2023年度南京繼續(xù)教育集成電路專題講座參考答案

2023年度南京連續(xù)教育集成電路專題講座參考答案單項選擇題A、塔式效勞器B、刀片式效勞器C、機架式效勞器D、機柜式效勞器參考答案：C2、雷達價格最高。A、超聲波B、激光C、納米波D、毫米波參考答案：D3、國內半絕緣型碳化硅襯底已占據(jù)約的市場份額。A、10%B、30%C、50%D、70%參考答案：C4、在MEMS產(chǎn)品市場份額中位列其次。A、射頻器件B、壓力傳感器C、聲學傳感器D、慣性傳感器參考答案：B5、車規(guī)芯片要滿足的溫度要求。A、-40℃至+40℃B、0℃至+40℃C、-40℃至+150℃D、-40℃至+300℃參考答案：C6、2023年，GaN微波射頻產(chǎn)值達。A、25.5B、60.8億元C、44.7億元D、19.6億元參考答案：B7、英飛凌估量將來高端純電動汽車上凹凸壓MOSFET總數(shù)量有望到達個。A、120B、200C、400D、600參考答案：C8A、增長減緩B、增長停滯C、減緩增長D、減緩停滯參考答案：A9、L2級別的自動駕駛車輛對單車傳感器的本錢或許在美元。A、120B、140C、160D、180參考答案：C10A、2—4B、4—6個季度C、6—8個季度D、8—10個季度參考答案：B11、EDA的進展歷程分為幾個階段?A、兩個階段B、三個階段C、四個階段D、五個階段參考答案：B12、是我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)進展的關鍵窗口期，能否建立長期戰(zhàn)略優(yōu)勢至關重要。A、“十一五”B、“”C、“”D、“”參考答案：D13、截至2023年底，全國鐵路運營里程14.6萬公里，其中高速鐵路公里。A、3.8B、5.8萬公里C、8.8萬公里D、10.8萬公里參考答案：A14、目前針對SOC設計的最大顧慮是?A、開發(fā)本錢快速增加B、開發(fā)周期漫長C、單裸片SOC全部原件需被放置在同一個制程度工藝節(jié)點上DSOC參考答案：C15、科技爭論系統(tǒng)的根底是哪一類芯片?A、軟件定義芯片B、CMOS技術芯片C、AID、X86參考答案：B16、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中，三星的市占率是。A、31%B、28%C、13%D、10%參考答案：C17、以下選項中，不屬于電子產(chǎn)品包含的互聯(lián)范圍的一項為哪一項?A、芯片端的互聯(lián)B、封裝層面的互聯(lián)C、電路板間的互聯(lián)D、散熱系統(tǒng)的互聯(lián)參考答案：C18、2023年，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值達。A、2.2B、6.5億元C、44.7億元D、19.6億元參考答案：B19、GaN功率器件在充電器產(chǎn)品的潛在市場的規(guī)模約為億美元。A、60B、80C、100D、120參考答案：B20、2023年，中國集成電路設計業(yè)銷售額超過了，同比增長20%以上。A、3000B、3500億元C、4000億元D、4500億元參考答案：D21A、塔式效勞器B、刀片式效勞器C、機架式效勞器D、機柜式效勞器參考答案：C22、產(chǎn)業(yè)是感知世界的根底，也是萬物互聯(lián)的根本。A、云計算B、大數(shù)據(jù)C、區(qū)塊鏈D、傳感器參考答案：D23、砷化鎵的器件的缺點是功率較低，低于。A、50WB、100WC、150WD、200W參考答案：A24、2023年，韓國半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全球規(guī)模的。