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成都理工大學(xué)學(xué)年
第一學(xué)期《核輻射測(cè)量方法》考試試題
參考答案與評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)
大題—-二四五總分
得分
一、名詞解釋(每名詞3分,共18分)
1.探測(cè)效率:探測(cè)效益率是表征丫射線照射量率與探測(cè)器輸出脈沖計(jì)數(shù)之間關(guān)系的重要物理參數(shù)。
2.衰變常數(shù):衰變常數(shù)是描述放射性核素衰變速度的物理量,指原子核在某一特定狀態(tài)下,經(jīng)歷核自發(fā)躍
迂的概率。
3.吸收劑量:電力輻射授予某一點(diǎn)處單位質(zhì)量物質(zhì)的能量的期望值?!?gt;=dE/M7,吸收劑量單位為戈瑞(Gy)。
4.平均電離能:在物質(zhì)中產(chǎn)生一個(gè)離子對(duì)所需要的平均能量。
5.放射性活度:表征放射性核素特征的物理量,單位時(shí)間內(nèi)處于特定能態(tài)的一定量的核素發(fā)生自發(fā)核轉(zhuǎn)變
數(shù)的期望值。A=dN/dto
6.碰撞阻止本領(lǐng):帶電粒子通過物質(zhì)時(shí),在所經(jīng)過的單位路程上,由于電離和激發(fā)而損失的平均能量。
二、填空題(每空0.5分,共9分)
1.a射線與物質(zhì)相互作用的主要形式是電離和激發(fā)。
2.鈾系氣態(tài)核素是3Rn;其半衰期是3.825d。
3.用了能譜測(cè)定鈾、牡、鉀含量,一般選擇的y輻射體是"Bi、2118Tl
和鄴;其y光子的能量分別是1的6MeV、2.62MeV和1.46MeV。
4.p+衰變的實(shí)質(zhì)是母核中的一個(gè)質(zhì)子轉(zhuǎn)變?yōu)橹凶?
5.放射性活度的單位為:Bq;照射量率的單位為:放kg*s:能注量率的單位為
W/m2
6.B射線與物質(zhì)相互作用方式主要有電離與激發(fā)、朝致輻射和彈性散射。
三、簡(jiǎn)要回答下列問題(每題6分,共36分)
1.簡(jiǎn)述Nal(Tl)探測(cè)器的特征X射線逃逸以及對(duì)譜線的影響。
解答:當(dāng)丫光子在晶體內(nèi)發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),原子的相應(yīng)殼層上將留一空位,當(dāng)外層電子補(bǔ)入時(shí),會(huì)有特征X
射線或俄歇電子發(fā)出(3分)。若光電效應(yīng)發(fā)生在靠近晶體表面處時(shí),則改特征X射線有可能逃逸出探測(cè)晶
體,使入射光子在晶體內(nèi)沉淀的能量小于光子能量,光子能量與在晶體內(nèi)沉淀能量即差為特征X射線能量
(2分)。因此,使用Na(TI)晶體做探測(cè)器時(shí),碘原子K層特征射線能量為38keV,在測(cè)量的丫譜線上將會(huì)
出一個(gè)能量比入射丫射線能量小28keV的碘特征射線逃逸峰(2分)。隨著入射射線能量增加和探測(cè)晶體體
積的增大,Nai(TI)探測(cè)器的特征X射線逃逸峰會(huì)逐漸消失。(2分)
圖(3分)
閃爍體和倍增管是探測(cè)器部分,用于將丫射線的能量轉(zhuǎn)化為可以探測(cè)的電信號(hào)。前置放大器是將信號(hào)
進(jìn)行一定倍數(shù)的放大。主放大器是將信號(hào)轉(zhuǎn)化微可以供多道脈沖幅度分析器使用的信號(hào)。多道脈沖幅度分
析器將信號(hào)轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號(hào)。微機(jī)對(duì)采集的信號(hào)進(jìn)行軟件的處理。(3分)
3.隨著入射丫射線能量的變化,丫射線與物質(zhì)相互作用的主要效應(yīng)所占比例如何變化?
解答:伽馬射線與物質(zhì)相互作用的主要形式是光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)。隨著入射伽瑪射線能
量的變化,三種效應(yīng)所占比例是不同的。低能光子與物質(zhì)作用的主要形式是光電效應(yīng)(2分);隨著射線能
量增大,光電效應(yīng)所占比例逐漸降低,康普頓效應(yīng)所占比例增加,成為射線與物質(zhì)作用的主要形式(2分)。
當(dāng)入射光子能量大于1.02MeV,將存在形成電子對(duì)效應(yīng)的幾率,并隨著能量的繼續(xù)增大,電子對(duì)效應(yīng)所占的
比例會(huì)逐漸增大;而康普頓效應(yīng)和光電效應(yīng)所占比例逐漸降低。電子對(duì)效應(yīng)是高能量光子與物質(zhì)作用的主
要的作用形式。(2分)
4.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理。
解答:半導(dǎo)體探測(cè)器工作時(shí),在搬半導(dǎo)體P區(qū)和N區(qū)加反向電壓,使空間電荷電場(chǎng)增強(qiáng)。電子和空穴分別
向正負(fù)兩級(jí)擴(kuò)散,使得探測(cè)器靈敏區(qū)的厚度增大。(3分)當(dāng)探測(cè)的射線進(jìn)入靈敏區(qū)時(shí)產(chǎn)生電離,生成大量
電子-空穴對(duì)。(3分)在電場(chǎng)的作用下,電子和空穴分別迅速向正、負(fù)兩級(jí)漂移。電子和空穴漂移至兩極被
收集后,在輸出電路中形成電脈沖信號(hào),通過放大電路和分析電路后被儀器收集。(3分)
5.什么是“譜平衡”?
