2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：耗盡層近似_第1頁
2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：耗盡層近似_第2頁
2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：耗盡層近似_第3頁
2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：耗盡層近似_第4頁
2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：耗盡層近似_第5頁
已閱讀5頁，還剩9頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

耗盡層近似

假設(shè)空間電荷區(qū)的空穴都已全部耗盡，電荷全由已電離的受主雜質(zhì)構(gòu)成。半導(dǎo)體的摻雜是均勻的，則空間電荷區(qū)的電荷密度，

(x)=-qNA設(shè)xd為耗盡層的厚度

耗盡層近似表面空間電荷區(qū)的電場(chǎng)和電容表面空間電荷區(qū)的電場(chǎng)：F函數(shù)空間電荷層中電勢(shì)滿足的泊松方程εrs半導(dǎo)體的相對(duì)介電常數(shù),

(x)空間電荷密度V>0,取正;V<0,取負(fù)V=Vs時(shí),半導(dǎo)體表面處的電場(chǎng)強(qiáng)度電荷面密度

金屬為正時(shí)，VG>0，QS為負(fù)號(hào)金屬為負(fù)時(shí)，VG<0，QS為正號(hào)空間電荷層單位面積上的電容,單位F/m2以p型半導(dǎo)體為例,定量地分析各種表面層的狀態(tài)空間電荷層的電容(1)VG<0，金屬接負(fù)，半導(dǎo)體接正多數(shù)載流子堆積狀態(tài)

隨而

0

C

C0(AB)隨|VG|

積累的空穴越來越少，CS

，C/C0

(BC)1.00.80.60.40.2ABCDEFC0CFBCminC

minVmin1低頻C02高頻GH00+VMIS結(jié)構(gòu)的電容-電容曲線C/C0又（no)p<<(po)p(2)VG=0，VS=0

平帶平帶時(shí)的總電容為CFB

εro為絕緣層的相對(duì)介電常數(shù)(3)VG>0，金屬接+，半導(dǎo)體接負(fù)VS>0，表面能帶下彎，是空穴的勢(shì)壘

空穴耗盡狀態(tài)電離飽和時(shí)(p0)p=NAVG,C/C0

(CD)(4)VG>>0反型狀態(tài)低頻時(shí),少子的產(chǎn)生與復(fù)合跟得上小信號(hào)的變化VS

，少子積累越多，ns

，Cs

，C0/CS

，

C/C0

(DE)

當(dāng)VS

到使C0/C

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論