A、19%B、12%C、14%D、16%參考答案：A25A、水蒸氣相傳輸法B、物理氣相傳輸法C、電流傳輸D、直流傳輸參考答案：B26、的建設是整個東數(shù)西算工程實施中最重要的環(huán)節(jié)。A、數(shù)據(jù)中心B、5GC、特高壓D、高鐵及城際的高速列車參考答案：A27、是全球MEMS行業(yè)最大的一個應用領域。A、工業(yè)B、醫(yī)療C、汽車電子D、消費電子參考答案：D28、可以提升效勞器電源的功率密度和效率，整體上縮小數(shù)據(jù)中心的體積，實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心整體建設本錢的降低，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。A、硫化硅器件B、砷化硅器件C、氮化硅器件D、碳化硅器件參考答案：D29、以下選項中，關于NORFlalsh，說法錯誤的選項是。A、是非易失性的B、具有很高的讀取速度C、寫入速度很快D、一樣容量下，NORFlash的價格要遠遠高于NANDFlash參考答案：A30、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中，臺積電的市占率是。A、31%B、28%C、13%D、10%參考答案：B31、IP設計的收入端主要由哪兩局部組成?A、設計費與版稅B、授權金與批發(fā)C、授權金與版稅D、授權金與銷售參考答案：C32、2023年，MEMS行業(yè)規(guī)模超過了億美金。A、120B、140C、160D、180參考答案：C33、2023年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458.33億元，同比增長。A、12.8%B、18.2%C、22.8%D、28.2%參考答案：B34、PCM料。A、硫屬化物B、石蠟C、醋酸D、水參考答案：B35、區(qū)分于數(shù)據(jù)中心效勞器，邊緣效勞器配置追求的是。A、最大存儲B、最高計算性能C、最大擴展卡數(shù)量D、在有限空間里盡量供給配置靈敏性參考答案：D36、MCU芯片是。A、驅動類芯片B、把握類芯片C、計算類芯片D、電源類芯片參考答案：B37、是全球集成電路產(chǎn)業(yè)強國，產(chǎn)業(yè)進展源于20世紀60年月末期美國半導體產(chǎn)業(yè)的技術轉移。A、荷蘭B、中國C、日本D、美國參考答案：D38、AI芯片領域面臨的主要技術挑戰(zhàn)是?A、馮·諾依曼瓶頸B、CMOS技術芯片C、規(guī)律器件D、運算精度參考答案：A39、用在計算過程中的是影響數(shù)據(jù)中心處理力氣、處理快慢的最核心局部。A、編程B、程序C、數(shù)據(jù)D、芯片參考答案：D40、現(xiàn)階段已商業(yè)化的SiC產(chǎn)品主要集中在電壓等級，3300V以上電壓等級器件尚處于工程樣品階段。A、650V-4700VB、650V-3700VC、650V-2700VD、650V-1700V參考答案：D41、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中，聯(lián)華電子的市占率是。A、31%B、28%C、13%D、10%參考答案：D42、SRAM的響應通常可以做到級別。A、飛秒B、納秒C、微秒D、毫秒?yún)⒖即鸢福篋43、碳化硅的耐高壓力氣是硅的10倍、耐高溫力氣是硅的2倍、高頻力氣是硅的2倍。A、10B、7C、5D、3參考答案：A44、關于RAM和ROM，說法錯誤的選項是。