂膠顯影設(shè)備營業(yè)收入從1.41億元增長至7.57億元。2022年，芯源微前道涂膠顯影設(shè)備實(shí)現(xiàn)快速放量，其中Off-line、I-line、KrF機(jī)臺(tái)均實(shí)現(xiàn)批量銷售，浸沒式機(jī)臺(tái)已陸續(xù)獲得國內(nèi)多家知名廠商訂單，超高溫Barc機(jī)臺(tái)也成功實(shí)現(xiàn)了客戶導(dǎo)入。2022Q4，芯源微首臺(tái)浸沒式高產(chǎn)能涂膠顯影機(jī)在國內(nèi)某知名客戶處完成驗(yàn)證，已順利實(shí)現(xiàn)驗(yàn)收。浸沒式機(jī)臺(tái)的推出，標(biāo)志著公司前道涂膠顯影設(shè)備已完成在晶圓加工環(huán)節(jié)28nm及以上工藝節(jié)點(diǎn)全覆蓋，并可持續(xù)向更高工藝等級迭代。目前國內(nèi)前道涂膠顯影設(shè)備市場仍然被日本東京電子高度壟斷，芯源微作為國內(nèi)唯一可以提供量產(chǎn)型前道涂膠顯影機(jī)的設(shè)備商，由于切入前道領(lǐng)域較晚，目前國內(nèi)市占率仍然較低。隨著公司產(chǎn)品的不斷成熟，同時(shí)疊加國際貿(mào)易的不確定性增強(qiáng)，國內(nèi)越來越多的晶圓廠正在加速公司前道涂膠顯影機(jī)的導(dǎo)入進(jìn)程，公司前道涂膠顯影機(jī)國內(nèi)市場份額有望實(shí)現(xiàn)快速提升。2016~2022年，芯源微單片清洗設(shè)備營業(yè)收入從0.01億元增長至5.50億元。芯源微前道物理清洗機(jī)自2018年發(fā)布以來，憑借其高產(chǎn)能、高顆粒去除能力、高性價(jià)比等優(yōu)勢受到下游客戶的廣泛認(rèn)可，產(chǎn)品發(fā)布后迅速打破國外壟斷，并確立了市場領(lǐng)先優(yōu)勢。目前已廣泛應(yīng)用于中芯國際、上海華力、青島芯恩、廣州粵芯、上海積塔、廈門士蘭等一線大廠，已成為國內(nèi)晶圓廠baseline產(chǎn)品。2022年芯源微前道物理清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)批量銷售近百臺(tái)套。公司生產(chǎn)的前道物理清洗機(jī)SpinScrubber設(shè)備較為成熟。2022年公司清洗設(shè)備產(chǎn)品在高產(chǎn)能清洗架構(gòu)、顆粒去除能力等工藝上實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步的提升，產(chǎn)品競爭力不斷增強(qiáng)，國內(nèi)市占率穩(wěn)步上升。2022年，芯源微后道先進(jìn)封裝領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售超百臺(tái)套，近年來已作為主流機(jī)型批量應(yīng)用于臺(tái)積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、中芯紹興、中芯寧波等國內(nèi)一線大廠，已經(jīng)成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備。2022年，公司加深與盛合晶微、長電紹興、上海易卜等國內(nèi)新興封裝勢力的合作關(guān)系，成功批量導(dǎo)入各類設(shè)備。2022年，芯源微化合物、MEMS、LED等小尺寸領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售超百臺(tái)套，近年來已作為主流機(jī)型批量應(yīng)用于三安集成、華燦光電、乾照光電、北京賽微、江西兆馳等國內(nèi)一線大廠，已經(jīng)成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備。公司作為國內(nèi)化合物龍頭三安集成的主力供應(yīng)商，在市場開拓中不斷延伸，進(jìn)一步鞏固市場優(yōu)勢地位。盛美上海盛美上海：半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭，電鍍設(shè)備助力先進(jìn)封裝1998年，盛美上海正式成立上海公司。公司主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。公司連續(xù)多年被評為“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”，入選首批上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)頒發(fā)的“上海市集成電路先進(jìn)濕法工藝設(shè)備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”。