解答:當(dāng)伽瑪射線穿透物質(zhì)的時(shí)候,當(dāng)物質(zhì)達(dá)到一定的厚度時(shí)(1分),射線譜線的成分不再隨物質(zhì)厚度的
正加而改變(3分),射線譜成分大體一致,各能量之間相對(duì)組分大致不變(2分)。
6.簡(jiǎn)述Nai(T1)儀器譜中反散射峰的形成的機(jī)理和能量特點(diǎn)。
解答:從界面反射出來(lái),與入射角方向成180°夾角散射的散射射線稱放散射射線,是散射射線的一部分(3
分)。當(dāng)y射線射向閃爍體時(shí),總有一部分y射線沒有被閃爍體吸收而逸出。當(dāng)它與閃爍體周圍的物質(zhì)發(fā)生
康普頓效應(yīng)時(shí),反散射光子返回閃爍體,通過光電效應(yīng)被記錄,這就構(gòu)成反散射峰(3分)。當(dāng)然,在放射
源襯底材料中,以及探頭的屏蔽材料中產(chǎn)生的反散射光子同樣有可能對(duì)反散射峰作出貢獻(xiàn)。根據(jù)康普頓效
應(yīng)中散射光子能量分布
,.0.51,、
hv-------------------------------(MeV)
l+0.51///v-cos^
由上式可知,反散射光子能量最大不超過250keV。(3分)
四、論述題(每題9分,共27分)
1.丫射線譜儀中能量分辨率的定義及其意義,簡(jiǎn)述Nal(Tl)探測(cè)器的能量分辨率指標(biāo)。
解答:能量分辨率可以用全能峰的半高寬度(FWHM)或相對(duì)半高寬度(%)來(lái)表示(1分)。半高寬(FWHM)
是指譜線峰最大計(jì)數(shù)一半處峰的能量寬度(2分);相對(duì)辦高寬度(%)為半高寬度和譜線峰位能量的百分比
(2分)。能量分辨率是表征伽馬射線譜儀對(duì)能量相近的丫射線分辨本領(lǐng)的重要參數(shù),丫譜儀的能量分辨率
率與丫射線的能量有關(guān)(2分)。Nai(TI)探測(cè)器能量分辨率指標(biāo)一般用,37Cs的0.662全能峰相對(duì)半高寬度
來(lái)表示,目前的一般水平為6%?8%。(2分)
2.簡(jiǎn)述丫射線與物質(zhì)相互作用的光電效應(yīng),并說明由光電效應(yīng)產(chǎn)生儀器譜的特點(diǎn)。
解答:一個(gè)具有hv能量的光子與一個(gè)束縛電子發(fā)生相互作用,將全部能量傳遞給原子,光子消失,電子獲
得能量成為光電子,這一過程稱為光電效應(yīng)。(3分)
(或?yàn)?,?dāng)丫射線與原子殼層軌道上的內(nèi)層電子碰撞時(shí),將所有能量標(biāo)交給殼層的一個(gè)內(nèi)層電子,電
子克服了電離能,脫離原子而運(yùn)動(dòng),產(chǎn)生了光電子,而丫射線被完全吸收,這種作用稱為光電效應(yīng)。)
=T
1.作用微,面Tph~^k(X10"'cm2)
2
1)當(dāng)hv?mnc,K層光電截面々可由量子力學(xué)有關(guān)方程式計(jì)算得到:
8萬(wàn)2Z5
卞?4"
Q(137>
-35
或Tk=C,Z^/zv)-(1)
式中:A靶物質(zhì)的原子序數(shù);-L經(jīng)典電子半徑2.82X1(T%m;『電子質(zhì)量;
c----光速:Ci----比例常數(shù)。
2)當(dāng)〃口》加0。2,
r=CZ\hvy'
k2(2)(1分)
2.光電子的能量
E?=E「Ek(3)
式中,名一光電子動(dòng)能;E,一入射光子能量:紇一k層電子結(jié)合能;(1分)
光電子釋放所產(chǎn)生的電子殼層電子空穴會(huì)被外層電子所填充,在次過程通過釋放特征X射線會(huì)俄歇電子的
方式釋放結(jié)合能。(1分)
光電效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生的自由光電子和一個(gè)或多個(gè)低能電子,如果產(chǎn)生的任何次級(jí)粒子沒有逃逸出探測(cè)器,
那么所產(chǎn)生的這些電子的能量等于入射丫射線的能量。對(duì)于這種理想過程,在儀器譜上表現(xiàn)的是出現(xiàn)一個(gè)
能量等與入射丫粒子能量的單峰。而對(duì)于實(shí)際情況,由于低能X特征射線可能的逃逸出探測(cè)器,因此,在
小體積探測(cè)器上可能會(huì)出現(xiàn)能量略小于入射丫粒子能量的特征X射線逃逸峰。(3分)
3.試畫出137cs伽瑪射線源在Nal(TI)閃爍計(jì)數(shù)器為探測(cè)器的儀器譜,并解釋各譜峰的形成機(jī)理。
解答:一個(gè)典型的Nai(T1)譜儀測(cè)到的'"cs源-------------------------------------------的
1Cl
0.662MeVy能譜。如右圖所示(3分),譜線上有______________________O^6^2MeV三個(gè)
峰和一個(gè)平臺(tái)。最右邊的峰A稱為全能峰。這一脈沖
幅度直接反映,射線的能量。這一峰中包含光電效應(yīng)
及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)。(2分)
平臺(tái)狀曲線B就是康管頓散射效應(yīng)的貢獻(xiàn),它的
特征是散射光子逃逸后留下一個(gè)能量從0到
E/(1+1/4E)的連續(xù)的電子譜。(2分)
峰C是反散射峰。當(dāng)y射線射向閃爍體時(shí),總有
一部分y射線沒有被閃爍體吸收而逸出。當(dāng)它與閃爍
脈沖幅度
體周圍的物質(zhì)發(fā)生散射時(shí),反散射光子返回閃爍體,
通過光電效應(yīng)被記錄,這就構(gòu)成反散射峰。(1分)Na(Tl)閃爍譜計(jì)數(shù)器的137csy能
峰D是X射線峰,它是由'"Ba的K層特征X射線貢獻(xiàn)
的'"Cs的B衰變子體0Ba的0.662MeV激發(fā)態(tài),在放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子后,造成K空位,外層電子躍迂后產(chǎn)生
此X光子。(1分)
五、計(jì)算題(10分)
1.對(duì)下圖的譜線進(jìn)行能量刻度,計(jì)算2”BiT760keV特征峰道址,并在譜線上標(biāo)明特征峰的位置。(圖中:
CH為道址,EN
650-L—
Cl1:173為能量)
600―
:N:B09kcV
ecn一
cnn—<I
den_\