A、ROMB、RAM是隨機存取存儲器C、RAM和ROM都沒有讀和寫的次數(shù)的限制D、ROM參考答案：C45、是數(shù)字經(jīng)濟最有價值的資源，作為數(shù)字經(jīng)濟全的、關鍵的生產(chǎn)要素，貫穿于數(shù)字經(jīng)濟進展的全部流程，將引發(fā)生產(chǎn)要素多領域、多維度、系統(tǒng)性的突破。A、算力B、數(shù)據(jù)C、算法D、資金參考答案：B46、以下選項中，哪一個芯片架構具有本錢低、耗能低的特點?A、X86B、ARMC、MIPSD、RISC-V參考答案：A47、從物理構造上看，GPU和CPU的差異在于。A、GPUB、GPU沒有存放器C、GPU沒有規(guī)律運算單元D、GPU包括了把握單元、存放器、規(guī)律運算單元等，相比于CPU，擁有更多規(guī)律運算單元參考答案：D48、中心處理器是指?A、風扇B、主板C、CPUD、硬盤參考答案：C49、芯片設計的核心環(huán)節(jié)是?A、前端設計B、中端設計C、芯片的規(guī)格定義D、后端設計參考答案：A502023年到20252025年達20億美元。A、42%B、32%C、22%D、12%參考答案：D51、工藝節(jié)點泛指在集成電路加工過程中的，尺寸越小，表示工藝水平越高。A、工藝流程B、特征尺寸C、設備模型D、工藝特征參考答案：B52、是信息技術的引擎，推動信息技術的進展。A、編程B、程序C、數(shù)據(jù)D、芯片參考答案：C53、后摩爾時代的集成電路設計領域中，人們追求的目標是?A、功耗B、尺寸C、效率D、良率參考答案：D54、是位于主電路和把握電路之間，用來對把握電路的信號進展放大的中間電路。A、驅動類芯片B、把握類芯片C、計算類芯片D、電源類芯片參考答案：A55、連接芯片設計工作和IT根底架構的重要環(huán)節(jié)是?A、3DICB、CADC、EDA技術支持D、IT技術支持參考答案：B56、為MEMS的聲學傳感器的主要應用領域。A、工業(yè)B、醫(yī)療C、汽車電子D、消費電子參考答案：B57、國內已實現(xiàn)4-6英寸商業(yè)化產(chǎn)品供給，可以滿足及以下功率器件制備需求。A、3.3kVB、3.4kVC、3.5kVD、3.6kV參考答案：A58、醫(yī)療設備領域MEMS產(chǎn)品年均復合增長率超過了。A、5%B、6%C、7%D、8%參考答案：C59、2023年，CMOS圖像傳感器市場規(guī)模超過了億美金。A、140B、160C、180D、200參考答案：B60、高通屬于集成電路芯片產(chǎn)業(yè)商業(yè)模式中的。A、IDMB、FablessC、FoundryD、IBM參考答案：C61、芯片的良率與尺寸呈現(xiàn)怎樣的關系?A、隨著芯片尺寸的減小，芯片良率呈現(xiàn)指數(shù)級下降B、隨著芯片尺寸的增加，芯片良率呈現(xiàn)指數(shù)級下降C、隨著芯片尺寸的增加，芯片良率不會發(fā)生較大變化D、隨著芯片尺寸的增加，芯片良率呈現(xiàn)緩慢下降趨勢參考答案：B62三代半導體龍頭企業(yè)最主要的銷售市場。A、20%—30%B、30%—40%C、40%—50%D、50%—60%參考答案：C63、GaN功率器件有望在領域代替硅基功率器件。A、低壓B、中壓C、高壓D、超高壓參考答案：A64、類襯底通常與GaN外延結合形成異質晶圓，并主要用于生產(chǎn)微波射頻器件。A、木質類B、絕緣型C、半絕緣型D、導電型參考答案：C65、X86芯片架構誕生于哪一年?A、1983B、1971C、1987D、1978參考答案：D66、依據(jù)摩爾定律，集成電路芯片上所集成的電路數(shù)目每隔翻一番。A、6B、12個月C、18個月D、24考答案：C67、是全球最大的單一半導體市場。