在第五屆中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟組織的“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”（簡稱“IC創(chuàng)新獎(jiǎng)”）頒獎(jiǎng)典禮中，公司前道銅互連電鍍設(shè)備榮獲第五屆“IC創(chuàng)新獎(jiǎng)-成果產(chǎn)業(yè)化獎(jiǎng)”。此外，盛美被評為上海市“專精特新”企業(yè)。ACMResearch是盛美上海的第一大股東，持股82.09%。上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司和上海浦東新興產(chǎn)業(yè)投資有限公司也是盛美上海的重要股東，分別持股1.06%和1.06%。2019~2022年，盛美上海營業(yè)收入從7.6億元增長至28.7億元，CAGR達(dá)到56%；凈利潤從1.35億元增長至6.73億元，CAGR達(dá)到70%。在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代需求持續(xù)增長的趨勢下，盛美上海業(yè)績也實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長。2019~2022年，盛美上海毛利率基本維持在40%以上，凈利率基本維持在15%以上，公司呈現(xiàn)出穩(wěn)健的盈利能力和較高的盈利質(zhì)量。在清洗設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海產(chǎn)品包括SAPS兆聲波單片清洗設(shè)備、TEBO兆聲波單片清洗設(shè)備、高溫單片SPM設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、邊緣濕法刻蝕設(shè)備、前道刷洗設(shè)備、全自動(dòng)槽式清洗設(shè)備等。全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場高度集中，尤其在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域，DNS、TEL、LAM和SEMES四家公司合計(jì)市場占有率達(dá)到90%以上，其中DNS市場份額最高，市場占有率在35%以上。本土12英寸晶圓廠清洗設(shè)備主要來自DNS、盛美上海、LAM、TEL。目前，中國大陸能提供半導(dǎo)體清洗設(shè)備的企業(yè)較少，主要包括盛美上海、北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技等。盛美上海2020年?duì)I業(yè)收入超過10億元，2021年?duì)I業(yè)收入超過16億元，位列全國集成電路設(shè)備企業(yè)前三。盛美上海具備了成為國際領(lǐng)先集成電路設(shè)備企業(yè)的基礎(chǔ)和潛力。在后道先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海產(chǎn)品包括先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、濕法刻蝕設(shè)備、濕法去膠設(shè)備、金屬剝離設(shè)備、無應(yīng)力拋光先進(jìn)封裝平坦化設(shè)備等。盛美上海在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域進(jìn)行差異化開發(fā)，解決了在更大電鍍液流量下實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，2022年在高速電鍍錫銀方面也實(shí)現(xiàn)突破，在客戶端成功量產(chǎn)。采用獨(dú)創(chuàng)的第二陽極電場控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，實(shí)現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍，凸塊產(chǎn)品的各項(xiàng)指標(biāo)均滿足客戶要求。在針對高密度封裝的電鍍領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)2μm超細(xì)RDL線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更好的密封效果。