V解答:根據(jù)已經(jīng)
400
知道的射線的
300-
一
2^(0-1
CH;723
J1OenU-\i
/,:N:2620kcV
1UU-A/\
7
SO-\t
-----J'、一
0-,一
全能峰道址和全能峰峰位能量,根據(jù)關(guān)系式EN=CH*a+c,列線性方程組,求解。(3分)
609=173*a+c
2620=723*a+c
解方程組得a=3.656,c=-23.5。(2分)
根據(jù)能量刻度系數(shù)求1760keV特征峰的道址(2分)
CH176O=(1760+23.5)/3.656七487
由求出1760keV特征峰道址可在圖中找到1760光電峰的位置,如圖紅箭頭所指位置。(3分)
一、判斷題(每題2分,共20分)
1、重帶電粒子均為帶正電荷的粒子(J)
2、重帶電粒子在介質(zhì)中運(yùn)動(dòng)徑跡為曲線,電子在介質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)徑跡近似為直線
(X)
3、對(duì)同種材料,電子能量越高,反散射越嚴(yán)重對(duì)同樣能量的電子,原子序數(shù)越
低的材料反散射越嚴(yán)重(X)
4、快電子與物質(zhì)相互作用時(shí),只考慮電離損失(X〉
5、吸收物質(zhì)原子序數(shù)越大各相互作用截面越大,其中光電效應(yīng)隨吸收物質(zhì)原子
序數(shù)變化最大,康普頓散射變化最小(J)
6、脈沖電離室中離子對(duì)全部被吸收,所用的時(shí)間大約為lOTs<y)
7、脈沖電離室形成的電壓脈沖由電子脈沖和離子脈沖兩部分組成,兩者貢獻(xiàn)各
占一半(X)
8、自猝熄G-M計(jì)數(shù)管所能加的氣體只有鹵素氣體一種(X)
9、能量低的B粒子從放射源到探測(cè)器途中易被吸收(/)
10、閃爍探測(cè)器的高壓是通過分壓器加在光電倍熠管(J)
二、選擇題(每空3分,共30分)
1、兩個(gè)湮沒光子的能量相同,各等于B,兩個(gè)光子的發(fā)射方向相T差近似
D
AO.511KeVB511KeVC120°D180°
2、21°PO的a粒子能量為5.3MeV,在真空中的射程為3.8cm,平均電離能為34eV,
其總電離N為A
A1..56+105B1.39+106C1.56*106D1.39*10$
3、已知一探測(cè)器的實(shí)測(cè)計(jì)數(shù)率為n,分講時(shí)間為T,據(jù)此可求得該探測(cè)器的平
均計(jì)數(shù)率為
C
4、測(cè)量Y射線一般選用J閃爍體,測(cè)量a射線一般選用C閃爍體,測(cè)
量B射線和中子一般選用B閃爍體
4、測(cè)蚩Y射線一般選用_「閃爍體,測(cè)量a射線一般選用閃爍體,測(cè)
量B射線和中子一般選用_且_閃爍體
ANai(Tl)B塑料CZnS(Ag)DBGO
5、在進(jìn)行放射性測(cè)量中,要求計(jì)數(shù)率的相對(duì)誤差不大于單%時(shí),要求總的計(jì)數(shù)N
應(yīng)不小于B
A105B104C103D102
6、4TT計(jì)數(shù)法提高了測(cè)量精度,誤差可減少到B左右
A0.05%B1%C5%D10%
7、在Nai(Tl)中2MeVY射線相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)
的截面比為1:20:2,入射到Nai(Tl)中的2MeVy射線的脈沖幅度譜給出的峰
總比是A1/23
A大于B小于C等于D以上都不對(duì)
1、Y射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用有哪幾種方式?
答:丫射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用:光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)
2、比較典型的氣體探測(cè)器有哪幾種?
答:典型的氣體探測(cè)器有:電離室、正比計(jì)數(shù)器、G-M計(jì)數(shù)管
3、與電離室相比,正比計(jì)數(shù)器有哪些優(yōu)點(diǎn)
答:正比計(jì)數(shù)器優(yōu)點(diǎn):脈沖幅度大、靈敏度較高、脈沖幅度幾乎與原電離的位置
無(wú)關(guān)
4、常用的半導(dǎo)體探測(cè)器有哪些?半導(dǎo)體探測(cè)器優(yōu)塊點(diǎn)有哪些?
答:常用的半導(dǎo)體探測(cè)器:PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器、鋰漂移型半導(dǎo)體探測(cè)器、高純
錯(cuò)半導(dǎo)體探測(cè)器
優(yōu)點(diǎn):能量分辨率最佳;射線探測(cè)效率較高,可與閃爍探測(cè)器相比
玦點(diǎn):對(duì)輻射損傷校靈敏;常用的錯(cuò)測(cè)器,需要低溫(液氮)條件下工作,
使用不便
5、中子按能量可分為哪幾類?申子與物質(zhì)發(fā)生相互作用有哪幾種方式?中子探
測(cè)的方法有哪些?
答:中子分類:快中子、執(zhí)中干、招執(zhí)中干、悍中子
相互作用方式:中子為彈性和非亂性散射;中子的輻射俘獲、中子核反應(yīng)、
中子裂變反應(yīng)
中子的探測(cè)方法:核反應(yīng)'核裂變、核反沖、活化法
四'計(jì)算題(1、2題每題8分,3題9分,共25分)
1、能量為L(zhǎng)50MeV的丫放射源放在鉛容器里,為了安全,必須使容器外的強(qiáng)度
減小為原來(lái)的1/4000,試求容器壁至少需多厚。
答:當(dāng)EV=1.5MeV時(shí),查表得p"=0.0517cm-2/g
根據(jù)l=Ioe-ttX=Ioe-Un,Xn,
p=Um*p=O.O517cm-2/g*ll.34g/cm3=0.5862cm-1
2、本底計(jì)數(shù)率25計(jì)數(shù)/min,測(cè)蚩樣品計(jì)數(shù)率100計(jì)數(shù)/min,試求對(duì)給定總的測(cè)
量時(shí)間來(lái)說凈計(jì)數(shù)率精確度最高時(shí)的最優(yōu)比值樣品測(cè)量時(shí)間和本地測(cè)量時(shí)間之
比;若凈計(jì)數(shù)率的相對(duì)統(tǒng)計(jì)誤差為1%,測(cè)量總時(shí)間的最小值是多少?