A、荷蘭B、中國C、日本D、美國參考答案：B68、NANDFlash也是有從2D有向3D轉換的大趨勢，在多層擴展的方式上，是一種主流的策略。A、串堆疊B、單層C、縮微晶體管D、擴展晶體管參考答案：C692023年全球智能手機以及功能機所消耗掉的CMOS圖像傳感器占到總的CMOS圖像傳感器市場份額的左右。A、60%B、70%C、80%D、90%參考答案：B70、是便攜式血壓傳感器的關鍵的器件。A、MEMSB、MEMS聲學傳感器C、MEMS慣性傳感器D、MEMS射頻器件參考答案：A71、EDA硬件的兩個主要交付工具是?A、仿真和驗證B、驗證和快速原型C、設計和快速原型D、仿真和快速原型設計參考答案：D多項選擇題1、與傳統(tǒng)芯片相比，軟件定義芯片的目標是在單顆芯片上兼顧哪些性能?A、高性能B、高精度C、高能效D、高靈敏E、高安全參考答案：ACDE2、以下選項中，屬于易失性存儲器的有。A、EPROMB、SRAMC、FlashD、DRAME、FRAM參考答案：CD3、屬于MEMS傳感器。A、打印機噴墨的噴頭B、聲學傳感器C、壓力傳感器D、慣性傳感器E、射頻器件參考答案：BCDE4、芯片設計有哪些步驟?A、芯片規(guī)格的定義B、系統(tǒng)級的設計C、前端設計D、中端設計E、后端設計參考答案：ABCE5、以下選項中，屬于非易失性存儲器的有。A、EPROMB、SRAMC、FlashD、DRAME、FRAM參考答案：ABE6、以下說法正確的選項是。A、0.18微米以上制程，中國大陸占據(jù)全球20.5%產(chǎn)能，領先全球其他國家和地區(qū)B、40nm-0.18微米制程，中國大陸占據(jù)全球產(chǎn)能15.6%，僅次于中國臺灣地區(qū)C、20nm-40nm制程，中國大陸占據(jù)全球產(chǎn)能15.4%，落后于中國臺灣地區(qū)、韓國和美國D、10-20nm14.8%，落后于韓國和日本E、總產(chǎn)能方面，中國大陸占據(jù)全球15.3%產(chǎn)能，落后于中國臺灣地區(qū)、韓國、日本。參考答案：ABC7、的硬件是智能傳感將來的方向。A、體積更小B、重量更輕C、功耗更低D、性價比更高E、價格更低參考答案：ABCD8、集成電路芯片產(chǎn)業(yè)特點主要有。A、投資規(guī)模巨大B、投資風險高C、回報周期長D、投資風險低E、規(guī)模效應明顯參考答案：ABCE9、等興應用的進展，為集成電路供給了重要的驅動力。A、5GB、物聯(lián)網(wǎng)C、人工智能D、自動駕駛E、類腦計算參考答案：ABCD10、MEMS的慣性傳感器主要是用在領域。A、汽車電子B、工業(yè)C、醫(yī)療D、消費電子E、安防參考答案：AD11、以下對日本半導體進展狀況的闡述正確的選項是。A、1963年，日本電氣股份(NEC)獲得了仙童半導體公司的技術授權B、1976-1979年，日本開頭實施VLSI聯(lián)盟，使得日本技術與美國差距縮小。C20世紀80DRAM的IDM場獲得了領先地位D、1989-1992年，日本超越美國，成為全球最大的半導體生產(chǎn)國E、1989年，日本的市場占有率一度到達全球的53%參考答案：BDE12、基建的領域主要包括。A、5GB、大數(shù)據(jù)中心C、特高壓D、人工智能E、城際高速鐵路和城際軌道交通參考答案：ABCDE13、FPGA芯片的主要特點包括。A、串行計算B、并行計算C、適用便捷D、設計靈敏E、高兼容性參考答案：BCDE14、以下選項中，關于ASIC與FPGA綜合比照，說法正確的有。A、ASICB、FPGA的研發(fā)周期更長C、ASIC的固定本錢更高D、FPGA的固定本錢更高E、FPGA在靈敏性方面具備確定優(yōu)勢參考答案：ACE15、與傳統(tǒng)的EEPROM相比，阻變存儲器ReRAM具備兩大特性。