2022年進(jìn)一步擴(kuò)大市場規(guī)模并取得高端客戶的批量訂單。盛美上海的升級版8/12寸兼容的涂膠設(shè)備，用于晶圓級封裝領(lǐng)域的光刻膠和Polyimide涂布、軟烤及邊緣去除。涂膠腔內(nèi)采用了公司特有的全方位無死角自動(dòng)清洗技術(shù)，可縮短設(shè)備維護(hù)時(shí)間。這款升級版涂膠設(shè)備對盛美原有的涂膠設(shè)備性能和外觀都進(jìn)行了優(yōu)化升級，可實(shí)現(xiàn)熱板抽屜式抽出，方便維修及更換，并且能精確復(fù)位，有效保障工序運(yùn)行。盛美上海的UltraCdv顯影設(shè)備可應(yīng)用于晶圓級封裝，是WLP光刻工藝中的步驟。設(shè)備可進(jìn)行曝光后烘烤、顯影和堅(jiān)膜等關(guān)鍵步驟。設(shè)備具備靈活的噴嘴掃描系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的藥液控制，技術(shù)先進(jìn)，使用便捷。盛美上海的濕法刻蝕設(shè)備使用化學(xué)藥液進(jìn)行晶圓球下金屬層（UBM）的刻蝕工藝。該設(shè)備具備先進(jìn)的噴嘴掃描系統(tǒng)，可提供行業(yè)領(lǐng)先的化學(xué)溫度控制、刻蝕均勻性，專注安全性，且藥液回收使用可減少成本。盛美上海的UltraCpr濕法去膠設(shè)備設(shè)計(jì)高效、控制精確，提升了安全性，提高了WLP產(chǎn)能。該設(shè)備將濕法槽式浸洗與單片晶圓清洗相結(jié)合，能夠在靈活控制清洗的同時(shí)，最大限度地提高效率，也可與公司專有的SAPS兆聲波清洗設(shè)備一同使用，以清除極厚或者極難去除的光刻膠涂層。盛美上海的濕法金屬剝離（MetalLiftoff）設(shè)備基于公司已有的濕法去膠設(shè)備平臺(tái)，將槽式去膠浸泡模塊與單片清洗腔體串聯(lián)起來依序使用，在去膠的同時(shí)進(jìn)行金屬剝離。該設(shè)備可以在不同單片清洗腔中分別配置去膠功能和清洗功能，并通過優(yōu)化腔體結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)易拆卸、清洗與維護(hù)，以解決金屬剝離工藝中殘留物累積的問題。盛美上海拓展開發(fā)適用于先進(jìn)封裝3D硅通孔及2.5D轉(zhuǎn)接板中金屬銅層平坦化工藝應(yīng)用，為了解決工藝成本高，晶圓翹曲大的難點(diǎn)，利用無應(yīng)力拋光的電化學(xué)拋光原理，相對比傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械平坦化CMP，沒有研磨液，拋光頭，和拋光墊，僅使用可循環(huán)使用的電化學(xué)拋光液；并且不受銅層是否經(jīng)過退火的影響，去除率穩(wěn)定；通過與CMP工藝整合，先采用無應(yīng)力拋光將晶圓銅膜減薄至小于0.5μm~0.2μm厚度，再退火處理，最后CMP工藝的解決方案，能夠有效解決CMP工藝存在的技術(shù)和成本瓶頸。賽騰股份賽騰股份：并購OPTIMA，半導(dǎo)體+消費(fèi)電子兩翼齊飛2007年6月，賽騰股份在蘇州成立，主要從事自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售及技術(shù)服務(wù)，為客戶實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)智能化提供系統(tǒng)解決方案，主要產(chǎn)品包括自動(dòng)化組裝設(shè)備、自動(dòng)化檢測設(shè)備及治具類產(chǎn)品。公司深耕消費(fèi)電子領(lǐng)域，于2011年通過蘋果公司合格供應(yīng)商認(rèn)證。此后，公司通過外延并購方式，形成“消費(fèi)電子+半導(dǎo)體+新能源”協(xié)同發(fā)展格局：1）2017年，公司通過收購無錫昌鼎進(jìn)入半導(dǎo)體封測領(lǐng)域、通過收購賽騰菱歐進(jìn)入新能源汽車領(lǐng)域；2）2019年，公司通過收購OPTIMA，進(jìn)入晶圓檢測領(lǐng)域。目前，公司產(chǎn)品主要運(yùn)用于消費(fèi)電子、半導(dǎo)體、新能源等行業(yè)，適用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設(shè)備、新能源零部件、鋰電池、8寸/12寸晶圓等。公司股權(quán)較為集中，創(chuàng)始人為實(shí)際控制人。截至2023年三季度末，公司的兩位創(chuàng)始人孫豐先生、曾慧女士分別持股21.23%，21.10%，