解:
n5-S75
4=13.3min
tj=267min
T=tb+tj=4OOmin
3、已知一Y放射源的活度A為101。貝克,假設(shè)該源各向同性地放出丫光子,假
設(shè)射到一個(gè)G-M計(jì)數(shù)管的光子數(shù)位106/s,該G-M計(jì)數(shù)管輸出的脈沖數(shù)為lOVs,
還已知該G-M計(jì)數(shù)管的分簫時(shí)間為2Ps,求該G-M計(jì)數(shù)管的本征效率和總效率。
解:
所eT—OM.IO-JL25*104/
本證嘴=L25%
25*10-6
沒有經(jīng)過計(jì)數(shù)率修正:
Z本證嘴=1%
£息效N嗡尸。-6
成都理工大學(xué)核輻射測(cè)量方法題庫(kù)
名詞解釋
1.原子能級(jí):一種原子繞行電子數(shù)目和運(yùn)動(dòng)軌道是一定的,因此,一種原子總是
處于一系列確定的穩(wěn)定能量狀態(tài)。這一系列確定的穩(wěn)定能量狀態(tài)稱為原子的能級(jí)。
2.核素:核素是指具有一定數(shù)目質(zhì)子和一定數(shù)目中子的一種原子。
3.y衰變:處于激發(fā)態(tài)的原子核由較高能態(tài)向較低能態(tài)躍遷時(shí),發(fā)出丫光子的過
程。
4.平均電力能:在某一種氣體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)離子對(duì)的電離輻射所失去的能量的平均
值。
5.粒子注量率:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)通過單位面積的粒子數(shù)
6.吸收計(jì)量:?jiǎn)挝毁|(zhì)量物質(zhì)受輻射后吸收輻射的能量。
7.劑量當(dāng)量:在要研究的組織中某點(diǎn)處的吸收劑量、品質(zhì)因素和其它修正因數(shù)的
乘積。
8.同位素:相同Z,不同A(N不同)的核素。
9.放射性活度:放射性元素或同位素每秒衰變的原子數(shù)。
10.照射量:?jiǎn)挝毁|(zhì)量?jī)?nèi)由光子釋放的全部電子(負(fù)電子和正電子)在空氣中完全
被阻止時(shí)所產(chǎn)生的離子電荷和的絕對(duì)值。
11.劑量當(dāng)量指數(shù):全身均勻照射的年劑量的極限值。
12.射氣系數(shù):在某一時(shí)間間隔內(nèi),巖石或礦石析出的射氣量N1與同一時(shí)間間隔
內(nèi)該巖石或礦石中由衰變產(chǎn)生的全部射氣量N2的比值。
13.a衰變:原子核自發(fā)放射a粒子的核衰變過程。
14.核衰變:原子核自發(fā)射出某種粒子而變?yōu)榱硪环N核的過程。
15.同質(zhì)異能素:相同N、Z;不同能級(jí)的核素。
16.軌道電子俘獲:放射性核俘獲一個(gè)核外軌道電子而使核內(nèi)的一個(gè)質(zhì)子轉(zhuǎn)化為中
子并放出中微子的過程。
17.平均壽命:處于某不穩(wěn)定狀態(tài)的一種微觀粒子的平均生存時(shí)間。
18.衰變常數(shù):一個(gè)原子核在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)生衰變的幾率。
19.丫常數(shù):質(zhì)量為1g的點(diǎn)狀源在距離1cm處的照射量率。
20.基體效應(yīng):待測(cè)元素含量相同,由于其基體成份不同,測(cè)量到的待測(cè)元素特征
X射線強(qiáng)度是不同的。
填空
1天然放射性鈾牡系列起始核素及半衰期:
鈾系:232Th1.41*1010a牡系:238U4.468*109a
2a,B,丫射線與粒子相互作用主要形式:
3電離,激發(fā)/電離和激發(fā),韌致輻射,彈性散射/光電,康普頓,電子對(duì)
4形成電子對(duì)條件:入射光子能量應(yīng)大于1.02MeV
5半衰期與平均壽命衰變常數(shù)關(guān)系:t=l次=1.441/2Ti/2=-ln(1/2)/入
6a粒子實(shí)質(zhì):高速運(yùn)動(dòng)的He核
7天然丫射線最大能量:2.62MeV
8天然a射線在空氣中最大射程:8.62cm
9B衰變3種形式:B+(母核中一中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子),B-(母核中一質(zhì)子轉(zhuǎn)變
為中子),軌道電子俘獲(同上)
10鈾鋼系中能量最大的a粒子:
鈾系214Po7.687MeV鈕系212Po8.78MeV鋼系21IPo7.455MeV
11天然放射性系列B射線能量范圍:0.2-2.5MeV
12鈾鉆鋼系中氣態(tài)核素及其半衰期:
鈾系:222Rn3.852d牡系:2l0Rn54.5s鋼系:219Rn3.96s
13鈾系中按地化特征鈾組鋼組是怎么劃分的及分別包含哪些:鈾組包括
238U-230Th,鐳組包括226Ra以后所有核素。
14牡系的丫強(qiáng)度分布特點(diǎn):主要丫譜能量為:0.239、0.583、0.908、0.96、2.62MeV。
近60%的丫由208Tl輻射,約25%由238Ac輻射,這兩個(gè)核素的y射線總能量占
鈾系85%,輻射強(qiáng)度占71%,其中208Tl輻射的2.62MeV的丫能量最高,強(qiáng)度
最大。
15丫衰變過程實(shí)質(zhì):處于激發(fā)態(tài)的原子核由較高能態(tài)向較低能態(tài)躍遷時(shí),發(fā)出
y光子。
16y能譜測(cè)K,U,Th一般選擇的特征能量:K1.46MeV單能射線
17鈾系中子體半衰期最長(zhǎng)的核素:234U2.45*10人5a
18三個(gè)放射性系列天然衰變的最后產(chǎn)物:
鈾系206Pb鈕系208Pb舸系207Pb
19中子轟擊235u放出的大體能量:鈾俘獲一個(gè)中子后分裂為兩個(gè)較輕的原子核,
同時(shí)放出二個(gè)至三個(gè)中子及很大的能量(200MeV左右)。
20U系丫射線譜主要分布特征:鈾系Y射線譜主要分布在0.5-2.0MeV,大于IMeV
的Y強(qiáng)度約占50%,大于2MeV占10.7%
21測(cè)輻射儀自然底數(shù)的方法:水面法、鉛屏法。