A、小型化B、大型化C、高容量D、低能耗E、高速度參考答案：AC16、后摩爾時代，芯片設計的需求有哪些?A、大規(guī)模彈性計算B、更快面對市場C、小規(guī)模彈性計算D、更低的設計本錢E、面對更廣泛的市場參考答案：AE17、以下是氮化鎵器件的物理特性。A、寬禁帶B、存在二維電子氣C、低導通損耗D、本征電子濃度低E、高擊穿電壓參考答案：AC18、CPU的主要功能主要為。A、處理指令B、執(zhí)行操作C、把握時間D、處理數(shù)據(jù)E、存儲數(shù)據(jù)參考答案：ABCD19、EDA設計過程中需要經(jīng)受哪些步驟?A、設定條件B、反推C、設定方針D、設計E、驗證參考答案：CDE20、2023年，我國主要的充電根底設施是以為主。A、公用充電樁B、專用充電樁C、私人用充電樁D、溝通充電樁E、直流充電樁參考答案：AD21、圖像傳感器的進展趨勢有。A、前照式構造的普及B、電路及芯片構造設計優(yōu)化C、BSID、封裝工藝創(chuàng)E、多元融合參考答案：ABCDE22、集成電路在等方面，遠遠優(yōu)于傳統(tǒng)的分別型晶體管元件。A、體積B、重量C、功耗D、壽命E、牢靠性參考答案：ABCDE23、依據(jù)MIT在《Science》公布的文章，后摩爾定律時代，算力提升將更大程度上來源于A、3D堆疊B、超導電路C、軟件D、算法E、硬件架構參考答案：CDE24、在集成電路設計理念之一的正向設計中，有哪些類型?A、系統(tǒng)設計B、自頂向上C、自底向下D、自頂向下E、自底向上參考答案：DE25、碳化硅下游主要應用場景有。A、5GB、數(shù)據(jù)中心C、能源汽車充電樁D、高鐵和城際交通E、特高壓參考答案：ACDE26、智能傳感進展的方向是。A、系統(tǒng)化B、節(jié)能化C、自動化D、智能化E、微型化參考答案：AD27、CMOS圖像傳感器依據(jù)感光元件的裝配位置分為。A、后照式B、前照式C、左照式D、右照式E、背照式參考答案：BE28、選擇第三代半導體的緣由有。A、是開啟5G、人工智能、萬物互聯(lián)，支撐智能社會進展的核心B、是支撐節(jié)能減排，實現(xiàn)綠色可持續(xù)進展的重要載體C、是實現(xiàn)綠色照明、推動醫(yī)療與安康、不斷開發(fā)的顯示技術的重要途徑D、是提升航空航天和國防力氣的重要保障E、企業(yè)以IDM模式為主，設計和制造開頭消滅分工參考答案：ABCDE29、芯片設計的技術支持角色有哪些?A、IPB、EDA工具庫與技術支持C、Foundry工藝庫與技術支持D、IT根底架構與技術支持E、PS技術支持參考答案：ABCD30、圖像傳感器主要分為。A、CMOSB、CODC、CMDD、CRME、CCD參考答案：AE31、在熱點領域，企業(yè)營收實現(xiàn)了快速增長，其中熱點領域主要有。A、人工智能B、消費電子C、晶圓代工D、存儲器E、汽車半導體參考答案：ABCDE32、三大核心零部件本錢占效勞器總本錢比例約為效勞器總硬件本錢的80%。A、I/OB、硬盤C、內存D、電源E、處理器參考答案：BCE33、以下是5G通信具備的特點。A、小容量B、大容量C、低延時D、高牢靠性E、高功耗參考答案：BCD34計算機。A、運行更快B、負載更高C、負載更低D、價格更貴E、價格更廉價參考答案：ABD35、3DIC設計的挑戰(zhàn)有哪些?A、降低功耗B、系統(tǒng)級的異質設計整合、規(guī)劃和優(yōu)化C、協(xié)同設計和協(xié)同分析D、設計前進展熱分析E、將技術無縫整合在一起的通用平臺參考答案：BCE36、以下屬于東數(shù)西算工程。A、數(shù)據(jù)中心B、5GC、特高壓D、高鐵及城際的高速列車E、能源及能源汽車參考答案：ABCD37、CMOS圖像傳感器的優(yōu)點有。A、高集成度B、標準化程度較高C、功耗較低D、本錢較低E、小型化參考答案：CDE38、全球集成電路芯片轉移路徑主要有。A、從美國外鄉(xiāng)到日本B、從美國和日本向韓國、中國臺灣地區(qū)轉移C、從美國外鄉(xiāng)到中國大陸D、從臺灣地區(qū)轉到大陸E、從日本到中國參考答案：ABD39、碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括。A、襯底B、外延C、器件D、應用E、收購參考答案：ABC40、正是由于氮化鎵優(yōu)秀的材料特質，等5G移動通信中使用到的核心根底技術最終都將使用氮化鎵材料制作功率放大器產(chǎn)品。A、毫米波B、載波聚合C、Massive-MIMOD、波束合成E、載波分解參考答案：ADE41、AI學習需要具備哪三大條件?A、數(shù)據(jù)集B、算法模型C、目標函數(shù)D、時間E、算法腳本參考答案：ABE42、后摩爾時代，芯片設計的演進方向有哪些?A、EDAB3DICC、3DIC的深度進展D、異質集成E、AI驅動設計參考答案：ACD43、MEMS行業(yè)將來進展趨勢有。A、SIP是“后摩爾時代”的重要增長動力B、MEMS器件智能化、微型化、低功耗化趨勢逐步深化C、MEMSD、萬物互聯(lián)、人機交互時代，MEMS器件應用場景更加多元化E、多傳感器融合與協(xié)同參考答案：ABDE44、雖然EDA解決方案不直接涉及芯片制造，但它在哪三個方面發(fā)揮著關鍵作用?A、設計和驗證半導體制造流程B、驗證設計是否滿足產(chǎn)品制造流程的全部要求，即是否具有良好的可制造性C、確保器件在使用壽命期間持續(xù)按預期運行D、驗證半導體設計是否穎E、驗證半導體設計是否能有更長的壽命參考答案：BCD45、碳化硅基的功率器件的特點主要有。A、可以顯著的降低散熱器的本錢和體積B、可以減小功率模塊的體積C、提高整個系統(tǒng)的效率D、增加功率模塊的體積E、增加散熱器的本錢和體積參考答案：ABC46、“大戰(zhàn)略下”我國集成電路行業(yè)進展趨勢主要表現(xiàn)為。A、集成電路產(chǎn)業(yè)將由高速增長階段轉向高質量進展階段B、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化是增加行業(yè)競爭力的關鍵因素C、材料、架構助推諸多顛覆性技術推動產(chǎn)業(yè)革D、人才問題將是制約我國集成電路產(chǎn)業(yè)進展的關鍵因素E、整機廠商加速自研芯片進程參考答案：ABCD47、手機攝像頭的進展方向有。A、攝像頭體積變小B、攝像頭種類增加C、感光面積加大D、攝像頭像素增加E、攝像頭數(shù)量增多參考答案：BCDE48、對于國內集成電路制造行業(yè)產(chǎn)生影響的因素主要有。A、全球的政治經(jīng)濟變化B、制造領域、制造環(huán)節(jié)的關鍵材料和設備可能會患病極限施壓C、關鍵材料質量的提升D、集成電路制造企業(yè)存在的爛尾大事，導致大量投資和資源的鋪張E、關鍵環(huán)節(jié)技術的進步參考答案：ABD49、后摩爾時代，芯片設計面臨哪些問題?A、芯片制造人才越來越稀缺B、芯片的設計本錢越來越高C、芯片的效能面臨挑戰(zhàn)D、下游應用需求對芯片設計要求激增E、芯片的制造技術越來越先進參考答案：BCD50、3DIC的設計優(yōu)勢有哪些?A、實現(xiàn)本錢降低B、更簡潔滿足高互連速度和帶寬要求C、支持更小的尺寸D、可以降低功耗E、加強跨封裝之間的互連參考答案：BCE51、評價一顆芯片有哪些指標?A、待機時長B、功耗C、性能D、面積E、熱消耗參考答案：ABC52、與燃油車相比，整個的電動車的動力系統(tǒng)的零部件漸漸轉為等。