22放射性標(biāo)準(zhǔn)源按射線種類分類:Q標(biāo)準(zhǔn)源、B標(biāo)準(zhǔn)源、丫標(biāo)準(zhǔn)源和中子標(biāo)準(zhǔn)
源等。
23輻射防護(hù)基本原則:減少體外照射,防止放射性物質(zhì)進(jìn)入人體。
24外照射防護(hù)3原則:實(shí)踐的正當(dāng)性、防護(hù)水平的最優(yōu)化和個(gè)人受照的劑量限
值。
25y輻射儀用于測(cè)量什么:用于丫射線總量測(cè)量的輕便型儀器,在地質(zhì)找礦和
環(huán)境y輻射檢測(cè)中得到廣泛應(yīng)用。
26放射性測(cè)井分類:丫總量測(cè)井和丫能譜測(cè)井。
27地面丫測(cè)量航空測(cè)量分類(由丫強(qiáng)度不同):檢查、詳查、地表揭露等。
28y總量測(cè)量,丫能譜測(cè)量:
用便攜式丫能譜儀按一定比例尺在測(cè)點(diǎn)上直接測(cè)定巖石(土壤)和礦石中鈾(鐳卜
牡、鉀的含量。
29放射性普查研究對(duì)象:含有天然放射性元素的地質(zhì)體。
30初級(jí)宇宙射線主要成分:初級(jí)宇宙射線中主要成分為質(zhì)子,其次為a粒子,
還有少量電子、光子、中微子,以及原子序數(shù)從2到28的原子的原子核。
31巖漿巖中不同種類巖石中K,U,Th含量特征:
酸性巖中的鈾、社含量比中性巖中的約高1倍,比基性巖中的約高6倍,比超基
性巖中的約高1000倍以上。所以酸性巖的鈾、針含量是巖漿巖中最高的;酸性
巖和中性巖中的鉀的含量較基性巖和超基性巖高。
32地面丫測(cè)量:利用便攜式丫輻射儀或丫能譜儀測(cè)量土壤和礦石的丫射線總照
射量率和某一能量范圍的射線計(jì)數(shù)率,尋找放射性異常或放射性增高地段,借以
發(fā)現(xiàn)放射性礦床。
33變質(zhì)巖中K含量與什么有關(guān):與變質(zhì)前原巖中的含量及其變質(zhì)程度有關(guān)。
34土壤大氣中氨和牡射氣分布規(guī)律:
土壤和大氣中,氟和鉆射氣分布有一定規(guī)律。土壤中氨濃度比陸地大氣約高100
倍,陸地上空比海洋上空高幾十倍。
35地面上空大氣中針射氣濃度與高度關(guān)系:濃度及其衰變產(chǎn)物的數(shù)量隨高度增
加而減少。
36確定巖石丫背景值和異常的方法:計(jì)算法和圖解法
37航空丫測(cè)量野外飛行包括:基線飛行、輔助飛行、測(cè)線飛行及檢查飛行。
38X射線熒光分析定性分析物理基礎(chǔ):
紇=&C(Z-%)2(1與
國(guó)嗎
莫塞萊定律Z------原子系數(shù),其它為常數(shù)。
39X射線熒光分析熒光產(chǎn)額:較高能級(jí)電子填充特定殼層空位,并發(fā)射X射線
G-
(——)4=A+BZ+CZ3
熒光的幾率。1—G
簡(jiǎn)答
1根據(jù)地面丫測(cè)量一般將鈾礦勘察分為那幾個(gè)階段?各階段比例尺及任務(wù):
預(yù)查1:10萬(wàn)-1:5萬(wàn)研究工作區(qū)的區(qū)域地質(zhì)條件和放射性地球物理場(chǎng)特征,尋找
有利的含鈾層位(地段)、構(gòu)造、巖性,并確定找礦標(biāo)志。為進(jìn)一步開展較高精度
地面普查找出遠(yuǎn)景區(qū)。
普查125萬(wàn)-1:1萬(wàn)研究工作區(qū)的地質(zhì)構(gòu)造特征,尋找異常點(diǎn)(帶),并研究其分
布規(guī)律,礦化特征和成礦條件,為詳查選區(qū)提供依據(jù)。
詳查1:5000-1:1000對(duì)有意義的異常點(diǎn)帶進(jìn)行追索,擴(kuò)大遠(yuǎn)景,進(jìn)而圈定出異常
的形態(tài)、規(guī)模,查明異常的性質(zhì)與分布規(guī)律、賦存的地質(zhì)條件、礦化特征。為揭
露評(píng)價(jià)提供依據(jù)。
勘探1:1000以上對(duì)已知具有工業(yè)價(jià)值的礦床或經(jīng)詳查圈出的勘探區(qū),通過加密
各種采樣工程,其間距足以肯定礦體(層)的連續(xù)性,詳細(xì)查明礦床地質(zhì)特征,確
定礦體的形態(tài)、產(chǎn)狀、大小、空間位置和礦石質(zhì)量特征,詳細(xì)查明礦體開采技術(shù)
條件,對(duì)礦山進(jìn)行加工選冶性能實(shí)驗(yàn)室流程或?qū)嶒?yàn)室擴(kuò)大流程試驗(yàn),必要時(shí)應(yīng)進(jìn)
行半工業(yè)試驗(yàn),為可行性研究或礦山建設(shè)設(shè)計(jì)提供依據(jù)。
2地面丫測(cè)量異常點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn):凡丫射線照射量率高于圍巖底數(shù)三倍以上,受一定構(gòu)
造巖性控制,異常性質(zhì)為鈾或鈾杜混合者。若丫射線照射量率未達(dá)到底數(shù)三倍以
上,但照射量率偏高,高于圍巖底數(shù)加三倍均方差,受明顯地質(zhì)因素控制,且有
一定規(guī)模,也為異常點(diǎn)。
3地面丫測(cè)量資料成果圖示種類:
實(shí)際材料圖地物標(biāo)志、地質(zhì)界線、丫測(cè)量路線及其編號(hào)、異常點(diǎn)帶及其編號(hào)、
最高丫強(qiáng)度值、檢查測(cè)線、山地工程以及普通物探和化探的工作范圍。
地質(zhì)物探綜合平面圖在圖上標(biāo)出有代表性的異常點(diǎn)、揭露點(diǎn),并注明其編號(hào)和
Y強(qiáng)度值。
丫強(qiáng)度等值圖首先將測(cè)點(diǎn)的實(shí)際位置展到圖上,在每個(gè)測(cè)點(diǎn)旁注上丫強(qiáng)度值,
然后按選定的丫等值線間距采用內(nèi)插法,將丫強(qiáng)度相等的點(diǎn)連成圓滑的曲線。
y強(qiáng)度剖面圖表示沿丫測(cè)量剖面,巖石y強(qiáng)度變化的一種曲線圖。如在丫強(qiáng)度
曲線下面附上地質(zhì)剖面,即構(gòu)成地質(zhì)物探綜合剖面圖。能反映引起丫強(qiáng)度變化的
地質(zhì)原因。
相對(duì)丫強(qiáng)度等值圖如果在一個(gè)工作區(qū)內(nèi)有多個(gè)地質(zhì)體,存在多種巖性,各種巖