A、發(fā)動機B、電池C、逆變器D、變速箱E、OBC參考答案：BDE53功率器件。A、功率二極管B、功率三極管C、晶閘管D、MOSFEE、IGBT參考答案：ABD54、功率半導體器件是電力裝置的核心。其功能主要表現(xiàn)為。A、降溫B、變頻C、變壓D、變流E、功耗把握參考答案：BCD55、第三代半導體的半導體材料主要有。A、SiB、GeC、GaND、SiCE、InP參考答案：CD56、半導體材料在等性能方面具有優(yōu)勢。A、禁帶寬度B、電子遷移率C、相對介電常數(shù)D、熱導率E、擊穿場強參考答案：ABDE57、依據(jù)器件不同的開關類型，可以將GaN器件分為。A、常開型B、常關型C、級聯(lián)型D、串聯(lián)型E、并聯(lián)型參考答案：AB58、特色工藝的特征主要表現(xiàn)為。A、不追求先進的工藝制程B、工藝期很長C、特色工藝的產(chǎn)品種類少D、產(chǎn)品應用與工藝結合格外嚴密E、特色工藝的產(chǎn)品種類格外繁多參考答案：ABDE59這幾個方向的性能。A、DRAM的高容量、低本錢B、SRAM的高容量、低本錢C、SRAMD、閃存的數(shù)據(jù)的非揮發(fā)特性E、DRAM的數(shù)據(jù)的非揮發(fā)特性參考答案：BCE60、智能微系統(tǒng)具備哪些技術要素?A、架構B、微電子C、光電子D、軟件E、MEMS參考答案：ABCDE61、FRAM具有其他傳統(tǒng)內存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性，包括。A、非易失性B、易失性C、高讀寫耐久性D、寫入速度快E、低功耗參考答案：ACDE62、目前攝像頭的封裝工藝承受的是。A、SEMB、CFRC、COBD、COME、CSP參考答案：CE63、目前市場上主流的芯片架構有哪些?A、X88B、X86C、ARMD、MIPSE、RISC-V參考答案：BCDE64、集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的商業(yè)模式主要有。A、IDMB、FablessC、FoundryD、IBME、Feblass參考答案：ABE65、AI學習需要具備哪三大條件?A、數(shù)據(jù)集B、算法模型C、目標函數(shù)D、時間E、算法腳本參考答案：ABE66后續(xù)有望突破現(xiàn)有想象空間。A、3D堆疊B、超導電路C、軟件D、算法E、硬件架構參考答案：AB67、單個ECU包含了很多不同的功能類的芯片，其中在高壓端部署一些等芯片。A、MCUB、TVSC、電源芯片D、IGBTE、隔離芯片參考答案：ABD68、在很多的車用領域使用大量的碳化硅來作為器件的襯底，是由于碳化硅有三大優(yōu)勢。A、高阻值B、低阻值C、高速運作D、高溫運作E、低溫運作參考答案：ACD69、以下對韓國半導體進展狀況的闡述正確的選項是。A、1973B、1979年，韓國制定推動半導體產(chǎn)業(yè)進展的六年打算C、1976D、1978年韓國建立了第一家外鄉(xiāng)半導體企業(yè)韓國半導體公司E、20世紀70年月末，韓國具備生產(chǎn)超大規(guī)模集成電路技術參考答案：ACD70、云計算有哪些特性?A、更更快B、資源優(yōu)化C、上市更快D、性能增加E、本錢節(jié)約參考答案：ABD71、以氮化鎵為材料的功率半導體器件可廣泛應用于。A、工業(yè)B、通信C、計算機D、航空航天E、事參考答案：ABCDE推斷題1、估量到2025年，全球充電樁碳化硅器件市場規(guī)模將到達25億美元。參考答案：錯誤2GaN微波射頻器件市場規(guī)模成倍數(shù)增長。參考答案：錯誤3、型存儲器是對傳統(tǒng)存儲器的替代，兩者只會短暫共存。