性的丫背景值差異大,用丫等值圖將有可能使某些弱異常反映不出來(lái)。于是在各
種巖性背景值及不同標(biāo)準(zhǔn)差的基礎(chǔ)上,按強(qiáng)度等級(jí)勾繪等值圖。把不同巖性相同
級(jí)別的丫值圈在一起。
區(qū)域研究程度圖把前人已做過的工作和現(xiàn)在準(zhǔn)備做的工作,按工種、范圍、比
例尺等繪到圖上。把有遠(yuǎn)景的異常點(diǎn)帶、揭露點(diǎn)也標(biāo)到圖上,并標(biāo)注一定的地物
記。
4影響地面丫能譜測(cè)量因素:測(cè)量幾何條件的影響,放射性不平衡的影響,巖石
及大氣中射氣的影響,底數(shù)的變化的影響,其它干擾因素。
5地面丫能譜測(cè)量野外工作主要步驟:
(1)工作前標(biāo)定儀器
(2)選擇基點(diǎn),每天工作前與工作結(jié)束之后在基點(diǎn)上測(cè)量,檢查靈敏度。也可
用工作標(biāo)準(zhǔn)源檢查。
(3)在每一測(cè)點(diǎn)上,能譜儀作定時(shí)計(jì)數(shù),讀2-3次數(shù)取平均值。讀數(shù)均記錄在
記錄本上,并記錄巖性、構(gòu)造、浮土情況以及測(cè)量幾何條件等。
(4)為保證測(cè)量質(zhì)量,一般抽選10%的測(cè)點(diǎn)進(jìn)行自檢和5%的測(cè)點(diǎn)進(jìn)行互檢。
6基體效應(yīng):待測(cè)元素含量相同,由于其基體成份不同,測(cè)量到的待測(cè)元素特征
X射線強(qiáng)度是不同的。
7根據(jù)能量色散X熒光分析干擾因素-:
8微型X光管工作原理:
9大氣氮主要來(lái)源及影響其濃度主要因素:
(1)大地釋放(2)海洋釋放(3)植物和地下水載帶(4)核工業(yè)釋放(5)煤
燃燒(6)天然氣(7)建筑物的釋放(8)磷酸鹽工業(yè)
10能量色散X熒光分析中X射線探測(cè)器應(yīng)滿足哪些要求:
11B衰變放出的B粒子能譜為什么連續(xù):
12137cs及40K衰變綱圖:
13放射性譜平衡:
14帶點(diǎn)粒子平衡:
15照射量物理概念及其與吸收計(jì)量的關(guān)系:
16放射性平衡:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)B核素衰變的原子數(shù)等于單位時(shí)間內(nèi)A核素衰變的
原子數(shù),即母核素與子核素衰變率相等,此時(shí)稱A核素與B核素達(dá)到放射性平
衡。
17放射性暫時(shí)平衡:
18解釋散射射線照射量率與散射體原子序數(shù)關(guān)系曲線:
19丫輻射儀標(biāo)定原理及方法:
標(biāo)定時(shí)使用已知含量的點(diǎn)狀固體鐳源。標(biāo)定時(shí)應(yīng)首先計(jì)算出距標(biāo)準(zhǔn)源不同距離處
的丫值,然后在相應(yīng)距離上測(cè)出讀數(shù),這樣就得出讀數(shù)和丫值的關(guān)系。
空中標(biāo)定法(室外開闊、空曠、平坦、底數(shù)較低并平穩(wěn)的場(chǎng)地上)。
地面標(biāo)定法(遠(yuǎn)離周圍障礙物之外,還要求地面平整,標(biāo)定場(chǎng)地本底小。另外,
標(biāo)定時(shí)的溫度也應(yīng)接近工作時(shí)的溫度)。
20特征X射線形成過程及進(jìn)行X射線熒光定性分析物理基礎(chǔ):
論述
1丫射線與物質(zhì)相互作用的光電,康普頓,電子對(duì)效應(yīng):
光電:光子同(整個(gè))原子作用把自己的全部能量傳遞給原子,殼層中某一電子獲得
動(dòng)能克服原子束縛跑出來(lái),成為自由電子,光子本身消失。
康普頓:y光子與原子的外層電子發(fā)生碰撞,一部分能量傳給電子使它脫離原子
射出而成為“反沖電子”,同時(shí)光子損失能量并改變方向成為“散射光子”。
電子
對(duì):
與原
子核
作用
產(chǎn)生
一對(duì)正-負(fù)電子。
2137cs在Nai閃爍計(jì)數(shù)器的儀器譜并解釋各譜峰形成機(jī)理:
一個(gè)典型的Nai(T1)譜儀測(cè)到的137cs源的0.662MeVy能譜。如圖所示,譜線
上有三個(gè)峰和一個(gè)平臺(tái)。
A稱為全能峰。這一脈沖幅度直接反映,射線的能量。這一峰中包含光電效應(yīng)及
多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)。
B是康普頓散射效應(yīng)的作用效果,它的特征是散射光子逃逸后留下一個(gè)能量從0
到約/(1+1/4瑪)的連續(xù)的電子譜。
C是反散射峰。當(dāng)丫射線射向閃爍體時(shí),總有一部分丫射線沒有被閃爍體吸收而
逸出。當(dāng)它與閃爍體周圍的物質(zhì)發(fā)生散射時(shí),反散射光子返回閃爍體,通過光電
效應(yīng)被記錄,這就構(gòu)成反散射峰。
峰D是X射線峰,它是由137Ba的K層特征X射線貢獻(xiàn)的137cs的B衰變子體
137Ba的0.662MeV激發(fā)態(tài),在放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子后,造成K空位,外層電子躍遷
后產(chǎn)生此X光子。
3計(jì)算距活度ICi的6℃o源1m處的丫輻射照射量率:
X=2.98X10-10mEnihViUi/d2(c/kg.s)
X=2.98X10-10X3.7義1070(1.17+1.33)*3.5義10-5
=96.5X10A-5(c/kg.s)
4鈾系達(dá)到長(zhǎng)期平衡:IgU平衡的鐳數(shù)量:
5y能譜儀的標(biāo)定原理:
在體源模型上測(cè)定各種測(cè)量道(鈾道、針道、鉀道)的計(jì)數(shù)率,以確定模型中元素
的已知含量與各道計(jì)數(shù)之間的關(guān)系,即換算系數(shù)。
6畫出使便攜式X熒光分析儀工作原理框圖并闡述原理:
7便攜X熒光分析儀激發(fā)源同位素源和管激發(fā)源各自優(yōu)缺點(diǎn):
習(xí)題解答
第一章緒論
1、核信息的獲取與處理主要包括哪些方面的?
①時(shí)間測(cè)量。核信息出現(xiàn)的時(shí)間間隔是測(cè)定核粒子的壽命或飛行速度的基本參數(shù),目前直接測(cè)量核信息出
現(xiàn)的時(shí)間間隔已達(dá)到皮秒級(jí)。
②核輻射強(qiáng)度測(cè)量。核輻射強(qiáng)度是指單位時(shí)間內(nèi)核信息出現(xiàn)的概率,對(duì)于低輻射強(qiáng)度的測(cè)量,要求測(cè)
量?jī)x器具有低的噪聲本底,否則核信息將淹沒于噪聲之中而無(wú)法測(cè)量。對(duì)于高輻射強(qiáng)度的測(cè)量,由于核信
息十分密集,如果信號(hào)在測(cè)量?jī)x器中堆積,有可能使一部分信號(hào)丟失而測(cè)量不到,因此要求儀器具有良好
的抗信號(hào)堆積性能。對(duì)于待測(cè)核信息的輻射強(qiáng)度變化范圍很大的情況(如核試驗(yàn)物理診斷中信號(hào)強(qiáng)度變化范
圍可達(dá)IO'倍),如測(cè)量?jī)x器的量程設(shè)置太小,高輻射強(qiáng)度的信號(hào)可能飽和;反之,如量程設(shè)置太大,低輻
射強(qiáng)度的信號(hào)又測(cè)不到,因此對(duì)于這種場(chǎng)合的測(cè)量則要求測(cè)量?jī)x器量程可自動(dòng)變換。
③能譜測(cè)量。輻射能譜上的特征是核能級(jí)躍遷及核同位素差異的重要標(biāo)志,核能譜也是核輻射的基本
測(cè)量?jī)?nèi)容。精確的能譜測(cè)量要求儀器工作穩(wěn)定、能量分辨力達(dá)到幾個(gè)電子伏特,并具有抑制計(jì)數(shù)速率引起
的峰位和能量分辨力變化等性能。
④位置測(cè)量。基本粒子的徑跡及空間位置的精確測(cè)定是判別基本粒子的種類及其主要參數(shù)的重要手段。
目前空間定位的精度可達(dá)到微米級(jí)。
⑤波形測(cè)量。核信息波形的變化往往反映了某些核反應(yīng)過程的變化,因此核信息波形的測(cè)量是研究核
爆炸反應(yīng)過程的重要手段,而該波形的測(cè)量往往是單次且快速(納秒至皮秒級(jí))的。
⑥圖像測(cè)量。核輻射信息的二維空間圖像測(cè)量是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新技術(shù)。輻射圖像的測(cè)量方法可分
為兩類:第一種是利用輻射源進(jìn)行透視以攝取被測(cè)物體的圖像;第二種是利用被測(cè)目標(biāo)體的自身輻射(如裂
變反應(yīng)產(chǎn)生的輻射)以反映目標(biāo)體本身的圖像。圖像測(cè)量利用計(jì)算機(jī)對(duì)攝取的圖像信息進(jìn)行處理與重建,以
便更準(zhǔn)確地反映實(shí)際和提高清晰度。CT技術(shù)就是這種處理方法的代表。
2、抗輻射加固主要涉及哪些方面?
抗輻射加固的研究重點(diǎn)最初是尋找能減弱核輻射效應(yīng)的屏蔽材料,后來(lái)在電路上采取某些抗輻射加固措施,
然后逐漸將研究重點(diǎn)轉(zhuǎn)向?qū)ζ骷目馆椛浼庸獭?/p>
3、核電子學(xué)的應(yīng)用領(lǐng)域主要包括哪些方面?
核電子可應(yīng)用于核與粒子物理基本研究、核輻射探測(cè)器電子學(xué)、核反應(yīng)堆電子學(xué)、加速器電子學(xué)、同位素
應(yīng)用儀表、核醫(yī)學(xué)電子儀器以及劑量測(cè)量?jī)x器等。
第二章核輻射探測(cè)器及其輸出信號(hào)
1、簡(jiǎn)述核電子學(xué)的基本測(cè)量過程。
最基本的測(cè)量過程如下:
能量信息強(qiáng)度分析2、簡(jiǎn)述核輻射探測(cè)
時(shí)間信息器輸出信號(hào)特點(diǎn)。
位置信息數(shù)核電子學(xué)信號(hào)的特
3線性放大據(jù)點(diǎn)是隨機(jī)性(時(shí)間、
濾波成形采
探測(cè)器刖放集幅度)、信號(hào)弱,但
堆積判棄系跨度大(NV?幾十
統(tǒng)
基線恢復(fù)伏)、速度快。
3、簡(jiǎn)述核輻射探測(cè)
器的主要類型及其
工作原理。
一、氣體
信息檢取信號(hào)處理
探測(cè)器
它根據(jù)帶電粒子通過氣體時(shí),引起氣體的電離來(lái)探測(cè)輻射粒子。早期這種探測(cè)器曾得到廣泛應(yīng)用,它
的優(yōu)點(diǎn)是制備簡(jiǎn)單,性能可靠,成本低廉,使用方便,因而目前仍在應(yīng)用。隨著探測(cè)器技術(shù)不斷發(fā)展,在
高能物理和重粒子物理實(shí)驗(yàn)中這種探測(cè)器已獲得新的應(yīng)用。
二、閃爍探測(cè)器
它根據(jù)射線與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的熒光現(xiàn)象來(lái)探測(cè)射線粒子。它比氣體探測(cè)器探測(cè)效率高得多,從而
被廣泛使用,在不少儀器中閃爍探測(cè)器已取代了氣體探測(cè)器。
三、半導(dǎo)體探測(cè)器
這是二十世紀(jì)六十年代以來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型探測(cè)器。主要優(yōu)點(diǎn)是:能量分辨率高。線型范圍
廣,體積小。是近年來(lái)發(fā)展極為迅速的一種核輻射探測(cè)器件。
4、核輻射探測(cè)器的基本性能指標(biāo)包括哪些?