參考答案：錯誤4、ICBT是把握電能傳輸轉換的核心芯片。參考答案：錯誤5、存儲器是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備，其存儲與讀取過程表達為電子的存儲或釋放。參考答案：正確6、背照式CMOS圖像傳感器比前照式的制作本錢更低。參考答案：錯誤7、MEMS的特征尺寸一般是納米級的。參考答案：正確8、韓國集成電路起源于20世紀60年月日本半導體企業(yè)的封裝技術產(chǎn)能轉移。參考答案：錯誤9、5G基站建設是影響GaC微波射頻器件市場規(guī)模變化的主要因素。參考答案：錯誤10、集成電路已經(jīng)成為各行各業(yè)實現(xiàn)信息化、智能化的根底。參考答案：正確11、目前主流的手機至少用到五顆左右的MEMS聲學傳感器。參考答案：錯誤12迭代、進展更屢次模擬和回歸測試，即通過更短時間把更優(yōu)秀的產(chǎn)品推入到市場當中去。參考答案：正確13、GaN在功率器件領域的目標：提高效率并實現(xiàn)小型化。參考答案：正確14、MEMS傳感器不行以進展大批量的生產(chǎn)。參考答案：錯誤15CPU參考答案：錯誤16、容量、本錢等已經(jīng)不是制約型存儲器廣泛使用的因素。參考答案：錯誤17、EDA技術可以在很大程度上降低IP設計的本錢。參考答案：錯誤18、國內現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子和GaN射頻存在較大缺口。參考答案：正確19、估量到2024年、2025年，全球手機的出貨量會保持在18—19億部左右的態(tài)勢。參考答案：錯誤20路行業(yè)。參考答案：正確21SiCMOSFET實現(xiàn)650V(120-17mΩ)1200V(80-25mΩ)1700V(80-45mΩ)產(chǎn)品小批量生產(chǎn)，尚處于應用推廣階段。參考答案：正確22PD快充市場的爆發(fā)。參考答案：正確23、一般半導體行業(yè)周期是在銷量增長的波動下推動的，行業(yè)周期介于6—10個季度。參考答案：錯誤24、FPGA設計完成后，無法改動硬件資源，靈敏性受限。參考答案：錯誤253DICAI/ML高性能、高功耗器件的應用而言。參考答案：錯誤26、算力是數(shù)字經(jīng)濟進展的重要驅動力。參考答案：正確27、近年來，智能可穿戴設備處于一個高度爆發(fā)的階段。參考答案：正確28種是精簡指令集。參考答案：正確29、2023年-2023年，SiC下游產(chǎn)業(yè)鏈應用進入衰退期。參考答案：錯誤30、第一代半導體:以硅(Si)和鍺(Ge)等元素半導體為代表，奠定微電子產(chǎn)業(yè)根底。參考答案：正確31、芯片是超大規(guī)模的集成電路，是由成百上千個晶體管、電容和電阻組成的電子電路。參考答案：正確32、全球最大的兩家半導體企業(yè)英特爾和三星是Fabless公司。參考答案：錯誤33、FPGA的芯片，在數(shù)據(jù)中心領域主要是用作硬件加速，它位于網(wǎng)絡交換層與傳統(tǒng)的效勞器軟件之間。參考答案：正確34、臺積電屬于Foundry中的佼佼者，在晶圓代工市場中擁有超過50%的占有率。參考答案：正確35計方法。參考答案：錯誤36、氮化鎵射頻器件需要在效率、線性度和增益間取得平衡。參考答案：正確375器件領域，產(chǎn)能大幅度提升，企業(yè)并購頻發(fā)，正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段。參考答案：正確38、全球主要經(jīng)濟體政策利好汽車電動化。參考答案：正確39、FPGA普遍被認為是構建原型和開發(fā)設計的最快推動的路徑之一,具有編程、除錯、再編程和重復