探測(cè)效率;靈敏度:靈敏度;輸出信號(hào)幅度和波形;能量分辨率;線性響應(yīng);穩(wěn)定性
5、畫出脈沖電離室、半導(dǎo)體探測(cè)器、閃爍探測(cè)器的等效電路。
ppl4-17
第三章核電子學(xué)電路基礎(chǔ)
1、畫出矩形脈沖電壓作用下RC電路的脈沖響應(yīng)曲線。
2、簡(jiǎn)述微分電路與耦合電路的區(qū)別。
3、畫出電流脈沖作用于RC并聯(lián)電路的輸出電壓波形。
4、說明電容負(fù)載對(duì)微分電路輸出的影響。
5、說明輸入脈沖邊沿對(duì)微分電路輸出的影響。
第四章核電子學(xué)中的噪聲習(xí)題
1、根據(jù)核探測(cè)器輸出信號(hào)的特點(diǎn),說明核電子學(xué)與一般電子學(xué)的區(qū)別。
2、核電子學(xué)中遇到的噪聲主要有哪幾類?產(chǎn)生的原因分別是什么?對(duì)于幅度分析和時(shí)間分析,哪些噪聲
最重要?
3、信噪比的定義。
4、半導(dǎo)體探測(cè)器主要存在哪些噪聲源?
5、閃爍探測(cè)器的噪聲主要來(lái)源是什么?
6、為什么正比計(jì)數(shù)器在測(cè)量低能射線的能譜方面有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)?
7、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管噪聲來(lái)源有哪些?
8、表示系統(tǒng)噪聲性能有哪幾種方法?各有什么意義?輸入端的噪聲電壓是否就是等效電壓,為什么?
9、設(shè)探測(cè)器反向電流}=10一84后級(jí)電路頻寬為1MHz,計(jì)算散粒噪聲相應(yīng)的均方值和相對(duì)于ID的比值;
dip=2IDedf
212
備=2IDe(fH_九)=2*IO—*1.6*io-i9*106=32*10-(/1)
器=5.66*IO-11
J(D
-5—=5.66*10-3
10、計(jì)算常溫下(T=300K)5MC電阻上相應(yīng)的均方根噪聲電壓(頻寬設(shè)為1MHz)。
解:
拆=)欽丁聯(lián)儲(chǔ)一心=2.88*10-4(V)
11、求矩形脈沖通過低通濾波器,RC=T,RC=5T,RC=T/5的輸出波形及頻譜。
12、能譜測(cè)量系統(tǒng)的噪聲為什么通常折合到前置放大器的輸入端去考慮?“噪聲線寬”與“等效噪聲能量”的
關(guān)系如何?
噪聲線寬FWHMNE=2.355ENE
13、下圖是兩個(gè)反饋放大器,若運(yùn)放的開環(huán)增益A-8,則兩者的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)均為io。,現(xiàn)假設(shè)A=1000,
試計(jì)算它們的閉環(huán)放大倍數(shù)。
⑴(2)
(1)
v0=—AVi
%u_%
&&
%=A8
=-90.83
%8+(1+i4)/?2
⑵
%=A(Vi-u_)
%=%
R?%+&
%A(RI+/?2)_1000*100
&+(1+a)/?2=99+1001*190.9
14、A為理想運(yùn)放,A-8,寫出下列電路輸出噪聲d1的表達(dá)式。(假設(shè)電路中電阻、電容無(wú)噪聲)
⑴
,、11
%(3)=%(3)兩=京3)兩
⑵同上
15、A為理想運(yùn)放,Ats,考慮電阻RI和R2的熱噪聲,分別寫出dv;、山:以及Ri、R2噪聲對(duì)輸出端噪
聲的貢獻(xiàn);又由于這四個(gè)噪聲源在統(tǒng)計(jì)上是獨(dú)立無(wú)關(guān)的,因此總的輸出噪聲的均方值為這四個(gè)噪聲均
方值之和,請(qǐng)寫出/正。
o---
Vj=Ov
分別考慮電流、電壓噪聲、電阻熱噪聲的貢獻(xiàn),應(yīng)用疊加原理;虛斷、虛短分析。
——Ri
d咯=(1+U)”若
d詔2=R"吟
d璃=4kTRidf
4kTdf
d臉=
d嗚=dWi+d以2+dv^3+d說4
16、假設(shè)電容C、電阻Ri、R2沒有噪聲,試寫出如下電路輸出噪聲的表達(dá)式。
dV.=?
Vn0-U2-
曠康/“飛薪//a)
2
幅=*/建=100*前年嬴*
17、畫出電阻熱噪聲的兩種表示(電壓噪聲源和電流噪聲源)及其等效電路。)
第五章信號(hào)與噪聲的分析方法習(xí)題
1、給出沖擊函數(shù)、階躍函數(shù)的定義及相互關(guān)系
2、證明如下公式
(I)F[^W(r)]=T~~-
⑵F[咐]=1MB
(3)Fcos6/^]=7U[8{GJ+a)8^co-a)\
(4)Fsin^r]=7ij[6{co+d)-6{co-d)\
(5)F[?(/)]=—+7V8{CO)
(6)F[1]=2^>(?)
(7)F["碰]=2公(⑦一例)
(1)F[e-,u(t)]=£Lef”(t)e-j3rdt=(e-O+?rdt=一j^e-03+夕)故8__£_
(2)
r+OO
F[5(t)]=6(t)e--dt=e°=l
J—CO
(3)
+-iat
cosat=-e---------
e^at+e";atl27rs(co—a)+27r6(3+a)
---------=-------------------------=磯6(3-Q)+6(3+a)]
⑷
gjat_e-jat
sinat=-----------
2;
%皿-e~jat'27rs(3—a)-27r23+a)
F[sinat]=F=2/=nj[8(a)+a)+6(3—a)]
.2/,
(5)記G(u>)=F[5(t)]
u(t)=f
J—co
rFG(3)1
F[u(t)]=7TG(0)8(O))H——;——=TT(5(3)+—
JO)JO)
(6)
1=u(t)4-u(-t)
F[l]=n8(a))+K8(—a>)=2TT8((I))
(7)
1r+o0
-1J(i)t7COot
F[2Tt8(a>—coo)]=2zr*—I8(a)—
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